平面化的三維磁感測(cè)芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種平面化的三維磁感測(cè)芯片，包含設(shè)置于電路芯片基板上的第一磁傳感器、第二磁傳感器、第三磁傳感器及磁束偏折集中結(jié)構(gòu)，第一磁傳感器與第二磁傳感器共同量測(cè)磁通量在第一方向及第三方向的分量，第三磁傳感器量測(cè)磁通量在第二方向的分量，磁束偏折集中結(jié)構(gòu)將磁通量在第三方向的分量偏折至第一方向，而使第一磁傳感器及第二磁傳感器在第一方向上量測(cè)磁通量第三方向的分量，磁束偏折集中結(jié)構(gòu)與其它磁感應(yīng)器以半導(dǎo)體制程完成，不需兩段式裝設(shè)第三方向的磁傳感器，大幅提高了產(chǎn)率及良率。
【專利說(shuō)明】平面化的三維磁感測(cè)芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種三維磁感測(cè)芯片，尤其是利用磁束偏折集中結(jié)構(gòu)，而能在同一平面量測(cè)出磁通量三維的分量。
【背景技術(shù)】
[0002]磁傳感器被廣泛的應(yīng)用于各種行業(yè)中，主要用于感測(cè)磁場(chǎng)，比如:地球磁場(chǎng)傳感器、線性傳感器、角度傳感器和開關(guān)傳感器等等多種應(yīng)用，藉以感測(cè)磁場(chǎng)來(lái)做包括方向定位或進(jìn)行導(dǎo)航或進(jìn)行量測(cè)等等多樣性變化。隨著科技的發(fā)展，例如汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、智能型手機(jī)，作為導(dǎo)航之用，因此，磁感應(yīng)器的需求也隨之增加，藉由磁感應(yīng)的特性，能夠迅速地應(yīng)用在導(dǎo)航及全球定位系統(tǒng)?，F(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)均已朝向?qū)?shù)個(gè)不同功能的裝置合并至一單一電子產(chǎn)品內(nèi)，當(dāng)隨著電子產(chǎn)品的輕薄短小設(shè)計(jì)，降低整體產(chǎn)品體積的同時(shí)，磁感應(yīng)器的設(shè)計(jì)也受到考驗(yàn)。
[0003]傳統(tǒng)的磁感應(yīng)器是設(shè)置三個(gè)相同結(jié)構(gòu)的磁感應(yīng)器，將兩者設(shè)置于同一平面的垂直方向，用以量測(cè)磁場(chǎng)的X軸分量及Y軸分量，而用以量測(cè)磁場(chǎng)Z軸分量的另一個(gè)磁傳感器，需要與其它兩者垂直設(shè)置，由于目前集成電路的尺寸設(shè)計(jì)越來(lái)越小，由于垂直連接，制程需要兩段式進(jìn)行，且垂直連接的過程，在制程上難以標(biāo)準(zhǔn)化，良率難以提高，容易產(chǎn)生失敗，而使得整體的成本提聞。
[0004]因此，需要一種能夠降低整體體積，將三方向的磁感應(yīng)器設(shè)置于同一平面來(lái)減少制程上的問題的傳感器結(jié)構(gòu)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的是提供一種平面化的三維磁感測(cè)芯片，包含電路芯片基板、第一磁傳感器、第二磁傳感器、第三磁傳感器以及磁束偏折集中結(jié)構(gòu)，第一磁傳感器、第二磁傳感器、第三磁傳感器以及磁束偏折集中結(jié)構(gòu)設(shè)置于電路芯片基板的上表面，并與電路芯片基板中的電路電氣連接。第一磁傳感器與第二磁傳感器共同量測(cè)一磁通量在第一方向以及第三方向的分量。第三磁傳感器用以量測(cè)磁通量在第二方向的分量，第二方向與該第一方向在一平面上相互垂直，該第三方向與該第一方向與該第二方向垂直。
[0006]磁束偏折集中結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該第一磁傳感器及該第二磁傳感器之間，將該磁通量在該第三方向的分量集中，并偏折至該第一方向，從而藉由該第一磁傳感器及該第二磁傳感器在該第一方向上量測(cè)到該磁通量在該第三方向的分量。
[0007]進(jìn)一步地，以一組第四磁感應(yīng)器及第五磁感應(yīng)器來(lái)取代第三磁傳感器，磁束偏折集中結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第一磁傳感器及該第二磁傳感器之間，及/或該第四磁傳感器及該五磁傳感器之間，將該磁通量在一第三方向的分量集中，并偏折至該第一方向或該第二方向，而藉由該第一磁傳感器及該第二磁傳感器在該第一方向上量測(cè)該磁通量在該第三方向的分量，或是藉由該第四磁傳感器及該第五磁傳感器在該第二方向上量測(cè)該磁通量在該第三方向的分量。[0008]利用磁束偏折集中結(jié)構(gòu)能與量測(cè)第一方向及第二方向的第一磁傳感器、第二磁傳感器，第三磁傳感器(或第四磁感測(cè)及及第五磁傳感器)，以半導(dǎo)體制程的方式完成，或者是預(yù)先置備再行切割放置于所配置的位置，或以物理性或化學(xué)性沉積并加以蝕刻而成，亦可以嵌入式結(jié)構(gòu)實(shí)行；利用偏折磁通量的方式，在平面上量測(cè)出三維的磁通量，而不需用傳統(tǒng)方式以兩段式的制程裝設(shè)第三方向的磁傳感器，而大幅提高了磁感應(yīng)器的產(chǎn)率及良率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1A為本發(fā)明平面化的三維磁感測(cè)芯片第一實(shí)施例的示意圖；
[0010]圖1B為本發(fā)明平面化的三維磁感測(cè)芯片第二實(shí)施例的示意圖；
[0011]圖1C為本發(fā)明平面化的三維磁感測(cè)芯片第三實(shí)施例的示意圖；
[0012]圖2A為磁束偏折集中結(jié)構(gòu)的磁力線分布的示意圖；以及
[0013]圖2B為磁束偏折集中結(jié)構(gòu)的磁的向量簡(jiǎn)易示意圖。
[0014]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0015]I平面化的三維磁感測(cè)芯片
[0016]2平面化的三維磁感測(cè)芯片
[0017]3平面化的三維磁感測(cè)芯片
[0018]10電路芯片基板
[0019]21第一磁傳感器
[0020]23第二磁傳感器
[0021]30第三磁傳感器
[0022]31第四磁傳感器
[0023]33第五磁傳感器
[0024]40磁束偏折集中結(jié)構(gòu)
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下配合圖式及組件符號(hào)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式做更詳細(xì)的說(shuō)明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說(shuō)明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。
[0026]參閱圖1A，圖1A為本發(fā)明平面化的三維磁感測(cè)芯片第一實(shí)施例的示意圖。如圖1A所示，第一實(shí)施例的平面化的三維磁感測(cè)芯片I包含一電路芯片基板10、一第一磁傳感器21、一第二磁傳感器23、一第三磁傳感器31,以及一磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40。該第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23、該第三磁傳感器30，以及該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40都設(shè)置在電路芯片基板10的上表面,并且與電路芯片基板10中的電路(未可見)電氣連接，該第一磁傳感器21及該第二磁傳感器23用以量測(cè)磁通量第一方向A的分量，該第三磁傳感器30用以量測(cè)磁通量第二方向B的分量,其中第二方向B與第一方向A在一平面上相互垂直。磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40設(shè)置于第一磁傳感器21及一第二磁傳感器23之間，第一磁傳感器21及一第二磁傳感器23基于磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40對(duì)稱,將磁通量第三方向C的分量轉(zhuǎn)換為偏折至第一方向A,而能夠利用該第一磁傳感器21及該第二磁傳感器23量測(cè)第三方向C的分量，其中第三方向C與第一方向A及第二方向B都垂直。
[0027]參閱圖1B，圖1B為本發(fā)明平面化的三維磁感測(cè)芯片第二實(shí)施例的示意圖。如圖IB所示，第二實(shí)施例的平面化的三維磁感測(cè)芯片2實(shí)質(zhì)上與第一實(shí)施例的平面化的三維磁感測(cè)芯片I相似，只是將第一磁傳感器21，一第二磁傳感器23改變方向，用以量測(cè)磁通量在第二方向B的分量，而該第三磁傳感器30用以量測(cè)磁通量第一方向A的分量。磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40設(shè)置于第一磁傳感器21及一第二磁傳感器23之間,將磁通量第三方向C的分量轉(zhuǎn)換為偏折至第二方向B，而能夠利用該第一磁傳感器21及該第二磁傳感器23量測(cè)第三方向C的分量。
[0028]參閱圖1C，圖1C為本發(fā)明平面化的三維磁感測(cè)芯片第三實(shí)施例的示意圖。如圖1C所示，第三實(shí)施例的的平面化的三維磁感測(cè)芯片3是由第一實(shí)施例的平面化的三維磁感測(cè)芯片I改良，只是將第三磁傳感器30改變?yōu)榈谒拇鸥袘?yīng)器31以及第五磁感應(yīng)器33。該第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23、第四磁感應(yīng)器31、第五磁感應(yīng)器33，以及該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40都設(shè)置在電路芯片基板10的上表面，并且與電路芯片基板10中的電路(未可見)電氣連接。該第一磁傳感器21及該第二磁傳感器23用以量測(cè)磁通量第一方向A的分量，第四磁感應(yīng)器31以及第五磁感應(yīng)器33用以量測(cè)磁通量第一方向B的分量。磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40設(shè)置于第一磁傳感器21與一第二磁傳感器23之間，以及第四磁感應(yīng)器31與第五磁感應(yīng)器33之間,將磁通量第三方向C的分量轉(zhuǎn)換為偏折至第一方向A或第二方向B,而能夠利用該第一磁傳感器21及該第二磁傳感器23，或是第四磁感應(yīng)器31以及第五磁感應(yīng)器33量測(cè)第三方向C的分量。
[0029]參閱圖2A圖及圖2B，分別為磁束偏折集中結(jié)構(gòu)的磁力線分布的示意圖以及向量簡(jiǎn)易示意圖。如圖2A所示，磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40將上方輸入的磁力線在其內(nèi)部集中，并在磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40的下方向兩方輸出。如圖2B所示，以前述第一實(shí)施例作為示例。當(dāng)在磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40上方輸入第三方向C的磁通量，而在將第三方向C的磁通量偏折至第一方向A，并朝兩側(cè)輸出，使得該第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23分別量測(cè)到磁通量A1、A2,由于磁通量A1、A2的方向不同，以右側(cè)為正向，第三方向C的磁通量實(shí)質(zhì)上為A1-A2。而在第一方量的輸入A，第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23同向排列時(shí)，當(dāng)?shù)谝淮艂鞲衅?br> 21、該第二磁傳感器23分別量測(cè)到磁通量Al、A2，則第一方向的磁通量實(shí)質(zhì)為A1+A2，第三方向的磁通量為A1-A2 ;第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23反向排列時(shí),則第一方向的磁通量實(shí)質(zhì)為A1-A2，而第三方向的磁通量為A1+A2。如此，實(shí)質(zhì)上明顯能夠區(qū)隔，而能夠利用第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23量測(cè)到磁通量在第一方向及第三方量的分量，以上僅作為示例，而不用以限定，實(shí)際上各種軸向的運(yùn)算都可以應(yīng)用。
[0030]可以理解地，當(dāng)運(yùn)用第一磁傳感器21、第二磁傳感器23及第四磁傳感器31及第五磁傳感器33時(shí)，當(dāng)?shù)谝淮艂鞲衅?1、該第二磁傳感器23同向排列時(shí)，所量測(cè)到的磁通量分量相加，可以為磁通量在第一方向或第二方向的分量，而磁通量分量相減，為磁通量在第三方向的分量；反之，當(dāng)?shù)谝淮艂鞲衅?1、該第二磁傳感器23反向排列時(shí)，所量測(cè)到的磁通量分量相減，可以為磁通量在第一方向或第二方向的分量，而磁通量分量相加，為磁通量在第三方向的分量。第四磁傳感器31及第五磁傳感器33同向排列時(shí)，量測(cè)到的磁通量分量相力口，可以為磁通量在第二方向或第一方向的分量，反向排列時(shí)，量測(cè)到的磁通量分量相減，可以為磁通量在第二方向或第一方向的分量。
[0031]同理可理解地，當(dāng)運(yùn)用第一磁傳感器21、第二磁傳感器23及第四磁傳感器31及第五磁傳感器33時(shí)，當(dāng)?shù)谝淮艂鞲衅?1、該第二磁傳感器23同向排列時(shí)，所量測(cè)到的磁通量分量相加，可以為磁通量在第一方向或第二方向的分量，第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23反向排列時(shí)，所量測(cè)到的磁通量分量相減，可以為磁通量在第一方向或第二方向的分量，第四磁傳感器31及第五磁傳感器33同向排列時(shí)，量測(cè)到的磁通量分量相加，可以為磁通量在第二方向或第一方向的分量，而磁通量分量相減，為磁通量在第三方向的分量；反之，反向排列時(shí)，量測(cè)到的磁通量分量相減，可以為磁通量在第二方向或第一方向的分量，而磁通量分量相加，為磁通量在第三方向的分量。
[0032]該第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23、該第三磁傳感器30(或第四磁傳感器31及第五磁傳感器33),可以為異方性磁阻(anisotropic magnetic resistance, AMR)組件、巨磁阻(giant magnetic resistance,GMR)組件，以及穿隧磁阻(tunneling magneticreluctance, TMR)組件的至少其中之一，各磁傳感器可以形成各自獨(dú)立電橋結(jié)構(gòu)再彼此電氣連接，或是分組串聯(lián)接連，例如，該第一磁傳感器21和該第二磁傳感器30彼此連接形成電橋結(jié)構(gòu)，再與獨(dú)立形成電橋結(jié)構(gòu)的該第三傳感器30/或是相互連接的第四磁傳感器31及第五磁傳感器33彼此電氣連接。
[0033]該第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23，以及該第三磁傳感器25 (或第四磁感應(yīng)器31及第五磁感應(yīng)器33)，可為分別獨(dú)立制造再行組裝置該電路芯片基板10上，或直接于該電路芯片基板10上以物理性或化學(xué)性沉積法與蝕刻法形成。
[0034]該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40的底面與第一磁傳感器21、該第二磁傳感器23、第三磁傳感器30 (或第四磁傳感器31及第五磁傳感器33)共平面或略高于或略低于磁感測(cè)組件的平面。該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40為柱狀，且其可為具有任意寬高比的實(shí)心圓柱、角柱、或多邊形柱，且其導(dǎo)磁率(permeability)為f 10000H/m，為金屬性磁性材料或是陶瓷磁性材料，含金屬磁性材料為鐵、鈷、鎳、鐵鈷合金、鈷鎳合金、鐵鎳合金、鐵鈷鎳合金以及鈷鐵硼化合物的至少其中之一。陶瓷磁性材料為鐵氧磁體(ferrimagnets)，其晶體結(jié)構(gòu)為尖晶石(spinel)、反尖晶石(ant1-spinel),以及I丐鐵礦(perovskite)的至少其中之一。
[0035]該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)40，可預(yù)先置備、切割再放置于該電路芯片基板10所配置的位置，或是以物理性或化學(xué)性沉積以蝕刻，直接在該電路芯片基板10上形成，例如，在該電路芯片基板10上預(yù)先蝕刻出柱狀孔洞，再以物理性或化學(xué)性沉積將之填滿后整平而形成。
[0036]本發(fā)明的特點(diǎn)在于,磁束偏折集中結(jié)構(gòu)能與量測(cè)第一方向及第二方向的第一磁傳感器、第二磁傳感器，第三磁傳感器(或第四磁感測(cè)及第五磁傳感器)，以半導(dǎo)體制程的方式完成，利用偏折磁通量的方式，在平面上量測(cè)出三維的磁通量，而不需用傳統(tǒng)方式以兩段式的制程裝設(shè)第三方向的磁傳感器，而大幅提高了磁感應(yīng)器的產(chǎn)率及良率。
[0037]以上所述者僅為用以解釋本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非企圖據(jù)以對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，因此，凡有在相同的發(fā)明精神下所作有關(guān)本發(fā)明的任何修飾或變更，皆仍應(yīng)包括在本發(fā)明意圖保護(hù)的范疇。
【權(quán)利要求】
1.一種平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，包含: 一電路芯片基板； 一第一磁傳感器，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面； 一第二磁傳感器，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面，與該第一磁傳感器共同量測(cè)一磁通量在一第一方向以及一第三方向的分量； 一第三磁傳感器，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面，用以量測(cè)該磁通量在一第二方向的分量，其中該第二方向與該第一方向在一平面上相互垂直，而該第三方向與該第一方向與該第二方向垂直；以及 一磁束偏折集中結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面，設(shè)置于該第一磁傳感器及該第二磁傳感器之間，將該磁通量在該第三方向的分量集中，并偏折至該第一方向，而藉由該第一磁傳感器及該第二磁傳感器在該第一方向上量測(cè)到該磁通量在該第三方向的分量， 其中該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第三磁傳感器以及該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)與該電路芯片基板中的一電路電氣連接，而該第一磁傳感器及該第二磁傳感器基于該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)對(duì)稱。
2.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)為柱狀,且為實(shí)心圓柱、角柱，以及多邊形柱的其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)為一含金屬性磁性材料或是一陶瓷磁性材料，且該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)的導(dǎo)磁率為I~10000H/m。
4.如權(quán)利要求3所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該含金屬磁性材料為鐵、鈷、鎳、鐵鈷合金、鈷鎳合金、鐵鎳合金、鐵鈷鎳合金以及鈷鐵硼化合物的至少其中之一。
5.如權(quán)利要求3所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該陶瓷磁性材料為鐵氧磁體，且該陶瓷磁性材料的晶體結(jié)構(gòu)為尖晶石、反尖晶石，以及鈣鐵礦的至少其中之一。
6.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該第一磁傳感器和該第二磁傳感器，若其成同向排列，則所得到的該磁通量分量相加為該該磁通量在該第一方向的分量，其所得到的該磁通量分量相減，則為該磁通量在該第三方向的分量；若其成反向排列，則該磁通量分量相減為該磁通量在該第一方向的分量，其所得到該磁通量分量相加，則為該磁通量在該第三方向的分量；而該第三磁傳感器則獨(dú)立量測(cè)該磁通量在該第二方向的分量。
7.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器以及該第三磁傳感器，為異方性磁阻組件、巨磁阻組件，以及穿隧磁阻組件的至少其中之一，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第三磁傳感器形成獨(dú)立電橋結(jié)構(gòu)再彼此電氣連接，或該第一磁傳感器、該第二磁傳感器連接形成電橋結(jié)構(gòu)后，再與獨(dú)立電橋結(jié)構(gòu)的該第三磁感應(yīng)器連接。
8.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器，以及該第三磁傳感器為分別獨(dú)立制造再行組裝置該電路芯片基板上。
9.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器以及該第三磁傳感器直接于該電路芯片基板上以物理性或化學(xué)性沉積法與蝕刻法形成。
10.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)的底面與該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第三磁傳感器共平面或略高于或略低于該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第三磁傳感器的平面。
11.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)預(yù)先置備再行切割放置于所配置的位置。
12.如權(quán)利要求1所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)物理性或化學(xué)性沉積及蝕刻在該電路芯片基板上形成。
13.一種平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，包含: 一電路芯片基板； 一第一磁 傳感器，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面； 一第二磁傳感器，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面，與該第一磁傳感器共同量測(cè)一磁通量在一第一方向分量； 一第四磁傳感器，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面； 一第五磁傳感器，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面，與該第四磁傳感器共同量測(cè)一磁通量在一第二方向分量，該第二方向與該第一方向在一平面上相互垂直；以及 一磁束偏折集中結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該電路芯片基板的上表面，設(shè)置于該第一磁傳感器及該第二磁傳感器之間，及/或該第四磁傳感器及該五磁傳感器之間，將該磁通量在一第三方向的分量集中，并偏折至該第一方向或該第二方向，而藉由該第一磁傳感器及該第二磁傳感器在該第一方向上量測(cè)該磁通量在該第三方向的分量，或是藉由該第四磁傳感器及該第五磁傳感器在該第二方向上量測(cè)該磁通量在該第三方向的分量， 其中該第三方向與該第一方向與該第二方向垂直，其中該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第四磁傳感器、該第五磁傳感器以及該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)與該電路芯片基板中的一電路電氣連接，該第一磁傳感器及該第二磁傳感器，及/或該第四磁傳感器及該第五磁傳感器基于該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)對(duì)稱。
14.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)為柱狀，且為實(shí)心圓柱、角柱，以及多邊形柱的其中之一。
15.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)為一含金屬性磁性材料或是一陶瓷磁性材料，且該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)的導(dǎo)磁率為I~10000H/m。
16.如權(quán)利要求15所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該含金屬磁性材料為鐵、鈷、鎳、鐵鈷合金、鈷鎳合金、鐵鎳合金、鐵鈷鎳合金以及鈷鐵硼化合物的至少其中之
O
17.如權(quán)利要求15所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該陶瓷磁性材料為鐵氧磁體，且該該陶瓷磁性材料的晶體結(jié)構(gòu)為尖晶石、反尖晶石，以及鈣鐵礦的至少其中之
O
18.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第四磁傳感器以及該第五磁傳感器，為異方性磁阻組件、巨磁阻組件，以及穿隧磁阻組件的至少其中之一，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第四磁傳感器以及該第五磁傳感器形成獨(dú)立電橋結(jié)構(gòu)再彼此電氣連接，或該第一磁傳感器、該第二磁傳感器連接形成電橋結(jié)構(gòu)后，再與形成連接電橋的該第四磁傳感器以及該第五磁傳感器連接。
19.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第四磁傳感器以及該第五磁傳感器為分別獨(dú)立制造再行組裝置該電路芯片基板上。
20.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第四磁傳感器以及該第五磁傳感器直接于該電路芯片基板上以物理性或化學(xué)性沉積法與蝕刻法形成。
21.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)的底面與該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第三磁傳感器共平面或略高于或略低于該第一磁傳感器、該第二磁傳感器、該第四磁傳感器以及該第五磁傳感器器的平面。
22.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)預(yù)先置備再行切割放置于所配置的位置。
23.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，該磁束偏折集中結(jié)構(gòu)物理性或化學(xué)性沉積及蝕刻在該電路芯片基板上形成。
24.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，當(dāng)?shù)谝淮艂鞲衅鳌⒃摰诙艂鞲衅魍蚺帕袝r(shí)，所量測(cè)到的該磁通量分量相加，為磁通量在該第一方向或該第二方向的分量，而該磁通量分量相減，為磁通量在該第三方向的分量；反之，當(dāng)該第一磁傳感器、該第二磁傳感器23反向排列時(shí)，所量測(cè)到的磁通量分量相減，為該磁通量在該第一方向或該第二方向的分量，而該磁通量分量相加，為該磁通量在該第三方向的分量，而該第四磁傳感器及該第五磁傳感器同向排列時(shí)，量測(cè)到的該磁通量分量相加，為該磁通量在該第二方向或該第一方向的分量，反向排列時(shí)，量測(cè)到的磁通量分量相減，為該磁通量在該第二方向或該第一方向的分量。
25.如權(quán)利要求13所述的平面化的三維磁感測(cè)芯片，其特征在于，當(dāng)該第一磁傳感器、該第二磁傳感器同向排列時(shí)，所量測(cè)到的磁通量分量相加，可以為該磁通量在該第一方向或該第二方向的分量，而該第一磁傳感器、該第二磁傳感器反向排列時(shí)，所量測(cè)到的磁通量分量相減，可以為該磁通量在該第一方向或該第二方向的分量，而該第四磁傳感器及該第五磁傳感器同向排列時(shí) ，量測(cè)到的該磁通量分量相加，為該磁通量在該第二方向或該第一方向的分量，而該磁通量分量相減，為該磁通量在該第三方向的分量；當(dāng)該該第四磁傳感器及該第五磁傳感器反向排列時(shí)，量測(cè)到的該磁通量分量相減，為該磁通量在該第二方向或該第一方向的分量，而磁通量分量相加，為該磁通量在該第三方向的分量。
【文檔編號(hào)】G01R33/09GK104007401SQ201310055189
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月21日
【發(fā)明者】鄭振宗, 袁輔德, 賴孟煌 申請(qǐng)人:賴孟煌