專利名稱：放射圖像檢測(cè)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及放射圖像檢測(cè)設(shè)備。
背景技術(shù)：
近些年來(lái)，用于檢測(cè)放射圖像并且產(chǎn)生數(shù)字圖像數(shù)據(jù)的、使用FPD(平板檢測(cè)器)的放射圖像檢測(cè)設(shè)備已經(jīng)投入實(shí)際使用。因?yàn)榕c現(xiàn)有技術(shù)成像板作比較可以實(shí)時(shí)地確認(rèn)圖像的原因，已經(jīng)迅速地廣泛使用放射圖像檢測(cè)設(shè)備。存在用于這樣的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的各種系統(tǒng)。間接轉(zhuǎn)換系統(tǒng)已經(jīng)被已知為該系統(tǒng)之一。使用間接轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有閃爍器和傳感器板。閃爍器由諸如CsI (碘化鈉)的熒光材料形成，該熒光材料當(dāng)被暴光于放射時(shí)產(chǎn)生熒光。傳感器板具有在玻璃等的絕緣基板上形成的一組光電轉(zhuǎn)換元件。透過(guò)被攝體的放射被閃爍器一旦轉(zhuǎn)換為光。閃爍器的熒光被傳感器板的光電轉(zhuǎn)換元件組光電轉(zhuǎn)換，并且從如此產(chǎn)生的電氣信號(hào)產(chǎn)生數(shù)字圖像數(shù)據(jù)。也已知一種從一組柱狀晶體形成閃爍器的技術(shù)，其中，諸如CsI的熒光材料的晶體已經(jīng)通過(guò)氣相沉積方法在支持體上生長(zhǎng)為柱狀(例如，參見(jiàn)專利文件I (JP-A-2011-017683))。通過(guò)氣相沉積方法形成的柱狀晶體不包含諸如粘合劑的雜質(zhì)，但是具有光導(dǎo)效應(yīng)，通過(guò)該光導(dǎo)效應(yīng)，可以在晶體的生長(zhǎng)方向上引導(dǎo)在柱狀晶體中產(chǎn)生的熒光，以便抑制熒光的擴(kuò)散。因此，可以改善放射圖像檢測(cè)設(shè)備的靈敏度和圖像的銳度。通常通過(guò)下述方式來(lái)形成由熒光材料的一組柱狀晶體形成的閃爍器使用鋁沉積基板作為支持體，并且在該支持體上生長(zhǎng)該組柱狀晶體。通過(guò)使用粘結(jié)劑，將閃爍器粘貼到傳感器板的其中已經(jīng)形成一組光電轉(zhuǎn)換元件的一側(cè)。替代地，可以以下述方式形成閃爍器通過(guò)使用傳感器板作為支持體形成所述一組柱狀晶體，并且直接地在傳感器板的其中已經(jīng)形成所述一組光電轉(zhuǎn)換元件的側(cè)上生長(zhǎng)所述一組柱狀晶體。另一方面，為了改善生產(chǎn)率，也已知放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中，在傳感器板的基板側(cè)上設(shè)置閃爍器(參見(jiàn)專利文件2(JP-A-2005-114456))。而且，為了改善靈敏度，也已知一種放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中，在傳感器板的相對(duì)側(cè)上，即，在傳感器板的其中已經(jīng)形成一組光電轉(zhuǎn)換元件的一側(cè)上和傳感器板的基板側(cè)上，設(shè)置了閃爍器(參見(jiàn)專利文件3(JP-A-2007-163467))
發(fā)明內(nèi)容
在其中在傳感器板的基板側(cè)上設(shè)置了閃爍器的放射圖像檢測(cè)設(shè)備中，存在閃爍器可能與傳感器板分離的擔(dān)心。例如，當(dāng)將閃爍器通過(guò)使用粘結(jié)劑粘貼到傳感器板的基板側(cè)時(shí)，在被用作傳感器板的絕緣基板的玻璃和被用作閃爍器的支持體的鋁之間在線膨脹系數(shù)上存在顯著的差別。結(jié)果，由溫度改變引起的翹曲在閃爍器和傳感器板之間的結(jié)合界面中產(chǎn)生應(yīng)力。當(dāng)粘結(jié)層變厚時(shí)，可以實(shí)際上緩和該應(yīng)力。然而，鑒于在閃爍器和傳感器板的光電轉(zhuǎn)換元件組之間插入傳感器板的基板，粘結(jié)層變厚使得在閃爍器和光電轉(zhuǎn)換元件組之間的距離進(jìn)一步增大。因此，存在在閃爍器中產(chǎn)生的熒光可能擴(kuò)散以降低圖像的銳度的擔(dān)心。相反，當(dāng)粘結(jié)層變薄時(shí)，在閃爍器與傳感器板之間的結(jié)合界面中產(chǎn)生的應(yīng)力不能被充分地緩和。因此，存在閃爍器和傳感器板可能與彼此分離的擔(dān)心。另外，當(dāng)柱狀晶體直接地在傳感器板的絕緣基板上生長(zhǎng)以形成閃爍器時(shí)，上述的翹曲問(wèn)題不出現(xiàn)。然而，形成閃爍器的CsI對(duì)于諸如被用作傳感器板的絕緣基板的玻璃的低導(dǎo)熱率材料具有不良的粘結(jié)力。在該情況下，也存在閃爍器可能與傳感器板分離的擔(dān)心。已經(jīng)考慮到上述情況實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。本發(fā)明的目的是改善在放射圖像檢測(cè)設(shè)備中的傳感器板和熒光體之間的粘結(jié)力，其中，熒光體位于傳感器板的基板側(cè)上。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種放射圖像檢測(cè)設(shè)備包括熒光體，其包含當(dāng)被曝光于放射線時(shí)發(fā)射熒光的熒光材料；以及，傳感器板，其檢測(cè)所述熒光；其中，所述傳感器板具有基板和在所述基板的一側(cè)上設(shè)置的一組光電轉(zhuǎn)換元件；所述熒光體緊密地粘結(jié)到所述基板的與其中設(shè)置了所述一組光電轉(zhuǎn)換元件的側(cè)相對(duì)的表面；以及，在所述熒光體緊密地粘結(jié)到的所述基板的所述表面中形成凹凸結(jié)構(gòu)。利用該放射圖像檢測(cè)設(shè)備的構(gòu)成，有可能增強(qiáng)在放射圖像檢測(cè)設(shè)備中的傳感器板與熒光體之間的粘結(jié)性，其中，熒光體位于傳感器板的基板側(cè)上。


圖I是示意性地示出用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的示例的構(gòu)成的視圖。圖2是示意性地示出在圖I中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的傳感器板的構(gòu)成的視圖。圖3是示意性地示出在圖I中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的熒光體的構(gòu)成的視圖。圖4是在圖3中的線IV-IV上取得的熒光體的截面圖。圖5是在圖3中的線V-V上取得的熒光體的截面圖。圖6是示意性地示出在圖I中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備中的熒光體與傳感器板之間的結(jié)合界面的視圖。圖7是示意性地示出用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的另一個(gè)示例的構(gòu)成的視圖。圖8是示意性地示出在圖7中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備中的熒光體與傳感器板之間的結(jié)合界面的視圖。
具體實(shí)施例方式圖I示出用于說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的示例的構(gòu)成。圖2示出在圖I中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的傳感器板的構(gòu)成。放射圖像檢測(cè)設(shè)備I具有閃爍器(熒光體)18，其當(dāng)被曝光于放射線時(shí)發(fā)射熒光；以及，傳感器板3，其檢測(cè)閃爍器18的熒光。傳感器板3具有絕緣基板16，絕緣基板16可以透過(guò)閃爍器18的熒光。在絕緣基板16上設(shè)置了多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26和開(kāi)關(guān)裝置28。使得二維地排列，該多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26光電轉(zhuǎn)換閃爍器18的熒光，該開(kāi)關(guān)裝置28由TFT(薄膜晶體管)構(gòu)成。
每一個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26由下述部分構(gòu)成光電導(dǎo)層20，其當(dāng)光入射在其上時(shí)產(chǎn)生電荷；以及，一對(duì)電極，其被設(shè)置在光電導(dǎo)層20的前和后表面上。其中，一個(gè)電極22是用于向光電導(dǎo)層20施加偏置電壓的偏置電極，而另一個(gè)電極24是用于收集由光電導(dǎo)層20產(chǎn)生的電荷的電荷收集電極。與光電轉(zhuǎn)換元件26的二維陣列對(duì)應(yīng)地二維排列開(kāi)關(guān)裝置28。每個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26的電荷收集電極24連接到開(kāi)關(guān)裝置28的對(duì)應(yīng)的一個(gè)。由每一個(gè)電荷收集電極24收集的電荷通過(guò)對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)裝置28來(lái)讀出。在絕緣基板16中設(shè)置了多條柵極線30和多條信號(hào)線(數(shù)據(jù)線)32。柵極線30被提供為在一個(gè)方向(行方向)上延伸，以便分別導(dǎo)通/關(guān)斷開(kāi)關(guān)裝置28。信號(hào)線32被提供為在與柵極線30垂直的方向(列方向)上延伸，以便通過(guò)已經(jīng)導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)裝置28來(lái)讀出電荷。另外，柵極線30和信號(hào)線32各條連接到的連接端子38被布置在絕緣基板16的周緣部中。連接端子38通過(guò)如圖2中所示的連接電路39連接到電路板(未示出)。電路板包括柵極線驅(qū)動(dòng)器、外部電路和信號(hào)處理部。開(kāi)關(guān)裝置28根據(jù)分別從柵極線驅(qū)動(dòng)器通過(guò)柵極線30提供的信號(hào)逐行地依序?qū)?。由已?jīng)導(dǎo)通的開(kāi)關(guān)裝置28讀出的電荷作為電荷信號(hào)通過(guò)信號(hào)線32被發(fā)送，并且被提供到信號(hào)處理部。因此，電荷被逐行地依序讀出，并且在信號(hào)處理部中被轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，以便產(chǎn)生數(shù)字圖像數(shù)據(jù)。閃爍器18形成在支持體11上。閃爍器18的與支持體11的相對(duì)表面通過(guò)位于閃爍器18和絕緣基板16之間的粘結(jié)層25被粘貼到傳感器板3的絕緣基板16。在該示例中的放射圖像檢測(cè)設(shè)備I是所謂的ISS(放射側(cè)采樣)放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中，從傳感器板3側(cè)福射并且傳輸透過(guò)傳感器板3的放射入射在閃爍器18上。在其上入射了放射的閃爍器18中產(chǎn)生熒光。在閃爍器18中如此產(chǎn)生的熒光被傳感器板3的光電轉(zhuǎn)換元件26進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換。在如此構(gòu)成的放射圖像檢測(cè)設(shè)備I中，其中產(chǎn)生多個(gè)熒光的閃爍器18的放射進(jìn)入側(cè)被布置得鄰近傳感器板3，使得改善靈敏度。而且，在說(shuō)明的示例中，一組光電轉(zhuǎn)換元件26和一組開(kāi)關(guān)裝置28在不同層中形成，并且，以相對(duì)于絕緣基板16的距離的升序形成光電轉(zhuǎn)換元件層和開(kāi)關(guān)裝置層。順便提及，該組光電轉(zhuǎn)換元件26和該組開(kāi)關(guān)裝置28可以在同一層中形成，或者，可以以相對(duì)于絕緣基板16的距離的升序形成開(kāi)關(guān)裝置層和光電轉(zhuǎn)換元件層。然而，當(dāng)如在說(shuō)明性示例中那樣在不同層中形成該組光電轉(zhuǎn)換元件26和該組開(kāi)關(guān)裝置28時(shí)，可以增大每一個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26的尺寸。另外，當(dāng)以相對(duì)于絕緣基板16的距離的升序形成光電轉(zhuǎn)換元件層和開(kāi)關(guān)裝置層時(shí)，可以與閃爍器18更接近地布置光電轉(zhuǎn)換元件層。以這種方式，可以改善靈敏度。下面將詳細(xì)描述閃爍器18。圖3示意性地示出了閃爍器18的構(gòu)成。鋁板通常被用作支持體11，在支持體11上形成閃爍器18。支持體11不限于上述板，只要可以在其上形成閃爍器18即可。除了鋁板之外，例如，可以將碳板、CFRP(碳纖維增強(qiáng)塑料)板、玻璃板、石英基板、藍(lán)寶石基板、鐵、錫、鉻等的金屬板等可以用作支持體11。
例如，CsIiTl (摻雜了鉈的碘化銫)、NaI :T1 (摻雜了鉈的碘化鈉)、CsI :Na(摻雜了鈉的碘化銫)等可以被用作用于形成閃爍器18的熒光材料。其中，優(yōu)選的是CsI:Tl，因?yàn)槠浒l(fā)射頻譜符合a-Si光電二極管的光譜靈敏度的最大值(在550nm周圍)。
通過(guò)在與支持體11相對(duì)的側(cè)上設(shè)置的柱狀部34和在支持體11側(cè)上設(shè)置的非柱狀部36來(lái)構(gòu)成閃爍器18。通過(guò)氣相沉積方法來(lái)將稍后會(huì)詳細(xì)描述的柱狀部34和非柱狀部36在支持體11上彼此重疊地、層狀連續(xù)地形成。柱狀部34和非柱狀部36由同一熒光材料形成，但是諸如Tl的活化劑的摻雜量可以在柱狀部34和非柱狀部36之間不同。柱狀部34由一組柱狀晶體35形成，其通過(guò)將上述熒光材料的晶體生長(zhǎng)為柱狀來(lái)獲得?？赡艽嬖谙率銮闆r其中，多個(gè)相鄰的柱狀晶體耦合以形成一個(gè)柱狀晶體。在相鄰的柱狀晶體35之間設(shè)置氣隙，使得柱狀晶體35彼此獨(dú)立地存在。非柱狀部36由一組熒光材料的較小晶體形成?？赡艽嬖谙率銮闆r非柱狀部36包括上述熒光材料的非晶材料。在非柱狀部36中，晶體不規(guī)則地彼此耦合或重疊，使得不能在晶體之間產(chǎn)生明確的氣隙。在閃爍器18中，與支持體11相對(duì)的表面，即，在柱狀部34的每一個(gè)柱狀晶體的前 端側(cè)上的表面粘貼到傳感器板3。因此，由所述一組柱狀晶體35構(gòu)成的柱狀部34被布置在閃爍器18的放射進(jìn)入側(cè)上。在柱狀部34的每一個(gè)柱狀晶體35中產(chǎn)生的熒光因?yàn)樵谥鶢罹w35和在柱狀晶體35周圍的間隙(空氣)之間的折射率上的差別而重復(fù)地在柱狀晶體35中被全反射，以便抑制擴(kuò)散。因此，熒光被引導(dǎo)到與柱狀晶體35相對(duì)的光電轉(zhuǎn)換元件26。因此，改善圖像的銳度。在柱狀部34的每個(gè)柱狀晶體35中產(chǎn)生的熒光中，向與傳感器板3相對(duì)的側(cè)，即，向支持體11傳輸?shù)耐还獗环侵鶢畈?6向傳感器板3反射。因此,增強(qiáng)了突光的利用效率，使得改善了靈敏度。另外，柱狀部34的每一個(gè)柱狀晶體35在其生長(zhǎng)早期較薄，并且隨著晶體的生長(zhǎng)的進(jìn)展而變厚。在柱狀部34與非柱狀部36的接合部分中，小直徑柱狀晶體35因?yàn)樵诰w的生長(zhǎng)方向上延伸的大量較大氣隙導(dǎo)致以大的空隙率林立。另一方面，非柱狀部36由較小的晶體或其聚集體形成。非柱狀部36比柱狀部34更密，并且因?yàn)檩^小的獨(dú)立氣隙導(dǎo)致具有較小的空隙率。因?yàn)樵谥С煮w11和柱狀部34之間插入的非柱狀部36，在支持體11和閃爍器18之間的粘結(jié)性被改善以防止閃爍器18與支持體11分離。圖4示出電子顯微鏡照片，該電子顯微鏡照片示出了在圖3中的線IV-IV上取得的閃爍器18的截面。從圖4顯然，可以明白，在柱狀部34中，每一個(gè)柱狀晶體35示出了相對(duì)于晶體的生長(zhǎng)方向的基本上均勻的截面直徑，并且因?yàn)樵诿恳粋€(gè)柱狀晶體35周圍的氣隙，柱狀晶體35彼此獨(dú)立地存在。從光導(dǎo)效應(yīng)、機(jī)械強(qiáng)度和像素缺陷防止的觀點(diǎn)看，優(yōu)選的是，每一個(gè)柱狀晶體35的晶體直徑(柱直徑)不小于2微米并且不大于8微米。當(dāng)柱直徑太小時(shí)，每一個(gè)柱狀晶體35缺少機(jī)械強(qiáng)度，使得擔(dān)心柱狀晶體35可能被沖擊等損壞。當(dāng)晶體直徑太大時(shí)，每一個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26的柱狀晶體35的數(shù)量減少，使得擔(dān)心很可能當(dāng)與元件對(duì)應(yīng)的晶體之一破裂時(shí)該兀件可能故障。每一個(gè)光電轉(zhuǎn)換兀件26的柱狀晶體的數(shù)量取決于光電轉(zhuǎn)換元件26的大小，但是通常在從幾十至幾百的范圍中。在此，晶體直徑指定在晶體的生長(zhǎng)方向上從上觀察的柱狀晶體35的最大直徑。關(guān)于具體的測(cè)量方法，通過(guò)從柱狀晶體35的生長(zhǎng)方向頂部利用SEM(掃描電子顯微鏡)的觀察，測(cè)量每一個(gè)柱狀晶體35的柱直徑。以利用其可以在每次攝影中觀察到100至200個(gè)柱狀晶體35的放大率(大約2，OOO倍)執(zhí)行該觀察。在該次拍攝中獲取的所有晶體的柱直徑的最大值被測(cè)量和平均。使用如此獲得的平均值。柱直徑(微米)被測(cè)量到小數(shù)點(diǎn)后兩位，并且，根據(jù)JIS Z 8401在該小數(shù)點(diǎn)后兩位對(duì)平均值進(jìn)行四舍五入。圖5示出電子顯微鏡照片，該電子顯微鏡照片示出了在圖3中的線V-V上取的閃爍器18的截面。從圖5顯然，在非柱狀部36中，晶體不規(guī)則地彼此耦合或重疊，使得與柱狀部34相比不能識(shí)別在晶體之間的明確的氣隙。從粘結(jié)和光學(xué)反射的觀點(diǎn)，優(yōu)選的是，形成非柱狀部36的每一個(gè)晶體的直徑不小于O. 5微米并且不大于7. O微米。當(dāng)晶體直徑太小時(shí)，空隙率接近零，使得擔(dān)心光學(xué)反射的功能可能變差。當(dāng)晶體直徑太大時(shí)，平坦度變差，使得擔(dān)心與支持體11的粘結(jié)可能變差。另外，從光學(xué)反射的觀點(diǎn)，優(yōu)選的是，形成非柱狀部36的每一個(gè)晶體的形狀基本上是球狀的。當(dāng)晶體在非柱狀部36中彼此耦合時(shí)，每一個(gè)晶體的晶體直徑如下進(jìn)行測(cè)量。即，通過(guò)連接在相鄰的晶體之間產(chǎn)生的凹陷(凹處)而獲得的線被看作在晶體之間的邊界。彼此耦合的晶體被分離以具有最小多邊形。由此測(cè)量柱直徑和與柱直徑對(duì)應(yīng)的晶體直徑。以與在柱狀部34中的晶體直徑相同的方式來(lái)獲得晶體直徑的平均值。如此獲得的平均值被用作在非柱狀部36中的晶體直徑。另外，柱狀部34的厚度依賴于放射能量，但是優(yōu)選地不小于200微米并且不大于700微米，以便確保在柱狀部34中的足夠的放射吸收和足夠的圖像銳度。當(dāng)柱狀部34的厚度太小時(shí)，不能充分地吸收放射，使得擔(dān)心靈敏度可能變差。當(dāng)柱狀部34的厚度太大時(shí)，出現(xiàn)光學(xué)擴(kuò)散，使得擔(dān)心雖然有柱狀晶體的光導(dǎo)效應(yīng)但是圖像銳度還是可能變差。優(yōu)選的是，從對(duì)于支持體11的粘結(jié)性和光學(xué)反射的觀點(diǎn)，非柱狀部36的厚度不小于5微米并且不大于125微米。當(dāng)非柱狀部36的厚度太小時(shí)，擔(dān)心不能獲得對(duì)于支持體11的足夠的粘結(jié)性。當(dāng)非柱狀部36的厚度太大時(shí)，在非柱狀部36中的熒光和由在非柱狀部36中的光學(xué)反射引起的擴(kuò)散的貢獻(xiàn)增大，使得擔(dān)心圖像銳度可能變差。例如，通過(guò)氣相沉積方法以下述順序一體地和連續(xù)地，在支持體11上形成閃爍器18的非柱狀部36和柱狀部34。具體地說(shuō)，在具有O. 01至IOPa的真空度的環(huán)境下，通過(guò)被施加電力的電阻加熱坩堝來(lái)加熱和蒸發(fā)CsI: Tl。因此，在支持體11上沉積CsI: Tl，支持體11的溫度被設(shè)置在室溫(20°C )至300°C。在支持體11上的CsI = Tl的晶相的形成的開(kāi)始時(shí)，較小直徑晶體被沉積以形成非柱狀部36。然后改變條件的至少一個(gè)，即，真空度或支持體11的溫度。因此，在形成非柱狀部36后連續(xù)地形成柱狀部34。具體地說(shuō)，提高真空度和/或支持體11的溫度，使得生長(zhǎng)一組柱狀晶體35。以上述方式，可以有效和容易地制造閃爍器18。另外，根據(jù)制造方法，存在另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)當(dāng)在閃爍器18的形成中控制真空度或支持體的溫度時(shí)，可以根據(jù)各種規(guī)格的閃爍器的設(shè)計(jì)來(lái)容易地制造它們。圖6示出在閃爍器18和傳感器板3之間的放大的結(jié)合界面。遍及在傳感器板3的絕緣基板16的、閃爍器18通過(guò)粘結(jié)層25被粘結(jié)到的表面上提供了精細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)40。 優(yōu)選的是，在凹凸結(jié)構(gòu)40中的凹部40b或凸部40a的陣列間距比每個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26的大小小得足夠多。以這種方式，每一個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件26的凹部40b或凸部40a的數(shù)量可以大致相等，以防止圖像不均勻。通過(guò)提供凹凸結(jié)構(gòu)40，形成粘結(jié)層25的粘結(jié)劑、壓敏粘結(jié)劑等進(jìn)入凹凸結(jié)構(gòu)40的凹部，以擴(kuò)展在絕緣基板16和粘結(jié)層25之間的接觸面積。因此，閃爍器18通過(guò)粘結(jié)層25向絕緣基板16的粘結(jié)可以被增強(qiáng)以防止閃爍器18與絕緣基板16分離，即使粘結(jié)層25變薄。而且，在凹凸結(jié)構(gòu)40中，每一個(gè)凸部40a大體形成為錐狀，以便形成基本上無(wú)反射的表面結(jié)構(gòu)。光的反射是通過(guò)折射率的突變來(lái)引起的。然而，精細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)40具有折射率分布，其中，在垂直于在絕緣基板16上的閃爍器18的疊置方向的平面中的平均折射率在疊置方向上平滑地改變。因此，從閃爍器18發(fā)射的熒光，被抑制被絕緣基板16的表面的反射，使得可以改善靈敏度。而且，使用精細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)40的無(wú)反射結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有技術(shù)的防反射涂層不同，并且對(duì)于具有寬波長(zhǎng)帶和寬入射角范圍的光也有效。 優(yōu)選的是，形成用于填充凹凸結(jié)構(gòu)40的凹部40b的粘結(jié)層25的材料具有與形成閃爍器18的材料基本上相等的折射率。以這種方式，可以防止折射率在閃爍器18和絕緣基板16之間不連續(xù)，使得可以更大地抑制在閃爍器18和傳感器板3之間的結(jié)合界面中的反射。因此，可以改善靈敏度。在凹凸結(jié)構(gòu)40中的凹部40b或凸部40a的陣列間距優(yōu)選地不大于要被抑制反射的光的波長(zhǎng)(當(dāng)閃爍器18由CsI形成時(shí)大約550nm)。在凹凸結(jié)構(gòu)40中的每一個(gè)凹部40b的形狀不具體被限制，但是優(yōu)選地是大體透鏡表面的形狀。以這種方式，可以找到在凹部40b中的光會(huì)聚效應(yīng)，以便抑制從閃爍器18的每一個(gè)柱狀晶體35發(fā)射的熒光的圓周擴(kuò)散。因此，可以改善圖像銳度?？梢岳缤ㄟ^(guò)在絕緣基板16上的光刻構(gòu)圖或使用模具向絕緣基板16的形狀轉(zhuǎn)印來(lái)形成上述的凹凸結(jié)構(gòu)40?？梢栽谝呀?jīng)將絕緣基板16拋光和變薄后形成上述的凹凸結(jié)構(gòu)40。以這種方式，可以縮短在閃爍器18和一組光電轉(zhuǎn)換元件26之間的距離以抑制從閃爍器18的每一個(gè)柱狀晶體35發(fā)射的熒光的擴(kuò)散。因此，可以改善圖像銳度。雖然已經(jīng)在放射從傳感器板3側(cè)入射在其上的假設(shè)下描述了上述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備1，但是放射圖像檢測(cè)設(shè)備I可以使用其中放射從閃爍器18側(cè)入射在其上的構(gòu)成。圖7是示意性地示出用于說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式
的放射圖像檢測(cè)設(shè)備的另一個(gè)示例的構(gòu)成的視圖。在圖7中所示的放射圖像檢測(cè)設(shè)備101具有閃爍器(熒光體)118，其當(dāng)被曝光于放射線時(shí)發(fā)射熒光；以及，傳感器板3，其檢測(cè)閃爍器118的熒光。閃爍器118由一組柱狀晶體35形成，通過(guò)將熒光材料的晶體生長(zhǎng)為柱狀來(lái)獲得該一組柱狀晶體35。閃爍器18形成在支持體11上，并且在上述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備I中通過(guò)粘結(jié)層25粘貼到傳感器板3。另一方面，在這個(gè)示例中的閃爍器118使用傳感器板3的絕緣基板16作為支持體。即，通過(guò)氣相沉積方法，在絕緣基板16的、與其中形成一組光電轉(zhuǎn)換元件26的表面相對(duì)的表面上直接地生長(zhǎng)和形成在這個(gè)示例中的閃爍器118中的一組柱狀晶體35。鑒于突光材料的晶體沉積在絕緣基板16的、與其中形成一組光電轉(zhuǎn)換兀件26的側(cè)相對(duì)的側(cè)上，可以抑制光電轉(zhuǎn)換元件26或開(kāi)關(guān)裝置28的熱劣化。替代地，一組光電轉(zhuǎn)換元件26和一組開(kāi)關(guān)裝置28形成為在不同于絕緣基板16的另一個(gè)暫時(shí)基板上的層。在確認(rèn)在絕緣基板16上形成的閃爍器18是良好還是不良后，在暫時(shí)基板上形成的光電轉(zhuǎn)換元件26和開(kāi)關(guān)裝置28的層被粘貼到絕緣基板16的、與其中組成閃爍器的側(cè)相對(duì)的表面上。然后，分離暫時(shí)基板。以這種方式，在可以改善生產(chǎn)率的同時(shí)，可以進(jìn)一步抑制光電轉(zhuǎn)換元件26和開(kāi)關(guān)裝置28的熱劣化。圖8示出在閃爍器118和傳感器板3之間的放大的結(jié)合界面。遍及其中形成閃爍器118的、傳感器板3的絕緣基板16的表面上設(shè)置了形成無(wú)反射表面結(jié)構(gòu)的上述精細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)40。形成閃爍器118的每一個(gè)柱狀晶體35在作為起點(diǎn)的凹凸結(jié)構(gòu)40的每一個(gè)凹部40b上生長(zhǎng)，以便擴(kuò)展在柱狀晶體35的基端部與絕緣基板16之間的接觸面積。因此，在閃爍器118和絕緣基板16之間的粘結(jié)性被增強(qiáng)，使得可以防止閃爍器118與絕緣基板16分離。另外，增強(qiáng)了柱狀晶體35的分布的均勻性。在閃爍器118中，在上述閃爍器18中的非柱狀部36可以被設(shè)置在一組柱狀晶體35的前端側(cè)上。通過(guò)提供非柱狀部36，在每一個(gè)柱狀晶體35中產(chǎn)生但是向與傳感器板3相對(duì)的側(cè)傳播的突光的一部分可以被非柱狀部36向傳感器板3反射。因此,可以增強(qiáng)突光的利用效率以改善靈敏度。因?yàn)樯鲜龅姆派鋱D像檢測(cè)設(shè)備可以以高靈敏度和高清晰度檢測(cè)放射圖像，所以可以在使用低劑量放射檢測(cè)明銳圖像所需的、諸如乳房X線照相設(shè)備的用于醫(yī)療診斷目的的X射線成像設(shè)備和其他各種設(shè)備中安裝和使用它。例如，放射圖像檢測(cè)設(shè)備適用于用于非破壞性的檢查的工業(yè)X射線成像設(shè)備或用于檢測(cè)電磁波之外的粒子射線(α射線、β射線和Y射線)的設(shè)備。放射圖像檢測(cè)設(shè)備具有廣泛的應(yīng)用范圍。下面將進(jìn)行關(guān)于可以用于傳感器板3的構(gòu)成構(gòu)件的材料的描述。[光電轉(zhuǎn)換元件]諸如非晶硅的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料經(jīng)常用于上述的光電轉(zhuǎn)換元件26的光電導(dǎo)層20(參見(jiàn)圖I)。例如，可以使用在JP-A-2009-32854中公開(kāi)的任何OPC(有機(jī)光電轉(zhuǎn)換)材料?？梢詫⒂蒓PC材料形成的膜(以下稱為OPC膜)用作光電導(dǎo)層20。OPC膜包含有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料，用于吸收從熒光體層發(fā)射的光，以及根據(jù)吸收的光來(lái)產(chǎn)生電荷。包含有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的這樣的OPC膜在可見(jiàn)光范圍中具有尖銳的吸收譜。因此，通過(guò)OPC膜難以吸收從熒光體層發(fā)射的光之外的電磁波，但是可以有效地抑制諸如由OPC膜吸收的X射線的放射產(chǎn)生的噪聲。優(yōu)選的是，形成OPC膜的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)更接近由熒光體層發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)，以便更有效地吸收由熒光體層發(fā)射的光。理想地，有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)與由熒光體層發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)一致。然而，如果在有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)和由熒光體層發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)之間的差較小，則可以滿意地吸收由熒光體層發(fā)射的光。具體地說(shuō)，在有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的吸收峰值波長(zhǎng)和由突光體層響應(yīng)于放射線發(fā)射的光的峰值波長(zhǎng)之間的差優(yōu)選地不大于10nm，更優(yōu)選地不大于5nm。
可以滿足這樣的條件的有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料的示例包括基于亞芳基的有機(jī)化合物、基于喹吖啶酮的有機(jī)化合物和基于酞菁的有機(jī)化合物。例如，在可見(jiàn)光范圍中的喹吖啶酮的吸收峰值波長(zhǎng)是560nm。因此，當(dāng)喹吖啶酮被用作有機(jī)光電轉(zhuǎn)換材料并且CsI (Tl)被用作熒光體層材料時(shí)，上述的峰值波長(zhǎng)的差可以被設(shè)置在5nm內(nèi)，使得在OPC膜中產(chǎn)生的電荷的量可以被實(shí)質(zhì)上增加到最大。在偏置電極22和電荷收集電極24之間設(shè)置的有機(jī)層的至少一部分可以由OPC膜形成。更具體地，有機(jī)層可以由下述各部分的堆疊或混合形成用于吸收電磁波的部分、光電轉(zhuǎn)換部分、電子傳送部分、電子空穴傳送部分、電子阻擋部分、電子空穴阻擋部分、結(jié)晶防止部分、電極、夾層接觸改善部分等。優(yōu)選的是，有機(jī)層包含有機(jī)P型化合物或有機(jī)η型化合物。有機(jī)P型半導(dǎo)體(化合物)是主要由電子空穴傳送有機(jī)化合物表示的施主型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，其表示具有容易供予電子的特性的有機(jī)化合物。更詳細(xì)而言，在彼此接觸地使用的兩種有機(jī)材料中，具有較低電離勢(shì)的一個(gè)被稱為施主型有機(jī)化合物。因此，任何有機(jī)化合物可以被用作施主型有機(jī)化合物，只要該有機(jī)化合物具有供予電子的特性。可以使用的施主型有機(jī)化合物的示例包括三芳胺化合物、聯(lián)苯胺化合物、吡唑啉化合物、苯乙烯胺化合物、腙化合物、三苯甲烷化合物、咔唑化合物、聚硅烷化合物、噻吩化合物、酞菁化合物、花菁化合物、部花菁化合物、 氧雜菁(oxonoI)化合物、聚胺化合物、吲哚化合物、吡咯化合物、吡唑化合物、聚芳撐化合物、稠合芳香族碳環(huán)化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物等。施主型有機(jī)半導(dǎo)體不限于此，但是具有比用作η型(受主型)化合物的有機(jī)化合物低的電離勢(shì)的任何有機(jī)化合物可以被用作施主型有機(jī)半導(dǎo)體。η型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)是主要由電子傳送有機(jī)化合物表示的受主型有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，用于表示具有容易接受電子的特性的有機(jī)化合物。更具體地，當(dāng)彼此接觸地使用兩個(gè)有機(jī)化合物時(shí)，具有較高電子親和力的該兩個(gè)有機(jī)化合物之一是受主型有機(jī)化合物，因此，任何有機(jī)化合物可以被用作受主型有機(jī)化合物，只要該有機(jī)化合物具有接受電子的特性。其示例包括稠合芳香碳環(huán)化合物(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)、包含氮原子、氧原子或硫原子的5元至7元雜環(huán)化合物(例如，吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、三嗪、喹啉、喹喔啉、喹唑啉、酞嗪、噌啉、異喹啉、蝶啶、吖啶、吩嗪、鄰二氮雜菲、四唑、吡唑、咪唑、噻唑、嘿唑、吲唑、苯并咪唑、苯并三唑、苯并P惡唑、苯并噻唑、咔唑、嘌呤、三唑并噠嗪、三唑并嘧啶、四氮雜茚J惡二唑、咪唑并吡啶、吡咯烷(pyralidine)、吡咯并吡啶、噻二唑并吡啶、二苯并吖庚因、三苯并吖庚因等)、聚芳撐化合物、芴化合物、環(huán)戊二烯化合物、甲硅烷基化合物和具有含氮雜環(huán)化合物作為配體的金屬絡(luò)合物。受主型有機(jī)半導(dǎo)體不限于此。任何有機(jī)化合物可以被用作受主型有機(jī)半導(dǎo)體，只要該有機(jī)化合物具有比被用作施主型有機(jī)化合物的有機(jī)化合物高的電子親和力。關(guān)于P型有機(jī)染料或η型有機(jī)染料，可以使用任何已知的染料。其優(yōu)選的示例包括花菁染料、苯乙烯基染料、半花菁染料、部花菁染料(包括O-次甲基部花菁(簡(jiǎn)單的部花菁))、三核部花菁染料、四核部花菁染料、羅丹花菁(rhodacyanine)染料、復(fù)合花菁染料、復(fù)合部花菁染料、alopolar染料、氧雜菁染料、半氧雜菁(hemioxonol)染料、方酸染料、克酮酸鍵染料、吖次甲基染料、香豆素染料、亞芳基染料、蒽醌染料、三苯甲烷染料、偶氮染料、偶氮甲堿染料、螺環(huán)化合物、金屬茂絡(luò)合物染料、芴酮染料、俘精酸酐(flugide)染料、二萘嵌苯染料、吩嗪染料、吩噻嗪染料、醌染料、靛青染料、二苯基甲烷染料、多烯染料、吖啶染料、吖啶酮染料、二苯胺染料、喹吖啶酮染料、喹酞酮染料、吩Pf嗪染料、酞茈(phthaloperylene)染料、卩卜啉染料、葉綠素染料、酞菁染料、金屬絡(luò)合物染料和稠合芳香碳環(huán)染料(萘衍生物、蒽衍生物、菲衍生物、丁省衍生物、芘衍生物、茈衍生物、熒蒽衍生物)?？梢詢?yōu)選地使用在一對(duì)電極之間具有P型半導(dǎo)體層和η型半導(dǎo)體層的光電轉(zhuǎn)換膜(光敏層)，該P(yáng)型半導(dǎo)體和η型半導(dǎo)體的至少一個(gè)是有機(jī)半導(dǎo)體，并且其中，將包括該P(yáng)型半導(dǎo)體和η型半導(dǎo)體的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層設(shè)置為在那些半導(dǎo)體層之間的中間層。在該光電轉(zhuǎn)換膜中包括的本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)層可以彌補(bǔ)有機(jī)層的載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度較短的缺陷。因此，可以提高光電轉(zhuǎn)換效率。在JP-A-2005-303266中詳細(xì)描述了該本體異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，考慮到來(lái)自熒光體層的光的吸收，光電轉(zhuǎn)換膜較厚?？紤]到對(duì)于電荷的分離作出任何貢獻(xiàn)的比率，光電轉(zhuǎn)換膜優(yōu)選地不薄于30nm并且不厚于300nm，更優(yōu)選地不薄于50nm并且不厚于250nm,特別優(yōu)選地不薄于80nm并且不厚于200nm。對(duì)于關(guān)于上述OPC膜的任何其他構(gòu)成，例如，參考在JP-A-2009-32854中的說(shuō)明。[開(kāi)關(guān)裝置]諸如非晶硅的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料經(jīng)常用于每一個(gè)開(kāi)關(guān)裝置28的有源層。然而，可以使用例如在JP-A-2009-212389中公開(kāi)的任何有機(jī)材料。雖然有機(jī)TFT可以具有任何類型的結(jié)構(gòu)，但是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)是最優(yōu)選的。在FET結(jié)構(gòu)中，在絕緣基板的上表面的一部分上設(shè)置了柵極電極，并且，設(shè)置了絕緣層以覆蓋電極并且在電極以外的部分中接觸基板。而且，在絕緣層的上表面上設(shè)置半導(dǎo)體有源層，并且，在半導(dǎo)體有源層的上表面的一部分上并且彼此相距一定距離地布置透明源極電極和透明漏極電極。這種構(gòu)成被稱為頂部接觸類型裝置。然而，也可以優(yōu)選地使用底部接觸類型裝置，其中，在半導(dǎo)體有源層下布置了源極電極和漏極電極。另外，可以使用垂直晶體管結(jié)構(gòu)，其中，載流子在有機(jī)半導(dǎo)體膜的厚度方向上流動(dòng)。(有源層)在此所提及的有機(jī)半導(dǎo)體材料是示出作為半導(dǎo)體的屬性的有機(jī)材料。有機(jī)半導(dǎo)體材料的示例包括Φ型有機(jī)半導(dǎo)體材料(或被簡(jiǎn)稱為P型材料或電子空穴傳送材料)，其傳導(dǎo)作為載流子的電子空穴(空穴)；以及，η型有機(jī)半導(dǎo)體材料(或被簡(jiǎn)稱為η型材料或電子傳送材料)，其與由無(wú)機(jī)材料形成的半導(dǎo)體類似地傳導(dǎo)作為載流子的電子。在有機(jī)半導(dǎo)體材料中，許多P型材料一般示出良好的屬性。另外，P型晶體管通常作為在大氣下的晶體管在操作穩(wěn)定性上良好。在此，將進(jìn)行關(guān)于P型有機(jī)半導(dǎo)體材料的說(shuō)明。有機(jī)薄膜晶體管的屬性之一是載流子遷移率(也簡(jiǎn)稱為遷移率)μ，μ指示在有機(jī)半導(dǎo)體層中的載流子的遷移率。雖然優(yōu)選的遷移率根據(jù)應(yīng)用改變，但是一般優(yōu)選較高的遷移率。遷移率優(yōu)選地不小于I. 0*10_7cm2/vs，更優(yōu)選地不小于I. 0*10_6cm2/Vs，進(jìn)一步優(yōu)選地不小于I. 0*10_5cm2/Vs。當(dāng)制造場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)裝置時(shí)通過(guò)屬性或TOF(飛行時(shí)間)測(cè)量來(lái)獲得遷移率。P型有機(jī)半導(dǎo)體材料可以是低分子量材料或高分子量材料，但是優(yōu)選地是低分子量材料。因?yàn)橄率鲈?，許多低分子量材料通常示出良好的屬性因?yàn)樵诟叨燃兓系娜菀仔裕@是因?yàn)榭梢韵蚱鋺?yīng)用各種精制處理，諸如升華精制、重結(jié)晶、柱色譜法等；或者，因?yàn)?在高度有序的晶體結(jié)構(gòu)的形成上的容易性，這是因?yàn)榈头肿恿坎牧暇哂泄潭ǖ姆肿咏Y(jié)構(gòu)。低分子量材料的分子量?jī)?yōu)選地不低于100且不高于5，000,更優(yōu)選地不低于150且不高于3，000，進(jìn)一步更優(yōu)選地不低于200且不高于2，000?？梢詫⑻既玖匣衔锘蜉撂蓟衔锢咀鳛檫@樣的P型有機(jī)半導(dǎo)體材料。其具體示例被示出如下。M表示金屬原子,Bu表示丁基,Pr表示丙基,Et表示乙基,并且Ph表
示苯基。[化學(xué)品I]
權(quán)利要求
1.一種放射圖像檢測(cè)設(shè)備，包括 熒光體，其包含當(dāng)被曝光于放射線時(shí)發(fā)射熒光的熒光材料；以及， 傳感器板，其檢測(cè)所述熒光；其中， 所述傳感器板具有基板和在所述基板的一側(cè)上設(shè)置的一組光電轉(zhuǎn)換元件； 所述熒光體緊密地粘結(jié)到所述基板的與其中設(shè)置了所述一組光電轉(zhuǎn)換元件的側(cè)相對(duì)的表面；以及， 在所述基板的所述熒光體緊密地粘結(jié)到的所述表面中形成凹凸結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述凹凸結(jié)構(gòu)形成折射率分布，其中，在與在所述基板上的所述熒光體的重疊方向垂直的平面中的平均折射率在所述重疊方向上平滑地改變。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述凹凸結(jié)構(gòu)中的凹部和凸部的陣列間距小于由所述熒光體發(fā)射的所述熒光的中心波長(zhǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述凹凸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)凹部的底表面形成為透鏡表面形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述凹凸結(jié)構(gòu)中的凹部和凸部的陣列間距小于所述光電轉(zhuǎn)換元件的每一個(gè)的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述熒光體包括柱狀部，所述柱狀部包括一組柱狀晶體，通過(guò)將所述熒光材料的晶體生長(zhǎng)為柱狀來(lái)獲得所述一組柱狀晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述熒光體通過(guò)粘結(jié)層被粘貼到所述基板，所述粘結(jié)層被插入所述柱狀部和所述基板之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述凹凸結(jié)構(gòu)中的凹部的每一個(gè)被利用形成所述粘結(jié)層的材料進(jìn)行填充。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 形成所述粘結(jié)層的所述材料具有與所述熒光材料的晶體基本上相同的折射率。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 通過(guò)在所述基板上直接地生長(zhǎng)所述一組柱狀晶體來(lái)形成所述熒光體。
11.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述傳感器板進(jìn)一步具有一組開(kāi)關(guān)裝置，用于逐個(gè)元件地讀出由所述一組光電轉(zhuǎn)換元件產(chǎn)生的電荷；以及 所述一組光電轉(zhuǎn)換元件和所述一組開(kāi)關(guān)裝置形成在所述基板上的不同層中，并且，所述一組光電轉(zhuǎn)換元件和所述一組開(kāi)關(guān)裝置以相對(duì)于所述基板的距離的升序堆疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 放射從傳感器板側(cè)入射。
13.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述熒光材料是CsI:Tl。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中所述熒光體進(jìn)一步包括非柱狀部，所述非柱狀部包括所述熒光材料的一組非柱狀晶體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述熒光體包括在與其上所述熒光體緊密地粘結(jié)到所述基板的表面的側(cè)相對(duì)的側(cè)上布置的所述非柱狀部。
16.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 所述凹凸結(jié)構(gòu)被設(shè)置得遍及所述基板的表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述凹凸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)凸部基本形成為錐狀，以便形成基本上無(wú)反射的表面結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求4所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述凹凸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)凹部的底表面是朝向所述熒光體取向的凹表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 在所述凹凸結(jié)構(gòu)中的凹部和凸部的陣列間距小于550nm。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的放射圖像檢測(cè)設(shè)備，其中 每一個(gè)柱狀晶體在作為起點(diǎn)的、在所述基板的所述凹凸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)凹部上生長(zhǎng)。
全文摘要
一種放射圖像檢測(cè)設(shè)備包括熒光體，其包含當(dāng)被曝光于放射線時(shí)發(fā)射熒光的熒光材料；以及，傳感器板，其檢測(cè)所述熒光；其中，所述傳感器板具有基板和在所述基板的一側(cè)上設(shè)置的一組光電轉(zhuǎn)換元件；所述熒光體緊密地粘結(jié)到所述基板的與其中設(shè)置了所述一組光電轉(zhuǎn)換元件的側(cè)相對(duì)的表面；以及，在所述基板的所述熒光體緊密地粘結(jié)到的所述表面中形成凹凸結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)G01T1/20GK102636802SQ20121002166
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月15日
發(fā)明者中津川晴康, 金子泰久 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社