專(zhuān)利名稱(chēng)：Led晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電子器件測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種LED晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法。
背景技術(shù)：
鑒于LED封裝應(yīng)用端對(duì)應(yīng)用在不同產(chǎn)品上的LED芯片性能有所偏重，LED芯片出貨前，需要點(diǎn)測(cè)晶圓上的晶粒特性，再根據(jù)特性將之分級(jí)，進(jìn)而分級(jí)銷(xiāo)售。在測(cè)試的過(guò)程中， 需要點(diǎn)測(cè)晶粒的電性數(shù)據(jù)與旋光性數(shù)據(jù)。其中，電性數(shù)據(jù)只要機(jī)臺(tái)采用的電源供應(yīng)器與量測(cè)設(shè)施經(jīng)過(guò)校正，且穩(wěn)定，即可滿足生產(chǎn)中的量測(cè)需求。但是旋光性部分，涉及諸多因素，例如不同的芯片制程、生產(chǎn)中使用的物料本身差異、不同的晶圓切割擴(kuò)張間距、測(cè)試機(jī)臺(tái)收光的架構(gòu)差異、測(cè)試機(jī)臺(tái)的機(jī)構(gòu)調(diào)整與設(shè)定、各家廠商提共的軟件修正方式的不同等等，均影響機(jī)臺(tái)之間的相互校正，因此，旋光性部分的測(cè)試校正通常比較困難。早期的市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品測(cè)試工作并未做嚴(yán)格的數(shù)據(jù)要求，只需大致點(diǎn)測(cè)其光性，判斷其波長(zhǎng)范圍與光的亮度范圍，粗放的劃分等級(jí)即可。隨著技術(shù)的進(jìn)步與市場(chǎng)的精益需求，對(duì)此要求越來(lái)越嚴(yán)謹(jǐn)。分級(jí)的范圍越小，越精細(xì)，對(duì)于測(cè)試數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性與重現(xiàn)性要求越高。 業(yè)界使用的各種方式以校正生產(chǎn)機(jī)臺(tái)之間的差異，都是通過(guò)差值補(bǔ)償?shù)姆绞綄?shù)據(jù)校正在一定的誤差范圍內(nèi)?，F(xiàn)有技術(shù)手段有二種，一是收集產(chǎn)線生產(chǎn)的盡可能多的不同主波長(zhǎng)、發(fā)光光強(qiáng)的 LED管芯，并將其主波長(zhǎng)、發(fā)光光強(qiáng)通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)和生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)出來(lái)，得到各種晶粒的主波長(zhǎng)與對(duì)應(yīng)的光強(qiáng)數(shù)據(jù)，挑選出各段主波長(zhǎng)與光強(qiáng)的晶粒，主波長(zhǎng)晶粒近可能的做到0. Inm 一段，光強(qiáng)晶粒近可能的做到0. Imw或者Imcd —段，最少要用200-500顆晶粒，用于將通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)和生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)出來(lái)的所有的光性數(shù)據(jù)擬合出主波長(zhǎng)及光強(qiáng)特性曲線，根據(jù)該特性曲線對(duì)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)做一次性補(bǔ)償與調(diào)校。如圖1、2所示，是一種產(chǎn)品主波長(zhǎng)特性曲線、發(fā)光光強(qiáng)特性曲線在校正生產(chǎn)機(jī)臺(tái)過(guò)程中的分布，需要調(diào)整生產(chǎn)機(jī)臺(tái)各系數(shù)之補(bǔ)償值，將同一顆管芯在生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的點(diǎn)測(cè)數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)的點(diǎn)測(cè)數(shù)據(jù)調(diào)整呈一致的線性關(guān)系。但是這種方法存在以下缺點(diǎn)1)當(dāng)數(shù)據(jù)分布較廣，分類(lèi)很細(xì)時(shí)，需要測(cè)試數(shù)據(jù)點(diǎn)很多，需要分析的資料數(shù)量龐大。i)被測(cè)試晶粒之間存在著制程、物料、擴(kuò)張等因素導(dǎo)致的個(gè)體差異，使得測(cè)試數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)收集歸類(lèi)上存在困難，工作量極大。幻被測(cè)試晶粒在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)針痕、電性等問(wèn)題，需經(jīng)常更換，難以保存及管理。4)因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)點(diǎn)測(cè)的物料是出貨的方片，所以最后是以方片的數(shù)據(jù)為主來(lái)判定該管芯是否符合出貨的標(biāo)準(zhǔn)，需要將這些晶圓分選成同出貨相同規(guī)格的方片，再做為點(diǎn)測(cè)的依據(jù)，并將前后兩次的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)校在一起，所以實(shí)際要?jiǎng)佑煤芏嗯_(tái)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)進(jìn)行測(cè)試與分選，這樣很容易干擾正常的生產(chǎn)流程。二是采用平均值校正方法，收集產(chǎn)線生產(chǎn)不同主波長(zhǎng)、發(fā)光光強(qiáng)的LED管芯20顆左右，并將其每一顆可能的主波長(zhǎng)、發(fā)光光強(qiáng)的通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)及生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)出來(lái)，用于將所有的光性數(shù)據(jù)用平均值計(jì)算得出主波長(zhǎng)與光強(qiáng)的補(bǔ)嘗值，對(duì)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)做一次補(bǔ)償與調(diào)校。如圖3、4所示，是一種產(chǎn)品主波長(zhǎng)、發(fā)光光強(qiáng)在校正生產(chǎn)機(jī)臺(tái)過(guò)程中分布，需要調(diào)整測(cè)試機(jī)臺(tái)系數(shù)補(bǔ)償值，將同一顆管芯在生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的點(diǎn)測(cè)數(shù)據(jù)與標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)的點(diǎn)測(cè)數(shù)據(jù)調(diào)整在誤差范圍以?xún)?nèi)。這種方法也存在如下缺點(diǎn)1)當(dāng)數(shù)據(jù)分布較廣，分類(lèi)很細(xì)時(shí)，機(jī)臺(tái)存在的誤差就被拉大。2、在有多臺(tái)測(cè)試機(jī)的情況下，被測(cè)試晶粒之間存在著制程、物料、擴(kuò)張等因素導(dǎo)致的個(gè)體差異，得到測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性更低，不能保證機(jī)臺(tái)誤差在誤差范圍內(nèi)，機(jī)臺(tái)一致性得不到保障。幻因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)點(diǎn)測(cè)的物料是出貨的方片，所以最后是以方片的數(shù)據(jù)為主來(lái)判定該管芯是否符合出貨的標(biāo)準(zhǔn)，因用平均值來(lái)校對(duì)多臺(tái)測(cè)試機(jī)臺(tái)，多臺(tái)測(cè)試機(jī)之間存在的誤差值很大，所以這樣很容易造成生產(chǎn)方片達(dá)不到出貨標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種LED晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中繪制校正測(cè)試機(jī)臺(tái)主波長(zhǎng)與光強(qiáng)的曲線擬合困難、工作量大的問(wèn)題。本發(fā)明提供的LED晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法，包括以下步驟制作多個(gè)校正晶粒； 采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)X ；采用生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)y;根據(jù)各校正晶粒所得的特性數(shù)據(jù)擬合特性曲線，并根據(jù)特性曲線調(diào)整生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)，使得各校正晶粒的特性曲線滿足線性方程y = mx+b，其中，m為0. 8 1 ；特性數(shù)據(jù)包括主波長(zhǎng)數(shù)據(jù)和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。進(jìn)一步地，校正晶粒的數(shù)目為40 60顆。進(jìn)一步地，該校正方法還包括如下步驟運(yùn)行調(diào)整好操作參數(shù)的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)生產(chǎn)方片；分別抽取多片高波段及低波段的方片后，制備核查晶粒；分別采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)及生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各核查晶粒特性數(shù)據(jù)，并擬合特性曲線；根據(jù)特性曲線再次調(diào)整生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)。進(jìn)一步地，分別抽取2-3片高波段及低波段的方片。進(jìn)一步地，高波段的波長(zhǎng)范圍為465 475nm，低波段的波長(zhǎng)范圍為440 450nm。進(jìn)一步地，該校正方法還包括如下步驟生產(chǎn)機(jī)臺(tái)為多臺(tái)；在多臺(tái)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)中設(shè)置一臺(tái)校正機(jī)臺(tái)；采用校正晶粒和標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)校正校正機(jī)臺(tái)；采用校正晶粒和經(jīng)校正的校正機(jī)臺(tái)校正其他成產(chǎn)機(jī)臺(tái)。進(jìn)一步地，制作校正晶粒的步驟包括預(yù)制多個(gè)晶粒；經(jīng)測(cè)試后，挑選出主波長(zhǎng)與光強(qiáng)都不同的多個(gè)晶粒，封裝得到預(yù)備晶粒；測(cè)試預(yù)備晶粒的電性能，從預(yù)備晶粒中選出電性能穩(wěn)定的晶粒作為校正晶粒。進(jìn)一步地，在制作校正晶粒的步驟中，預(yù)備晶粒至少為100-200顆。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，因?yàn)椴捎玫男Ｕ玖９怆妳?shù)準(zhǔn)確穩(wěn)定，只需40 60顆就可以校正出測(cè)試機(jī)臺(tái)主波長(zhǎng)與光強(qiáng)的大致曲線，因此極大的減少了工作量，提高了工作效率；進(jìn)一步地，選取已分好等級(jí)的部分晶粒對(duì)校生產(chǎn)的測(cè)試機(jī)臺(tái)，僅需要參照需校正的數(shù)據(jù)的范圍，選取高波段區(qū)域或是中高波段的區(qū)域的數(shù)據(jù)，與生產(chǎn)過(guò)程的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)對(duì)校即可達(dá)到滿足出貨檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)的需求，大幅提高生產(chǎn)效率，節(jié)約了人力，且產(chǎn)品數(shù)據(jù)的一致性好。


說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中
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圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)一實(shí)施例中晶粒主波長(zhǎng)特性曲線圖；圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)一實(shí)施例中晶粒光強(qiáng)特性曲線圖；圖3示出了現(xiàn)有技術(shù)另一實(shí)施例中晶粒主波長(zhǎng)平均值校正分布圖；圖4示出了現(xiàn)有技術(shù)另一實(shí)施例中晶粒光強(qiáng)平均值校正分布圖；圖5示出了本發(fā)明一實(shí)施例中校正晶粒主波長(zhǎng)特性曲線圖；圖6示出了本發(fā)明一實(shí)施例中校正晶粒光強(qiáng)特性曲線圖；圖7示出了本發(fā)明一實(shí)施例中核查晶粒主波長(zhǎng)特性曲線圖；以及圖8示出了本發(fā)明一實(shí)施例中查晶粒光強(qiáng)特性曲線圖。
具體實(shí)施例方式需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。本發(fā)明提供一種LED晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法，包括以下步驟制作多個(gè)校正晶粒；采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)X ；采用生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)y ；根據(jù)各校正晶粒所得的特性數(shù)據(jù)擬合特性曲線，并根據(jù)特性曲線調(diào)整生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)，使得各校正晶粒的特性曲線滿足線性方程y = mx+b，其中，m為0. 8 1 ；特性數(shù)據(jù)包括主波長(zhǎng)數(shù)據(jù)和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。優(yōu)選地，選取校正晶粒的數(shù)目為40 60顆，擬合出標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)與生產(chǎn)機(jī)臺(tái)主波長(zhǎng)與光強(qiáng)的大致曲線，使其滿足線性方程式y(tǒng) = mx+b的函數(shù)關(guān)系，取代現(xiàn)有技術(shù)中用大量的晶粒逐段擬合或取平均值的方式，其中χ代表標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出的主波長(zhǎng)或光強(qiáng)，y代表生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出的主波長(zhǎng)或光強(qiáng)，m值是可變量，m等于1時(shí)為理想狀態(tài)，m值越接近1越好。因?yàn)楸景l(fā)明采用光電參數(shù)準(zhǔn)確穩(wěn)定的校正晶粒，只需40 60顆就可以擬合出標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)與生產(chǎn)機(jī)臺(tái)主波長(zhǎng)與光強(qiáng)的大致曲線，因此極大的減少了工作量，提高了工作效率。進(jìn)一步地，制作校正晶粒的步驟包括預(yù)制多個(gè)晶粒；經(jīng)測(cè)試后，挑選出主波長(zhǎng)與光強(qiáng)都不同的多個(gè)晶粒，封裝得到預(yù)備晶粒；測(cè)試預(yù)備晶粒的電性能，從預(yù)備晶粒中選出電性能穩(wěn)定的晶粒作為校正晶粒。優(yōu)選地，在制作校正晶粒的步驟中，預(yù)備晶粒至少為 100-200顆。校正晶粒可以是處于不同生產(chǎn)階段的晶粒，如非貼膜上的穩(wěn)定晶粒、封裝完畢的穩(wěn)定晶粒等，根據(jù)待測(cè)晶粒進(jìn)行選擇。進(jìn)一步地，該校正方法還包括如下步驟運(yùn)行調(diào)整好操作參數(shù)的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)生產(chǎn)方片；分別抽取多片高波段及低波段的方片(所謂高波段和低波段是比較而言的，即相對(duì)來(lái)說(shuō)，高波段的波長(zhǎng)較長(zhǎng)，低波段的波長(zhǎng)較短，下面給出了高波段和低段的可選的波長(zhǎng)范圍) 后，制備核查晶粒；分別采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)及生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各核查晶粒特性數(shù)據(jù)，并擬合特性曲線；根據(jù)特性曲線再次調(diào)整生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)。僅需要參照需校正的數(shù)據(jù)的范圍，各取出其高波段的波長(zhǎng)范圍465 475nm、低波段的波長(zhǎng)范圍440 450nm的2 3片方片，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)和生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出其主波長(zhǎng)及發(fā)光強(qiáng)度，監(jiān)控生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的差異離散性，隨時(shí)對(duì)?；貋?lái)，保證生產(chǎn)機(jī)臺(tái)與標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)的測(cè)試數(shù)據(jù)一致，即可達(dá)到滿足出貨檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)的需求。這種校正方法大幅提高了生產(chǎn)效率，節(jié)約了人力，同時(shí)使得產(chǎn)線的不同測(cè)試機(jī)臺(tái)測(cè)試產(chǎn)品數(shù)據(jù)的一致性得以保障，增加了整體產(chǎn)能和效益。進(jìn)一步地，該校正方法還可以包括如下步驟生產(chǎn)機(jī)臺(tái)為多臺(tái)；在多臺(tái)生產(chǎn)機(jī)臺(tái)中設(shè)置一臺(tái)校正機(jī)臺(tái)；采用校正晶粒和標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)校正校正機(jī)臺(tái)；采用校正晶粒和經(jīng)校正的校正機(jī)臺(tái)校正其他成產(chǎn)機(jī)臺(tái)。
實(shí)施例LED晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法，包括如下步驟1.預(yù)制100-200顆晶粒；經(jīng)測(cè)試后，挑選出主波長(zhǎng)與光強(qiáng)都不同的40 60顆晶粒，封裝得到預(yù)備晶粒；測(cè)試預(yù)備晶粒的電性能，選出電性能準(zhǔn)確穩(wěn)定的即得校正晶粒。2.采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)χ ；采用生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)y;根據(jù)各校正晶粒所得的特性數(shù)據(jù)擬合特性曲線，并根據(jù)特性曲線調(diào)整生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)，使得各校正晶粒的特性曲線滿足線性方程y = mx+b，其中，m為0. 8 1 ；特性數(shù)據(jù)包括主波長(zhǎng)數(shù)據(jù)和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。3.運(yùn)行調(diào)整好操作參數(shù)的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)生產(chǎn)方片；分別抽取2 3片高波段065 475nm)及低波段040 450nm)的方片后，制備核查晶粒；分別采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)及生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各核查晶粒特性數(shù)據(jù)，并擬合特性曲線；監(jiān)控生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的差異離散性，隨時(shí)對(duì)?；貋?lái)，保證生產(chǎn)機(jī)臺(tái)與標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)的測(cè)試數(shù)據(jù)一致。如圖5、6所示，本發(fā)明實(shí)施例中采用多顆光電參數(shù)準(zhǔn)確穩(wěn)定的校正晶粒校正出的生產(chǎn)、測(cè)試機(jī)臺(tái)之間的線性關(guān)系，其中y = 0. 996X+1. 731，即m值為0. 996，接近于1，校正精確度高，且工作量小。如圖7、8所示，根據(jù)需要校正的波段，選擇波長(zhǎng)范圍在WD = 440nm與 WD = 470nm附近的兩種波段的方片，測(cè)試得到光電數(shù)據(jù)，分析其波長(zhǎng)與亮度的差異狀況。以此二份數(shù)據(jù)分布區(qū)間的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)其發(fā)光強(qiáng)度值及主波長(zhǎng)的偏移補(bǔ)償值進(jìn)行小幅度微調(diào)， 即可得到對(duì)校的結(jié)果。由于是采用分選完畢的方片進(jìn)行二次對(duì)校，所以如果誤差存在，可很快得到修正，同時(shí)物料方便獲得，分析的數(shù)據(jù)量也很小。提高了生產(chǎn)效率，及時(shí)準(zhǔn)確有效，整體產(chǎn)能也可以得到很好的提升。以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、 等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法，其特征在于，包括以下步驟 制作多個(gè)校正晶粒；采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各所述校正晶粒的特性數(shù)據(jù)χ ； 采用生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各所述校正晶粒的特性數(shù)據(jù)y ；根據(jù)各校正晶粒所得的特性數(shù)據(jù)擬合特性曲線，并根據(jù)所述特性曲線調(diào)整所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)，使得各校正晶粒的所述特性曲線滿足線性方程y = mx+b，其中，m為0. 8 1 ；所述特性數(shù)據(jù)包括主波長(zhǎng)數(shù)據(jù)和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正方法，其特征在于，所述校正晶粒的數(shù)目為40 60顆。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正方法，其特征在于，還進(jìn)一步包括如下步驟 運(yùn)行調(diào)整好操作參數(shù)的生產(chǎn)機(jī)臺(tái)生產(chǎn)方片；分別抽取多片高波段及低波段的方片后，制備核查晶粒；分別采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)及生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各所述核查晶粒特性數(shù)據(jù)，并擬合所述特性曲線. ，根據(jù)所述特性曲線再次調(diào)整所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的校正方法，其特征在于，分別抽取2-3片所述高波段及低波段的方片。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的校正方法，其特征在于，所述高波段的波長(zhǎng)范圍為 465-475nm，所述低波段的波長(zhǎng)范圍為440 450nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正方法，其特征在于，還包括如下步驟 所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)為多臺(tái)；在多臺(tái)所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)中設(shè)置一臺(tái)校正機(jī)臺(tái)；采用所述校正晶粒和所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)校正所述校正機(jī)臺(tái)；采用所述校正晶粒和經(jīng)校正的所述校正機(jī)臺(tái)校正其他所述生產(chǎn)機(jī)臺(tái)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校正方法，其特征在于，所述制作校正晶粒的步驟包括 預(yù)制多個(gè)晶粒；經(jīng)測(cè)試后，挑選出主波長(zhǎng)與光強(qiáng)都不同的多個(gè)晶粒，封裝得到預(yù)備晶粒；測(cè)試所述預(yù)備晶粒的電性能，從所述預(yù)備晶粒中選出電性能穩(wěn)定的晶粒作為校正晶粒。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的校正方法，其特征在于，在制作校正晶粒的步驟中，所述預(yù)備晶粒至少為100-200顆。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種LED晶粒生產(chǎn)設(shè)備的校正方法。該校正方法包括以下步驟制作多個(gè)校正晶粒；采用標(biāo)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)x；采用生產(chǎn)機(jī)臺(tái)測(cè)試出各校正晶粒的特性數(shù)據(jù)y；根據(jù)各校正晶粒所得的特性數(shù)據(jù)擬合特性曲線，并根據(jù)特性曲線調(diào)整生產(chǎn)機(jī)臺(tái)的操作參數(shù)，使得各校正晶粒的特性曲線滿足線性方程y＝mx+b，其中，m為0.8～1；特性數(shù)據(jù)包括主波長(zhǎng)數(shù)據(jù)和光強(qiáng)數(shù)據(jù)。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，極大的減少了工作量，提高了工作效率，且產(chǎn)品數(shù)據(jù)的一致性好。
文檔編號(hào)G01R31/26GK102214741SQ20111014686
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月1日
發(fā)明者姜敏, 徐亞兵, 李蛟 申請(qǐng)人:湘能華磊光電股份有限公司