專利名稱:確定rfid器件的性能的方法
技術(shù)領(lǐng)域:
0001本發(fā)明涉及射頻識別(RFID)器件領(lǐng)域,更具體地涉及確定 或預(yù)測這種RFID器件的性能的方法。
背景技術(shù):
0002射頻識別(RFID)標(biāo)牌和標(biāo)簽(本文通稱為"器件")被廣 泛地用于將物件與識別碼相關(guān)聯(lián)。RFID器件一般地具有天線和模擬電 路和/或數(shù)字電路的組合,其可以包含例如通信電路、數(shù)據(jù)存儲器和控 制邏輯。例如,RFID標(biāo)牌被用于在汽車中和安全鎖聯(lián)合使用、用于建 筑物的進入控制以及用于跟蹤存貨目錄和包裹。RFID標(biāo)牌和標(biāo)簽的一 些例子出現(xiàn)在編號為6,107,920、 6,206,292以及6,262,692的美國專利之 中,所有這些以其全部內(nèi)容通過參考合并于此。
0003如上述,RFID器件一般地被分為標(biāo)簽或標(biāo)牌。RFID標(biāo)簽是被 膠著地或具有直接地貼在物件上的表面的RFID器件。相反,RFID標(biāo)牌 通過其它手段被牢固到物件,例如通過使用塑料扣件、鏈條或者其它 緊固手段。
0004RFID器件包括有源標(biāo)牌和標(biāo)簽,其包括電源,以及無源標(biāo)牌 和標(biāo)簽,其不含電源。對于無源標(biāo)牌,為了從芯片上取回信息, 一"基 站"或者"讀出器(reader)"發(fā)送激勵信號到RFID標(biāo)牌或標(biāo)簽。該激 勵信號為該標(biāo)牌或標(biāo)簽供給能量,并且RFID電路傳輸存儲的信息到讀 出器。該"讀出器"接收和解碼來自RFID標(biāo)牌的信息。 一般地,RFID 標(biāo)牌可以保留和傳輸足夠的信息來唯一地識別個體、包裹、存貨等。 RFID標(biāo)牌和標(biāo)簽也能夠被特性化為信息僅被寫入一次(盡管該信息可 能被重復(fù)地讀取),以及被特性化為在使用中信息可能被寫入。例如, RFID標(biāo)牌可能存儲環(huán)境數(shù)據(jù)(其可能由相關(guān)聯(lián)的傳感器所探測)、后 勤歷史、狀態(tài)數(shù)據(jù)等。
0005常常需要測試RFID器件的性能以確定可接受的性能水平。這
些測試常常在受控模擬條件下進行。例如,標(biāo)牌可以在類似于其實際 使用中期望的距離被單獨地測試,以確定該標(biāo)牌或其它器件可接受地 運轉(zhuǎn)。
0006對于這類測試具有很多潛在的問題。第一,這種測試需要相 對大的空間。第二,該過程不支持大量的制造環(huán)境。第三,這種測試 的結(jié)果可能受多種因素的影響,諸如被測RFID器件周圍的環(huán)境的變化。
這可能導(dǎo)致需要小心地對測試所在的環(huán)境進行控制,例如保持測試附 近的任何導(dǎo)電物品的位置。為了維持測試的可重復(fù)性,可能需要測試 室將被測器件與周圍環(huán)境隔離開。應(yīng)該理解,在一些情況下,在進行 測試時可能需要單個地隔離器件以防止來自于一個RFID器件的響應(yīng)與
來自于其它的相鄰器件的響應(yīng)相干擾。因此,應(yīng)該理解,在間隔很小 的器件(諸如在薄片上或巻上的器件)上進行這種測試可能是不現(xiàn)實 的和/或昂貴的。
0007承前所述,應(yīng)該理解需要對RFID器件的測試進行改進。
發(fā)明內(nèi)容
0008根據(jù)本發(fā)明的一方面,預(yù)測或確定RFID器件的性能的方法包 括基于來自于近場測試或測量的結(jié)果來預(yù)測或確定遠場性能。
0009根據(jù)本發(fā)明的另一方面,確定RFID器件的遠場性能的方法包 括測量近場性能,以及在數(shù)學(xué)上將一個或多于一個近場性能測量轉(zhuǎn)換 為遠場性能的預(yù)測。
0010根據(jù)本發(fā)明的另一方面,確定或預(yù)測RFID器件的性能的方法 包括使用近場測試結(jié)果來預(yù)測一個或多于一個下述參數(shù)的遠場性能 范圍、容限、靈敏度、頻率性能、讀出靈敏度、寫入靈敏度、峰值操 作頻率以及給定頻帶上的平均靈敏度。
0011根據(jù)本發(fā)明的另一方面,確定RFID器件的遠場性能的方法包 括以下步驟在RFID器件上進行近場測試;以及從近場測試的測試結(jié) 果確定RFID器件的遠場性能。
0012為了實現(xiàn)前述的和相關(guān)的目標(biāo),本發(fā)明包括下面充分描述的 特征和在權(quán)利要求中特別地指出的特征。下面的描述和附圖詳細地闡 明本發(fā)明的某些說明性實施例。但是這些實施例僅示出可以使用本發(fā)
明的原理的各種方式中的一些。通過以下對本發(fā)明的詳細描述并結(jié)合 附圖進行考慮,本發(fā)明的其它目標(biāo)、優(yōu)點和新特征將變得明顯。
0013在不必按比例的附圖中-
0014圖l是根據(jù)本發(fā)明的方法的高階流程0015圖2是圖1的方法中使用的近場測試器的局部示意圖;以及
0016圖3是圖2中的近場測試器的功能圖。
具體實施例方式
0017確定諸如在標(biāo)牌、標(biāo)簽、包裹、薄膜、紙箱、包裝或這些中 的一部分的里面或上面的RFID器件的遠場性能的方法,其包括進行 RFID器件的近場測試或測量,以及基于該近場測試或測量的結(jié)果確定 或預(yù)測遠場性能。遠場性能的確定或預(yù)測可以涉及基于近場結(jié)果或測 量來計算遠場性能的測量。作為替代,對遠場性能的預(yù)測可以從其它 來源獲得,諸如從基于在近場測試結(jié)果或測量與遠場結(jié)果之間的現(xiàn)有 關(guān)系的查尋表。該預(yù)測的遠場性能可以包括各種性能因子中的任何一 個,包括范圍、靈敏度、頻率性能、讀出靈敏度、寫入靈敏度、峰值 操作頻率和/或給定頻帶上的平均靈敏度。使用近場測試結(jié)果來預(yù)測遠 場性能可以允許使用小型測試設(shè)備、RFID器件的現(xiàn)場測試和/或RFID 器件的更快和/或更低成本的測試。
0018在對該方法進行描述之前,提供對本文所用的術(shù)語和慣用語 的一些相關(guān)定義。"發(fā)射應(yīng)答器芯片"或"芯片"定義為用于通過天 線提供合適的交互以與外部器件如讀出器通信的器件。芯片可以包括 各種合適的電子元件,諸如電阻器、電容器、感應(yīng)器、電池、存儲器 器件和處理器。應(yīng)該理解RFID器件的很多發(fā)射應(yīng)答器芯片是眾所周知 的。該術(shù)語"發(fā)射應(yīng)答器芯片"有意包括很大范圍的這些器件,其在 復(fù)雜度和功能性上可能變化很大。
0019本文使用的術(shù)語"RFID器件"被廣泛地定義為包括含有耦合 到用于和外部器件通信的天線的芯片的器件。RFID器件可以包括在標(biāo) 牌、標(biāo)簽、包裹、薄膜、紙箱、包裝或這些中的一部分的里面或上面
的RFID器件。在RFID器件中,芯片可以通過各種手段中的任何一個被 耦合到天線。例如,在天線和芯片上的觸點之間可以具有直接的電連 接。作為替代,芯片可以是依次操作性地耦合到天線的直插件
(interposer)或帶片(strap)的一部分。該芯片可以通過直接的歐姆 電連接被耦合到天線。作為替代,或者附加地,非直接的電耦合如電 容性和/或磁性耦合可以被用來操作性地將芯片耦合到天線。
0020除了芯片和天線,RFID器件可以包括其它層和域結(jié)構(gòu)。這些 附加層的例子包括用于支持芯片和/或天線的基底,諸如紙質(zhì)或聚合物 材料基底;保護層;粘貼劑層;以及信息承載層,例如具有字和/或圖 形的印刷層。
0021主要地,RFID器件的天線用來與外部器件如合適的讀出器進 行長距離遠場的射頻耦合。本文使用的遠場指的是大于從射頻能量發(fā) 射器件諸如發(fā)射超高頻射頻能量的器件起大約15毫米的距離。在遠場 中RFID器件的耦合也可被稱為"遠場耦合"??砂l(fā)生短距離耦合的近 場被定義為從射頻能量發(fā)射器件起大約15毫米范圍之內(nèi)。小的電偶極 的近場和遠場之間的空間的更精確分界線被稱為反應(yīng)場,其可能是 X/2tt,其中X是射頻耦合的射頻能量的波長。這種定義可以在IEEE Standard Test Procedures for Antennas (天線的IEEE標(biāo)準(zhǔn)測試程序), IEEE Std 149-1979,附錄A, 139頁找到。使用該定義,對于915MHZ 的射頻能量,近場和遠場之間的分界線在從器件起大約52毫米處。
0022近場和遠場之間的分界線也可能以RFID器件的接收孔的最大 尺寸和射頻信號的波長來定義。該分界線可以使用公式f2D"X來定 義,其中r是遠場控制的最小距離(近場和遠場之間的分界線),D是 RFID器件的接收孔的最大尺寸,而X是射頻信號的波長。在較不特殊的 術(shù)語中,近場可以被定義為發(fā)射源和接收孔之間的空間區(qū)域,其中發(fā) 射波峰沒有足夠的時間(或距離)使振幅衰減l/一倍。近場包括反應(yīng)區(qū) 和輻射區(qū)。該反應(yīng)區(qū)處于緊緊環(huán)繞著發(fā)射孔(如讀出器、測試器或其 它發(fā)射器的孔)的空間。該輻射區(qū)存在于反應(yīng)區(qū)以外的空間。被發(fā)射 的信號的振幅在輻射區(qū)衰減l/r倍,其中r是發(fā)射源和接收RFID器件之間
的距離。在遠場中,被發(fā)射信號的振幅一般衰減l/一倍。0023"近場測試器"在本文被定義為用于和RFID器件在近場通信
的測試器。該測試器可以包括操作性地耦合到耦合器的讀出器。該耦
合器可以包括天線和/或孔,且被用來在測試器和RFID器件之間發(fā)送和 /或傳輸信號。讀出器被用來解釋由耦合器接收的信號,并可以被用來 控制通過耦合器發(fā)送的信號。
0024"非輻射近場耦合器"被定義為具有使其適合于進行下述近 場測試或測量的某些特性的耦合器。這些特性包括下述特性中的一個 或多于一個使相鄰RFID器件的交叉耦合最小化的配置;對在所需頻 帶上的RFID器件負載提供良好的射頻匹配;用兩個信號路徑驅(qū)動RFID 器件的能力,在所需頻帶上一個信號路徑在正相位(0°)而另一個信 號路徑在反相位(180°);當(dāng)RFID器件在所需頻帶上被考慮和不被考 慮時,展現(xiàn)與讀出器的良好匹配的能力;以及具有使用TEM類型電路 設(shè)計技術(shù)(帶狀線快閃微帶布局(strip line flash micro strip topology)) 的反饋電路以避免來自電路元件和/或連接點的寄生輻射,否則該寄生 輻射會導(dǎo)致與相鄰的RFID器件的交叉耦合的問題。
0025現(xiàn)在參考圖l,確定或預(yù)測RFID器件的方法10包括在步驟12 中進行對器件短距離近場測試或測量。使用由短距離測試或測量得到 的數(shù)據(jù),在步驟14中確定或預(yù)測遠場性能。方法10廣泛地涵蓋使用來 自近場操作的數(shù)據(jù)來預(yù)測或確定RFID器件的遠場性能的核心概念。在
近場測試或測量中收集的數(shù)據(jù)可以是各種性能數(shù)據(jù)中的任何一個,諸 如但不限于器件靈敏度(RFID器件開始反應(yīng)外部信號的最小入射功率 水平)、容限、峰值操作頻率、最壞情況操作頻率、頻率性能響應(yīng)形 狀、所選頻帶上的平均靈敏度、RFID器件讀出靈敏度(讀出操作的靈 敏度)或RFID器件寫入靈敏度(寫入操作的靈敏度)。在近場測試獲 得的數(shù)據(jù)可以包括各種合適的模擬測量中的任何一個。從所收集的近 場測試數(shù)據(jù)確定或預(yù)測的遠場器件性能可以包括各種合適的性能測量 中的任何一個。除了與上述近場數(shù)據(jù)相應(yīng)的遠場性能測量之外,上述 遠場性能可以包括遠場性能的更抽象特性,諸如器件是否符合預(yù)設(shè)的 遠場性能規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)。因此,遠場性能的確定或預(yù)測可以包括對RFID 器件是否符合預(yù)定的性能標(biāo)準(zhǔn)進行簡單的合格/不合格確定。但是應(yīng)注 意,任何簡單的性能標(biāo)準(zhǔn)均基于RFID器件的遠場性能,且其滿足或不
滿足至少部分地基于近場測試結(jié)果。
0026使用近場測試或測量結(jié)果來生成遠場性能的預(yù)測或確定應(yīng)被 寬泛地解釋為包括至少部分地基于近場測試結(jié)果來預(yù)測遠場性能的各 種合適的方法。該確定或解釋可以是直接在數(shù)學(xué)上操作該近場測試結(jié) 果的直接數(shù)學(xué)方法,諸如通過使用公式或方程式,來提供遠場性能的 一些方面的數(shù)值指示。作為替代,查尋表或查尋圖可以被使用來提供 基于近場測量的預(yù)測的遠場器件性能。作為另一種替代,來自接受近 場和遠場測試的現(xiàn)有器件的數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)可以被用來從近場測試結(jié)果 或測量提供遠場性能的預(yù)測??梢詫碜约河衅骷臏y試結(jié)果進行適 當(dāng)?shù)膬?nèi)插和外推。
0027此外,合適的曲線擬合方法可以被使用以從近場和遠場性能 數(shù)據(jù)組中得到預(yù)測性的數(shù)學(xué)算法。合適的方法也可以被用來利用這些 數(shù)據(jù)進行內(nèi)插或外推。
0028作為進一步的替代,應(yīng)該理解遠場性能的簡單的合格/不合格 結(jié)果可以基于近場測試中的合適閾值或性能水平被確定。而且,應(yīng)該 理解近場測試結(jié)果或測量之外的因素可以被用來確定遠場性能。例如, 不同類型的補償因子可能被用來補償在器件和/或測試或配置中的不 同。進一步地,在部分地基于近場測試數(shù)據(jù)或測量來確定或預(yù)測遠場 性能時有可能使用一些遠場測試數(shù)據(jù)或測量。 一般地,本文中涉及的 基于近場數(shù)據(jù)或測量來確定遠場性能廣泛地指預(yù)測是至少部分地基于 近場數(shù)據(jù)或測量的情況。
0029圖2示出可以被用來對RFID器件22進行近場測試的測試器20。 該測試器20包括通過電纜30耦合到讀出器28的測試頭24。該測試頭24 包括近場耦合器34。該近場耦合器34被置于電介質(zhì)材料塊36之中。該 電介質(zhì)材料塊36可以是低介電常數(shù)材料,例如合適的聚合物材料(如 聚苯乙烯)塊。塊36將近場耦合器34維持在從RFID器件22被放置于其 上的柔性表面40起一指定的合適距離。該柔性表面材料40可以是合適 的聚合物泡沫。近場耦合器34位于柔性表面40的指定的附近。近場耦 合器34可以有利地具有以下特性它在RFID器件22的天線結(jié)構(gòu)42的所 有關(guān)鍵部分中感應(yīng)電流和電壓。
0030讀出器28中的電源和軟件通過電纜30發(fā)送合適的信號到近場 耦合器34。從近場耦合器34發(fā)射的射頻信號與天線42以及RFID器件22
的芯片42交互。該交互導(dǎo)致來自RFID器件22的有源或無源響應(yīng)。該響 應(yīng)由近場耦合器34接收或者影響近場耦合器34。這些效應(yīng)能夠由讀出 器28中的軟件所測量。測量結(jié)果可以被顯示在耦合到讀出器28的顯示 器46上。作為替代或者附加地,應(yīng)該理解可以使用合適的數(shù)據(jù)存儲器 器件存儲結(jié)果,和/或?qū)⒔Y(jié)果傳輸?shù)狡渌幚砥?。作為進一步替代,應(yīng) 該理解讀出器28的軟件可以基于所做的測量自行預(yù)測或確定RFID器件 22的遠場性能。
0031應(yīng)該理解由測試器20所做的測量可以是前述多種測量中的任 何一個。該測試可能涉及進行多種類型的測量和/或在多種操作條件下 如在多個頻率下進行測量。
0032應(yīng)該理解其它元件可以被用作近場測試器20的一部分。例如, 可以利用隔離室來幫助將被測器件與外界物品隔離開來,否則該外界 物品會影響性能。然而,應(yīng)該理解與傳統(tǒng)的遠場測試相比,近場測試 可能對這種影響更不敏感。
0033圖3示出測試器20的功能圖。該功能圖示出各種信號和數(shù)據(jù)在 讀出器28和測試頭24之間是怎樣被傳送的,以及是怎樣在讀出器28的 各種內(nèi)部硬件和軟件部件之間移動的。圖3還示出可以被耦合到讀出器 28的各種外部器件,包括個人計算機50、圖形用戶界面(GUI) 52 (其 可以是顯示器46的一部分)以及可以通過網(wǎng)絡(luò)58耦合到計算機50的輔 助或管理計算機54。
0034現(xiàn)在描述的是基于近場靈敏度性能推導(dǎo)用于確定或預(yù)測遠場 靈敏度性能的公式。應(yīng)該理解這僅是近場數(shù)據(jù)可以用來確定或預(yù)測遠 場器件性能的多種方法的一個例子。
0035近場容限(超過RFID器件靈敏度的過量功率)可被表示為 Mnf (dB) = Pr醫(yī)a! - g2國pnf - S (O 在該公式中,M。f是近場容限;Pr是RFID讀出器輸出功率(dBm)(典 型值+30dBm) ; q是近場輻射區(qū)耦合系數(shù)(dB) =10*log(l/r),其中 r是RFID器件和耦合器之間的自由空間距離;ci2是耦合器和RFID器件之 間的耦合系數(shù)(dB) =10*log(A2/Al),其中Al是耦合器的耦合面積, A2是RFID器件的重疊面積;Pn產(chǎn)近場中的RFID嵌體的失配損耗(dB) =10*log(l-p2),其中p是反射系數(shù),p = (VSWR-l)/(VSWR+l)= 10八(返回
損耗(dB)/20),其中VSWR是電壓駐波比,即反射電壓與傳輸源電壓的 比值;以及S是集成電路運行所需的最小射頻功率。0036遠場容限可以被表示為
Mff(dB)二Pt + Gtx - Lrange - Pff畫S (2) 在該公式中Mff是近場容限;Pt是RFID讀出器輸出功率(dBm) ; 是傳輸天線的增益(dBi),即典型RFID遠場讀出器天線的增益(典型
值是+6.0dBi); L咖ge是傳輸天線和嵌體之間的空間損耗-l(mog [(4TOVa)2]
(在l米范圍和915MHz頻率時等于31.68dB) ; Pff是遠場中RFID嵌體的 失配損耗(dB) =10*log(l-p2),其中p是和上述相同的反射系數(shù);S是
集成電路在近場運行所需的最小射頻功率。反射系數(shù)Pff和Pnf需要針對
典型的RFID器件倍特征化/測量。典型的RFID器件在遠場(自由空間) 具有反射系數(shù)Pff,但是在近場,耦合器能夠加載RFID器件,將其阻抗 改變?yōu)镻nf。該反射系數(shù)在金屬、液體和其它電介質(zhì)材料存在時也被改 變。
0037公式(1)和公式(2)可以進行如下組合。首先,兩個公式 可以解出其各自的靈敏度
<formula>formula see original document page 12</formula> (5)
<formula>formula see original document page 12</formula>(6)
通過代入,
<formula>formula see original document page 12</formula>(7)
解Mff^去除相同的項得到以下表達式,
Mff = Gtx - Lrajlge- pff +(^ + 02 + pnf + Mnf (8) 公式(8)給出從近場容限預(yù)測或確定遠場容限的簡單表達式。0038利用方法IO,可以使用近場和遠場測試通過測試多個RFID器 件22來收集數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)可以被處理并且被用來生成表格或算法,該 表格或算法用于在已知條件下以確定的精確度預(yù)測RFID器件的性能。 給出簡單的例子,對RFID器件的一個近場測試器的單個頻率測試可以 足夠在指定的精確度(諸如土0.5dB)下預(yù)測遠場性能。在更復(fù)雜的例 子中,在不同測試系統(tǒng)中不同頻率下的多個測量可以被組合以允許不 僅對一般的遠場性能進行可靠預(yù)測,而且對當(dāng)被附連在一系列產(chǎn)品上 時的遠場性能進行可靠預(yù)測,這些產(chǎn)品中的一些可能影響器件操作頻
率和帶寬。
0039因此,方法10可以涉及使用一種算法或一組算法,這些算法 本質(zhì)上被調(diào)適以基于近場測試數(shù)據(jù)鑒別RFID器件的遠場性能。該算法 或多個算法可以被用來生成索引表,該索引表根據(jù)終端用戶的要求提 供對RFID器件的有效性的決策。該索引表可以具有對不同種類用法和 器件性能相關(guān)聯(lián)的有效范圍,從而一組讀出性能輸入可以提供在一些 應(yīng)用中接受該器件而在其它應(yīng)用中拒絕該器件的基礎(chǔ)。例如,對附連 在導(dǎo)電物體(諸如金屬罐)上的器件和被附連在不導(dǎo)電物體(諸如塑 料瓶)上的器件可以使用不同的標(biāo)準(zhǔn)。更廣泛地,方法10可以被用來 預(yù)測不同環(huán)境中RFID的性能如鄰近不同類型的物體和域在具有不同 類型的可能競爭射頻信號的環(huán)境中。應(yīng)該理解操作環(huán)境可以具有多種 其它變體。
0040因此可以從RFID器件的近場頻率性能預(yù)測或確定遠場頻率性 能響應(yīng)的多種特性。例如,具有在某一頻帶上相同的平均響應(yīng)的不同 器件可以適合不同類型的環(huán)境。
0041盡管針對特定的優(yōu)選實施例或多個實施例已經(jīng)示出和描述了 本發(fā)明,但通過對該說明書和附圖的閱讀和理解,很明顯本領(lǐng)域技術(shù) 人員容易想到等價的變化和修改。特別是對于由上述元件(部件、配 件、器件、合成物等)執(zhí)行的各種功能,除非另外指出,用來描述這 些元件的術(shù)語(含"手段"),意在對應(yīng)于執(zhí)行所述元件的特定功能 的任何元件(即功能等價),即使結(jié)構(gòu)上并不等價于本發(fā)明的示例性 實施例或多個實施例中所公開的執(zhí)行該功能的結(jié)構(gòu)。此外,雖然已通 過幾個示例性實施例中的一個或多于一個描述了本發(fā)明的具體特征, 該特性可與其它實施例的一個或多于一個其它特性相結(jié)合,這對于任 何給定的或特定的應(yīng)用可能是需要和有利的。
權(quán)利要求
1. 一種確定RFID器件的遠場性能的方法,所述方法包括在所述RFID器件上執(zhí)行近場測試;從所述近場測試的測試結(jié)果確定所述RFID器件的所述遠場性能;其中所述確定包括使用數(shù)學(xué)算法來確定所述遠場性能;以及其中所述使用數(shù)學(xué)算法包括計算遠場性能參數(shù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述執(zhí)行近場測試包括 將所述RFID器件放在接近于近場測試器的近場耦合器處;以及使用所述近場耦合器從所述測試器發(fā)送信號到所述RFID器件 和所述測試器的讀出器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中所述發(fā)送信號包括在一個頻 率范圍上發(fā)送信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法,其中所述執(zhí)行近場測試進一 步包括所述測試器接收來自所述RFID器件的信號。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2到4中的任何一個所述的方法,其中所述測試 器包括測試頭,所述測試頭包括所述近場耦合器和其中放置所述近場 耦合器的電介質(zhì)材料塊。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述測試頭還包含在所述電介質(zhì)材料塊上的柔性表面;以及其中所述測試包括將所述RHD器件放置在所述柔性表面上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任何一個所述的方法,其中所述使用數(shù)學(xué)算法包括使用査尋圖或查尋表。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任何一個所述的方法,其中所述確定 包括確定數(shù)值的遠場性能參數(shù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任何一個所述的方法,其中所述確定 包括確定所述RFID器件是否滿足遠場性能閾值。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任何一個所述的方法,其中所述確 定包括確定靈敏度、容限、峰值操作頻率、頻率性能響應(yīng)形狀、所選 頻帶上的平均響應(yīng)、讀出靈敏度以及寫入靈敏度中的一個或多于一個。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任何一個所述的方法,其中所述確 定包括確定遠場性能在不同遠場操作環(huán)境中的適合性。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任何一個所述的方法,其中所述測 試包括執(zhí)行多個測試。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中所述測試包括在一系列頻 率上測試。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12或權(quán)利要求13所述的方法,其中所述測試 包括用多個測試器測試。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12至14中的任何一個所述的方法,其中所述 測試包括在多個操作環(huán)境中測試。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1至15所述的方法,其中所述測試包括在所述 RFID器件的天線結(jié)構(gòu)的所有關(guān)鍵部分中感應(yīng)電流和電壓。
17. —種RFID器件測試器,其包括 電介質(zhì)材料塊;所述電介質(zhì)材料塊中的近場耦合器;以及 電耦合到所述近場耦合器的讀出器;其中所述近場耦合器被置于離所述測試器的表面一指定距離, RFID器件要放置在所述表面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的測試器,其中所述表面是附在所述電 介質(zhì)塊的柔性表面材料的柔性表面。
全文摘要
一種用于確定諸如處于標(biāo)牌、標(biāo)簽、包裹、薄膜、紙箱、包裝或這些中的一部分的里面或上面的RFID器件的遠場性能的方法,其包括執(zhí)行RFID器件的近場測試或測量,以及基于近場測試或測量的結(jié)果確定或預(yù)測遠場性能。確定或預(yù)測遠場性能可以涉及基于近場結(jié)果或測量計算遠場性能的測量。被預(yù)測的遠場性能可以包括多種性能因素中的任何一個,包括范圍、靈敏度、頻率性能、讀出靈敏度、寫入靈敏度、峰值操作頻率和/或給定頻帶上的平均靈敏度。使用近場測試結(jié)果來預(yù)測遠場性能可以允許使用小型測試設(shè)備、RFID器件的現(xiàn)場測試、快速測試和/或較低成本測試。
文檔編號G01R29/08GK101384911SQ200680053190
公開日2009年3月11日 申請日期2006年11月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月22日
發(fā)明者I·J·福斯特, T·C·威克利 申請人:艾利丹尼森公司