專利名稱：存放測試傳感器用的設有射頻標識元件的容器的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明 一般地涉及具有存放儲校準信息的機制的傳感器用的容 器，特別地涉及包^^射頻標識元件的測試傳感器容器以及將校準信息 輸入到分析裝置的方法。
包含這樣的儀表和試片的系統(tǒng)在如糖尿病那樣的慢性病的管理和 監(jiān)視中特別有用，那里要確定的分析物是葡萄糖而樣液是全血。這類 儀表已作為商品供應了幾年，例如OneTouchnJltraH式片及儀表(由美 國加利福尼亞州Milpitas市的LifeScan⑧公司制造)。這類系統(tǒng)的便攜 性給用戶帶來了便利，然而還存在一些缺點。其缺點之一是用戶通常 需向儀表輸入信息以說明試片性能的差異性。該試片性能的差異性通 常是由于試片按批次制造而產(chǎn)生的差異性。用戶輸入儀表的信息通常 為校準信息，例如它包含一組校準信息和/或一個校準號碼以及和/或用 于調(diào)整儀表內(nèi)部的計算設置值的其它信息，那些設置值然后用來調(diào)整 位于試片的樣液中的分析物的測量值。該校準信息通常隨試片容器提 供， 一般印在固定于容器外部的標牌上。然而，由于使用者會輸錯校 準信息或忘記在適當?shù)臅r候更新校準信息，測量錯誤的風險依然存在。 一般，批次與批次之間的校準信息會不相同，每次使用不同批次的傳 感器時，例如新的傳感器容器開啟時，使用者通常應該檢查并更新儀 表內(nèi)的校準信息。
因此，需要一種向儀表提供校準信息的裝置，以減少該信息錯誤 地輸入儀表的風險。
在本文中，凡提到試片或試驗片的地方，本領域技術(shù)人員當知可 使用任何大小或形狀的傳感器或測試傳感器。
另 一示范性實施例涉及一種包舍空腔的容器，該空腔內(nèi)放置射頻 標識元件。該射頻標識元件可選地位于該容器的最內(nèi)表面上。
另一示范性實施例涉及一種容器，該容器包含兩層或多層，射頻 標識元件位于內(nèi)層中。該射頻標識元件可選地嵌入于該內(nèi)層中。
另一示范性實施例涉及一種容器，該容器包含兩層或多層，射頻 標識元件位于內(nèi)層與外層之間。
另一示范性實施例涉及一種容器，該容器包含兩層或多層，射頻 標識元件位于密閉機件內(nèi)。
根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項，另一示范性實施例涉及一種容器， 該容器還包括具有射頻標識元件的標牌，該標牌可選地包含一層適用 于固定的粘合劑。該射頻標識元件可選地位于標牌的最外表面上和/或 位于標牌粘合劑內(nèi)或貼近于標牌粘合劑。
另一示范性實施例涉及一種容器，其中，射頻標識元件具有信息 存放能力，用以存儲供容器內(nèi)存放的試片使用的分析物測量裝置的校 準信息。
本發(fā)明的另 一方面是一種輸入校準信息到測試儀表的方法，其中， 容器包含具有說明容器中試片性能變異性的校準信息的射頻標識元 件，使設有射頻發(fā)射器和接收器的儀表與將接收到的射頻信號轉(zhuǎn)換到 儀表校準參數(shù)的裝置相互接近， 一般在0 m至100 m左右的距離內(nèi)， 可選擇在0 m至0.2 m距離內(nèi)。于是，傳送校準信息的裝置^皮啟動， 將校準信息作為射頻或微波信號從微芯片傳送到接收器。


簡要說明
本發(fā)明的新穎性特征在后附的權(quán)利要求書中詳細闡明。以下參照 附圖詳細描述的實施例將更好地說明本發(fā)明的特點和益處，實施例僅
為利用本發(fā)明原理的示例。附圖簡述如下
圖3為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器一個實施例的正面剖視圖，顯 示了在容器底部的最內(nèi)表面上固定的射頻標識元件。
圖IO為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示
了位于容器的密閉機件內(nèi)層中的射頻標識元件。
為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了位于容器本體外層中的射頻標識元件。
圖12為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了位于容器底部外層中的射頻標識元件。
圖13為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示
了位于容器的密閉機件外層中的射頻標識元件。
圖14為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了位于容器本體內(nèi)層與外層之間的射頻標識元件。
圖15為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了位于容器底部內(nèi)層與外層之間的射頻標識元件。
圖16為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了位于容器的密閉機件內(nèi)層與外層之間的射頻標識元件。
圖17為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了位于容器本體外層的外表面上的射頻標識元件。
圖19為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了位于容器的密閉枳i件外層的外表面上的射頻標識元件。
圖20為示意說明根椐本發(fā)明的含標牌容器的實施例的正面剖視 圖，顯示了位于標牌外表面上的射頻標識元件。
圖2為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的俯視圖，顯示了固 定到容器(2)本體(6)的最內(nèi)表面(20)的射頻標識元件(22)。
圖3為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器的實施例的正面剖視圖，顯示 了設于容器(2)底部(8)的最內(nèi)表面(20)的射頻標識元件(22)。 在所示實施例中，本體(6)與底部(8)的外層(12)形成為一體， 本體(6 )與底部(8 )的內(nèi)層(14 )形成為一體，本體(6 )與底部(8 ) 的第一粘接層(16)形成為一體。
圖4為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了設于容器(2)密閉機件(10)的最內(nèi)表面(20)的射頻標識元
件(22)。圖示的實施例還示出通過第二粘接層(26)連接到容器(2)
本體(6)的整體底座(8)。
圖5為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了附設在容器(2)本體的最內(nèi)表面(20)的含支承基片(28)的 射頻標識元件(22 )。
圖10為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2 )密閉機件(10 )內(nèi)層(14 )中的射頻標識元件(22 )。
圖11為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2)本體(6)外層(12)中的射頻標識元件(22)。
圖12為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2)底部(6)外層(12)中的射頻標識元件(22)。
圖13為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2 )密閉機件(10 )外層(12 )中的射頻標識元件(22 )。
圖14為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2)本體(6)內(nèi)層(14)與外層(12)之間的射頻 標識元件(22 )。在圖示的實施例中，本體(6 )與底部(8 )的外層(12 )
形成為一體，本體(6)與底部(8)的內(nèi)層(14)形成為一體，本體 (6)與底部(8)的第一粘接層(16)形成為一體。
圖15為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器底部內(nèi)層(14 )與外層(12 )之間的射頻標識元件(22 )。
圖16為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2 )的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2)密閉機件(10)內(nèi)層(14)與外層(12)之間的 射頻標識元件(22 )。
圖17為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2)本體(6)外層(12)的最外表面(18)的射頻 標識元件(22 )。
圖18為示意說明根據(jù)本發(fā)明的容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2)底部(8)外層(12)的最外表面(18)的射頻 標識元件(22)。
圖19為示意說明根據(jù)本發(fā)明容器(2 ) —個實施例的正面剖視圖， 顯示了位于容器(2)密閉機件(10)外層(12)的外表面(18)的射 頻標識元件(22 )。
圖20為示意表示根據(jù)本發(fā)明的含標牌(30)容器(2)的實施例 的正面剖視圖，顯示了位于標牌(30)外層(34)的外表面(32)的 射頻標識元件(22)。
圖21為示意說明根據(jù)本發(fā)明的含標牌(30)容器(2)的實施例 的正面剖視圖，顯示了位于標牌粘合層中的射頻標識元件(22)。
圖22為示意說明根據(jù)本發(fā)明容器(2)的實施例的正面剖視圖， 顯示了一些可置入射頻標識元件(未示出)的具代表性的隙槽(38) 和凹處(40)。在圖示的實施例中，本體(6)與底部(8)的外層(12) 形成為一體，本體(6)與底部(8)的內(nèi)層(14)形成為一體。
具體實施方式

上述容器包括本體(6)、底部(8)、密閉機件(10)和射頻標識 元件(22)。其本體(6)與底部(8)確定存放試片的空腔(4)的形 狀。容器(2)的本體(6)—般具有近端、遠端、內(nèi)表面和外表面。從 本體(6)的近端看去，容器(2)的本體(6) —般具有基本上均勻的 橫斷面，然而也可能是非均勻的橫斷面。通常從容器(2)的近端看去， 本體(6)的;f黃斷面是矩形、橢圓形或圓形，因此本體(6)的形狀為 空心長方體或空心柱體，例如空心橢圓柱體或空心圓柱體。
在本發(fā)明的某些實施例中，容器(2)的本體(6)是一個單層整 體。容器(2)的本體(6)通常用不干擾射頻標識方法的一種或多種 料制造。這樣的材料包括(但不限于)熱塑性材料，諸如高密度聚乙 烯或聚丙烯，或者乙烯或丙烯的共聚物。上述材料可包含其它物質(zhì)和 成分，如色粉、增塑劑、抗氧化劑、抗菌劑、脫才莫劑、阻氣劑、填充 劑、吸附劑、穩(wěn)定劑和阻燃劑。用于本發(fā)明的材料包括聚合物，例如， 在美國專利號5， 723， 085、 6, 174， 952、 6， 177， 183、 6, 194， 079、 6， 221， 446和6, 316， 520以及歐洲專利公開號1173502中已 公開的聚合體，這些披露的全部內(nèi)容通過引用而結(jié)合于此。吸附劑在
的材料。有能力去除水或水汽的吸附劑在文中還定義為干燥劑。常用 的吸附劑包括分子篩、沸石、硅藻土、硅膠、親水改性硅土和如膨潤 土那才羊的吸附粘土。歐洲專利^Hf號0 663 793和0 678 054進一步描
述了常用的吸附劑，它們通過引用而結(jié)合于此。
在發(fā)明的一實施例中，本體(6)包括至少一個內(nèi)層(14)和至少 一個外層(12 )，外層(12 )的最外表面(18 )部分地或整個地確定本 體(6)的最外表面，而內(nèi)層(14)的最內(nèi)表面(20)部分地或整個地 確定容器(2)本體(6)的最內(nèi)表面。如果容器(2)包含多層，則每 層通常有一個內(nèi)表面和一個外表面。內(nèi)層(14)和外層(12)可以是 相同的厚度或不同的厚度，每層各處的厚度可以是均勻的或非均勻的。
外層(12) —般用不干擾射頻標識方法的材料制造。這些材料包 括熱塑性塑料，諸如高密度聚乙烯或聚丙烯，或者乙烯或丙烯的共聚 物。外層(12)可進一步包括其它材料，例如色粉、增塑劑、抗氧化 劑、抗菌劑、脫才莫劑、阻氣劑、填充劑、穩(wěn)定劑和阻燃劑。
內(nèi)層(14) 一般也用不干擾射頻標識方法的材料制造?？砂ɡ?如色粉、增塑劑、抗氧化劑、抗菌劑、脫才莫劑、阻氣劑、阻氣劑、填 充劑、穩(wěn)定劑和阻燃劑等材料。在一個優(yōu)選實施例中，內(nèi)層(14)包 含其它用來調(diào)節(jié)容器(2)空腔內(nèi)環(huán)境的制劑，例如吸附劑和/或抗菌 劑。
內(nèi)層(14)與外層(12)可用如位于內(nèi)層與外層(12)之間的粘 合劑那樣的第一粘接層(16)接合，適當?shù)恼澈蟿┌崛勰z和壓敏
膠。如果內(nèi)層與外層都是熱塑性塑料，備選且典型的方式是在兩層之
間熱熔接合。
容器(2)設有用以將試片保留在容器(2)空腔內(nèi)的底部(8)。 底部(8)設于容器(2)本體(6)的遠端且包含最內(nèi)表面(20)和最 外表面(18)，且可以是單層或多層。在一個實施例中，底部(8)包 含其成分與容器(2)的本體(6)相同的材料。在另一實施例中，底
部(8)包括內(nèi)層(14)和外層(12),內(nèi)外層之間互相用熱熔合或用 第二膠粘粘接層(26)接合。在又一實施例中，底部內(nèi)層(14)與容 器(2)本體(6)的內(nèi)層(14)的材料相同。在另外一些實施例中， 底部外層(12)與容器(2)本體(6)的外層(12)的材料相同。在 某些實施例中，底部(8)與本體(6)形成為一體，例如，如果容器 (2)的本體(6)為單層且底部(8)也為單層，那么容器(2)與底 部(8)可通過例如注塑或吹塑工藝成形為一體。在其它一些實施例中， 本體(6)包含多層，底部(8)可與本體(6)的一層或多層形成為一 體?；蛘?，底部(8)與本體(6)可分別成形，隨后將底部(8)固定 到本體(6)的遠端，在此情況下，底部(8)可以通過已知的如粘結(jié) 或熱熔合等方法固定到本體(6)的遠端。
容器(2)通常設有密閉機件(10)。通常需要這種密閉機件以減 小容器(2)空腔內(nèi)的試片受到環(huán)境影響，例如濕度、光或空氣，它們 會給試片的性能給帶來不良影響。密閉機件例如包括罩帽(尤其是可 再密封的罩帽)、遮蓋、塞子、堵頭、薄膜或箔。密閉機件(10)由如 鉸鏈或卡箍那樣的連接構(gòu)件(24)附裝到容器(2)的本體(6)或從 容器(2 )的本體(6 )上分離。在如PCT國際公開號WO 01/15989中 描述了一些有用的容器與罩帽組件，它們通過引用而結(jié)合在本文中。
容器(2)包含一射頻標識(RPID)元件，該RPID元件(22)最 好包含存有供存放在容器(2 )中試片那樣的測試傳感器使用的分析物 測量儀器(如手持式儀表)的校準信息的微芯片， 一般還包含至少一 個用于接收、發(fā)射或散射射頻信號的天線，且可選地包含電源例如電 池。射頻標識元件(22)可選地包含柔軟的支承基片(28),天線、微 芯片和可選的電源固定于其上而構(gòu)成標簽。
在本發(fā)明的一實施例中，射頻標識元件(22)位于容器(2)的空
腔內(nèi)。在某些示范性實施例中，射頻標識元件(22)設于容器(2)本
體(6)(見圖1)、底部(8)(見圖3)和/或密閉機件(10)(見圖4) 的最內(nèi)表面(20)上。在某些示范性實施例中，內(nèi)層(14)設有射頻 標識元件(22)的支承基片(28)。在其他示范性實施例中，含支承基 片(28)的射頻標識元件設于容器(2)的最內(nèi)表面(20)(見圖5、 圖6和圖7)。在本發(fā)明的又一些實施例中，容器(2)包含內(nèi)層(14) 和外層(12 ),該內(nèi)層(14 )和外層(12 )可位于容器(2 )的本體(6 )、 底部(8 )或密閉機件(10 )或它們的任何組合中，而射頻標識元件(22 ) 設于內(nèi)層(14)中(見圖8、圖9和圖10)。在這些實施例中，射頻標 識元件(22)通常不暴露在容器瓶的容納物中，因此可避免因機械、 電氣和其它影響而受損。在又一些實施例中，射頻標識元件(22)設 于容器(2)的本體(6)、底部(8)或密閉機件(10)的外層中(見 圖11、圖12和圖13)。在再一實施例中，射頻標識元件(22)位于容 器(2)的本體(6)、底部(8)或密閉機件(10)的任何一層中提供 的隙槽(38)或凹部(40)中(見圖22)?；蛘撸部蓪⑸漕l標識元 件(22)嵌入到構(gòu)成內(nèi)層(14)或外層(12)的材料里。在許多實施 例中，射頻標識元件(22)設于容器(2)的內(nèi)層與外層之間(見圖 14、圖15和圖16)。在本發(fā)明的又一實施例中，射頻標識元件(22) #:設于容器(2)外層(12)的最外表面(18)上(圖17、圖18和圖 9)。
射頻標識元件(22 )的位置選擇在容器(2 )的里面還是在其上面， 部分取決于制造容器(2)所用的工藝。例如，在本發(fā)明的一實施例中， 容器(2)的本體(6)、底部(8)或密閉積/f牛(10)采用如凈齊出、共 擠出、擠出復合，擠出涂覆，合作成型或雙射成型那樣的工藝而制造，
用的術(shù)語"整體"意指一般用同類材料作為單一實體構(gòu)成的容器(2) 的一個或幾個部件。在一示范性實施例中，容器(2)全部或部分地由包括雙射成形步驟的工藝制造，在該步驟中形成內(nèi)層(14),射頻標識
元件(22)可選地作為整體設于內(nèi)層(14)的最外表面或內(nèi)層(14) 里面，或可選地嵌入在內(nèi)層(14)里，然后成形外層(12)， 一般成形 為圍繞內(nèi)層(14)的整體。在另一示范性實施例中，容器(2)全部或 部分地由包含雙射成形步驟的工藝制造，在該步驟中形成外層(12)， 射頻標識元件(22) —般作為整體設于外層(12)的最內(nèi)表面上或在 外層(12)里面，或可選地作為整體嵌在外層(12)里，然后可選地 作為整體在外層(12)內(nèi)成形內(nèi)層(14)。在另一實施例中，容器本體
(6)包括分別成形的外層(12)和內(nèi)層(14)，其中，外層(12)和 內(nèi)層(14)分開成形，且內(nèi)層(14)用機械方式插入進本體(6)的外 層(12),以使外層(12)成為圍繞內(nèi)層(14)的外殼，然后，在插入 內(nèi)層(14)之前，射頻標識元件(22)可選地臨時或^c久地設于外層
(12)的內(nèi)表面或內(nèi)層(14)的外表面，以使射頻標識元件(22)位 于所制成容器(2)的該兩層之間。
圖22為一容器的示范性實施例，其中顯示了可置入射頻標識元件 (22)(未示出)的具代表性的一些隙槽(38)和凹處(40)。
射頻標識元件(22 )的位置選擇部分地根據(jù)保護射頻標識元件(22) 避免受環(huán)境影響的要求而確定。例如，如果容器(2)的外表面暴露于 機械處理，那么射頻標識元件(22)可選地不位于容器(2)外層(12) 的外表面上?；蛘?，如果希望保護射頻標識元件(22)避免暴露于容 器(2)的容納物，那么射頻標識元件(22)可選地不設于容器(2) 內(nèi)層(14)的內(nèi)表面。因此，在一定的情況下，如文中所述射頻標識 元件(22)位于內(nèi)層(14)中、外層(12)中或內(nèi)外層之間可能是有 益的。事實上，在本發(fā)明的一個方面，射頻標識元件(22)可選地位 于容器(2)的最外表面(18)與容器(2)的最內(nèi)表面(20)之間， 結(jié)果在射頻標識元件(22)所在的外層(12)的最外表面(18)與內(nèi)
層(14 )的最內(nèi)表面(20 )之間設有兩層或多層。容器(2 )的本體(6 )、 密閉機件(10)或底部(8)的制造或裝配技術(shù)一般已公知，并在例如 美國專利號5， 911， 937、 6， 769, 558、 4, 783， 056、 4， 812, 116 和5， 723, 085中披露，其內(nèi)容已通過引用而結(jié)合于本文。普通技術(shù) 人員將會理解這些方法且不難將射頻標識元件(22)包含于裝置中。
容器(2)還可包括設于容器(2)本體(6)、密閉機件(10)或 底部(8)的標牌(30)。標牌(30)最好設于容器(2)的外表面。標 牌(30) —般包含將標牌(30)固定于容器(2)外表面的粘合層。在 某些實施例中，射頻標識元件(22)位于標牌(30)里面或上面(見 圖19)或標牌(30)的粘結(jié)層里面。標牌(30)還可包括一些其它特 征，例如關于容器(2)的容納物的信息。在某些實施例中，標牌(30) 部分或整個地覆蓋容器(2 )外層(12 )的外表面。在另 一些實施例中， 標牌(30)提供試片容器(30)的校準信息。在這些實施例中，使用 者通常被提供將標牌(30)上的校準信息與儀表上顯示校準信息讀數(shù) 進行比較的觀視工具。
容器(2)設計成以無條理方式或有條理方式存;^文試片。以無條理 方式存放試片的容器(2)例是小瓶。試片的長度一般約為10至40毫 米(mm)而寬度約為3至10 mm,置放在比單個試片更長且更寬的小 瓶中。該小瓶一般長約15至50mm、寬約5至30mm。除了小瓶的空 腔形狀，該試片的方位通常不受任何裝置限定。 一例以有條理方式存 放瓶子的容器(2)是一種插盒，該插盒是以有條理方式(如作為一疊 試片)插入試片的容器(2)。容器(2)也可設有試片分配機構(gòu)和向分 配才幾構(gòu)推進試片的才幾構(gòu)。
容器(2)可存放在分析裝置中。容器(2)可具有與分析裝置的 互動功能，以將試片傳送到測試位置，或者也可不具有該互動功能。
在試片用于測試例如葡萄糖或膽固醇那樣的分析物時，本發(fā)明特 別有用，4旦也能測量其它的分析物。特別受關注的體液包括如全血或 部分血或其引出物、間質(zhì)液、尿液或汗液?？晒┰嚻褂玫姆巧镆?包括一般用于查驗分析物測量裝置性能的已知分析物濃度的對照液。
本發(fā)明的 一個方面涉及一種減少向測試儀表錯誤地輸出校準信息 的風險的方法，該方法中，容器(2)包含具有存儲于微芯片的說明容 器中試片的性能變異性的校準信息的射頻標識元件(22 ),使設有射頻 發(fā)射器和接收器的儀表和將接收到的射頻信號轉(zhuǎn)換到儀表用校準參數(shù) 的裝置相互接近，優(yōu)選在0 m至100 m左右的距離內(nèi)，更優(yōu)選在0m 至O.l m的距離內(nèi)。于是，傳送校準信息的裝置被啟動，將校準信息 作為射頻或微波信號從微芯片傳送到接收器。例如，在一種使用中， 設有射頻發(fā)射器和接收器的儀表以及將接收到的射頻信號轉(zhuǎn)換為儀表 用校準參數(shù)的裝置，被置放在靠近本發(fā)明的容器(2)的位置。容器(2) 的射頻標識元件(22)存有說明容器(2)內(nèi)的試片性能變異性的校準 信息，存儲在微芯片上的校準信息在試片制造中與其測試大致同時地 通過計算預先得到。然后，傳送校準信息的裝置，例如儀表里的射頻 信號發(fā)射、接收和處理電路啟動，它們使校準信息從微芯片傳送B 表的接收器。因此，不再需要使用者l^4義表手工輸入與容器(2)中的 試片有關的校準信息。
應知，對于文中描述的本發(fā)明實施例可以有各種各樣的備選實施 方式。本發(fā)明的范圍由后附的權(quán)利要求書規(guī)定，這些權(quán)利要求及其等 同物的范圍內(nèi)的方法和結(jié)構(gòu)從而^皮該范圍涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種存放測試傳感器的容器，包含最外表面、最內(nèi)表面和位于最外表面與最內(nèi)表面之間的射頻標識元件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的容器，其中，所述容器包含至少一層材料，且所述射頻標識元件嵌入于其中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的容器，其中，所述至少一層材料包含 吸附劑。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的容器，其中，所述吸附劑包括膨潤土 或親水改性硅土。
5. 根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的容器，其中，所述容器包 含聚烯烴成分。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的容器，其中，所述聚烯烴成分包括聚 丙歸。
7. —種包含空腔的容器，其中，射頻標識元件位于空腔內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的容器，其中，所述射頻標識元件位于 所述容器的最內(nèi)表面上。
9. 根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的容器，其中，所述容器包 含兩層或多層，且射頻標識元件位于外層中。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的容器，其中，所述射頻標識元件嵌 入于所述外層中。
11. 根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的容器，其中，所述容器 包含兩層或多層，且射頻標識元件位于內(nèi)層中。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的容器，其中，所述射頻標識元件嵌 入于所述內(nèi)層中。
13. 根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的容器，其中，所述容器 包含兩層或多層，且所述射頻標識元件位于內(nèi)層與外層之間。
14. 根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的容器，其中，所述容器 包含兩層或多層，且所述射頻標識元件位于密閉機件內(nèi)。
15. 根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的容器，還包括^^有射頻 標識元件的標牌。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的容器，其中，所述標牌包含適用 于固定標牌的粘合劑。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15或16所述的容器，其中，所述射頻標識 元件設于標牌的最外表面上。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的容器，其中，所述射頻標識元件 位于所述標牌粘合劑內(nèi)或與其貼近。
19. 根據(jù)以上權(quán)利要求中任一項所述的容器，其中，所述射頻 標識元件具有信息存儲能力，用以存儲由容器內(nèi)存放的試片使用的 分析物測量裝置的校準信息。
20. —種將校準信息輸入到測試儀表中的方法，其中，容器包 含具有說明位于容器中的試片的性能變異性的校準信息的射頻標識元件(22),并使設有射頻發(fā)射器、接收器的儀表與將所接收的射頻信 號轉(zhuǎn)換到儀表用校準參數(shù)的裝置相互接近， 一般在0 m至100 m左 右的距離內(nèi)，可選擇在0m至0.2m的距離內(nèi)，因而，傳送校準信息 的裝置^皮啟動，將所述才交準信息作為射頻或微波信號從所述《效芯片 傳送給所述接收器。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于存放試片的設有射頻標識元件的容器，其中，射頻標識元件位于容器的最外表面與最內(nèi)表面之間。
文檔編號G01N33/48GK101375159SQ200680052997
公開日2009年2月25日 申請日期2006年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月22日
發(fā)明者D·巴斯基費爾德, G·羅賓遜, J·麥金努爾蒂, T·奧賴利 申請人:生命掃描蘇格蘭有限公司