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一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法

文檔序號:40627026發(fā)布日期:2025-01-10 18:32閱讀:6來源:國知局
一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法

本發(fā)明屬于薄膜生產(chǎn),具體涉及一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法。


背景技術(shù):

1、制備氧化鋁薄膜用于生產(chǎn)濕度傳感器,屬于阻容式濕度傳感器,此類設(shè)備具有精度高、結(jié)構(gòu)簡單、成本低、便攜性好的優(yōu)點,應(yīng)用廣泛,具體工作原理是濕度環(huán)境中水分子含量影響材料載流子遷移率和介電常數(shù),進而影響電阻和電容的大小,以此對應(yīng)不同的濕度值。其感濕性能受孔徑大小、孔徑深度、孔隙率、晶相結(jié)構(gòu)等因素影響。

2、多孔氧化鋁薄膜制備方法包括溶膠凝膠法、粉末燒結(jié)法、陽極氧化法,溶膠凝膠法得到薄膜具有高比表面積、孔徑可控的優(yōu)點,但生長過程易破裂。粉末燒結(jié)法制備薄膜工藝簡單,但薄膜穩(wěn)定性差。陽極氧化法是低電壓制備得到薄膜孔徑膜厚可控,但薄膜的晶相不穩(wěn)定,對濕度性能有不利影響。而微弧氧化工藝是較高電壓下制備大孔徑的薄膜,形成更穩(wěn)定的晶相結(jié)構(gòu),但存在孔洞深處氧化不徹底的問題,造成短路。

3、微弧氧化過程主要可分為三個階段:

4、階段1:氧化初期,生成的鋁離子一部分與電解液中含氧離子生成氧化鋁,鋁表面形成致密氧化鋁薄膜。

5、階段2:隨電壓繼續(xù)增大至臨界值,表面發(fā)生局部微小電弧的放電現(xiàn)象,氧化速度顯著增快,形成密集、結(jié)構(gòu)復(fù)雜的陶瓷狀氧化鋁層。

6、階段3:氧化進入穩(wěn)定階段,內(nèi)部形成穩(wěn)定多孔結(jié)構(gòu)。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明針對現(xiàn)有工藝技術(shù)不足的改進,提供了一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法。

2、為了解決以上的工藝問題,本發(fā)明提供一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,此方法工藝過程中使用包括用作電化學(xué)的陰極金屬棒,電化學(xué)的陽極基片,用于固定基片的夾具,用于放置電解質(zhì)、基片、金屬棒的燒杯。

3、所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,金屬棒材料為高純度金屬鈦。

4、所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,基片材料為高純度金屬鋁。

5、所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,夾具使用鋁、鐵。

6、所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,燒杯使用石英燒杯。

7、進一步地,所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,制備方法包括以下步驟:

8、步驟1:將高純鋁片經(jīng)過機械切割,得到形狀尺寸定制加工的高純鋁片。

9、步驟2:將高純鋁片經(jīng)過機械拋光、超聲波清洗,清除表面粗糙,去除雜質(zhì)。

10、步驟3:將拋光清洗處理后的高純鋁片進行微弧氧化工藝,得到大孔徑的氧化鋁薄膜。

11、步驟4:將微弧氧化后的氧化鋁薄膜進行二次陽極氧化工藝處理,消除微弧氧化不徹底導(dǎo)致孔洞底部是鋁基底,而不是阻擋層的現(xiàn)象。

12、步驟5:將二次陽極氧化后的薄膜進行老化工藝處理,提高氧化鋁薄膜穩(wěn)定性。

13、作為優(yōu)選,所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,具體的鋁片尺寸為:鋁片的有效尺寸大小是20mm×10mm×1mm,并在一端保留20mm×1mm×1mm細長條狀大小的鋁片,用于與夾具的連接固定。

14、作為優(yōu)選,所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,具體拋光工藝為:在800目和1200目的兩種砂紙上拋光,包括對鋁片的四個側(cè)面進行手動拋光,對20mm×10mm的兩個面分別進行機械拋光。清洗階段將拋光后鋁片放置在乙醇中進行超聲波清洗,消除雜質(zhì)。

15、作為優(yōu)選,所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,具體的微弧氧化工藝為:將電解質(zhì)nahso4:khso4以3:1的質(zhì)量比例混合,在加熱儀器工作下200℃下處于熔融狀態(tài),以高純鋁片做陽極,高純鈦棒做陰極,在熔融電解質(zhì)中,電源系統(tǒng)工作于200ma恒流模式下微弧氧化120s,得到氧化鋁薄膜。

16、作為優(yōu)選,所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,具體的二次陽極氧化工藝為:以酒石酸銨配置質(zhì)量分數(shù)3%的電解質(zhì)溶液,以微弧氧化后的氧化鋁薄膜做陽極,高純鈦棒做陰極,在常溫下電源系統(tǒng)工作于100v恒壓模式下陽極氧化20min,制備薄膜。

17、作為優(yōu)選,所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,具體的老化工藝為:將二次陽極氧化后的氧化鋁薄膜放置于煮沸的去離子水中,經(jīng)1h完成。

18、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明有益效果如下:

19、(1)與溶膠凝膠法、陽極氧化法、粉末燒結(jié)法相比,微弧氧化反應(yīng)激烈,顯著提高薄膜孔徑,獲得更大、更深的孔洞,同時氧化工藝時間顯著縮短,獲得更多穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),薄膜穩(wěn)定性顯著提高,從理論分析可知,這些優(yōu)勢使制備的濕度傳感器具有更高的靈敏度和穩(wěn)定性。

20、(2)微弧氧化后結(jié)合陽極氧化,能有效避免微弧氧化孔洞過深,孔洞底部是鋁基底,不是阻擋層的問題,用溫和的陽極氧化工藝處理,將底部未氧化的鋁基底經(jīng)氧化形成阻擋層。



技術(shù)特征:

1.一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,包括用作電化學(xué)的陰極金屬棒,電化學(xué)的陽極基片,用于固定基片的夾具,用于放置電解質(zhì)、基片、金屬棒的燒杯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于所述的金屬棒材料為高純度金屬鈦。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于所述的基片材料為高純度金屬鋁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于所述的夾具使用鋁、鐵材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于所述的燒杯材料使用石英。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于,制備方法包括以下步驟:

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于,步驟1所述機械加工得到鋁片的有效尺寸大小是20mm×10mm×1mm,并在一端保留20mm×1mm×1mm細長條狀大小的鋁片,用于與夾具的連接固定。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于,步驟2所述拋光清洗工藝為:在800目和1200目的兩種砂紙上拋光,包括對鋁片的四個側(cè)面進行手動拋光,對20mm×10mm的兩個面分別進行機械拋光,清洗階段將拋光后鋁片放置在乙醇中進行超聲波清洗,消除雜質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于,步驟3所述的微弧氧化工藝為:將電解質(zhì)nahso4:khso4以3:1的質(zhì)量比例混合,在加熱儀器工作下200℃下處于熔融狀態(tài),以高純鋁片做陽極,高純鈦棒做陰極,在熔融電解質(zhì)中,電源系統(tǒng)工作于200ma恒流模式下微弧氧化120s,得到氧化鋁薄膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于步驟4所述的二次陽極氧化工藝為:以酒石酸銨配置質(zhì)量分數(shù)3%的電解質(zhì)溶液,以微弧氧化后的氧化鋁薄膜做陽極,高純鈦棒做陰極,在常溫下電源系統(tǒng)工作于100v恒壓模式下陽極氧化20min,制備薄膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法,其特征在于步驟5所述的老化工藝為:將二次陽極氧化后的薄膜放置于煮沸的去離子水中,經(jīng)1h完成。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于薄膜生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,并公開了一種制備高感濕能力氧化鋁薄膜的氧化工藝方法。所述方法包括:鋁片的機械加工,鋁片的拋光清洗,鋁片的微弧氧化處理,微弧氧化后的鋁片二次陽極氧化處理,兩次氧化后的鋁片老化處理。本發(fā)明通過反應(yīng)激烈的微弧氧化,顯著提高薄膜孔徑,獲得更大、更深的孔洞,同時氧化工藝時間顯著縮短,獲得更多穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu),薄膜穩(wěn)定性顯著提高。微弧氧化后結(jié)合陽極氧化,能有效避免微弧氧化孔洞過深,孔洞底部是鋁基底,不是阻擋層的問題,用溫和的陽極氧化工藝處理,將底部未氧化的鋁基底經(jīng)氧化形成阻擋層。這些優(yōu)勢使制備的濕度傳感器具有更高的靈敏度和穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員:黃河,石銳,梅國娟,沈雪萍,楊成韜
受保護的技術(shù)使用者:電子科技大學(xué)長三角研究院(湖州)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/9
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