專利名稱：薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于精密圖形印刷電路板、特別是用于薄膜上的集成電路芯片(chip on film)(COF)、高頻印刷電路板最為合適的銅箔、以及用于等離子顯示器(PDP)的電磁波屏蔽板最為合適的銅箔。本發(fā)明還涉及使用該銅箔的印刷電路板、PDP電磁波屏蔽板及高頻用印刷電路板。
背景技術(shù)：
隨著電子設(shè)備的小型化、輕量化，近來，各種電子部件正在向集成化發(fā)展。與此相對應(yīng)，也要求印刷電路板的電路圖形的高密度化，由微細(xì)的線寬度和電路行距組成的電路圖形也正在形成。高密度化發(fā)展最快的是電腦、攜帶電話和PDA的顯示部的驅(qū)動液晶顯示器的IC安裝基板，從IC被直接放置在薄膜基板上開始被稱為薄膜上的集成電路芯片(COF)。
安裝COF是根據(jù)透過通過銅箔形成電路圖形的膜的光，檢測出IC的位置。但是，以往的印刷電路板用電解銅箔的識別性(根據(jù)光檢測IC位置的能力)非常差。其原因在于銅箔的表面粗糙。可透過光的膜部分的銅電路部分以外的不需要的銅箔部分是被蝕刻除去的部分，將銅箔貼附于膜上時，銅箔表面的凹凸被復(fù)寫在膜面上殘留下來，從而使膜表面的凹凸變大，光透過時，由于其凹凸的存在，使可直接進(jìn)入的光量減少，從而導(dǎo)致識別性變差。
以往的印刷電路板用電解銅箔由于識別性差，所以，使用2層材料，即在聚酰亞胺膜上通過濺鍍(薄膜形成工序)形成銅層，在其上進(jìn)行鍍銅。
但由于該濺鍍銅層與膜的粘附力弱，所以，在在電路的制作加工的過程中，蝕刻液和鍍液進(jìn)入銅箔和膜之間，即有可能發(fā)生底割現(xiàn)象。此外，由于該濺鍍銅層與膜之間的粘附力弱，所以，在產(chǎn)品的使用過程中，有發(fā)生銅箔從基板剝離事故的危險性。
電解銅箔通常采用下述方法制造對用如圖1所示的電解制箔裝置制得的銅箔，用如圖2所示的表面處理裝置實(shí)施用于提高粘附性的粗化處理和防銹處理等。電解制箔裝置是在如圖1所示的由旋轉(zhuǎn)鼓狀的陰極2(表面為SUS或鈦制)和對該陰極2以同心圓狀設(shè)置的陽極1(鉛或重金屬氧化物包覆鈦電極)組成的裝置中，使電解液3流動的同時在兩極間形成電流，在該陰極2的表面析出規(guī)定厚度的銅，其后，從該陰極2的表面剝?nèi)°~箔4。本說明書中將該階段的銅箔稱為未處理銅箔4，該未處理銅箔4和電解液3接觸的面稱為粗糙面，和旋轉(zhuǎn)的鼓狀陰極接觸的面稱為光滑面。
未處理銅箔4，作為用于印刷電路板所必需的性能，即用于提高與樹脂基板接觸時的粘附性，通過如圖2所示的表面處理裝置，連續(xù)進(jìn)行電化學(xué)或化學(xué)性的表面處理，即粗化處理、鍍金屬處理、防銹處理、硅烷偶合劑處理等。上述表面處理中，粗化處理通常在未處理銅箔的粗糙面實(shí)施，作為表面處理銅箔8用于印刷電路板。圖2中的5、6為電解液，7為表面處理裝置的陽極。
影響表面處理銅箔8的蝕刻特性和識別性的較大原因之一是銅箔表面的粗糙度。對于蝕刻特性，重要的在于銅箔的粗糙面及光滑面的粗糙度均小，對于識別性，重要的在于與膜粘接側(cè)的表面的粗糙度小。
此外，PDP電磁波屏蔽板所使用的銅箔也要求表面粗糙度小的銅箔。PDP是“利用由放電產(chǎn)生發(fā)光的顯示器”，在真空的玻璃管中充入水銀氣體等，施加電壓，使其放電，這時產(chǎn)生的紫外線與事先涂敷于玻璃管內(nèi)側(cè)的熒光涂料接觸，產(chǎn)生可視光。PDP迄今為止主要作為車站和公共設(shè)施或展覽會和西餐廳中的顯示器使用，但近年來，用于家庭用大型電視機(jī)的需求也在增加。
對于PDP，為了防止從設(shè)備產(chǎn)生的電磁波的泄漏，在顯示器前面(距觀看人近的一側(cè))設(shè)置電磁波屏蔽板。作為可防止從公共設(shè)施等所使用的設(shè)備產(chǎn)生的電磁波泄漏的電磁波屏蔽板，使用在玻璃板的全部面涂敷銀的薄膜層和在微細(xì)的尼龍制網(wǎng)狀材料上進(jìn)行鍍銅的電磁波屏蔽板等。
而家庭用電視機(jī)要求產(chǎn)生更少的電磁波，以往的屏蔽板已經(jīng)難以對應(yīng)。為此，正使用通過在聚酯膜等透明膜上貼銅箔、蝕刻，在膜上殘留網(wǎng)狀銅類型的屏蔽板。該屏蔽板設(shè)置在顯示器的前面，視聽者看到從沒有該網(wǎng)狀銅的部分通過的光。為了得到良好的畫質(zhì)，必需光透過性優(yōu)良的網(wǎng)，寬度10μm、間隔200μm的網(wǎng)銅箔現(xiàn)在正在大量生產(chǎn)。
由于該網(wǎng)的作成是通過蝕刻進(jìn)行的，因此，對PDP用銅箔的要求和對高密度印刷電路板用銅箔的要求相似。即，為了制作精細(xì)寬度的網(wǎng)銅箔，要求銅箔的粗糙面及光滑面的粗糙度均必需小，表面粗糙度小的銅箔。
此外，不僅有電子設(shè)備的小型化、輕量化，而且隨著信息傳遞量的增加，還有高頻化的傾向。以往，1GHz以上的高頻信號使用于飛機(jī)、衛(wèi)星通信等限定的無線用途，而現(xiàn)在攜帶電話和無線LAN等身邊的電子設(shè)備也在使用。該高頻用印刷電路板，必需使用可滿足高頻特性的優(yōu)良樹脂，而對于銅箔來說也必需選擇高頻傳輸損耗少的銅箔。即，由于頻率越高，則信號越集中在導(dǎo)體層的表面部分流動，也就是說集膚效應(yīng)的現(xiàn)象越顯著，因此，以往的凹凸大的銅箔高頻傳輸損耗大，不適用于該用途。
影響高頻傳輸損耗的較大原因在于表面的粗糙度。由于頻率越高，則集膚效應(yīng)的現(xiàn)象越顯著，因此，對于高頻傳輸損耗，要求銅箔的粗糙面及光滑面的粗糙度均小。
影響銅箔粗糙面的粗糙度主要有兩個原因。一個是未處理銅箔的粗糙面的表面粗糙度，另一個是粗化處理的粒狀銅的附著方式。如果未處理銅箔的粗糙面的表面粗糙度大，則粗化處理后的銅箔表面的粗糙度變大。粗化處理時的粒狀銅的附著量可通過粗化處理時流過的電流來進(jìn)行調(diào)節(jié)，但未處理銅箔的表面粗糙度主要決定于上述的圖1的鼓狀陰極2中析出銅時的電解條件、在電解液3中添加的添加劑。
一般的電解銅箔是將銅箔的粗糙面進(jìn)行粗化處理，表面粗糙度以Rz(JISB0601-1994“表面粗糙度的定義和表示”的5.1“十個點(diǎn)的平均粗糙度的定義”中稱為所規(guī)定的Rz。以下相同)表示，12μm的銅箔其粗糙度在6μm左右，70μm的厚銅箔其粗糙度在10μm左右。
如上所述如果與樹脂基板粘合的銅箔粘合面其表面粗糙度較大，則銅箔的粗糙面所具有的銅粒子和如樹枝狀析出的銅箔的一部分深入到樹脂基板，從而得到較大粘附力。另一方面，在用于形成印刷電路的蝕刻方面，使進(jìn)入樹脂基板的銅粒子和樹枝狀析出的銅完全溶解的時間長，即發(fā)生“留根”的現(xiàn)象。
其結(jié)果是銅箔和樹脂基板的底線直線性變差，如果使電路間隔變窄，則鄰接電路間的絕緣性變差，更嚴(yán)重的情況下，電路完全不能制作，鄰接的電路發(fā)生橋接現(xiàn)象。
光澤面(與鼓接觸的一面)，初看是光澤的，看上去較平滑，但為鼓表面的復(fù)制品，其粗糙度進(jìn)行平均，用Rz表示一般為1.5-2.0μm左右。
這是由于，最初鼓表面是以經(jīng)研磨后平滑的狀態(tài)開始制造的，但電解銅箔的制造在持續(xù)的過程中，因?yàn)殡娊庖簽閺?qiáng)酸，所以鼓表面被溶解漸漸變得粗糙。在電解銅箔的制造進(jìn)行某一定的時間之后，將變粗糙的鼓表面再進(jìn)行研磨，使其平滑，但從平均來看，其粗糙度在1.5-2.0μm等級。
如果表面的粗糙度大，則由于會出現(xiàn)在電路蝕刻時貼于銅箔表面的干燥膜蝕刻保護(hù)層的粘附性有局部性好和壞的地方，因此，在蝕刻后，電路可能成為起伏形狀。如果成為該起伏形狀，則電路的直線性變差，發(fā)生難以切出精密圖形的問題。液狀保護(hù)層的情況下，與干燥膜保護(hù)層相比較其程度軽，但由于銅箔表面的凹部分和凸部分的溶解速度不同，電路同樣出現(xiàn)起伏形狀的現(xiàn)象。對于這樣的精密圖形化的要求，除銅箔的粗糙面的粗糙度小之外，光澤面的粗糙度小也很重要。
根據(jù)上述原因，關(guān)于識別性，重要的在于銅箔表面與膜粘合側(cè)的表面粗糙度小，作為等離子顯示器用和高頻印刷電路板用銅箔，重要的在于兩面的表面粗糙度均小。
以上關(guān)于電解銅箔、其表面粗糙度的重要性進(jìn)行了說明，對于軋制銅箔也包含同樣的問題，這一點(diǎn)上就不必說明了。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述以往的技術(shù)問題所進(jìn)行的，其目的是提供具有下述特征的銅箔具有高蝕刻因數(shù)、電路圖形的底線的直線性優(yōu)良且電路圖形的樹脂中不殘留銅粒子、可制作精密圖形、識別性優(yōu)良、高頻傳輸損耗少的銅箔。
本發(fā)明提供軋制銅箔，進(jìn)行表面的平滑化處理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面積的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔。
本發(fā)明為通過軋制銅箔(如果不做特別說明，則以下銅箔為電解銅箔、軋制銅箔的總稱)，進(jìn)行具有下述特征的平滑化處理，用激光顯微鏡(キ一ェンス公司制型號VK-8510)測量時的表面積為理想平滑面積的1.30倍以下，更好為1.20以下。
最好在經(jīng)平滑化處理的銅箔表面鍍Ni及Zn中的至少1種金屬。
通過軋制銅箔表面進(jìn)行平滑化處理，以在銅箔的平滑面鍍Ni及Zn中的至少1種金屬，可使其具有粘附力和耐化學(xué)藥品性。
或者是使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和選自Ni、Co、Fe及Cr中的至少1種元素所組成的合金粒子、或者由該合金粒子和選自V、Mo及W中的至少1種元素的氧化物所組成的混合物的微細(xì)粗化粒子附著于經(jīng)平滑化處理的銅箔表面。
通過將金屬粒子、合金粒子或各種粒子的混合物作為微細(xì)粗化粒子附著于經(jīng)軋制銅箔表面進(jìn)行了平滑化處理的平滑面，使微細(xì)粗化粒子均勻附著于經(jīng)平滑化處理的表面，從而增強(qiáng)與基板樹脂的粘附強(qiáng)度。
最好在經(jīng)平滑化處理的表面附著的微細(xì)粗化粒子之上設(shè)置選自Cu、Ni、Zn、Co、V、Mo及W中的至少1種的金屬鍍層。
對于附著有微細(xì)粗化粒子的銅箔，由于根據(jù)微細(xì)粗化粒子的附著條件不同，有粒子不能牢固地與銅箔粘合的情況，在下一個加工工序中，上述微細(xì)粗化粒子的一部分在工序中剝離而粘附在設(shè)備上，因此有些情況下要求不易剝離的微細(xì)粗化處理。為了滿足該要求，通過進(jìn)行上述鍍層處理，覆蓋微細(xì)粗化粒子的表面，可抑制剝離現(xiàn)象(落粉)的發(fā)生。
對上述銅箔的最外層的表面也可實(shí)施防銹處理。
對上述銅箔的最外層的表面也可實(shí)施硅烷偶合劑處理。
對上述銅箔的最外層的表面還可實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理。
如上所述，通過將軋制后的銅箔表面或該表面附著的微細(xì)粗化粒子的表面進(jìn)行防銹處理、硅烷偶合劑處理，可防止銅箔的氧化、變色。
通過對相關(guān)附圖的說明，使上述本發(fā)明的目的及特征更為明確，這里，圖1為表示電解銅箔制造裝置的構(gòu)造的示意圖。
圖2為表示電解銅箔的表面處理裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，1.決定COF的識別性的因素不僅有膜自身的透明性，而且還有銅箔的表面積(表面的凹凸)，表面越接近于理想平滑面，識別性越好，在實(shí)用上可允許的表面積在理想平滑面的1.30倍以下。
2.PDP的更接近于理想的精密圖形化的要素為銅箔的表面積(表面的凹凸)，表面越接近于理想平滑面，精密圖形化的效果越好，同時考慮到粘附性，表面積最好在理想平滑面的1.30倍-1.1倍。
3.所要求的通信的高速化、通信的速度差與高頻印刷電路板用銅箔的表面積(表面的凹凸)有關(guān)，電波通過的銅箔表面越接近于理想平滑面，通信特性越好，表面積在理想平滑面的1.30倍以下時，可具有優(yōu)良的通信特性。
這里，對本發(fā)明的銅箔用于COF的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明。
與銅箔粘合的聚酰亞胺樹脂，根據(jù)制造廠商的不同，其色調(diào)和與銅箔的粘附力等性能有若干差異。例如，A廠商制聚酰亞胺膜由于色調(diào)深，所以膜自身的識別性稍差，但與銅的粘附性好，即使是本發(fā)明的沒有粗化處理的銅箔，在實(shí)用上也可確保充分的粘附力。對于該聚酰亞胺膜，對進(jìn)行了軋制處理、表面積在理想平滑面的1.30倍以下的銅箔再實(shí)施鍍鉻防銹處理和硅烷偶合劑處理，與聚酰亞胺膜貼合，作成電路后，對確認(rèn)集成電路位置的識別性及兩者的粘附力等進(jìn)行測定，得到了滿意的結(jié)果。
再在表面積達(dá)到理想平滑面的1.30倍的原箔上鍍Ni或Zn金屬中的至少1種金屬，在其表面再進(jìn)行鍍鉻防銹處理和硅烷偶合劑處理，對識別性及粘附力等進(jìn)行測定，其結(jié)果表明具有滿意的特性。
另一方面，B廠商制聚酰亞胺膜，其自身的透明性好，但由于與銅箔的粘附力弱，因此，必需提高粘附力的對策。本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)是使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和選自Ni、Co、Fe及Cr組中的至少1種元素所組成的合金粒子、或者由該合金粒子和選自V、Mo及W組中的至少1種元素的氧化物所組成的混合物的微細(xì)粗化粒子附著于表面積達(dá)到理想平滑面的1.30倍的原箔上，再實(shí)施鍍鉻防銹處理和硅烷偶合劑處理，與B廠商制聚酰亞胺膜貼合，經(jīng)蝕刻處理構(gòu)成電路后，對識別性及粘附力等必要的特性進(jìn)行測定，確認(rèn)得到了滿意的結(jié)果。
附著于經(jīng)平滑化處理的銅箔表面混合物的微細(xì)粗化粒子可為由銅組成的物質(zhì)，也可為Cu和Mo的合金粒子或由Cu和選自Ni、Co、Fe及Cr組中的至少1種元素(I)所組成的合金粒子(以下稱『粒子I』)，還可為由粒子I和選自V、Mo及W組中的至少1種元素(II)的氧化物所組成的混合物(以下稱『粒子II』)。
通常的堅固線路板所使用的FR-4等環(huán)氧樹脂是以Cu粒子或Cu和Mo的合金粒子得到所希望的粘附強(qiáng)度。但是，在粒子變得更加微細(xì)的COF所使用的聚酰亞胺的情況下，以Cu或Cu和Mo的合金粒子難以得到粘接強(qiáng)度，因此，使所述粒子I或粒子II進(jìn)行粘附較為有效。由于所述粒子不僅具有錨定效果，還可增大與聚酰亞胺的化學(xué)結(jié)合，因此，可得到大的粘附強(qiáng)度。
作為粒子I，較好可列舉例如Cu·Ni合金、Cu·Co合金、Cu·Fe合金、Cu·Cr合金等粒子。
所述合金粒子中的所述元素(I)的含有量，最好是相對于Cu的含有量1mg/dm2·箔為0.1-3mg/dm2·箔，此外，所述混合物中的所述元素(II)的含有量，最好是相對于Cu的含有量1mg/dm2·箔為0.02-0.8mg/dm2·箔。
粒子I中的元素(I)的含有量，相對于Cu的含有量1mg/dm2·箔大于0.1-3mg/dm2·箔的合金組成，在蝕刻電路圖形時，除Co之外難以溶解，出現(xiàn)殘留有樹脂基板的不良結(jié)果。相反少于0.1mg/dm·箔的合金組成，出現(xiàn)不能提高對樹脂基板，例如B廠商制聚酰亞胺樹脂基板的粘附力這樣的不良結(jié)果。
由于在這樣的粒子I內(nèi)，Cu·Ni合金粒子或Cu·Co合金粒子，Ni或Co其自身對聚酰亞胺之類的樹脂基板具有較高的粘附強(qiáng)度，因此，作為合金粒子全體與樹脂基材之間也具有較高的粘附強(qiáng)度，效果好。該情況下，Cu在箔本體的存在量(粘附量)以絕對量計為4-20mg/dm2，Ni或Co的存在量(粘附量)為0.1-3mg/mg·Cu。Cu·Ni合金粒子或Cu·Co合金粒子具有非常高的粘附性，該方面較為理想。
粒子II為所述粒子I和氧化物粒子的混合物。在向銅箔的電鍍時，粒子I在結(jié)晶粒的晶粒邊界析出，但同時元素(II)，例如V、Mo、W形成V2O5、MoO3、WO3等氧化物粒子，以與粒子I的混合狀態(tài)析出，從而形成粒子II。因此，該粒子II是以適度的相互分散的狀態(tài)共存。
粒子I有選擇性地附著于銅箔結(jié)晶粒界，該情況下，不是均勻附著于全部晶粒邊界，而是具有集中附著于某特定晶粒邊界的傾向。如果主要以這樣的附著狀態(tài)進(jìn)行，則即使增加作為全體的附著量，也不能保證粒子I可在晶粒邊界全體均勻附著。未附著的位置發(fā)生與樹脂基材的粘附力降低的情況。
但是，如果在與元素(II)的V、Mo、W等共存的條件下進(jìn)行電鍍，其原因不明確，可在V、Mo、W的氧化物粒子的作用下，所述粒子I集中附著于某特定晶粒邊界的傾向降低，變?yōu)榉稚⒏街诙鄶?shù)的結(jié)晶粒的粒界，實(shí)現(xiàn)作為全體的均勻附著。
其結(jié)果是，粒子II的情況下，可得到與單獨(dú)使用粒子I進(jìn)行附著時相比，和樹脂的粘附性得到提高的效果。
粒子II中，元素(II)的含有量高于0.8mg/mg·Cu的情況下，在樹脂基板上按壓層疊之后，進(jìn)行剝離試驗(yàn)時，會有氧化物殘留于樹脂基板上的情況發(fā)生。相反低于0.02mg/mg·Cu的情況下，添加元素(II)的效果不大。所以，最好選定0.8-0.02mg/mg·Cu的范圍。
將表面經(jīng)平滑化處理、附著有微細(xì)粗化粒子的銅箔與聚酰亞胺樹脂膜貼合，通過蝕刻形成電路后，也可在形成該電路的銅箔上進(jìn)行鍍Sn。這時，如果鍍Sn液的溫度非常高，則有發(fā)生鍍液侵入銅箔和膜之間，即底割的情況。因此，如果要作為上述用途使用，必須在以上述微細(xì)粗化粒子的元素組成不引起底割發(fā)生方面做出努力。
本發(fā)明者在該方面也進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，微細(xì)粗化粒子中的元素組成，相對于Cu的含有量1mg/dm2·箔，Co為0.1-3.0mg/dm2·箔、Ni為0.1-3.0mg/dm2·箔較為合適，更好是相對于Cu的含有量1mg/dm2·箔，Co為1.2-2.2mg/dm2·箔、Ni為0.1-2.0mg/dm2·箔，最好是相對于Cu的含有量1mg/dm2·箔，Co為1.5-1.9mg/dm2·箔、Ni為1.3-1.7mg/dm2·箔。
本發(fā)明可使用電解銅箔、軋制銅箔中的任何一種，只要通過軋制，其表面積為理想平滑面的1.30倍以下即可。可根據(jù)被粘接的樹脂種類和用途，在粗化處理、鍍保護(hù)層處理、Ni或Zn處理、防銹處理、硅烷偶合劑處理中選擇必要的處理。
以上，對在COF領(lǐng)域的識別性、粘附性進(jìn)行了重點(diǎn)說明，但該銅箔不僅限于COF的用途，也可作為一般精密圖形印刷電路板用、PDP電磁波屏蔽板用及高頻印刷電路板用銅箔使用。
以下，以本發(fā)明的實(shí)施例為基礎(chǔ)進(jìn)行更詳細(xì)的說明，但本發(fā)明不僅限于此。
原箔1將厚度10μm、粗糙面的表面粗糙度Rz1.03μm、光澤面的表面粗糙度Rz1.20的未處理電解銅箔通過冷軋制進(jìn)行1遍軋制，得到厚度9μm的原箔1。軋制是使用表面粗糙度Ra0.03的平滑工作輥，用4厘沲的低粘度軋制油，以將速度控制在不發(fā)生油泡的范圍。
對于該軋制后的粗糙面，將80μm×120μm的一部分(理想平滑面積9,600μm2)的表面積用激光顯微鏡(キ一ェンス公司制型號VK-8510)測定的結(jié)果，得到表面面積的值為11,403μm2。該值為理想平滑面積的1.19倍。此外，對軋制前的粗糙面也進(jìn)行了測定，得到的值為12,871μm(1.34倍)。
原箔2
將厚度15μm的未處理電解銅箔通過冷軋制進(jìn)行2遍軋制，制得厚度12μm的原箔2。該原箔2的表面用激光顯微鏡(キ一ェンス公司制型號VK-8510)進(jìn)行測定，對表面積進(jìn)行計算的結(jié)果表明，平滑化處理后的結(jié)果為理想平滑面的1.25倍。
原箔3將厚度18μm的未處理電解銅箔通過冷軋制進(jìn)行3遍軋制，制得厚度12μm的原箔3。該原箔3的表面用激光顯微鏡(キ一ェンス公司制型號VK-8510)進(jìn)行測定，對表面積進(jìn)行計算的結(jié)果表明，平滑化處理后的結(jié)果為理想平滑面的1.22倍。
原箔4將厚度18μm的軋制銅箔再通過冷軋制進(jìn)行3遍軋制，制得厚度12μm的原箔4。該原箔4的表面用激光顯微鏡(キ一ェンス公司制型號VK-8510)進(jìn)行測定，對表面積進(jìn)行計算的結(jié)果表明，平滑化處理后的結(jié)果為理想平滑面的1.25倍。
電鍍A(鍍鎳)〔電鍍液組成〕硫酸鎳(6水鹽)240g/立升氯化鎳(6水鹽)45g/立升硼酸 30g/立升次磷酸鈉 10g/立升〔條件〕 溫度 20℃pH 3.5電流密度 1A/dm2處理時間 0.7秒電鍍B(鍍鋅)〔電鍍液組成〕硫酸鋅(7水鹽)35g/立升氫氧化鈉 70g/立升〔條件〕 溫度 20℃電流密度 0.25A/dm2處理時間 3秒電鍍C(微細(xì)粗化處理)〔電鍍液組成〕硫酸銅(5水鹽)20g/立升硫酸 45g/立升砷(As) 140mg/立升〔條件〕 溫度 20℃電流密度 11A/dm2處理時間 3秒電鍍D(微細(xì)粗化處理)在電鍍液1的處理之后，繼續(xù)進(jìn)行電鍍液2的處理。
〔電鍍液1的組成〕硫酸銅(5水鹽)98g/立升硫酸 100g/立升鉬酸銨 4g/立升〔條件〕 溫度 35℃電流密度 40A/dm2處理時間 3.5秒〔電鍍液2的組成〕硫酸銅(5水鹽)236g/立升硫酸 100g/立升〔條件〕 溫度 50℃電流密度 20A/dm2處理時間 7秒電鍍E(微細(xì)粗化處理)〔電鍍液組成〕 硫酸銅(5水鹽)20g/立升硫酸鈷(7水鹽)38g/立升硫酸鎳(6水鹽)36g/立升硫酸銨 40g/立升硼酸 20g/立升〔條件〕 溫度 40℃pH 3.5電流密度 15A/dm2處理時間 3秒電鍍F(微細(xì)粗化處理)〔電鍍液組成〕硫酸銅(5水鹽)20g/立升硫酸鎳(6水鹽)54g/立升偏釩酸銨 2g/立升硼酸 20g/立升〔條件〕 溫度 40℃pH 3.5電流密度 10A/dm2處理時間 3秒電鍍G(金屬鍍層)〔電鍍液組成〕硫酸鈷(7水鹽)76g/立升硼酸 30g/立升〔條件〕 溫度 40℃pH 3.1電流密度 5.6A/dm2處理時間 5秒電鍍H(防銹處理陰極鍍鉻處理)〔電鍍液組成〕三氧化鉻 3g/立升〔條件〕 溫度 33℃電流密度 3A/dm2處理時間 1秒硅烷偶合劑處理I〔電鍍液組成〕環(huán)氧丙氧基丙基甲氧基硅烷1g/立升〔條件〕 溫度室溫處理浸漬后、橡皮滾擠壓、加熱干燥實(shí)施例1分別通過電鍍H對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。之后，在高溫高壓條件下與A廠商制聚酰亞胺膜粘合，這時其粘附性良好。在銅箔表面貼合干燥膜保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成COF用樹脂基板(COF)。在制作該COF用樹脂基板時，電路沒有成為起伏的形狀，電路的直線性很好，完成了寬度15μm。導(dǎo)體間隔15μm的精密圖形的COF。通過用圖形蝕刻取除的聚酰亞胺膜一邊識別集成電路，一邊使該COF對準(zhǔn)位置，從膜上可容易地確認(rèn)集成電路的位置，可正確地連接集成電路和COF電路。此外，也不發(fā)生鍍Sn時的底割現(xiàn)象。
實(shí)施例2通過電鍍A對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4進(jìn)行鍍鎳，再通過電鍍B進(jìn)行鍍鋅。之后，分別通過電鍍H實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。在高溫高壓條件下在這個銅箔表面上與A廠商制聚酰亞胺膜粘合，這時其粘附性良好。然后，在銅箔表面貼合干燥膜保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成COF用樹脂基板(COF)。在制作該COF用樹脂基板時，電路沒有成為起伏的形狀，電路的直線性很好，完成了寬度15μm、導(dǎo)體間隔15μm的精密圖形的COF。通過用圖形蝕刻取除的聚酰亞胺膜一邊識別集成電路，一邊使該COF對準(zhǔn)位置，從膜上可容易地確認(rèn)集成電路的位置，可正確地連接集成電路和COF電路。此外，也不發(fā)生鍍Sn時的底割現(xiàn)象。
實(shí)施例3通過電鍍C對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4進(jìn)行微細(xì)粗化處理之后，分別通過電鍍H實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。在該銅箔的表面涂敷B廠商制聚酰亞胺樹脂，經(jīng)加熱固化使樹脂形成膜，進(jìn)行加熱老化處理，制得銅貼聚酰亞胺膜。該銅貼聚酰亞胺膜中的銅和聚酰亞胺之間的粘附性良好。然后，在銅箔表面貼合干燥膜保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成COF用樹脂基板(COF)。在制作該COF用樹脂基板時，電路沒有成為起伏的形狀，電路的直線性很好，完成了寬度25μm、導(dǎo)體間隔25μm的精密圖形的COF。通過用圖形蝕刻取除的聚酰亞胺膜一邊識別集成電路，一邊使該COF對準(zhǔn)位置，從膜上可容易地確認(rèn)集成電路的位置，可正確地連接集成電路和COF電路。此外，也不發(fā)生鍍Sn時的底割現(xiàn)象。
實(shí)施例4通過電鍍D對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4進(jìn)行微細(xì)粗化處理之后，分別通過電鍍H實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。在該銅箔的表面涂敷B廠商制聚酰亞胺樹脂，經(jīng)加熱固化使樹脂形成膜，進(jìn)行加熱老化處理，制得銅貼聚酰亞胺膜。該銅貼聚酰亞胺膜中的銅和聚酰亞胺之間的粘附性良好。然后，在銅箔表面貼合干燥膜保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成COF用樹脂基板(COF)。在制作該COF用樹脂基板時，電路沒有成為起伏的形狀，電路的直線性很好，完成了寬度25μm、導(dǎo)體間隔25μm的精密圖形的COF。通過用圖形蝕刻取除的聚酰亞胺膜一邊識別集成電路，一邊使該COF對準(zhǔn)位置，從膜上可容易地確認(rèn)集成電路的位置，可正確地連接集成電路和COF電路。此外，也不發(fā)生鍍Sn時的底割現(xiàn)象。
實(shí)施例5通過電鍍E對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4進(jìn)行微細(xì)粗化處理之后，分別通過電鍍H實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。在該銅箔的表面涂敷B廠商制聚酰亞胺樹脂，經(jīng)加熱固化使樹脂形成膜，進(jìn)行加熱老化處理，制得銅貼聚酰亞胺膜。該銅貼聚酰亞胺膜中的銅和聚酰亞胺之間的粘附性良好。然后，在銅箔表面貼合干燥膜保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成COF用樹脂基板(COF)。在制作該COF用樹脂基板時，電路沒有成為起伏的形狀，電路的直線性很好，完成了寬度20μm、導(dǎo)體間隔20μm的精密圖形的COF。通過用圖形蝕刻取除的聚酰亞胺膜一邊識別集成電路，一邊使該COF對準(zhǔn)位置，從膜上可容易地確認(rèn)集成電路的位置，可正確地連接集成電路和COF電路。此外，也不發(fā)生鍍Sn時的底割現(xiàn)象。
實(shí)施例6通過電鍍F對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4進(jìn)行微細(xì)粗化處理之后，分別通過電鍍H實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。在該銅箔的表面涂敷B廠商制聚酰亞胺樹脂，經(jīng)加熱固化使樹脂形成膜，進(jìn)行加熱老化處理，制得銅貼聚酰亞胺膜。該銅貼聚酰亞胺膜中的銅和聚酰亞胺之間的粘附性良好。然后，在銅箔表面貼合干燥膜保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成COF用樹脂基板(COF)。在制作該COF用樹脂基板時，電路沒有成為起伏的形狀，電路的直線性很好，完成了寬度25μm、導(dǎo)體間隔25μm的精密圖形的COF。通過用圖形蝕刻取除的聚酰亞胺膜一邊識別集成電路，一邊使該COF對準(zhǔn)位置，從膜上可容易地確認(rèn)集成電路的位置，可正確地連接集成電路和COF電路。此外，也不發(fā)生鍍Sn時的底割現(xiàn)象。
實(shí)施例7通過電鍍E對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4進(jìn)行微細(xì)粗化處理。該狀態(tài)的箔，在PDP電磁波屏蔽板的制作工序中層壓聚酰亞胺膜時，微細(xì)粗化處理粒子與導(dǎo)輥摩擦、剝離，從而發(fā)生附著于輥表面的問題。為了防止該問題的發(fā)生，在微細(xì)粗化粒子之上，通過電鍍G形成作為被覆層的鍍鈷金屬層。其后，分別通過電鍍H實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。分別在A廠商制聚酰亞胺膜上層壓粘合該銅箔，在實(shí)施該工序時，完全沒有出現(xiàn)微細(xì)粗化粒子的剝離和在導(dǎo)輥上的附著。然后，在銅箔表面涂敷液狀蝕刻保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成PDP電磁波屏蔽板。該P(yáng)DP電磁波屏蔽板的電路的直線性很好，完成了寬度9μm、導(dǎo)體間隔200μm的精密圖形的PDP電磁波屏蔽板。該P(yáng)DP電磁波屏蔽板滿足電磁波屏蔽性的B級規(guī)格，可用于家庭用電視機(jī)。
實(shí)施例8通過電鍍F對原箔1、原箔2、原箔3、原箔4進(jìn)行微細(xì)粗化處理之后，分別通過電鍍H實(shí)施防銹處理及硅烷偶合劑處理I。使該銅箔的表面含浸高頻基板用樹脂，放置玻璃布預(yù)浸料坯，進(jìn)行加熱壓制，作成覆銅層壓板。然后在銅箔表面貼合干燥膜保護(hù)層，進(jìn)行蝕刻，作成高頻印刷電路板。該高頻印刷電路板電路的直線性很好，完成了寬度100μm、導(dǎo)體間隔100μm的圖形的高頻印刷電路板。用該高頻印刷電路板發(fā)送4GHz的信號500mm，傳輸損耗與使用一般銅箔相比減少19％，也幾乎沒有測量到時間誤差。
本發(fā)明通過使如上所述銅箔的表面平滑，可提供適合COF用、PDP用、精密圖形印刷電路板(特別是高頻用)銅箔。
權(quán)利要求
1.薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，其特征在于，軋制銅箔，進(jìn)行表面的平滑化處理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，其特征在于，在經(jīng)平滑化處理的表面鍍Ni及Zn中的至少1種金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，其特征在于，使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和選自Ni、Co、Fe及Cr中的至少1種元素所組成的合金粒子、或者由該合金粒子和選自V、Mo及W中的至少1種元素的氧化物所組成的混合物的微細(xì)粗化粒子附著于經(jīng)平滑化處理的銅箔表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，其特征在于，在經(jīng)平滑化處理的表面附著的微細(xì)粗化粒子之上設(shè)置選自Cu、Ni、Zn、Co、V、Mo及W中的至少1種金屬的鍍層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，其特征在于，對最外層的表面實(shí)施了防銹處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，其特征在于，對最外層的表面實(shí)施了硅烷偶合劑處理。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，其特征在于，對最外層的表面實(shí)施了防銹處理及硅烷偶合劑處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及軋制銅箔，進(jìn)行表面的平滑化處理，使其具有理想平滑面的1.30倍以下的表面積的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔。還涉及具有下述特征的薄膜上的集成電路芯片用、等離子顯示器用或高頻印刷電路板用銅箔，使Cu、或者Cu和Mo的合金粒子或由Cu和選自Ni、Co、Fe及Cr組中的至少1種元素所組成的合金粒子、或者由該合金粒子和選自V、Mo及W組中的至少1種元素的氧化物所組成的混合物的微細(xì)粗化粒子附著于經(jīng)平滑化處理的銅箔上。
文檔編號C25D7/06GK1491073SQ0315930
公開日2004年4月21日 申請日期2003年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月2日
發(fā)明者中岡忠雄, 鈴木昭利, 大塚英雄, 君島久夫, 利, 夫, 雄 申請人:古河電路銅箔株式會社