本申請(qǐng)涉及晶圓加工，尤其涉及一種晶圓加工工裝。

背景技術(shù)：

1、目前，微機(jī)電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)器件芯片生產(chǎn)工藝中，會(huì)涉及到各種腐蝕液腐蝕或者去除某些犧牲層，例如硅片表面的圖形化工藝。晶圓硅片包括單刨面晶圓和雙刨面晶圓，單刨面晶圓為具有圖形結(jié)構(gòu)的一面為精刨面，有利于晶圓的圖形化，雙刨面晶圓為兩片硅片通過高溫壓合為一體的結(jié)構(gòu)。硅片表面圖形化制作中，需在硅片表面形成所需要的二氧化硅，然后利用濕法單片機(jī)臺(tái)刻蝕形成圖形化。

2、然而，現(xiàn)有的單片刻蝕機(jī)臺(tái)為避免晶圓背面受酸腐蝕，會(huì)使用氮?dú)饣蛉ルx子水進(jìn)行保護(hù)，而此種方式對(duì)于雙刨工藝的特殊性，雙刨晶圓的背面具有一層二氧化硅，在使用含負(fù)離子的刻蝕液進(jìn)行晶圓被刻蝕面的腐蝕過程中，由于刻蝕介質(zhì)反濺至擋流板和排風(fēng)的影響，其中刻蝕介質(zhì)呈酸性，酸或酸氣會(huì)隨排風(fēng)回粘到晶圓背面，并與二氧化硅反應(yīng)，同時(shí)吸盤的去離子水清洗區(qū)域具有灰暗區(qū)，使得晶圓背面有部分區(qū)域無法進(jìn)行清洗，導(dǎo)致晶圓背面的二氧化硅邊緣被腐蝕。由于晶圓背面的粗糙度增大，導(dǎo)致晶圓難以被機(jī)械臂吸附，對(duì)后續(xù)工藝產(chǎn)生影響。

3、綜上，如何避免刻蝕工藝中晶圓背面被腐蝕是亟需解決的問題

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種晶圓加工工裝，能夠避免晶圓刻蝕工藝中，刻蝕介質(zhì)腐蝕晶圓背面的現(xiàn)象。

2、本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種晶圓加工工裝，包括：

3、吸盤，吸附于晶圓的背面，背面與被刻蝕面相背離設(shè)置；

4、擋流板，沿晶圓的周向部分圍繞晶圓厚度方向上的周側(cè)，擋流板與晶圓的周側(cè)之間具有間距；

5、阻擋件，連接于吸盤，阻擋件用于覆蓋或包覆晶圓的背面邊沿，以及遮擋經(jīng)擋流板流向晶圓的背面的刻蝕介質(zhì)。

6、在一些實(shí)施方式中，連接部，連接于吸盤；

7、遮蓋部，連接于連接部，遮蓋部沿晶圓的背面的徑向方向延伸，部分的遮蓋部覆蓋或包覆晶圓的背面的邊沿，部分的遮蓋部用于阻擋經(jīng)擋流板流向晶圓的背面的刻蝕介質(zhì)。

8、在一些實(shí)施方式中，連接部包括多個(gè)卡柱；

9、吸盤的側(cè)壁面上開設(shè)有多個(gè)卡槽；

10、其中，卡柱用于卡接于卡槽。

11、在一些實(shí)施方式中，卡槽沿吸盤遠(yuǎn)離晶圓的方向上的槽壁間距連續(xù)減小。

12、在一些實(shí)施方式中，多個(gè)卡柱沿吸盤的周向方向等角度排布。

13、在一些實(shí)施方式中，阻擋件靠近晶圓的部分壁面與吸盤靠近晶圓的平面處于同一平面內(nèi)。

14、在一些實(shí)施方式中，部分的遮蓋部沿吸盤遠(yuǎn)離晶圓的方向彎折，遮蓋部與擋流板之間存在間隙。

15、在一些實(shí)施方式中，阻擋件一體成型地設(shè)置于吸盤所在平面。

16、在一些實(shí)施方式中，還包括：

17、支撐桿，支撐桿的一端與阻擋件相連接，另一端連接于吸盤的轉(zhuǎn)軸；

18、其中，轉(zhuǎn)軸垂直于吸盤遠(yuǎn)離晶圓的平面。

19、在一些實(shí)施方式中，多個(gè)支撐桿沿吸盤的周向等角度排布。

20、本申請(qǐng)的有益效果為：

21、通過阻擋件覆蓋或包覆晶圓背面的邊沿，阻擋件能夠貼合于晶圓背面，使得晶圓側(cè)壁流下的刻蝕介質(zhì)被阻擋件阻擋，從而刻蝕介質(zhì)難以流至晶圓背面以腐蝕晶圓背面；

22、通過阻擋件保護(hù)晶圓背面的邊沿，還能夠阻擋經(jīng)擋流板的壁面濺至晶圓背面。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓加工工裝，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工工裝，其特征在于，所述阻擋件包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓加工工裝，其特征在于，所述連接部包括多個(gè)卡柱；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓加工工裝，其特征在于，所述卡槽沿所述吸盤遠(yuǎn)離所述晶圓的方向上的槽壁間距連續(xù)減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓加工工裝，其特征在于，多個(gè)所述卡柱沿所述吸盤的周向方向等角度排布。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓加工工裝，其特征在于，所述阻擋件靠近所述晶圓的部分壁面與所述吸盤靠近所述晶圓的平面處于同一平面內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓加工工裝，其特征在于，部分的所述遮蓋部沿所述吸盤遠(yuǎn)離所述晶圓的方向彎折，所述遮蓋部與所述擋流板之間存在間隙。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工工裝，其特征在于，所述阻擋件一體成型地設(shè)置于所述吸盤。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓加工工裝，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓加工工裝，其特征在于，多個(gè)所述支撐桿沿所述吸盤的周向等角度排布。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開一種晶圓加工工裝，涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域，能夠避免晶圓刻蝕工藝中，刻蝕介質(zhì)腐蝕晶圓背面的現(xiàn)象。晶圓加工工裝包括吸盤，吸附于晶圓的背面，所述背面與被刻蝕面相背離設(shè)置；擋流板，沿所述晶圓的周向部分圍繞所述晶圓厚度方向上的周側(cè)，所述擋流板與所述晶圓的周側(cè)之間具有間距；阻擋件，連接于所述吸盤，所述阻擋件用于覆蓋或包覆所述晶圓的背面邊沿，以及遮擋經(jīng)所述擋流板流向所述晶圓的背面的刻蝕介質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：郭大飛,卜德沖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23