本發(fā)明涉及芯片，尤其涉及一種器件制備方法。

背景技術(shù)：

1、微機電系統(tǒng)(mems)工藝制備的微同軸結(jié)構(gòu)器件，是一種用于傳遞和處理高頻、高速信號的器件，具有損耗低、色散小，工作頻率范圍大，數(shù)字信號傳輸速率極高等優(yōu)勢。

2、如圖1所示，微同軸結(jié)構(gòu)器件通常包括矩形外導(dǎo)體金屬框架101，位于外導(dǎo)體金屬框架101內(nèi)的內(nèi)導(dǎo)體102、以及用于支撐內(nèi)導(dǎo)體102的支撐條103。微同軸結(jié)構(gòu)器件的制備，通常操作是：在襯底加工氧化硅層，然后在氧化硅層加工器件，將氧化硅層進行刻蝕以將器件與襯底分離。

3、現(xiàn)有技術(shù)中，刻蝕氧化硅層的工藝條件，不可避免的會對器件本身造成損傷，刻蝕時間越長，器件受損越大。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，提出了本申請以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的器件制備方法。

2、提供一種器件制備方法，包括：。

3、在基底的一側(cè)形成凹槽，并在凹槽中填充第一犧牲層；

4、在第一犧牲層遠離凹槽的一側(cè)形成第二犧牲層，第一犧牲層在基底底面的正投影，位于第二犧牲層在基底底面上的正投影的范圍之內(nèi)；

5、在第二犧牲層遠離凹槽的一側(cè)形成器件層，器件層在基底的正投影，至少部分位于凹槽；

6、對第一犧牲層以及第二犧牲層進行刻蝕，以將器件層從基底剝離。

7、可選的，在垂直于基底底面的方向上，第一犧牲層的高度與凹槽的深度相同。

8、可選的，對第一犧牲層以及第二犧牲層進行刻蝕，以將器件層從基底剝離，包括：

9、至少對未被器件層覆蓋的第二犧牲層進行刻蝕，以露出第一犧牲層的部分區(qū)域；

10、對第一犧牲層進行刻蝕，以將器件層從基底剝離。

11、可選的，在將器件層從基底剝離之后，還包括：

12、去除器件層底面殘留的第一犧牲層，得到器件。

13、可選的，對第一犧牲層進行刻蝕，包括：

14、采用刻蝕液對第一犧牲層進行刻蝕；

15、其中，第一犧牲層的材料包括鎂、鋁、鋅、鐵、鎳或鈣的單質(zhì)、氧化物以及氫氧化物中的至少一種，刻蝕液包括非氧化性酸溶液；

16、或者，第一犧牲層的材料包括鋁或鋅的單質(zhì)、氧化物以及氫氧化物中的至少一種，刻蝕液包括堿性溶液；

17、或者，第一犧牲層的材料包括氧化硅，刻蝕液包括氫氟酸。

18、可選的，器件層在基底底面的正投影為第一投影區(qū)域，凹槽在基底底面的正投影為第二投影區(qū)域，第一投影區(qū)域位于第二投影區(qū)域的范圍之內(nèi)，且第一投影區(qū)域的邊界與第二投影區(qū)域的邊界之間具有間隔區(qū)域；間隔區(qū)域的寬度與第一投影區(qū)域的寬度的比值為1％～10％。

19、可選的，沿垂直于基底底面的方向，凹槽的深度大于或等于8微米且小于基底的厚度。

20、可選的，凹槽的寬度沿基底指向器件層的方向遞增或者不變。

21、可選的，凹槽的側(cè)壁為階梯狀。

22、可選的，在對第一犧牲層以及第二犧牲層進行刻蝕之前，還包括：

23、在器件層遠離基底的一側(cè)外部形成保護層，保護層覆蓋器件層的側(cè)面以及器件層遠離基底的一側(cè)的側(cè)面；

24、在采用濕法腐蝕工藝去除犧牲層之后，還包括：

25、去除保護層。

26、本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點：

27、本申請?zhí)峁┑钠骷苽浞椒?，通過在基底上加工凹槽，以將基底與器件之間的距離增大，使得在對第一犧牲層進行刻蝕以分離器件層和基底時，具有較大的刻蝕通道，以提升第一犧牲層的刻蝕速率，加快器件層的剝離速度，減少刻蝕工藝條件對器件層的損傷，從而提升器件良率。

28、上述說明僅是本申請技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本申請的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本申請的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉本申請的具體實施方式。

技術(shù)特征：

1.一種器件制備方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的器件制備方法，其特征在于，在垂直于所述基底底面的方向上，所述第一犧牲層的高度與所述凹槽的深度相同。

3.如權(quán)利要求2所述的器件制備方法，其特征在于，所述對所述第一犧牲層以及所述第二犧牲層進行刻蝕，以將所述器件層從所述基底剝離，包括：

4.如權(quán)利要求3所述的器件制備方法，其特征在于，在將所述器件層從所述基底剝離之后，還包括：

5.如權(quán)利要求3所述的器件制備方法，其特征在于，所述對所述第一犧牲層進行刻蝕，包括：

6.如權(quán)利要求1所述的器件制備方法，其特征在于，所述器件層在所述基底底面的正投影為第一投影區(qū)域，所述凹槽在所述基底底面的正投影為第二投影區(qū)域，所述第一投影區(qū)域位于所述第二投影區(qū)域的范圍之內(nèi)，且所述第一投影區(qū)域的邊界與所述第二投影區(qū)域的邊界之間具有間隔區(qū)域；所述間隔區(qū)域的寬度與所述第一投影區(qū)域的寬度的比值為1％～10％。

7.如權(quán)利要求1所述的器件制備方法，其特征在于，沿垂直于所述基底底面的方向，所述凹槽的深度大于或等于8微米且小于所述基底的厚度。

8.如權(quán)利要求1所述的器件制備方法，其特征在于，所述凹槽的寬度沿所述基底指向所述器件層的方向遞增或者不變。

9.如權(quán)利要求1所述的器件制備方法，其特征在于，所述凹槽的側(cè)壁為階梯狀。

10.如權(quán)利要求1所述的器件制備方法，其特征在于，在對所述第一犧牲層以及所述第二犧牲層進行刻蝕之前，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種器件制備方法，通過在基底上加工凹槽，以將基底與器件之間的距離增大，使得在對第一犧牲層進行刻蝕以分離器件層和基底時，具有較大的刻蝕通道，以提升第一犧牲層的刻蝕速率，加快器件層的剝離速度，減少刻蝕工藝條件對器件層的損傷，從而提升器件良率。

技術(shù)研發(fā)人員：李立偉,楊云春,陸原,趙晗陽,趙利芳,竇藝文,劉燕春,王鵬輝,于新元
受保護的技術(shù)使用者：北京賽萊克斯國際科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23