本技術(shù)涉及密封結(jié)構(gòu)，更具體地，本技術(shù)涉及一種mems芯片和傳感器。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有技術(shù)中，mems(micro-electro-mechanical?system，微機(jī)電系統(tǒng))芯片的應(yīng)用特別普遍，尤其應(yīng)用于各類傳感器中。但由于一些傳感器的使用環(huán)境較為惡劣，會(huì)導(dǎo)致油污、液體等異物容易入侵mems芯片，導(dǎo)致mems芯片受到污染而使其性能受到影響或失效，限制了傳感器的工作適用場(chǎng)景。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的一個(gè)目的是提供一種mems芯片和傳感器的新的技術(shù)方案，以至少解決背景技術(shù)的問題之一。

2、根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供一種mems芯片，包括：

3、振膜、背極板、襯底和納米纖維件；

4、所述背極板和所述振膜依次固定在所述襯底的同一側(cè)，且所述振膜與所述背極板之間具有第一振動(dòng)空間，所述振膜朝向所述襯底的一側(cè)具有第二振動(dòng)空間，所述第一振動(dòng)空間與所述第二振動(dòng)空間相對(duì)；

5、所述納米纖維件由納米纖維制成，所述振膜上在朝向所述第二振動(dòng)空間的一側(cè)覆蓋設(shè)置有第一納米纖維件，所述背極板在遠(yuǎn)離于所述第一振動(dòng)空間的一側(cè)覆蓋設(shè)置有第二納米纖維件。

6、可選地，所述振膜的中心處設(shè)置有第一通孔，所述第一通孔內(nèi)設(shè)置有第三納米纖維件，且所述第三納米纖維件的形狀與所述第一通孔的形狀相適配。

7、可選地，所述第三納米纖維件的厚度為1μm～1.5μm。

8、可選地，所述振膜的邊緣處間隔設(shè)置有多個(gè)第二通孔，每個(gè)所述第二通孔內(nèi)設(shè)置分別有第四納米纖維件，且所述第四納米纖維件的形狀與對(duì)應(yīng)的所述第二通孔的形狀相適配。

9、可選地，所述第四納米纖維件的厚度為1μm～1.5μm。

10、可選地，所述背極板上設(shè)置有焊盤區(qū)，所述第二納米纖維件避讓所述焊盤區(qū)。

11、可選地，所述第一納米纖維件和所述第二納米纖維件的厚度均為0.1μm～3μm。

12、可選地，所述納米纖維件為天然高分子納米纖維件、合成高分子納米纖維件、有機(jī)高分子納米纖維件或無機(jī)納米纖維件。

13、根據(jù)本實(shí)用新型的第二方面，提供一種傳感器，包括：

14、pcb板、外殼和第一方面所述的mems芯片；

15、所述外殼和所述mems芯片均設(shè)置在所述pcb板上，所述外殼與所述pcb板形成有容納空間，所述mems芯片位于所述容納空間內(nèi)，且所述振膜靠近于所述pcb板。

16、可選地，所述pcb板在對(duì)應(yīng)于所述振膜的位置處設(shè)置有連通所述第二振動(dòng)空間的第三通孔，所述第三通孔內(nèi)設(shè)置有第五納米纖維件，且所述第五納米纖維件的形狀與所述第三通孔的形狀相適配；

17、所述外殼上設(shè)置有連通所述容納空間的第四通孔，所述第四通孔內(nèi)設(shè)置有第六納米纖維件，且所述第六納米纖維件的形狀與所述第四通孔的形狀相適配。

18、本實(shí)用新型的一個(gè)技術(shù)效果在于：本實(shí)用新型通過分別在振膜和背極板的一側(cè)設(shè)置第一納米纖維件和第二納米纖維件，使得mems芯片在工作過程中，外部的異物能夠被納米纖維件有效阻擋，避免了惡劣環(huán)境中異物進(jìn)入mems芯片影響其工作性能，提高了其環(huán)境適用能力。

19、通過以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。

技術(shù)特征：

1.一種mems芯片，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜的中心處設(shè)置有第一通孔，所述第一通孔內(nèi)設(shè)置有第三納米纖維件，且所述第三納米纖維件的形狀與所述第一通孔的形狀相適配。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的mems芯片，其特征在于，所述第三納米纖維件的厚度為1μm～1.5μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems芯片，其特征在于，所述振膜的邊緣處間隔設(shè)置有多個(gè)第二通孔，每個(gè)所述第二通孔內(nèi)設(shè)置分別有第四納米纖維件，且所述第四納米纖維件的形狀與對(duì)應(yīng)的所述第二通孔的形狀相適配。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的mems芯片，其特征在于，所述第四納米纖維件的厚度為1μm～1.5μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems芯片，其特征在于，所述背極板上設(shè)置有焊盤區(qū)，所述第二納米纖維件避讓所述焊盤區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems芯片，其特征在于，所述第一納米纖維件和所述第二納米纖維件的厚度均為0.1μm～3μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的mems芯片，其特征在于，所述納米纖維件為天然高分子納米纖維件、合成高分子納米纖維件、有機(jī)高分子納米纖維件或無機(jī)納米纖維件。

9.一種傳感器，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的傳感器，其特征在于，所述pcb板在對(duì)應(yīng)于所述振膜的位置處設(shè)置有連通所述第二振動(dòng)空間的第三通孔，所述第三通孔內(nèi)設(shè)置有第五納米纖維件，且所述第五納米纖維件的形狀與所述第三通孔的形狀相適配；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種MEMS芯片和傳感器。所述MEMS芯片，包括：振膜、背極板、襯底和納米纖維件；所述背極板和所述振膜依次固定在所述襯底的同一側(cè)，且所述振膜與所述背極板之間具有第一振動(dòng)空間，所述振膜朝向所述襯底的一側(cè)具有第二振動(dòng)空間，所述第一振動(dòng)空間與所述第二振動(dòng)空間相對(duì)；所述納米纖維件由納米纖維制成，所述振膜上在朝向所述第二振動(dòng)空間的一側(cè)覆蓋設(shè)置有第一納米纖維件，所述背極板在遠(yuǎn)離于所述第一振動(dòng)空間的一側(cè)覆蓋設(shè)置有第二納米纖維件。本技術(shù)提供的MEMS芯片的背極板和振膜的外側(cè)均設(shè)置有納米纖維件，使得外部的異物難以進(jìn)入MEMS芯片內(nèi)部，提高了MEMS芯片的環(huán)境適應(yīng)能力。

技術(shù)研發(fā)人員：黨茂強(qiáng),李穎,劉詩(shī)婧
受保護(hù)的技術(shù)使用者：濰坊歌爾微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240226
技術(shù)公布日：2024/12/23