本技術(shù)涉及傳感器與納米相關(guān)，更具體地說，涉及一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、一維納米材料與微結(jié)構(gòu)結(jié)合的納器件制造過程，實(shí)現(xiàn)了微納加工工藝上的創(chuàng)新升級，有可能突破微米級器件的性能極限，并將為實(shí)現(xiàn)超微型化和高功能密度化的柔性器件鋪平道路。單壁碳納米管本體作為典型的一維納米材料，由于其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)而具有許多突出的物理及化學(xué)性質(zhì)，在力學(xué)、電學(xué)、光學(xué)及材料學(xué)等方面有著潛在的應(yīng)用，尤其是swnts優(yōu)異的力電特性，使它有望成為高效能應(yīng)變傳感器件的理想備選材料。目前商用傳感設(shè)備一般可分為光學(xué)傳感器、壓電傳感器和壓阻式應(yīng)變傳感器。其中,壓阻式應(yīng)變傳感器由于其在技術(shù)應(yīng)用方面的廣泛與便利，而成為最重要的傳感設(shè)備之一。

2、現(xiàn)有技術(shù)中的基于單壁碳納米管本體的柔性傳感器，不易實(shí)現(xiàn)大規(guī)模獨(dú)立器件制作；柔性基底上的電極對距離在5微米以下，就很難實(shí)現(xiàn)在一個電極對上實(shí)現(xiàn)單壁碳納米管本體的單根或單束的沉積；器件穩(wěn)定性不高，現(xiàn)有專利基于單壁碳納米管本體懸空結(jié)構(gòu)的柔性傳感器及其制作方法，專利申請?zhí)枮?01910011530.9中實(shí)現(xiàn)了單根或單束單壁碳納米管本體的一維定向排布，提高器件的靈敏性和穩(wěn)定性，易于工業(yè)化生產(chǎn)。

3、但是專利申請?zhí)枮?01910011530.9中非獨(dú)立電極陣列與信號源的輸入端與連接，信號源的輸出端懸空放置在獨(dú)立電極陣列的頂部，由于非獨(dú)立電極陣在放電之后會在基底板殘留一定的靜電荷，當(dāng)再次使單壁碳納米管本體進(jìn)行懸空時，這些電荷會對單壁碳納米管本體產(chǎn)生影響，進(jìn)而影響單壁碳納米管本體的排列，所以我們提出了一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)來解決上述存在的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、1.要解決的技術(shù)問題

2、針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，它可以通過基底板邊緣包覆的金屬包邊的底部與靜電棒的頂端相抵接，使金屬包邊吸收的基底板處的靜電荷通過靜電棒消除，從而可消除靜電荷對單壁碳納米管本體的影響，保證單壁碳納米管本體能夠整齊的排列。

3、2.技術(shù)方案

4、為解決上述問題，本實(shí)用新型采用如下的技術(shù)方案。

5、一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，包括基底板、安裝在所述基底板上表面的獨(dú)立電極陣列與非獨(dú)立電極陣列和設(shè)置在所述非獨(dú)立電極陣列上方的單壁碳納米管本體，所述基底板的邊緣包覆有金屬包邊，且所述金屬包邊的兩端均設(shè)置有導(dǎo)向塊；

6、所述基底板的下方安裝有底座，所述底座上表面邊緣對稱固定連接有導(dǎo)套，且所述導(dǎo)向塊延伸至所述導(dǎo)套的內(nèi)側(cè)，所述導(dǎo)向塊的下方設(shè)置有彈簧，所述彈簧的底端與所述導(dǎo)套的內(nèi)腔底壁連接，且所述彈簧的頂端與所述導(dǎo)向塊的下表面連接；

7、位于所述導(dǎo)套之間的所述底座的上表面邊緣對稱安裝有靜電棒，且所述靜電棒的頂端與所述金屬包邊的底部相對應(yīng)。

8、進(jìn)一步的，所述金屬包邊的邊緣轉(zhuǎn)動連接有框板，且所述框板的外壁安裝有把手。

9、進(jìn)一步的，所述框板的內(nèi)側(cè)安裝有彈性橡膠膜，且所述彈性橡膠膜的尺寸大于所述基底板的尺寸。

10、進(jìn)一步的，所述彈性橡膠膜靠近所述基底板的表面涂覆有膠粘層。

11、進(jìn)一步的，所述導(dǎo)向塊與所述金屬包邊為一體成型結(jié)構(gòu)，且所述金屬包邊為銅質(zhì)材料。

12、進(jìn)一步的，所述導(dǎo)向塊與所述導(dǎo)套之間間隙配合。

13、進(jìn)一步的，所述靜電棒的頂端呈半球結(jié)構(gòu)設(shè)置。

14、3.有益效果

15、相比于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：

16、(1)本方案，通過人工向下按壓基底板，使導(dǎo)向塊配合導(dǎo)套向下滑移，并將彈簧壓縮變形，通過基底板邊緣包覆的金屬包邊的底部與靜電棒的頂端相抵接，使金屬包邊吸收的基底板處的靜電荷通過靜電棒消除，從而可消除靜電荷對單壁碳納米管本體的影響，保證單壁碳納米管本體能夠整齊的排列。

17、(2)本方案，通過使框板翻轉(zhuǎn)至基底板的上方，同時通過人工對彈性橡膠膜進(jìn)行按壓，使其與基底板的上部結(jié)構(gòu)相貼合，從而利用膠粘層對基底板上部結(jié)構(gòu)處沾附的雜質(zhì)進(jìn)行清理，避免沾附的雜質(zhì)對放電過程產(chǎn)生影響，有利于單壁碳納米管本體的懸空。

技術(shù)特征：

1.一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，包括基底板(1)、安裝在所述基底板(1)上表面的獨(dú)立電極陣列(2)與非獨(dú)立電極陣列(3)和設(shè)置在所述非獨(dú)立電極陣列(3)上方的單壁碳納米管本體(4)，其特征在于：所述基底板(1)的邊緣包覆有金屬包邊(5)，且所述金屬包邊(5)的兩端均設(shè)置有導(dǎo)向塊(10)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬包邊(5)的邊緣轉(zhuǎn)動連接有框板(11)，且所述框板(11)的外壁安裝有把手。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述框板(11)的內(nèi)側(cè)安裝有彈性橡膠膜(12)，且所述彈性橡膠膜(12)的尺寸大于所述基底板(1)的尺寸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述彈性橡膠膜(12)靠近所述基底板(1)的表面涂覆有膠粘層(13)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)向塊(10)與所述金屬包邊(5)為一體成型結(jié)構(gòu)，且所述金屬包邊(5)為銅質(zhì)材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述導(dǎo)向塊(10)與所述導(dǎo)套(7)之間間隙配合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述靜電棒(8)的頂端呈半球結(jié)構(gòu)設(shè)置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，屬于傳感器與納米相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，一種單壁碳納米管的懸空結(jié)構(gòu)，包括基底板、安裝在所述基底板上表面的獨(dú)立電極陣列與非獨(dú)立電極陣列和設(shè)置在所述非獨(dú)立電極陣列上方的單壁碳納米管本體，所述基底板的邊緣包覆有金屬包邊，且所述金屬包邊的兩端均設(shè)置有導(dǎo)向塊，所述基底板的下方安裝有底座，所述底座上表面邊緣對稱固定連接有導(dǎo)套，且所述導(dǎo)向塊延伸至所述導(dǎo)套的內(nèi)側(cè)，它可以通過基底板邊緣包覆的金屬包邊的底部與靜電棒的頂端相抵接，使金屬包邊吸收的基底板處的靜電荷通過靜電棒消除，從而可消除靜電荷對單壁碳納米管本體的影響，保證單壁碳納米管本體能夠整齊的排列。

技術(shù)研發(fā)人員：趙植
受保護(hù)的技術(shù)使用者：巴中碳原子新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240314
技術(shù)公布日：2024/12/23