技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的犧牲材料層，在所述犧牲材料層上形成有具有第一開口的摻雜的背板層；步驟S2：在所述半導(dǎo)體襯底上、所述摻雜的背板層上和所述第一開口中形成擴(kuò)散阻擋層，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層；步驟S3：對(duì)所述摻雜的背板層進(jìn)行退火；步驟S4：蝕刻所述擴(kuò)散阻擋層，以在所述摻雜的背板層的側(cè)壁上形成間隙壁；步驟S5：在所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層上形成未摻雜的背板層。所述方法可以避免未摻雜的背板層在頂角的塌陷問題(notching?issue)，進(jìn)一步提高了所述MEMS器件的良率和性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張先明;王賢超
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號(hào)碼：201510974154
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.22
技術(shù)公布日：2017.06.30