本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體地，本發(fā)明涉及一種MEMS器件及其制備方法、電子裝置。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，在傳感器(sensor)類產(chǎn)品的市場上，智能手機(jī)、集成CMOS和微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件日益成為最主流、最先進(jìn)的技術(shù)，并且隨著技術(shù)的更新，并朝尺寸小、性能高和功耗低的方向發(fā)展。

其中，MEMS傳感器廣泛應(yīng)用于汽車電子：如TPMS、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)進(jìn)氣歧管壓力傳感器(TMAP)、柴油機(jī)共軌壓力傳感器；消費(fèi)電子：如胎壓計(jì)、血壓計(jì)、櫥用秤、健康秤，洗衣機(jī)、洗碗機(jī)、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器，空調(diào)壓力傳感器，洗衣機(jī)、飲水機(jī)、洗碗機(jī)、太陽能熱水器用液位控制壓力傳感器；工業(yè)電子：如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等，電子音像領(lǐng)域：麥克風(fēng)等設(shè)備。

在MEMS領(lǐng)域中，電容式MEMS器件的工作原理是由振膜(Membrane)的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生電容的變化，利用電容變化量進(jìn)行運(yùn)算和工作的，現(xiàn)有常用的MEMS器件包括振膜、背板及位于背板下方的背腔組成。

目前所述背板包括摻雜的多晶硅和覆蓋所述多晶硅的SiN，而且在多晶硅摻雜之后還包括進(jìn)行快速熱退火的過程，但是在該過程中會造成所述摻雜的離子往外擴(kuò)散，所述離子的擴(kuò)散會影響RTA工藝中反應(yīng)平臺的溫度，造成溫度延遲反應(yīng)，使得腔室內(nèi)溫度過高，同時(shí)還會在所述摻雜多晶硅上產(chǎn)生更高的殘留應(yīng)力。

此外，除了上述問題還存在沉積SiN的過程中在所述多晶硅的頂角、側(cè)壁上造成塌陷問題(notching issue)，從而影響MEMS器件的良率和性能。

現(xiàn)有技術(shù)中通過各種方法對所述制備工藝進(jìn)行了改進(jìn)，例如改變所述多晶硅的輪廓或者延長SiN的退火時(shí)間等，但是效果都不夠理想。

因此需要對目前所述MEMS器件及其制備方法作進(jìn)一步的改進(jìn)，以便消除上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

本發(fā)明為了克服目前存在問題，提供了一種MEMS器件的制備方法，包括：

步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的犧牲材料層，在所述犧牲材料層上形成有具有第一開口的摻雜的背板層；

步驟S2：在所述半導(dǎo)體襯底上、所述摻雜的背板層上和所述第一開口中形成擴(kuò)散阻擋層，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層；

步驟S3：對所述摻雜的背板層進(jìn)行退火；

步驟S4：蝕刻所述擴(kuò)散阻擋層，以在所述摻雜的背板層的側(cè)壁上形成間隙壁；

步驟S5：在所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層上形成未摻雜的背板層，以包圍所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層。

可選地，所述方法還進(jìn)一步包括：

步驟S6：圖案化所述未摻雜的背板層，以形成第二開口，露出所述犧牲材料層；

步驟S7：去除所述犧牲材料層，以形成空腔；

步驟S8：圖案化所述半導(dǎo)體襯底，以形成第三開口，形成背腔。

可選地，所述步驟S1包括：

步驟S11：提供所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成所述犧牲材料層；

步驟S12：沉積所述摻雜的背板層，以完全包裹所述半導(dǎo)體襯底和所述 犧牲材料層；

步驟S13：圖案化所述摻雜的背板層和所述犧牲材料層，以減小所述摻雜的背板層和所述犧牲材料層的尺寸，露出所述半導(dǎo)體襯底的兩端，同時(shí)在所述摻雜的背板層中形成所述第一開口，露出所述犧牲材料層。

可選地，在所述步驟S2中，所述擴(kuò)散阻擋層完全包裹所述摻雜的背板層、露出的所述半導(dǎo)體襯底和所述犧牲材料層。

可選地，所述摻雜的背板層的厚度為200nm-400nm，摻雜濃度大于1E21。

可選地，所述摻雜的背板層選用摻雜磷的多晶硅層。

可選地，所述摻雜的背板層的沉積溫度為520～540℃。

可選地，所述擴(kuò)散阻擋層的厚度大于600nm，其沉積溫度大于600℃。

可選地，在所述步驟S3中，所述退火的溫度小于600℃，退火時(shí)間小于30S。

可選地，所述未摻雜的背板層的厚度大于3um，其沉積溫度為380～420℃。

本發(fā)明還提供了一種如上述方法制備得到的MEMS器件。

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括上述的MEMS器件。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種MEMS器件的制備方法，為了防止摻雜的背板層在退火過程中摻雜離子的向外擴(kuò)散，在所述摻雜的背板層的表面形成擴(kuò)散阻擋層以完全包裹所述摻雜的背板層，防止離子的向外擴(kuò)散，在退火完成之后對所述阻擋層進(jìn)行圖案化，以在所述摻雜的背板層的側(cè)壁上形成間隙壁，在形成所述間隙壁之后在沉積所述未摻雜的背板層，以提高所述未摻雜的背板層的沉積和覆蓋能力，同時(shí)還可以避免未摻雜的背板層在頂角的塌陷問題(notching issue)，進(jìn)一步提高了所述MEMS器件的良率和性能。

附圖說明

本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的裝置及原理。在附圖

圖1為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述MEMS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述MEMS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述MEMS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述MEMS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述MEMS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中MEMS器件的制備工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。

應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。

應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在...上”、“與...相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)元件被稱為“直接在...上”、“與...直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)?。?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。

空間關(guān)系術(shù)語例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語“在...下面”和“在...下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。

在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。

實(shí)施例一

本發(fā)明提供了一種所述MEMS器件的制備方法，下面結(jié)合圖1-5對所述方法做進(jìn)一步的說明，所述圖6為該實(shí)施方式中MEMS器件的制備過程示意圖。

首先，執(zhí)行步驟101，提供半導(dǎo)體襯底101，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的犧牲材料層102，在所述犧牲材料層上形成有具有第一開口的摻雜的背板層103。

具體地，所述步驟101包括以下子步驟：

步驟1011：

提供所述半導(dǎo)體襯底101，在所述半導(dǎo)體襯底101上形成所述犧牲材料層102。

具體地，如圖1所示，在該步驟中，所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。

所述犧牲材料層102為介電層、無機(jī)材料層、無定形碳或者金屬材料層中的一種或者多種，所述犧牲材料層的形成方法為化學(xué)氣相沉積(CVD)法、物理氣相沉積(PVD)法或原子層沉積(ALD)法等形成的低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、激光燒蝕沉積(LAD)或者控制旋涂(controlled spin-on)中的一 種。

步驟1012：

沉積所述摻雜的背板層103，以完全包圍所述半導(dǎo)體襯底101和所述犧牲材料層102。

在該步驟中，所述摻雜的背板層103形成于所述半導(dǎo)體襯底101和所述犧牲材料層102的所有表面，以完全包裹所述半導(dǎo)體襯底101和所述犧牲材料層102的四周。

可選地，所述摻雜的背板層103的厚度為200nm-400nm，摻雜濃度大于1E21。

可選地，所述摻雜的背板層103選用摻雜P的多晶硅層。

可選地，所述摻雜的背板層103的沉積溫度為520～540℃。

步驟1013：圖案化所述摻雜的背板層103和所述犧牲材料層102，以減小所述摻雜的背板層103和所述犧牲材料層102的尺寸，露出所述半導(dǎo)體襯底的兩端，同時(shí)在所述摻雜的背板層103中形成所述第一開口，露出所述犧牲材料層102，如圖2所示。

執(zhí)行步驟102，在所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103上形成擴(kuò)散阻擋層104，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103。

具體地，如圖3所示，在該步驟中在露出的半導(dǎo)體襯底101上，所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103上以及所述第一開口中沉積擴(kuò)散阻擋層104，以覆蓋并完全包裹所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103。

其中，可選地，所述擴(kuò)散阻擋層104選用等離子增強(qiáng)TEOS，其沉積方法可以選用熔爐沉積，所述擴(kuò)散阻擋層104沉積溫度大于600℃，但并不局限于該方法。

可選地，所述擴(kuò)散阻擋層104的厚度大于600nm。

執(zhí)行步驟103，對所述摻雜的背板層103進(jìn)行退火。

具體地，執(zhí)行退火步驟，以激活所述摻雜的背板層103中摻雜的離子并消除摻雜缺陷。

可選地，對所述摻雜的背板層103進(jìn)行退火的溫度小于600℃，退火時(shí)間小于30S。

在該步驟中所述擴(kuò)散阻擋層104覆蓋并完全包裹所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103，防止了在快速熱退火的過程中所述摻雜的離子往外擴(kuò)散，避免了所述離子的擴(kuò)散會影響RTA工藝中反應(yīng)平臺的溫度，造成溫度延遲反應(yīng)，使得腔室內(nèi)問題過高，同時(shí)還會對所述摻雜多晶硅上產(chǎn)生更高的殘留應(yīng)力的問題。

執(zhí)行步驟104，蝕刻所述擴(kuò)散阻擋層，以在所述摻雜的背板層103的側(cè)壁上形成間隙壁。

具體地，如圖4所示，所述蝕刻方法和間隙壁的蝕刻方法相同，去除所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103上的所述擴(kuò)散阻擋層，僅保留所述背板層側(cè)壁上的所述擴(kuò)散阻擋層，以在所述摻雜的背板層103的側(cè)壁上形成間隙壁。

在形成所述間隙壁之后再沉積所述未摻雜的背板層，以提高所述未摻雜的背板層的沉積和覆蓋能力，同時(shí)還可以避免未摻雜的背板層在頂角的塌陷問題(notching issue)，進(jìn)一步提高了所述MEMS器件的良率和性能。

執(zhí)行步驟105，在所述半導(dǎo)體襯底以及所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103上形成包圍所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103的未摻雜的背板層105。

具體地，如圖5所示，在該步驟中所述未摻雜的背板層105的厚度大于3um，其沉積溫度為380～420℃。

可選地，所述未摻雜的背板層105選用SiN。

執(zhí)行步驟106，圖案化所述未摻雜的背板層105，以形成第二開口，露出所述犧牲材料層并去除露出的所述犧牲材料層，以形成空腔。

具體地，如圖5所示，圖案化所述未摻雜的背板層105，以形成第二開口，露出所述犧牲材料層，其中，所述犧牲材料層選用氧化物層時(shí)，可以選用TMAH的濕法蝕刻去除所述犧牲材料層。

所述TMAH溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1％-10％，所述濕法蝕刻溫度為25-90 ℃，所述濕法蝕刻時(shí)間為10s-1000s，但是并不局限于該示例，還可以選用本領(lǐng)域常用的其他方法。

可選地，還可以選用干法蝕刻去除所述犧牲材料層，在本發(fā)明的一具體實(shí)施方式中可以選用HBr、Cl₂、O₂、N₂、NF₃、Ar、He和CF₄中的一種或多種作為蝕刻氣體，作為優(yōu)選，所述蝕刻中選用CF₄、NF₃氣體，另外還可以加上N₂、O₂中的一種作為蝕刻氣氛，其中所述氣體的流量為20-100sccm，優(yōu)選為50-80sccm，所述蝕刻壓力為30-150mTorr，蝕刻時(shí)間為5-120s。

可選地，所述方法還可以進(jìn)一步包括圖案化所述半導(dǎo)體襯底，以形成第三開口，形成背腔。

可選地。在該步驟中選用雙面蝕刻工藝，以同時(shí)去除所述背板上方和下方的所述犧牲材料層。

至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的MEMS器件制備的相關(guān)步驟的介紹。在上述步驟之后，還可以包括其他相關(guān)步驟，此處不再贅述。并且，除了上述步驟之外，本實(shí)施例的制備方法還可以在上述各個(gè)步驟之中或不同的步驟之間包括其他步驟，這些步驟均可以通過現(xiàn)有技術(shù)中的各種工藝來實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。

本發(fā)明為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提供了一種MEMS器件的制備方法，為了防止摻雜的背板層在退火過程中摻雜離子的向外擴(kuò)散，在所述摻雜的背板層的表面形成擴(kuò)散阻擋層以完全包裹所述摻雜的背板層，防止離子的向外擴(kuò)散，在退火完成之后對所述阻擋層進(jìn)行圖案化，以在所述摻雜的背板層的側(cè)壁上形成間隙壁，在形成所述間隙壁之后在沉積所述未摻雜的背板層，以提高所述未摻雜的背板層的沉積和覆蓋能力，同時(shí)還可以避免未摻雜的背板層在頂角的塌陷問題(notching issue)，進(jìn)一步提高了所述MEMS器件的良率和性能。

圖6為本發(fā)明一具體實(shí)施方式中所述MEMS器件的制備工藝流程圖，具體包括以下步驟：

步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的犧牲材料層，在所述犧牲材料層上形成有具有第一開口的摻雜的背板層；

步驟S2：在所述半導(dǎo)體襯底上、所述摻雜的背板層上和所述第一開口中形成擴(kuò)散阻擋層，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層；

步驟S3：對所述摻雜的背板層進(jìn)行退火；

步驟S4：蝕刻所述擴(kuò)散阻擋層，以在所述摻雜的背板層的側(cè)壁上形成間隙壁；

步驟S5：在所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層上形成未摻雜的背板層，以包圍所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層。

實(shí)施例二

首先，參照圖1，所述MEMS器件，包括：

半導(dǎo)體襯底101；

背板，位于所述半導(dǎo)體襯底上方，所述背板包括依次形成的摻雜的背板層103和未摻雜的背板層105；

其中，在所述摻雜的背板層103的側(cè)壁上還形成有間隙壁，以防止所述未摻雜的背板層105的塌陷。

在所述背板和半導(dǎo)體襯底101之間形成有空腔。

可選地，所述空腔下方的所述半導(dǎo)體襯底中形成有背腔；

具體地，如圖5所示，所述半導(dǎo)體襯底可以是以下所提到的材料中的至少一種：硅、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。

可選地，所述摻雜的背板層103的厚度為200nm-400nm，摻雜濃度大于1E21。

可選地，所述摻雜的背板層103選用摻雜P的多晶硅層。

可選地，所述摻雜的背板層103的沉積溫度為520～540℃。

在制備過程中在所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103上形成擴(kuò)散阻擋層104，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103。

所述擴(kuò)散阻擋層104覆蓋并完全包裹所述半導(dǎo)體襯底101、所述犧牲材料層102和所述摻雜的背板層103，防止了在快速熱退火的過程中所述摻雜 的離子往外擴(kuò)散，避免了所述離子的擴(kuò)散會影響RTA工藝中反應(yīng)平臺的溫度，造成溫度延遲反應(yīng)，使得腔室內(nèi)溫度過高，同時(shí)還會對所述摻雜多晶硅上產(chǎn)生更高的殘留應(yīng)力的問題。

在所述摻雜的背板層103的側(cè)壁上形成有間隙壁，在形成所述間隙壁之后再沉積所述未摻雜的背板層，以提高所述未摻雜的背板層的沉積和覆蓋能力，同時(shí)還可以避免未摻雜的背板層在頂角的塌陷問題(notching issue)，進(jìn)一步提高了所述MEMS器件的良率和性能。

本發(fā)明所述MEMS器件中在所述摻雜的背板層的側(cè)壁上形成間隙壁，在形成所述間隙壁之后在沉積所述未摻雜的背板層，以提高所述未摻雜的背板層的沉積和覆蓋能力，同時(shí)還可以避免未摻雜的背板層在頂角的塌陷問題(notching issue)，進(jìn)一步提高了所述MEMS器件的良率和性能。

實(shí)施例三

本發(fā)明還提供了一種電子裝置，包括實(shí)施例二所述的MEMS器件。其中，半導(dǎo)體器件為實(shí)施例二所述的MEMS器件，或根據(jù)實(shí)施例一所述的制備方法得到的MEMS器件。

本實(shí)施例的電子裝置，可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本、游戲機(jī)、電視機(jī)、VCD、DVD、導(dǎo)航儀、照相機(jī)、攝像機(jī)、錄音筆、MP3、MP4、PSP等任何電子產(chǎn)品或設(shè)備，也可為任何包括所述MEMS器件的中間產(chǎn)品。本發(fā)明實(shí)施例的電子裝置，由于使用了上述的MEMS器件，因而具有更好的性能。

本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。