1.一種MEMS器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有圖案化的犧牲材料層，在所述犧牲材料層上形成有具有第一開口的摻雜的背板層；
步驟S2：在所述半導(dǎo)體襯底上、所述摻雜的背板層上和所述第一開口中形成擴散阻擋層，以覆蓋所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層；
步驟S3：對所述摻雜的背板層進行退火；
步驟S4：蝕刻所述擴散阻擋層，以在所述摻雜的背板層的側(cè)壁上形成間隙壁；
步驟S5：在所述半導(dǎo)體襯底、所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層上形成未摻雜的背板層，以包圍所述犧牲材料層和所述摻雜的背板層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：
步驟S6：圖案化所述未摻雜的背板層，以形成第二開口，露出所述犧牲材料層；
步驟S7：去除所述犧牲材料層，以形成空腔；
步驟S8：圖案化所述半導(dǎo)體襯底，以形成第三開口，形成背腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
步驟S11：提供所述半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成所述犧牲材料層；
步驟S12：沉積所述摻雜的背板層，以完全包裹所述半導(dǎo)體襯底和所述犧牲材料層；
步驟S13：圖案化所述摻雜的背板層和所述犧牲材料層，以減小所述摻雜的背板層和所述犧牲材料層的尺寸，露出所述半導(dǎo)體襯底的兩端，同時在所述摻雜的背板層中形成所述第一開口，露出所述犧牲材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，所述擴散阻擋層完全包裹所述摻雜的背板層、露出的所述半導(dǎo)體襯底和所述犧牲材料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述摻雜的背板層的厚度為200nm-400nm，摻雜濃度大于1E21。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述摻雜的背板層選 用摻雜磷的多晶硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述摻雜的背板層的沉積溫度為520～540℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述擴散阻擋層的厚度大于600nm，其沉積溫度大于600℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，所述退火的溫度小于600℃，退火時間小于30S。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述未摻雜的背板層的厚度大于3um，其沉積溫度為380～420℃。
11.一種如權(quán)利要求1至10之一所述方法制備得到的MEMS器件。
12.一種電子裝置，包括權(quán)利要求11所述的MEMS器件。