1.一種仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)，其特征在于，其在硅基底上，加工有氧化硅親水區(qū)，氧化硅厚度為200-800nm；硅基底表面其它區(qū)域制有超疏水的硅納米線結(jié)構(gòu)；所述親水區(qū)形狀為若干個等腰三角形線性排列成的楔形陣列，或者輻條為等腰三角形的輪轂形陣列；其中：
所述楔形陣列是以等腰三角形底邊共線排列而成，各三角形間距相等；各三角形底線另一面為親水性的冷凝液匯集區(qū)，冷凝液匯集區(qū)向外開設(shè)有引流通道；
所述輪轂陣列是以等腰三角形底邊繞輪轂內(nèi)圓相切方式、按各三角形頂角平分線等角度排列而成；輪轂內(nèi)圓的內(nèi)部區(qū)域為親水性的冷凝液匯集區(qū)，冷凝液匯集區(qū)向外開設(shè)有引流通道。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述匯集區(qū)基底為氧化硅，和\或所述引流通道由多孔材料制成。
3.一種仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟:
(1)在基底表面旋涂光刻膠，通過光刻掩模曝光顯影，形成樣品；所述基底為表面有氧化硅層的硅晶圓片；
(2)刻蝕氧化硅層：刻蝕步驟(1)制備的樣品，使未被光刻膠保護的氧化硅層被刻蝕，裸露出硅；
(3)制備疏水區(qū)域：刻蝕步驟(2)處理后的樣品，在未被光刻膠保護的區(qū)域制備出超疏水的硅納米線結(jié)構(gòu)表面；
(4)去除光刻膠：除去步驟(3)處理得到的樣品上的光刻膠使樣品表面的氧化硅層裸露出來；
(5)制備冷凝液引流通道：使用多孔材料在冷凝液匯集區(qū)域制備引流 通道，將冷凝液匯集區(qū)域的冷凝液引流出樣品表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述掩模的圖形為若干個等腰三角形線性排列成的楔形陣列，或者輻條為等腰三角形的輪轂形陣列；其中：
所述楔形陣列是以等腰三角形底邊共線排列而成，各三角形間距相等；各三角形底線另一面為冷凝液匯集區(qū)，冷凝液匯集區(qū)向外開設(shè)有引流通道；
所述輪轂陣列是以等腰三角形底邊繞輪轂內(nèi)圓相切方式、按各三角形頂角平分線等角度排列而成；輪轂內(nèi)圓的內(nèi)部區(qū)域為冷凝液匯集區(qū)，冷凝液匯集區(qū)向外開設(shè)有引流通道。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述匯集區(qū)基底為氧化硅，和\或所述引流通道由多孔材料制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述三角形的頂角為0.5-3°，高為0.5-2cm，各三角形相鄰邊的最小間距為0-300μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述刻蝕制備疏水區(qū)域采用的是感應(yīng)耦合等離子方法，刻蝕參數(shù)為：射頻功率為20±2W，等離子耦合功率為700±50W，氣壓為10±1mTorr，氣體流量SF6＝17±2sccm，C4F8＝30±5sccm；和\或步驟(4)去除光刻膠方法是：將樣品放到去膠液或者丙酮溶液中，進行超聲清洗，再用去離子水清洗，用氮氣槍吹干。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟(2)中采用的刻蝕溶液是氫氟酸和氟化銨混合溶液，其中混合溶液中氫氟酸的質(zhì)量分數(shù)為5-10％，氟化銨的質(zhì)量分數(shù)為15-20％。
9.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟(5)所述多孔材料包括化學(xué)纖維、金屬氧化物納米線網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或者經(jīng)過親水處理的泡沫金屬材料，和\或所述步驟(3)中制備得到 的硅納米線結(jié)構(gòu)厚度為0.5-3μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的仿生水汽冷凝與收集結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，使用質(zhì)量分數(shù)為0.5-1％的氫氟酸溶液處理氧化硅層表面，使氧化硅層結(jié)構(gòu)具有更好的親水性。