具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的裝置，該結(jié)構(gòu)是機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感元件、有源和/或無源電路中的一種或多種，所述裝置包括含有微米或納米級結(jié)構(gòu)(13)的元件(1)，以及用于所述元件(1)的支架(2)。所述支架(2)包括凹槽(23)。所述元件(1)至少部分地布置在所述凹槽(23)中。具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(3)以用于橋接元件(1)與支架(2)之間的間隙(6)。本發(fā)明的裝置更能抵抗由載體與裝置之間的機(jī)械連接導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力。
【專利說明】具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的設(shè)備，微米或納米級結(jié)構(gòu)是指機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感元件、有源和/或無源電路中的一種或多種。

【背景技術(shù)】
[0002]在包括含有傳感元件的電子和/或機(jī)械集成結(jié)構(gòu)的眾多裝置中，這些結(jié)構(gòu)對壓力是敏感的。當(dāng)此類結(jié)構(gòu)應(yīng)用于基底正面時，裝置可以其背面布置在載體上并且藉由穿過基底的電導(dǎo)孔電連接到載體上。
[0003]已經(jīng)注意到，在將此類裝置安裝到載體上期間，和/或隨后在操作期間，會產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力并且該機(jī)械應(yīng)力經(jīng)由焊球傳遞到基底上，并且具體地說，傳遞到裝置的應(yīng)力敏感結(jié)構(gòu)上并且會損壞此類結(jié)構(gòu)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]因此，本發(fā)明所要解決的問題是提供一種更能抵抗由載體與裝置之間的機(jī)械連接導(dǎo)致的機(jī)械應(yīng)力的裝置。
[0005]此問題通過具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的裝置得以解決。微米或納米級結(jié)構(gòu)可以是機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感元件、有源和/或無源電力線路中的一種或多種。所述裝置包括用于元件的支架，所述支架包括凹槽并且所述元件至少部分地布置在所述凹槽中；間隙，所述間隙在所述元件與所述支架的共同限定所述凹槽的至少一側(cè)壁之間；以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橋接所述間隙。
[0006]該裝置包括具有正面以及背面的元件，在較佳實施例中該元件包括用于將微米或納米級結(jié)構(gòu)布置在其上和/或至其中的基底。頂面以及底面通常分別指元件或基底的相對面，其中在大多數(shù)情況下，限定正面以及背面的尺寸，即元件的長度以及寬度(其又限定元件的覆蓋區(qū)域)超出基底的高度。在較佳實施例中，支架的高度可小至150微米或更小，并且長度以及寬度各自可以小至I毫米或更小。示例性基底可以是半導(dǎo)體基底，并且具體地說可以是硅基底，然而在其它實施例中，基底可以是玻璃、陶瓷或塑料基底之一。
[0007]在本申請文本中，微米級結(jié)構(gòu)應(yīng)包含I微米與1000微米之間的結(jié)構(gòu)，并且在一個實施例中為I微米與100微米之間，而納米級結(jié)構(gòu)將包含I納米與1000納米之間的結(jié)構(gòu)。在微米或納米級結(jié)構(gòu)包括電路的情況下，此種電路可以包括例如電阻器等無源結(jié)構(gòu)，其包括例如鋁或銅路徑等傳導(dǎo)路徑形式的電互連的電阻器，并且/或者可包括例如電容器、電感器等其它無源結(jié)構(gòu)。并且/或者，該電路可包含有源結(jié)構(gòu)，即包括例如晶體管、二極管等的電子器件，或可以是ASIC(特定用途集成電路)。鑒于電路的規(guī)格，較佳的是排除對于印刷電路板線路而言的大規(guī)格電路結(jié)構(gòu)。該裝置可以另外或可替代地包括微米或納米級機(jī)械結(jié)構(gòu)，例如微機(jī)械、機(jī)械諧振器等，該結(jié)構(gòu)較佳地藉由互連進(jìn)行電連接。另外或可替代地，該裝置可以包括MEMS (微電子機(jī)械)結(jié)構(gòu)和/或NEMS (納電子機(jī)械)結(jié)構(gòu)。該裝置可以另外或可替代地包括微米或納米級傳感元件。在裝置包括傳送元件的情況下，傳感元件較佳地是用于感應(yīng)以下項中的至少一者的元件:壓力、濕度、化學(xué)物質(zhì)、包括液體流或氣體流的流體流、溫度、應(yīng)力、例如光的電磁輻射、或包括機(jī)械諧振的機(jī)械振動。
[0008]較佳地，微米或納米級結(jié)構(gòu)藉由用于制造微米或納米級結(jié)構(gòu)的工藝，例如，CMOS工藝、MEMS工藝、NEMS工藝等集成在基底的頂面上。
[0009]具有用于保持元件的支架。支架包括凹槽,元件至少部分地布置在所述凹槽中。較佳地，元件布置在凹槽中，其中元件的底面面對凹槽的底部，使得可從外部觸及微米或納米級結(jié)構(gòu)。
[0010]較佳地，具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以用于將元件電連接到支架上。較佳地，支架提供電氣互連，用于將導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接到布置在支架背面上的接觸墊上。在較佳實施例中，可以具有一個或多個導(dǎo)孔作為在支架中的電氣互連的一部分，其中具體來說，每一個導(dǎo)孔可以通過傳導(dǎo)路徑連接到指定接觸墊上。在支架背面上所形成的導(dǎo)電圖案可以表示為再分布層并且除了接觸墊之外可以通過漆或其它保護(hù)措施所覆蓋。可以在接觸墊上應(yīng)用傳導(dǎo)措施，例如導(dǎo)電膏或焊球。因此，微米或納米級結(jié)構(gòu)較佳地電連接到外界，即，電連接到裝置外部的回路上。
[0011]在元件與支架的至少一個側(cè)壁之間設(shè)置間隙，所述側(cè)壁共同限定凹槽。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橋接間隙。因此，元件可以具有經(jīng)受導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的硬度的一定橫向余地。
[0012]藉由此種裝置，例如在將裝置安裝到載體上期間，和/或隨后在操作期間，經(jīng)由焊球引入到裝置的支架中的機(jī)械應(yīng)力可以不向前傳遞到元件的敏感微米或納米級結(jié)構(gòu)上或即使傳遞也可忽略，因為較佳地作為支架與元件之間的唯一固體機(jī)械連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)防止了此種傳遞。在較佳實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)并不表示在元件與支架之間的緊密機(jī)械連接，而是允許例如在使用接合導(dǎo)線的情況下元件與支架之間的相對移動。在另一較佳實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的布局使元件至少在一定允許量下保持相對于支架可移動的。總之，在元件中的應(yīng)力敏感微米或納米級結(jié)構(gòu)以機(jī)械方式從支架分離。
[0013]在較佳實施例中，元件僅藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)從支架上懸吊下來，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以包括一個或多個接合導(dǎo)線、卷帶式自動接合元件或類似者。在此情況下，元件并不碰觸支架，使得間隙在凹槽的底部與元件之間進(jìn)一步延伸。為此，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和/或元件設(shè)計成使得導(dǎo)電結(jié)構(gòu)能夠?qū)⒃３衷谄渥陨砩稀Ｖ灰抢缧〉?、輕的裸片，并且較佳地由例如半導(dǎo)體芯片等單芯片表示，其中傳感元件以及電路集成在其上作為微米和/或納米級結(jié)構(gòu)，該電路可以在操作期間處理傳感元件的信號，那么例如接合導(dǎo)線等傳統(tǒng)的導(dǎo)電構(gòu)件足以保持元件而不需要在元件與支架之間的另外固體互連。然而，在另一實施例中，元件可以允許碰觸界定凹槽的一個或多個壁。例如，元件可以擱置在凹槽的底部上，然而，不固定到凹槽上。再者，較佳地是元件不會被約束在凹槽中，這較佳地通過將元件的覆蓋區(qū)設(shè)計為小于凹槽的覆蓋區(qū)來實現(xiàn)。換句話說，較佳的是導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橋接元件與支架之間的間隙。
[0014]在另一適用于上述兩種替代方案的實施例中，可以在凹槽中提供膠，用于填充元件與支架之間的間隙的至少一部分。膠不是固體元件且正因為如此并不傳遞機(jī)械應(yīng)力，但是另一方面可以防止基底和/或?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)因機(jī)械撞擊或振動導(dǎo)致的損壞。
[0015]較佳地是，元件的頂面以及支架的頂面布置在同一平面中，這有助于施加導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0016]較佳地，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)含有將元件的覆蓋區(qū)的相對側(cè)連接到支架上的至少兩個導(dǎo)電構(gòu)件，這能改進(jìn)元件的平衡懸掛。在甚至更復(fù)雜的實施例中，元件具有含有四個側(cè)邊的矩形覆蓋區(qū)，并且導(dǎo)電結(jié)構(gòu)含有四個導(dǎo)電構(gòu)件，每一個導(dǎo)電構(gòu)件將元件的不同側(cè)連接到支架上。較佳地，導(dǎo)電構(gòu)件中的每一者并不經(jīng)由最短路徑橋接元件與支架之間的間隙，而是在通過元件的覆蓋區(qū)界定的水平面中相對于與元件的側(cè)表面垂直的軸線傾斜，這可以使元件能夠圍繞其垂直軸抵靠著支架進(jìn)行一定旋轉(zhuǎn)，在應(yīng)力被引入到支架中時可能需要此種旋轉(zhuǎn)。在另一較佳實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包括用于使元件能夠圍繞其垂直軸旋轉(zhuǎn)并且同時平衡這種旋轉(zhuǎn)元件的彈簧部分。
[0017]在另一較佳實施例中，裝置包括布置在支架上用于保護(hù)元件的頂蓋。較佳地，頂蓋含有至少一個間隔物，所述間隔物從頂蓋延伸至通過頂蓋以及支架和/或元件界定的內(nèi)部中，用于防止元件朝向頂蓋的頂部移動超出最大偏差。
[0018]其它有利的實施例在從屬權(quán)利要求中以及以下描述中列舉。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]將通過下文對本發(fā)明的詳細(xì)描述使本發(fā)明的實施例、情況以及優(yōu)點(diǎn)更清晰。此說明書是結(jié)合附圖描述的，附圖中:
[0020]圖1到圖6各自以側(cè)視剖切方式示出根據(jù)本發(fā)明實施例的、具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的裝置，以及
[0021]圖7和圖8各自示出根據(jù)本發(fā)明實施例的、具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的裝置的俯視圖。

【具體實施方式】
[0022]相同的部件在各附圖中由相同標(biāo)記表示。
[0023]圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的、具有微米或納米級結(jié)構(gòu)13的裝置。此結(jié)構(gòu)13在以下示意性的多幅圖中都沒有繪出，但是可以相信仍是存在。該裝置包括以單芯片形式布置在支架2的凹槽23中的元件I。元件I包括具有矩形覆蓋區(qū)并且具有在垂直方向上的高度Hl的半導(dǎo)體基底11。必要時可以應(yīng)用其它形狀的覆蓋區(qū)，例如圓形覆蓋區(qū)。微米或納米級結(jié)構(gòu)13布置在元件I的頂面111處。在一個實例中，微米或納米級結(jié)構(gòu)13可以包含傳感元件以及用于處理傳感元件13的傳感器信號的電路。微米或納米級結(jié)構(gòu)13可以藉由例如MEMS和/或CMOS工藝制造。基底11的頂面111可以通過鈍化層(未示出)覆蓋以保護(hù)電路以及可能的傳感元件。
[0024]支架2較佳地由例如陶瓷、硅或塑料等單件材料制成并且具有頂面21和底面22以及高度H2。凹槽23形成至支架2的頂面21中。布置在底面22處的接觸墊可以承載焊塊/焊球4或承載用于將裝置電連接到(例如)印刷電路板等載體上的其它裝置。電導(dǎo)孔25設(shè)置在從支架的頂面21通到其底面22的通孔中。較佳地，支架2中的通孔可以通過蝕刻或激光鉆孔制造。通孔可以隨后使用例如鋁等導(dǎo)電材料填充。在一個實施例中，用于導(dǎo)孔的通孔可以全部由導(dǎo)電材料填充，而在另一實施例中僅通孔的壁可以由導(dǎo)電材料覆蓋。
[0025]在支架2的底面22上，導(dǎo)孔25藉由導(dǎo)體26電連接到承載焊球4的接觸墊上。在支架2的頂面21上，導(dǎo)孔25電連接到接觸墊24上。
[0026]導(dǎo)電構(gòu)件31布置在支架2的接觸墊24與元件I的接觸墊14之間。導(dǎo)電構(gòu)件31的整體表示為導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3。在本實施例中，每一個導(dǎo)電構(gòu)件31是卷帶式自動接合(TAB)構(gòu)件。在卷帶式自動接合中，導(dǎo)電帶儲存在箔片上并且可以直接從箔片拆卸到目標(biāo)上。在接合處理步驟期間，元件I可以較佳地通過隨后可以再去除的膠水或聚合物或抗蝕劑固定?？傮w而言，電路徑可以從微米和/或納米級結(jié)構(gòu)13實施到焊球4上，或從焊球4實施到微米和/或納米級結(jié)構(gòu)13上。
[0027]該裝置可以經(jīng)由焊球4而表面地安裝在例如印刷電路板等載體上。尤其是，當(dāng)微米或納米級結(jié)構(gòu)13包括傳感元件時，該裝置的這種設(shè)置是較佳的，因為傳感元件朝向周圍環(huán)境而不是朝向載體。
[0028]在本實施例中，元件I實際上僅藉由導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3從支架2懸吊下來。這意味著在此實施例中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3不僅用于將元件I電連接到支架2上，并且用于以機(jī)械方式將元件I保持在所需位置，即保持在元件I并不接觸支架2的懸掛位置上。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3保持元件1，使得完全圍繞元件I在支架2與組件I之間提供間隙6。在元件I較佳地是輕型并且小型的情況下，例如，當(dāng)元件I含有半導(dǎo)電材料的裸片時，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3的強(qiáng)度和硬度足以將元件I保持在懸掛狀態(tài)而無需任何另外的措施。因此，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3構(gòu)成元件I與支架2之間的唯一的固體連接。
[0029]在將裝置安裝到載體上期間，或者隨后在操作期間，無論何時由于載體被彎曲而使應(yīng)力經(jīng)由焊球4引入到支架2中時，應(yīng)力可以不傳遞到元件I的應(yīng)力敏感微米或納米級結(jié)構(gòu)13上，因為應(yīng)力敏感結(jié)構(gòu)13由于作為元件I與支架2之間的唯一固體連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3而以機(jī)械方式從支架2分離。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3表現(xiàn)為允許至少在一定允許量內(nèi)在水平面中元件I與支架2之間的相對移動的柔性裝置，其使元件I不易受到應(yīng)力作用。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3充當(dāng)應(yīng)力遷移至基底11中以及至敏感結(jié)構(gòu)13中的障礙物。因此通過將元件I與支架2之間的固體機(jī)械連接限制到導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3上，遷移至基底11中以及因此至敏感結(jié)構(gòu)13中的應(yīng)力可以明顯減小。
[0030]圖1中的元件I通過包括側(cè)壁51以及頂部52的頂蓋5保護(hù)，在頂部52中布置穿孔53用于在結(jié)構(gòu)13包括傳感元件的情況下允許測量環(huán)境變量。較佳地，通過將頂蓋5接合在支架2上而將頂蓋5安裝到支架2上。頂蓋5可以由例如塑料或陶瓷制成。頂蓋5可以設(shè)置于晶片層上并且也附接到支撐晶片上。其后，該裝置可以彼此分離。
[0031]在以下的圖2到圖6中，各圖以側(cè)視剖切方式示出根據(jù)本發(fā)明實施例的其它裝置。出于說明的目的，省略了在圖1中介紹的許多附圖標(biāo)記。在描述中僅提及相對于圖1的裝置的不同之處。
[0032]在根據(jù)圖2的裝置中，導(dǎo)電元件31現(xiàn)在實施為接合導(dǎo)線而不是卷帶式自動接合元件。藉由接合導(dǎo)線，傳統(tǒng)的接合技術(shù)可以應(yīng)用于將元件I電連接并且可能以機(jī)械方式連接到支架2上。
[0033]在根據(jù)圖3的裝置中，元件I不再從支架2懸吊下來，而是擱置在支架2中的凹槽23的底部231上。此處，元件1、凹槽23和/或?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)3經(jīng)設(shè)定尺寸和/或設(shè)計使得元件I最終擱置在凹槽23的底部231上。然而，元件I并不是固定到凹槽23的底部上而是僅僅擱置在其上。間隙6限于在凹槽23的側(cè)壁232與元件I之間的空間。
[0034]圖4的裝置不再包括垂直地延伸通過支架2的導(dǎo)孔。替代地,支架的外側(cè)壁含有傳導(dǎo)路徑27，用于將在支架2的頂面21上的導(dǎo)體28電連接到布置在支架的底面22上的導(dǎo)體26上?？赡艽嬖谥圃鞂?dǎo)孔比較繁瑣的情況，因此本替代方案可以是較佳的。在此實施例中，外部傳導(dǎo)路徑27可以(例如)藉由鈍化層保護(hù)。
[0035]在圖5中，頂蓋5相對于圖1進(jìn)行了修改。頂蓋5現(xiàn)在具有從頂部52延伸至裝置內(nèi)部7中的一個或多個間隔物54，所述內(nèi)部由頂蓋5以及支架2和/或元件I界定。一個或多個間隔物54防止元件I例如在裝置的處置期間被過度提升。受制于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3，例如，其通常可以是金屬結(jié)構(gòu)的材料特征以及形狀，并且在元件I不固定到凹槽23上的條件下，元件I可以至少在垂直方向上是可移動并且出現(xiàn)在凹槽23以外。一個或多個間隔物54可以限制此種垂直運(yùn)動。在本實例中，間隔物54可以實施為較佳地與頂蓋5的其余部分制成一體的多個單獨(dú)的突起?；蛘撸g隔物54可以是圍繞穿孔53的圓形間隔物54。通過限制元件I的垂直偏移，可以防止元件I自身以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3損壞。
[0036]在圖6中，間隙6不通過例如空氣等氣體填充而是部分地通過液體或半液狀材料例如，膠61填充。因為可以不需要另外的保持裝置，因此膠61可以是較佳的。膠61可以用以防止在凹槽23的壁或頂蓋5處時有撞擊時元件I受到機(jī)械沖擊。另一方面，膠61不是固體，因此不會將應(yīng)力從支架2傳遞到元件I上。膠61可以不僅應(yīng)用于根據(jù)圖6的裝置，其中元件I并不接觸支架2，而且還應(yīng)用于根據(jù)圖4的裝置，其中元件I擱置在凹槽23的底部231上。在后一實施例中，在支架2的側(cè)壁232與元件I之間的側(cè)面間隙可以至少部分地由液體或半液體填充。膠61可以具有黏度，因此不會滲漏到間隙6外。
[0037]圖7示出根據(jù)本發(fā)明實施例的、具有微米或納米級結(jié)構(gòu)的裝置的俯視圖，該裝置沒有頂蓋或頂蓋被移除。虛線表示集成到元件I中/上的微米或納米級結(jié)構(gòu)13。元件I較佳地是具有矩形覆蓋區(qū)的裸片。支架2的覆蓋區(qū)以及支架2中凹槽23的覆蓋區(qū)也是如此。元件I布置在支架2的凹槽23中，因此在元件I的側(cè)面與界定凹槽23的壁之間形成間隙6。由于元件I具有矩形覆蓋區(qū)，并且特別是具有正方形覆蓋區(qū)，因此較佳的是元件I在元件的每一個側(cè)面處藉由導(dǎo)電構(gòu)件31連接到支架2上。每一個導(dǎo)電構(gòu)件31橋接元件I與支架2之間的間隙6。因此，本元件I懸掛在四個點(diǎn)處，使得懸掛是機(jī)械可靠的。通常，導(dǎo)電構(gòu)件31的數(shù)量η可以為2 < η < 6。并不要求每一個導(dǎo)電構(gòu)件31在操作中用作電連接件。導(dǎo)電構(gòu)件31甚至可以不連接到在元件I或支架2上的任何導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上，并且正如此可以僅用作用于懸元件I的構(gòu)件。
[0038]根據(jù)圖8的俯視圖，根據(jù)本發(fā)明實施例的裝置與圖7裝置的不同之處在于導(dǎo)電構(gòu)件31各自具有彈簧部分311。彈簧部分311充當(dāng)在元件I圍繞垂直軸與支架相對旋轉(zhuǎn)時的彈簧。藉由每一個導(dǎo)電構(gòu)件中的彈簧部分311，可以限制此種旋轉(zhuǎn)。因此，彈簧部分311充當(dāng)?shù)窒霓D(zhuǎn)矩的措施。
【權(quán)利要求】
1.一種具有微米和/或納米級結(jié)構(gòu)的裝置，所述微米和/或納米級結(jié)構(gòu)是機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感元件、有源和/或無源電路中的一種或多種，所述裝置包括 元件(I)，所述元件含有所述微米或納米級結(jié)構(gòu)(13), 用于所述元件(I)的支架(2)，所述支架(2)包括凹槽(23)并且所述元件(I)至少部分地布置在所述凹槽(23)中， 間隙(6)，所述間隙在所述元件(I)與所述支架(2)的共同限定所述凹槽(23)的至少一側(cè)壁(232)之間，以及 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(3)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橋接所述間隙(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置， 其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(3)是所述元件(I)與所述支架(2)之間的唯一的固體連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置， 其中，所述元件(I)藉由所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(3)從所述支架(2)懸吊下來，以及其中，所述間隙(6)在懸掛狀態(tài)下在所述元件(I)與所述凹槽(23)的底部(231)之間延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的裝置， 其中，所述元件(I)擱置在所述凹槽(23)的底部(231)上但并不固定于其上。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，包括在所述凹槽(23)中的膠(61)，用于填充所述元件(I)與所述支架(2)之間的所述間隙(6)的至少一部分。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，所述元件(I)包括含有基底(11)，特別是半導(dǎo)體基底的單芯片， 其中，所述微米或納米級結(jié)構(gòu)(13)布置在所述基底(11)上和/或集成到所述基底(11)中，以及 其中，微米和/或納米級結(jié)構(gòu)包括傳感元件以及有源和/或無源電路。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，所述元件(I)包括頂面(111)以及與所述頂面(111)相對的底面(112)， 其中，所述微米或納米級結(jié)構(gòu)(13)布置在所述基底(11)的所述頂面(111)上和/或在其頂面(111)處集成到所述基底(11)中， 其中，所述元件(I)布置在所述支架(2)的所述凹槽(23)中，其中其底面(112)面對所述凹槽(23)的底部(231)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置， 其中，所述支架(2)具有頂面(21)， 其中，所述凹槽(23)從所述頂面(21)延伸至所述支架(2)中，以及 其中，所述元件(I)的所述頂面(111)和所述支架(2)的所述頂面(21)布置在同一平面中。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(3)具有將所述元件(I)的覆蓋區(qū)的相對側(cè)連接到所述支架(2)上的至少兩個導(dǎo)電構(gòu)件(31)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置， 其中，所述導(dǎo)電構(gòu)件(31)是以下項中的一種: 接合導(dǎo)線； 卷帶式自動接合結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，所述元件(I)具有含有四條邊的矩形覆蓋區(qū)， 其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(3)含有四個導(dǎo)電構(gòu)件(31)，每一個導(dǎo)電構(gòu)件將所述元件(I)的不同側(cè)連接到所述支架(2)上。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(3)包括彈簧部分(311)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，包括布置在所述支架(2)上的頂蓋(5)以保護(hù)所述元件(I)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置， 其中，所述頂蓋(5)包括至少一個間隔物(54)，所述間隔物從所述頂蓋(5)延伸至由所述頂蓋(5)以及所述支架(2)和/或所述元件(I)界定的內(nèi)部(7)中，以防止所述元件(1)朝向所述頂蓋(5)的頂部(52)移動超出最大偏移。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置， 其中，所述支架(2)包括延伸通過所述支架(2)的一個或多個導(dǎo)孔(25)，以在所述支架(2)的頂面(21)與底面(22)之間提供電連接。
【文檔編號】B81B7/02GK104418287SQ201410406368
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月19日
【發(fā)明者】F·梅耶 申請人:盛思銳股份公司