1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
P型半導(dǎo)體襯底；
一可控硅整流器，形成于所述P型半導(dǎo)體襯底上，所述可控硅整流器為環(huán)形；
一二極管串，位于所述環(huán)形的可控硅整流器以內(nèi)區(qū)域的所述P型半導(dǎo)體襯底上，與所述可控硅整流器彼此間隔，該二極管串包含若干個(gè)環(huán)形的二極管，其中位于外側(cè)的環(huán)形的二極管包圍其內(nèi)側(cè)的環(huán)形的二極管并互相間隔，且所述環(huán)形的二極管從外到內(nèi)寬度逐漸減小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述可控硅整流器包括：
位于所述P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)的由內(nèi)到外或由外到內(nèi)相鄰接的環(huán)形的第一P阱和環(huán)形的第一N阱；
位于所述第一P阱內(nèi)的由內(nèi)到外或由外到內(nèi)相鄰排布的環(huán)形的第一N+注入?yún)^(qū)和環(huán)形的第一P+注入?yún)^(qū)，以及位于所述第一N阱內(nèi)的由內(nèi)到外或由外到內(nèi)相鄰排布的環(huán)形的第二N+注入?yún)^(qū)和環(huán)形的第二P+注入?yún)^(qū)，
其中所述第一N+注入?yún)^(qū)和第一P+注入?yún)^(qū)作為所述可控硅整流器的陰極，所述第二P+注入?yún)^(qū)作為所述可控硅整流器的陽極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括位于所述第一N阱內(nèi)的環(huán)形的第三P+注入?yún)^(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第三P+注入?yún)^(qū)和所述第二P+注入?yún)^(qū)作為所述可控硅整流器的陽極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)所述環(huán)形的二極管至少包括：
位于所述P型半導(dǎo)體襯底內(nèi)的環(huán)形的第二N阱；
位于所述第二N阱內(nèi)的由內(nèi)到外或由外到內(nèi)依次排布的環(huán)形的第三N+注入?yún)^(qū)、環(huán)形的所述第四P+注入?yún)^(qū)和環(huán)形的第四N+注入?yún)^(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，環(huán)形的所述可控硅整流器為方環(huán)形。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，每個(gè)所述 環(huán)形的二極管的所述第三N+注入?yún)^(qū)為矩形環(huán)，所述矩形環(huán)的一個(gè)邊與所述方環(huán)的一個(gè)邊平行，所述第四N+注入?yún)^(qū)的形狀為所述第三N+注入?yún)^(qū)旋轉(zhuǎn)90°后所獲得的矩形環(huán)，所述第三N+注入?yún)^(qū)的兩個(gè)邊和所述第四N+注入?yún)^(qū)的兩個(gè)邊垂直相交，所述第四P+注入?yún)^(qū)為由四個(gè)方條組成的不相連的方環(huán)，每個(gè)所述方條分別位于所述第三N+注入?yún)^(qū)和所述第四N+注入?yún)^(qū)相交的區(qū)域內(nèi)，該相交的區(qū)域位于所述垂直相交的所述第三N+注入?yún)^(qū)的兩個(gè)邊和所述第四N+注入?yún)^(qū)的兩個(gè)邊的外側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，位于所述可控硅整流器所包圍區(qū)域的中心的二極管的N+注入?yún)^(qū)或P+注入?yún)^(qū)為實(shí)心形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述實(shí)心形狀為方形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述可控硅整流器和所述環(huán)形的二極管的形狀為方環(huán)形、圓環(huán)形或橢圓環(huán)型。
11.根據(jù)權(quán)利要求2、3或5所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述N+注入?yún)^(qū)和所述P+注入?yún)^(qū)與其相鄰的N+注入?yún)^(qū)和P+注入?yún)^(qū)之間設(shè)置有隔離結(jié)構(gòu)。
12.一種電子裝置，其特征在于，所述電子裝置包含權(quán)利要求1至11之一所述的半導(dǎo)體器件以及與所述半導(dǎo)體器件相連接的電子組件。