專利名稱：制造包含納米結構的結構的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種方法，通過該方法將結構(例如顯微結構)在該結構制作期間形成在包含納米結構的表面中。該結構的制作方法優(yōu)選為壓印，因而本發(fā)明描述用于保護納米結構免受壓印過程破壞的方法。
背景技術：
在微米制作和納米制作領域，能夠以微米和納米兩種尺度進行制作常常是有益的。對于其預期的功能，納米結構元件可得益于具有納米結構化表面。例如，提供增加的有效表面積的納米結構可用于增加液體和固體材料表面之間的接觸面積，并且可用于促進通過微流體系統(tǒng)的毛細流動。但是，經(jīng)常以納米尺度或者微米尺度來優(yōu)化制作過程。經(jīng)常需要應用一個用于納米制作過程的過程，然后應用另一個用于微米制作的過程，并且這些過 程經(jīng)常非常難以組合。壓印是制造顯微結構或納米結構的常用技術。例如，可以用寬度為最小 20iim的研磨工具將用于制造給定顯微結構的壓印工具碾磨到耐用金屬中，而可期望嵌入到所述顯微結構的表面中的給定納米結構僅可以通過壓印加工作業(yè)過程完成，該過程涉及如UV光刻，之后化學蝕刻或電子束直寫。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供經(jīng)濟上可行的方法，通過這些方法保護納米結構(例如本體納米結構)免受顯微結構制作過程影響。本發(fā)明人已經(jīng)開發(fā)了制造包含納米結構的顯微結構的新方法。所述方法基于用犧牲表面層保護形成基底的表面的一部分的納米結構，并且將顯微結構壓印到基底的包含經(jīng)保護的納米結構的一部分中。在從基底移除壓印工具后，也可移除所述犧牲表面層。犧牲表面層在壓印步驟過程中使納米結構穩(wěn)定，并且使顯微結構表面上的納米結構的至少一部分基本不改變。因而，本發(fā)明的一方面涉及制造包含納米結構的結構的方法，所述方法包括以下步驟a)提供包含表面的基底，所述表面包含納米結構；b)將犧牲表面層施加到包含所述納米結構的所述表面以至少部分地覆蓋所述納米結構；c)將結構壓印到所述表面中，其中結構至少部分地疊置到經(jīng)覆蓋的所述納米結構中；d)任選地，將所述犧牲表面層從所述結構中移除，從而暴露所述結構的表面中的所述納米結構。


圖I. a示出包含表面的基底的橫截面，所述表面包含納米結構。圖I. b示出涂有犧牲表面層(3)的基底⑵的表面。圖2. a示出具有包含納米結構⑵的表面的基底⑴和犧牲表面層⑶。圖2. b示出壓印過程，其中將具有倒轉的顯微結構(5)的壓印工具(4)壓入基底(I)中。圖2. c示出已經(jīng)取出壓印工具⑷后的基底(I)。圖2. d示出通過用適當?shù)娜軇?6)沖洗表面來移除犧牲表面(3)層。圖2. e示出移除犧牲表面層的一種替代方法。發(fā)明詳述 所述結構優(yōu)選為形成在基底的表面中的結構，并且可具有多種尺寸和形狀。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案中，所述結構是顯微結構。在本發(fā)明的上下文中，術語“顯微結構”涉及包含至少在維度方面在至少一個維度上為I至IOOOiim的結構。例如，顯微結構可包含具有多種不同形狀和尺寸的微通道和/或微儲器。例如，顯微結構元件可具有Iym至IOmm的尺寸。例如，顯微結構可包含2 y m寬和Iym深的、將白細胞與紅細胞分離的細胞濾器；它可包含具有IOOiim寬和25 iim深的通道的通道結構，并且它還可包含直徑為5_和深500 的圓形進樣室。在一個優(yōu)選的實施方案中，壓印過程在一個單個過程中形成全部上述元件。在本發(fā)明的上下文中，術語“納米結構”涉及包含至少在維度方面在至少一個維度上為I至5000nm的結構。納米結構可包含凹入表面和/或從表面突出的一個或更多個小結構。凹入表面的納米結構的例子為,例如納米槽、納米通道或納米室。從表面突出的納米結構的例子為納米柱、納米壁或納米凸塊。在壓印步驟之前，，突出的納米結構通常具有至多5微米、例如至多I微米或至多500nm的相對于基底表面的高度。例如,突出的納米結構可具有Inm至5微米、優(yōu)選IOnm至I微米、甚至更優(yōu)選50nm至500nm的相對于表面的高度。在壓印步驟之前，凹入的納米結構通常具有至多5微米、例如至多I微米或至多500nm的相對于基底表面的深度。例如,嵌入的納米結構可具有Inm至5微米、優(yōu)選IOnm至I微米、甚至更優(yōu)選50nm至500nm相對于表面的深度。納米槽或納米突出物可具有基本對稱的縱橫比，例如具有250nm寬度和250nm深度的槽，或它們可具有不對稱的縱橫比，例如具有5 u m直徑和50nm高度的圓形突出物。在一個優(yōu)選的實施方案中，納米結構(例如包含多個槽或突出物)覆蓋基底表面的大部分區(qū)域。它們可以以彼此之間確定的位置關系重復(例如使用光刻)或者它們可以以隨機圖案放置(例如通過研磨工具、研磨紙或噴砂過程形成)。納米結構可賦予包含它的表面一種或更多種額外的功能。例如，納米結構可增加表面的有效表面積。例如，增加的有效表面積可增加所述表面對接觸它的液體的影響。另外，或作為一個替代方案，納米結構可提供基于在分子尺度(例如蛋白質(zhì))上可具有影響的特定幾何結構的催化作用。另外，或作為一個替代方案，納米結構能夠特異性捕獲某個分子或一組分子。例如，所述納米結構可以是分子印跡(例如在基底表面中)。用于分子印跡的任何已知技術均可用于形成納米結構，例如在國際專利申請WO 01/32, 760 (以所有目的通過引用并入本文)中描述的技術。納米結構可以是傳感器或傳感器系統(tǒng)的一部分，例如SAW (表面聲波)傳感器或微懸臂梁式傳感器。形成結構的基底可具有任何適當?shù)某叽绾托螤睢５?，?yōu)選基底具有足夠的柔軟度和/或延展性以使其可壓印。例如，在壓印步驟之前可通過加熱軟化基底，可使用化學劑(例如溶劑)將其軟化，可通過表面輻射(例如準分子激光)軟化或者使用化學和/或加熱和/或輻射軟化的組合。在本發(fā)明的一個實施方案中，基底基本上是平板，例如顯微鏡載片的尺寸。在本發(fā)明的另一實施方案中，基底是連續(xù)的基底輥的形式?；卓苫居蓡我徊牧辖M成，或包含數(shù)種不同的材料。在本發(fā)明的一個實施方案中，基底是聚合物；優(yōu)選為熱聚合物。在一個優(yōu)選的實施方案中，熱聚合物是PETG(聚對苯二甲酸乙二醇酯)。在本發(fā)明的上下文中，術語“熱聚合物”用作“熱塑性聚合物”的同義詞。 構建過程是壓印過程，其中迫使所述結構的反轉呈現(xiàn)物(negative
representation)-壓印工具-進入比所述工具更軟的組合物的材料表面中。壓印工
具包含壓印后將形成進入表面中的結構的突出部分。通過壓印加工通常為本領域技術人員所熟知，并且例如在WorgulU “HotEmbossing-Theory and Technology of Microreplication，，，Matthias Worgull,Elsevier, ISBN 13 :978-0-8155-1579_1，其以所有目的通過引用并入本文)中描述。在一個優(yōu)選的實施方案中，壓印過程為熱壓印過程，其中將基底加熱到接近并且優(yōu)選地高于所述基底的玻璃化轉變溫度的溫度。在該優(yōu)選的實施方案中，本發(fā)明涉及制造微流體微系統(tǒng)的方法；所述微流體系統(tǒng)可應用于分析目的，例如生物分析系統(tǒng)。在這種情況下，顯微結構可包含一個或更多個微通道和/或一個或更多個微儲器。例如，用于微流體系統(tǒng)的納米結構能夠包含在一個或更多個微通道內(nèi)部增加的納米尺度表面粗糙結構。犧牲表面層優(yōu)選填充納米結構的空隙，使得它至少延伸到多至所述納米結構的最高結構部分。在一個優(yōu)選的實施方案中，犧牲表面層延伸到納米結構的最高結構部分之上。在本發(fā)明的一個實施方案中，犧牲表面層延伸到納米結構的最高點之上至多10 V- m,優(yōu)選至多5 y m,甚至更優(yōu)選納米結構的最高點之上至多2 y m。例如,犧牲表面層可以延伸到納米結構的最高點之上至多I U m,優(yōu)選0. 5 ii m,甚至更優(yōu)選所述納米結構的最高點之上至多0. 2 ii m在本發(fā)明的又一實施方案中，犧牲表面層的頂部與納米結構的最高點大約在同一水平上，例如幾乎覆蓋所述納米結構。在壓印過程是熱壓印過程的情況下，犧牲表面層應選擇為使其維持經(jīng)壓印基底和熱壓印工具被加熱到的溫度。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案中，犧牲表面層基本上是不可壓縮的，即相對于未壓縮的犧牲表面層的體積，通過壓印步驟其體積減少至多50% (體積/體積)。例如，相對于所述未壓縮的犧牲表面層的體積，在壓印步驟期間犧牲表面層的體積可減少至多30%(體積/體積)，優(yōu)選至多20% (體積/體積)，甚至更優(yōu)選相對于未壓縮的犧牲表面層的體積在壓印步驟期間為10% (體積/體積)?？蓛?yōu)選甚至更低的壓縮率，在本發(fā)明的一個實施方案中，相對于未壓縮的犧牲表面層的體積，犧牲表面層的體積在壓印步驟期間減少至多2% (體積/體積)，優(yōu)選至多1%(體積/體積)，相對于未壓縮的犧牲表面層的體積在所述壓印步驟期間甚至更優(yōu)選0. 1%(體積/體積)。本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，降低犧牲表面層的壓縮率出乎意料地導致在壓印步驟期間所形成結構的更好的控制和精密度。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施方案中，犧牲表面層包含填充納米結構的空隙的鹽(例如三輕甲基氨基甲燒硼酸鹽(tris-borate acid salt))。在施用前,所述鹽可溶于適當?shù)娜軇?例如水)中。所述溶液將施用于納米結構化基底的表面，然后溶劑將蒸發(fā)到周圍空氣中，從而在納米結構化基底中以及其上留下所述結晶的鹽層。為了增強所述鹽溶液在足夠薄的層中的均勻分布，可將有機溶劑加入到所述溶液中。所述有機溶劑可另外地增強初始溶劑的蒸發(fā)。優(yōu)選有機溶劑選擇為與納米化結構的基底相容，以使其不改變所述基底的 表面(例如溶解和破壞納米結構)。乙醇和甲醇已證明具有用于此目的的有吸引力的特性它們提供增加的溶液擴散(例如，溶于水中的鹽，用有機溶劑稀釋)，并且它們將增強初始溶劑的移除(蒸發(fā))。但是，特定的聚合物可耐受較刺激的有機溶劑，因此如果它們表現(xiàn)出有利特性之后可使用它們，例如環(huán)烯烴共聚物(COC)和丙酮。在一個優(yōu)選的實施方案中，將會有大幅過重的有機溶劑，例如90%有機溶劑中的10%水-鹽溶液，但是應理解可用不同的比率實現(xiàn)特定的和有益的特性，例如水-鹽溶液占
0.I %至9. 9%的組合體積，其余的體積為有機溶劑。低于10%的水-鹽溶液將產(chǎn)生較薄的犧牲鹽層，而高于10%的水-鹽濃度將產(chǎn)生較厚的犧牲鹽層(例如10. I %至25%的水-鹽或25. 1%至99%的水-鹽)；應充分理解本發(fā)明的優(yōu)點的實現(xiàn)不限于使用特定的組分(鹽、主要溶劑和有機溶劑)的混合物。除非另有說明，本文提及的所有百分比均是體積/體積。如在圖I. b中所描繪的，可將溶解的犧牲表面層(優(yōu)選另外包含有機溶劑)傾倒在納米結構上。通過鋪展工具或通過震動或輕拍的作用可使所述溶液鋪展以覆蓋某個區(qū)域，或者所述溶液可僅僅鋪展到覆蓋某個區(qū)域，所述區(qū)域因而由所述溶液的粘度與溶液組合物對納米結構表面的可濕潤性結合來限定。還可以將溶液噴涂或者它可旋涂于納米結構表面。在壓印過程之前可完全覆蓋納米結構表面，或僅部分覆蓋納米結構表面。用犧牲表面層僅部分覆蓋納米材料的一種方法可以是a)在批量過程中覆蓋全部的納米結構區(qū)域和b)掩蓋大塊覆蓋區(qū)域的一部分(例如通過保護膜)和c)通過適當?shù)倪^程從未掩蓋的區(qū)域移除犧牲表面層(例如通過用適當?shù)娜軇_洗)和d)在壓印之前移除掩模。在壓印過程完成后，移除犧牲表面層，然后暴露出壓印過程期間免受變形的納米結構。所述移除可以是全部的或部分的，而且可以直到制作的顯微結構用于其預期的功能才進行所述移除(全部或部分)。例如犧牲表面層可以是親水的或疏水的，如果將其保留在顯微結構表面，則可以影響全部或部分覆蓋的表面的可潤濕性。在一個優(yōu)選的實施方案中，通過用適當?shù)娜軇_洗而實現(xiàn)犧牲表面層的移除；這個移除過程在圖2. d中描述。根據(jù)犧牲表面層的耐久性和組成，它還可以通過剝離移除，如圖2. e所示；還可通過應用超聲來移除犧牲表面層，所述超聲的頻率選擇為刺激犧牲表面層。超聲移除方法可包括吹走殘留物和碎片的加壓空氣步驟。圖I. a示出包含表面的基底的橫截面，所述表面包含納米結構。所述基底⑴包含含有一種或更多種納米結構(2)的表面。圖I. b示出涂覆有犧牲表面層(3)的所述基底⑵的表面。將所述溶解的犧牲表面層材料(7)施用在所述表面(2)上，之后溶劑將會蒸發(fā)從而使所述固體犧牲表面層(3)留在所述表面上以及進入所述包含納米結構(2)的表面的空隙。圖2. a示出具有包含納米結構(2)的表面的基底(I)和所述犧牲表面層(3)。另夕卜，壓印工具4用倒轉的顯微結構部分(5)示出。圖2. b示出壓印過程，在該過程中將具有倒轉的顯微結構(5)的壓印工具⑷壓入基底⑴中。所述納米結構的表面⑵和所述犧牲表面層⑶保持為所述基底⑴表面的一部分。圖2. c示出取出壓印工具⑷后的基底⑴。此時所述顯微結構已形成在所述表 面中并且所述納米結構(2)在所述大塊表面上以及在所述顯微結構中保持完整，仍然受到所述犧牲表面層(3)的保護。圖2. d示出通過用適當?shù)娜軇?6)沖洗表面來移除所述犧牲表面(3)層。此時所述納米結構表面(2)保持完整以及暴露。圖2. e示出一種替代的移除方法，其中所述犧牲表面層形成有剛性膜層(3)，其能夠通過機械力剝?nèi)?。下述多個示例性實施方案。示例性實施方案I :在顯微結構的表面中疊置納米結構的方法,所述方法包括以下步驟a)提供納米結構化材料，例如上述基底；b)應用能夠填充構成所述納米結構的空隙的犧牲表面層；c)將顯微結構壓印到所述納米結構材料中；d)將所述犧牲表面層移除，從而暴露所述結構的表面中的所述納米結構。示例性實施方案2 :根據(jù)示例性實施方案I所述的方法，其中所述壓印過程是熱壓印過程。示例性實施方案3 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述納米結構化材料是聚合物。示例性實施方案4 :根據(jù)示例性實施方案3所述的方法，其中所述聚合物是熱聚合物。示例性實施方案5 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述納米結構化材料是PETG。示例性實施方案6 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述犧牲層包含可溶性固體(soluble solid)。示例性實施方案7 :根據(jù)示例性實施方案6所述的方法，其中所述可溶性固體是鹽。示例性實施方案8 :根據(jù)示例性實施方案7所述的方法，其中所述鹽是三羥甲基氨基甲烷硼酸。
示例性實施方案9 :根據(jù)示例性實施方案6、7或8中的任一項所述的方法，其中所述可溶性固體以溶解的液態(tài)施用，然后蒸發(fā)所述溶劑并且使所述固體固化。示例性實施方案10 :根據(jù)示例性實施方案9所述的方法，其中所述溶劑是水。示例性實施方案11 :根據(jù)示例性實施方案10所述的方法，其中所述溶解的液態(tài)還包含有機溶劑。示例性實施方案12 :根據(jù)示例性實施方案11所述的方法，其中所述有機溶劑選自乙醇、甲醇、丙酮、甲苯、MEK。示例性實施方案13 :根據(jù)示例性實施方案11或12所述的方法，其中在溶解的液態(tài)中存在基本上較大百分數(shù)的有機溶劑，例如75%至99. 9%的有機溶劑或80%至99%的有機溶劑或85%至95%的有機溶劑，而其余體積百分數(shù)基本上包含水和溶解的固體。示例性實施方案14 :根據(jù)示例性實施方案6至13中的任一項所述的方法，其中所 述犧牲層基本上在飽和的含水溶液中，例如100 %至99 %的飽和溶液或99 %至75 %的飽和溶液或75%至50%的飽和溶液。示例性實施方案15 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述納米結構包含潤濕功能。示例性實施方案16 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述顯微結構是微流體結構。示例性實施方案17 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中將所述犧牲表面層僅施用于納米結構的選定部分，從而使其余區(qū)域經(jīng)受所述壓印過程的作用。示例性實施方案18 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層的移除在所述顯微結構的最后使用期間完成。示例性實施方案19 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中在所述壓印過程后僅移除所述犧牲層的一部分。示例性實施方案20 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層基本上是親水的。示例性實施方案21 :根據(jù)前述示例性實施方案中的任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層基本上是疏水的。已經(jīng)參考特定實施方案描述了本發(fā)明。但是，除上述外的其它實施方案在本發(fā)明的范圍內(nèi)同樣是可以的。多種實施方案的不同特征和步驟以及本發(fā)明的方面可結合在除上述之外的其它組合中。
實施例實施例I使用一塊“Grain 4000”碳化硅(SiC)砂紙將一塊注塑成型的PETG(20X 30X IV2Him)納米結構化。該結構的作用體現(xiàn)為增加表面的潤濕性，即在通過SiC砂紙研磨后接觸角從原始的PETG表面中的 70度增加到約 40度。將10% (體積)三羥甲基氨基甲烷硼酸鹽緩沖液(3M Tris和3M硼酸)的溶液與90%甲醇混合。將25 yl的該溶液施用在納米結構化表面上，然后用刮刀分散以覆蓋整個表面(30 X 20mm)。該溶液與PETG材料結合的表面張力將基本上保持層以均勻的厚度覆蓋在整個區(qū)域。在數(shù)分鐘內(nèi)將該三羥甲基氨基甲烷硼酸鹽緩沖液的水和甲醇蒸發(fā)并且此時三羥甲基氨基甲烷硼酸鹽的均勻?qū)痈采w該納米結構的表面。用Zygo 表面輪廓儀(surface profiler)測得層厚度為 400nm。之后將該PETG塊置于嵌有微通道工具的熱壓印裝置中。將該工具和PETG加熱到95攝氏度，然后將該工具壓入PETG表面。將熱壓印裝置冷卻到環(huán)境溫度，釋放該壓力并將該工具與PETG分離。用自來水沖洗該PETG，從而移除容易溶解的三羥甲基氨基甲烷硼酸鹽。使用壓縮空氣將該顯微結構干燥并加蓋(40 厚的疏水透明膠帶)。該通道結構的設計為，為了能夠通過毛細作用經(jīng)通道抽取限定好的含水溶液，其依賴于潤濕的納米結構的存在。該通道結構的正確填充是公知的以及同樣證實了具有潤濕特性的納米結構仍然存在。實施例2按照實施例I中的描述，在相似尺寸的PETG上重復犧牲表面層(三羥甲基氨基甲烷硼酸鹽)的納米構建和應用。在應用犧牲表面層之后，用一片透明膠帶(包含壓敏膠的聚丙烯帶)覆蓋PETG表面的一半。該PETG用自來水沖洗，由此移除未保護的一半的碎屑。用壓縮空氣干燥PETG，并且將透明膠帶移除。然后使PETG經(jīng)受如實施例I中描述的熱壓印過程。將微通道工具定位，使得將顯微結構的第一半壓印在仍然覆蓋有犧牲表面層的表面 部分中，分別地，將第二半直接壓印到暴露的納米結構中。在重復變形和沖洗步驟之后以及應用如實施例I中解釋的蓋之后，使微通道結構再一次經(jīng)受含水溶液；此時含水溶液被抽取經(jīng)過該結構的第一半，但是在進入第二半時流動停止，由此提供在PETG的第二半中的納米結構沒有免于遭受熱壓印過程的證據(jù)。
權利要求
1.一種制造包含納米結構的結構的方法，所述方法包括以下步驟 a)提供包含表面的基底，所述表面包含納米結構； b)將犧牲表面層施加到包含所述納米結構的所述表面以至少部分地覆蓋所述納米結構； c)將結構壓印到所述表面中，所述結構至少部分地疊置到經(jīng)覆蓋的所述納米結構中； d)任選地，將所述犧牲表面層從所述結構上移除，從而暴露所述結構的表面中的所述納米結構。
2.根據(jù)權利要求I所述的方法，其中所述壓印過程是熱壓印過程。
3.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述基底包含聚合物。
4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中所述聚合物是熱塑性聚合物。
5.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述基底是聚對苯二甲酸乙二醇酯。
6.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述結構是顯微結構。
7.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層包含可溶性固體。
8.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述可溶性固體是鹽。
9.根據(jù)權利要求7所述的方法，其中所述鹽是三羥甲基氨基甲烷硼酸。
10.根據(jù)權利要求7至9中任一項所述的方法，其中所述可溶性固體以溶解的液態(tài)施用，然后將溶劑蒸發(fā)使所述固體固化。
11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中所述溶劑是水。
12.根據(jù)權利要求11所述的方法，其中所述溶解的液態(tài)還包括有機溶劑。
13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述有機溶劑包括選自乙醇、甲醇、丙酮、甲苯、甲基乙基酮及其混合物中的一種或更多種溶劑。
14.根據(jù)權利要求12或13所述的方法，其中在所述溶解的液態(tài)中存在實質(zhì)上較大百分數(shù)的有機溶劑，例如75 %至99. 9 %的有機溶劑或80 %至99 %的有機溶劑或85 %至95 %的有機溶劑，而剩余的體積百分數(shù)基本上包括水和溶解的固體。
15.根據(jù)權利要求7至14中任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層基本上處在飽和的含水溶液中，例如100 %至99 %的飽和溶液或99 %至75 %的飽和溶液或75 %至50 %的飽和溶液。
16.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述納米結構包含增加所述基底的表面的有效表面積的納米結構。
17.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述顯微結構包含一個或更多個微通道和/或一個或更多個微儲器。
18.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中將所述犧牲表面層僅施加到所述納米結構的選定部分，使其余的區(qū)域經(jīng)受所述壓印過程的作用。
19.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層的移除在所述顯微結構的預期使用期間完成。
20.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中在所述壓印過程之后僅移除所述犧牲表面層的一部分。
21.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層是基本上親水的。
22.根據(jù)前述權利要求中任一項所述的方法，其中所述犧牲表面層是基本上疏水的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種方法，通過該方法將一種結構(如顯微結構)在所述結構的制作期間形成在包含納米結構的表面中。所述結構的制作方法優(yōu)選為壓印，并且由此本發(fā)明描述了保護納米結構免受壓印過程破壞的方法。
文檔編號B29C59/02GK102791468SQ201080056232
公開日2012年11月21日 申請日期2010年12月9日 優(yōu)先權日2009年12月9日
發(fā)明者托馬斯·烏辛 申請人:弗萊米迪克斯公司