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具有可調(diào)內(nèi)徑的晶片容器的制造方法_2

文檔序號:8466653閱讀:來源:國知局
/606,921中更詳細地顯示和描述,這些專利通過整體引用而結(jié)合在本文中。這是閂鎖到位于頂部外殼中的間隙內(nèi)以便在晶片運輸期間把晶片承載體的兩半固定在一起的四個閂鎖件之一。凸起124和125被位于頂部外殼上的傾斜的肋推動。傾斜的接合肋在圖4中顯示和描述。
[0026]圖4是頂部外殼的透視局部剖視圖,顯示了八個傾斜的接合肋中的一個。為了更清晰地顯示從外部肋壁54延伸的肋143,頂部外殼被局部剖切。外部肋壁54圍繞晶片空腔連續(xù)存在,以防止污染物進入位于晶片承載體內(nèi)的任何貯存的半導體晶片之間或之上。肋143具有斜坡狀的或階梯狀的壁部144,該壁部144在如圖5所示的下面的外殼上的凸起124和125的變尖的區(qū)域145上推動之前開始接合。這個圖也顯示圖3所示的、與閂鎖耳片70接合的凹口 75,它們在本發(fā)明人的其它專利申請序列號12/548,368和12/606,921中更詳細地顯示和描述,這些專利通過引用而結(jié)合在本文中。
[0027]圖5是顯示柔性壁段的底部外殼的透視局部剖視圖。在圖5中,閂鎖耳片或閂鎖件70(在圖3中顯示)已被移除,以便提供無阻擋的柔性壁122和123的視圖。肋143(從圖4看)接合在凸起124和125上,從而使柔性壁122和123向內(nèi)樞軸轉(zhuǎn)動。中心肋126顯示在凸起124和125之間。這個中心肋在位于頂部外殼50中的兩個肋143之間穿過,以防止肋143推進到底部外殼100上的不期望的位置。對準情形在圖6中更詳細地顯示。
[0028]圖6顯示在底部外殼100的肋110上的柔性壁123和在頂部外殼上的傾斜接合肋143的透視局部剖視圖。頂部外殼50向下推到底部外殼100上,直至閂鎖耳片或閂鎖件70接合并閂鎖到頂部外殼50中的凹口 75中為止。為了分開兩個外殼,閂鎖耳片或閂鎖件70被從凹口 75推出,兩個外殼可以被拉開。在外殼被拉開時,接合肋143滑離凸起125,使得柔性壁123回彈開,由此釋放晶片。在這個圖中,插入物或襯墊127被顯示在柔性壁的內(nèi)側(cè)。襯墊127可以被插入、過度模制或合并到壁中。這個襯墊127優(yōu)選是彈性體并且為晶片提供附加緩沖,并且增加柔性壁的摩擦系數(shù)來夾緊硅晶片或間隔件。應當指出,這個緩沖件或襯墊127的位置不在鉸接端或直接在凸起125所在位置的后面。緩沖件或襯墊127的位置設在這兩個位置之間,以便允許壁在與晶片的接觸點處彎曲。因為接觸點在鉸接位置與凸起位置之間,柔性壁提供額外的彎曲來進一步緩沖晶片。緩沖件、襯墊或柔性插入物127可嵌入柔性壁之中或之上。插入物是使用彈性材料的柔性或彈性的插入物,無論是單獨的零件還是被過度模制到壁上。壁可包括用于插入和保持插入物的開孔或縫隙。在這個圖上顯示了活動鉸鏈區(qū)域128,其中壁變薄而允許彎曲?;顒鱼q鏈是由壁材料形成的鉸鏈,其中壁材料在三個邊上都沒有支撐。鉸鏈自由端末端上的壓力允許壁彎曲。壁在位置128處變薄,從而允許在壁的更局部化的區(qū)域更容易彎曲或鉸接。
[0029]還顯示了對于晶片環(huán)129的徑向支撐,以便支撐最下面的晶片環(huán)。
[0030]由此,公開了半導體晶片容器的具體實施例。然而,對于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是,除了所描述的那些方案之外可能作出許多修改方案,而不背離這里的發(fā)明概念。所以,發(fā)明主題僅僅受限于所附權(quán)利要求的精神。
【主權(quán)項】
1.一種晶片容器,包括: 頂部外殼和底部外殼,所述頂部外殼和底部外殼被嵌套在一起,形成具有用于IC存至少一個半導體晶片的內(nèi)部空腔的蛤殼形外殼, 所述頂部外殼具有本質(zhì)上平坦的矩形基底,該頂部外殼的基底具有至少一個以本質(zhì)上圓形定向從所述基底垂直延伸的肋; 所述底部外殼具有本質(zhì)上平坦的矩形基底,該底部外殼的基底具有至少一個從所述基底垂直延伸的肋,其中在所述底部外殼上的所述至少一個肋還包括至少兩個被布置成垂直于所述本質(zhì)上平坦的基底的活動鉸鏈,其中每個所述活動鉸鏈由至少一個活動壁段形成;在遠離所述活動鉸鏈的末端,所述至少一個活動壁具有第一板閉合斜面,以及所述頂部外殼具有第二閉合斜面,所述第二閉合斜面被配置成與所述第一板閉合斜面接合,從而當所述頂部外殼坐落在所述底部外殼上時,所述第一閉合斜面推動所述第二閉合斜面進而同心地朝所述內(nèi)部空腔推進所述活動壁。
2.按照權(quán)利要求1所述的晶片容器,其中多個壁段徑向移動,從而與所述晶片容器同心地保持所述至少一個半導體晶片。
3.按照權(quán)利要求1所述的晶片容器,其中所述壁段還包括位于所述壁段與所述至少一個半導體晶片之間的彈性插入物。
4.按照權(quán)利要求1所述的晶片容器,其中所述活動壁在所述活動鉸鏈與所述第一閉合斜面之間的位置與所述至少一個半導體晶片接觸。
5.按照權(quán)利要求1所述的晶片容器,包括至少兩個活動壁。
6.按照權(quán)利要求1所述的晶片容器,包括至少四個活動壁。
7.按照權(quán)利要求1所述的晶片容器,包括至少八個活動壁。
8.—種晶片容器,包括: 頂部外殼和底部外殼,所述頂部外殼和底部外殼被嵌套在一起,形成具有用于存儲至少一個半導體晶片的內(nèi)部空腔的蛤殼形外殼, 所述頂部外殼具有本質(zhì)上平坦的矩形基底,該頂部外殼的基底具有至少一個以本質(zhì)上圓形定向從所述基底垂直延伸的肋; 所述底部外殼具有基底,該底部外殼的基底具有從所述基底垂直延伸的至少一個肋,其中在所述底部外殼上的所述至少一個肋具有多個柔性壁段; 所述多個柔性壁段中的每一個都具有第一板閉合斜面; 所述頂部外殼被配置成與所述第一板閉合斜面接合,使得當所述頂部外殼坐落在所述底部外殼上時,在所述頂部外殼上的所述至少一個肋接合在所述第一板閉合肋上,從而使所述壁段朝所述內(nèi)部空腔徑向向內(nèi)彎曲。
9.按照權(quán)利要求8所述的晶片容器,其中在所述頂部外殼上的所述肋還包括接合到所述第一閉合斜面上的閉合斜面。
10.按照權(quán)利要求8所述的晶片容器,其中所述閉合斜面是階梯狀的。
11.按照權(quán)利要求8所述的晶片容器,其中所述壁段還包括位于在所述壁段與所述至少一個半導體晶片之間的彈性插入物。
12.按照權(quán)利要求8所述的晶片容器,其中所述活動壁在所述鉸鏈與所述第一閉合斜面之間的位置與所述至少一個半導體晶片接觸。
13.按照權(quán)利要求8所述的晶片容器,包括至少四個活動壁。
14.按照權(quán)利要求8所述的晶片容器,包括至少八個活動壁。
15.—種晶片容器,包括: 頂部外殼和底部外殼,所述頂部外殼和底部外殼被嵌套在一起,形成具有用于存儲至少一個半導體晶片的內(nèi)部空腔的蛤殼形外殼, 所述頂部外殼具有本質(zhì)上平坦的矩形基底,該頂部外殼的基底具有至少一個以本質(zhì)上圓形定向從所述基底垂直延伸的肋; 所述底部外殼具有本質(zhì)上平坦的矩形基底,該底部外殼的基底具有從所述基底垂直延伸的至少一個肋,其中在所述底部外殼上的所述至少一個肋條還包括被布置成與所述本質(zhì)上平坦的基底垂直的至少一個鉸鏈和至少一個活動壁段,所述活動壁段從所述鉸鏈鉸接,使得所述至少一個活動壁段可以樞軸轉(zhuǎn)動而與所述至少一個半導體晶片接觸。
16.按照權(quán)利要求15所述的晶片容器,其中多個臂段徑向移動,從而使所述至少一個半導體晶片與所述晶片容器保持同心。
17.按照權(quán)利要求15所述的晶片容器,其中當所述頂部外殼被嵌套在所述底部外殼上時,所述至少一個活動壁是鉸接的。
18.按照權(quán)利要求17所述的晶片容器,其中所述鉸接通過位于所述頂部外殼和底部外殼上的互補的肋實現(xiàn)。
19.按照權(quán)利要求18所述的晶片容器,其中在所述頂部外殼或底部外殼上的至少一個所述互補的肋是階梯狀的。
20.按照權(quán)利要求15所述的晶片容器,其中在所述頂部外殼或底部外殼上的至少一個所述互補的肋條是傾斜的。
【專利摘要】半導體晶片容器的改進方案用于減小半導體晶片在晶片承載體內(nèi)的移動,該改進方案使用位于基底構(gòu)件的主要內(nèi)部容納直徑之內(nèi)的柔性壁段、板或柔性插入物。這些壁允許垂直的容納表面移動和捕獲整個晶片堆,而不是幾個晶片。接觸晶片的表面均勻向內(nèi)移動。通過減小或消除晶片容器與晶片堆之間的間隙而固定晶片堆。其他改進方案包括在頂部外殼和/或底部外殼上附加傾斜的接合表面,這提供更容易組裝頂部外殼與底部外殼的機械學優(yōu)點。這個設計還允許自動裝載和卸載晶片堆,因為一旦去除頂蓋,柔性壁會向外彈回。由此在半導體晶片容器中提供可自由移除晶片的小間隙。
【IPC分類】B65D85-86, B65D85-38, H01L21-673
【公開號】CN104787502
【申請?zhí)枴緾N201510094872
【發(fā)明人】J·D·彼蘭特, A·L·韋伯, C·R·麥克
【申請人】德建先進產(chǎn)品有限公司
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2010年6月28日
【公告號】CN102666315A, CN102666315B, EP2470456A1, US8556079, US20100236977, WO2011122928A1
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