技術(shù)特征：

1.用于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的漿料組合物，所述漿料組合物包括：

分散介質(zhì)；和

具有結(jié)合至其表面的NO₃^-官能團(tuán)的二氧化鈰顆粒，以0.1重量份-15重量份的量包含所述二氧化鈰顆粒，基于100重量份的所述分散介質(zhì)。

2.如權(quán)利要求1所述的漿料組合物，其中所述漿料組合物的pH值范圍為1-9。

3.如權(quán)利要求2所述的漿料組合物，進(jìn)一步包括pH控制劑。

4.如權(quán)利要求1所述的漿料組合物，其中所述二氧化鈰顆粒的傅立葉變換紅外光譜法(FT-IR)光譜具有在范圍1250cm^-1-1400cm^-1的位置或者范圍1500cm^-1-1700cm^-1的位置的峰。

5.如權(quán)利要求1所述的漿料組合物，其中所述二氧化鈰顆粒的ζ電勢值至少在0-9.5的pH范圍內(nèi)大于0。

6.如權(quán)利要求1所述的漿料組合物，其中在所述漿料組合物中不包括拋光加速劑。

7.如權(quán)利要求1所述的漿料組合物，其中在所述漿料組合物中不包括氧化劑。

8.如權(quán)利要求1所述的漿料組合物，其中所述二氧化鈰顆粒具有1nm-150nm的平均粒徑。

9.如權(quán)利要求8所述的漿料組合物，其中所述二氧化鈰顆粒具有1nm-80nm的平均粒徑。

10.用于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的漿料組合物，所述漿料組合物包括：

具有結(jié)合至其表面的表面改性官能團(tuán)的陶瓷顆粒，所述表面改性官能團(tuán)包括硝酸根基團(tuán)(NO₃^-)、碳酸根基團(tuán)(CO₃^2-)、硫酸根基團(tuán)(SO₄^2-)、草酸根基團(tuán)(C₂O₄^2-)和甲磺酸根基團(tuán)(CH₃SO₃^-)的至少一種；

pH控制劑；和

分散介質(zhì)。

11.如權(quán)利要求10所述的漿料組合物，其中所述陶瓷顆粒包括二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋁和二氧化鈦的至少一種。

12.如權(quán)利要求10所述的漿料組合物，其中以0.1-15重量份的量包含所述陶瓷顆粒，基于100重量份的所述分散介質(zhì)。

13.如權(quán)利要求12所述的漿料組合物，其中在所述漿料組合物中不包含拋光加速劑，和所述拋光加速劑為陰離子型低聚物、陰離子型聚合物、羥基酸、和氨基酸之一。

14.制造用于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝的漿料組合物的方法，所述方法包括：

通過將陶瓷顆粒與改性劑混合而制備第一混合物，所述改性劑包括硝酸、硫酸、碳酸、草酸、和甲磺酸的至少一種；

加熱所述第一混合物以獲得經(jīng)改性的陶瓷顆粒；和

將所述陶瓷顆粒與所述改性劑分離并且將所述陶瓷顆粒分散在分散介質(zhì)中以獲得所述漿料組合物。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括：

控制所述漿料組合物的pH值，

其中所述漿料組合物的pH值在1-9的范圍內(nèi)。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中控制所述漿料組合物的pH值包括添加pH控制劑。

17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中加熱所述第一混合物將所述第一混合物加熱至60℃-150℃的溫度。

18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述方法不包括添加拋光加速劑或添加氧化劑。

19.通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝拋光基材的方法，所述方法包括：

將所述基材安置在拋光墊上；

在所述拋光墊和所述基材之間供應(yīng)如權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的漿料組合物；和

在恒定壓力下用所述拋光墊拋光所述基材。

20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述拋光在所述恒定壓力為4psi且所述漿料組合物具有7.0的pH值時(shí)使用所述漿料組合物以的拋光速率拋光所述基材上的氧化硅層。

21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述拋光在所述恒定壓力為4psi且所述漿料組合物具有2.0的pH值時(shí)使用所述漿料組合物以的拋光速率拋光所述基材上的氧化硅層。

22.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述拋光在所述恒定壓力為4psi且所述漿料組合物具有2.0的pH值時(shí)使用所述漿料組合物以的拋光速率拋光所述基材上的鎢層和銅層之一。

23.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述拋光在所述恒定壓力為4psi且所述漿料組合物具有2.0的pH值時(shí)使用所述漿料組合物以的拋光速率拋光所述基材上的氮化硅層。

24.制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體基材上形成第一材料層，所述第一材料層具有凹部；

在所述凹部內(nèi)和在所述第一材料層的整個(gè)表面上形成第二材料層，所述第二材料層包括不同于所述第一材料層的材料的材料；和

通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝拋光所述第二材料層，使得所述第二材料層限定在所述凹部內(nèi)，所述拋光包括，

在拋光墊和所述半導(dǎo)體基材之間供應(yīng)如權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的漿料組合物；和

在恒定壓力下用所述拋光墊拋光所述半導(dǎo)體基材。

25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中

所述第二材料層為金屬層；和

所述漿料組合物的pH值范圍為1-4。