專利名稱：：光致抗蝕用化合物、光致抗蝕液及使用其的蝕刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可以形成微細(xì)圖案的光致抗蝕用化合物和光致抗蝕液。本發(fā)明還涉及使用上述光致抗蝕液的被加工表面的蝕刻方法。
背景技術(shù)：
：在制造半導(dǎo)體元件、磁泡存儲(chǔ)器、集成電路等電子部件的工序中，形成微細(xì)圖案將其作為蝕刻掩模，將位于其下層的表面蝕刻的技術(shù)正被廣泛使用。另外，近年來(lái)LED之類的發(fā)光元件被靈活應(yīng)用于各種用途。該LED中，利用樹(shù)脂等將在基板上層疊了含有發(fā)光層的半導(dǎo)體多層膜的半導(dǎo)體元件(以下，也將其稱為"芯片")封裝，但由于該芯片的光取出口的最上層(或最外層)與封裝的樹(shù)脂之間的折射率不同，因此在兩者的界面引起反射而導(dǎo)致發(fā)光效率下降。由此，以防止該界面處的反射、改善其發(fā)光效率為目的，提出了在上述芯片的光取出口的表面設(shè)置微細(xì)凹凸結(jié)構(gòu)的方案(參考例如日本特開(kāi)2003-174191號(hào)公報(bào)或其英文專利族成員US2002/0195609A1以及曰本特開(kāi)2003-209283號(hào)公報(bào)或其英文專利族成員US2003/0132445Al，它們的所用記載特別作為公開(kāi)內(nèi)容在此引用)。日本特開(kāi)2003-174191號(hào)公報(bào)中，其第5實(shí)施方式公開(kāi)了以下的方法:設(shè)置防反射膜作為構(gòu)成上述發(fā)光二極管的光取出口的最上層，為了在該防反射膜的表面形成微細(xì)的凹凸形狀，事先制造形成有微細(xì)凹凸形狀的模具，利用該模具將上述防反射膜的表面擠壓成形，在光取出口的表面形成凹凸形狀的方法；或者，作為其變形例的用研磨機(jī)在任意方向?qū)⒎婪瓷淠さ谋砻媾植趤?lái)代替使用模具的擠壓成形的方法。但是，前者的方法除了必須制作模具這樣的復(fù)雜工序之外，還存在花費(fèi)模具制作成本的缺點(diǎn)，后者的方法中，通常難以制作均勻的粗面，存在制品中出現(xiàn)性能上的離差的問(wèn)題。另一方面，日本特開(kāi)2003-209283號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了以下的方法利用葉片加工，在構(gòu)成半導(dǎo)體元件的光取出口的最上層的電流擴(kuò)散層，形成截面三角形狀的線與空間(lineandspace)圖案，再進(jìn)行高溫鹽酸處理，在電流擴(kuò)散層的表面形成亞微細(xì)的凹凸的方法；使用光致抗蝕劑在電流擴(kuò)散層上形成線與空間圖案，再通過(guò)反應(yīng)'離子'蝕刻(RIE)，在電流擴(kuò)散層的表面形成與上述同樣的微小的凹凸的方法。但是，這些方法均存在需要復(fù)雜工序的問(wèn)題。作為微細(xì)的凹凸結(jié)構(gòu)的制作、半導(dǎo)體裝置的制作等使用的技術(shù)，一直以來(lái)已知有光刻蝕法。光刻蝕法中，將含有感光性化合物的抗蝕組合物涂布到基板等的表面之后，隔著光致掩模進(jìn)行圖案曝光，接著通過(guò)進(jìn)行顯影來(lái)選擇性除去曝光部或非曝光部的任一者，從而形成抗蝕圖案。之后，將該抗蝕圖案作為蝕刻掩模使用，可以在基板等的表面形成微細(xì)的凹凸圖案或半導(dǎo)體元件。但是，使用了以往的含有感光性化合物的光致抗蝕液的光刻蝕法中，在圖案曝光后必須有顯影工序，結(jié)果增加了僅此部分的工序。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種為進(jìn)行利用光刻蝕法的微細(xì)加工而使用的新光致抗蝕用化合物，更詳細(xì)地講，提供一種可以省略圖案曝光后的顯影工序的新光致抗蝕用化合物。本發(fā)明的另一目的在于，提供使用了上述光致抗蝕用化合物的光致抗蝕液。本發(fā)明的又一目的在于，提供使用上述光致抗蝕液，將希望的表面蝕刻的蝕刻方法。本發(fā)明人為了完成上述目的進(jìn)行了認(rèn)真的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)如對(duì)含有從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物中選擇的色素化合物的色素膜進(jìn)行圖案曝光，則色素經(jīng)發(fā)熱在光照射部分發(fā)生化學(xué)及/或物理的物性變化，可以將該圖案曝光后的色素膜作為蝕刻用掩模使用，于是完成了本發(fā)明。本發(fā)明涉及從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物中選擇的光致抗蝕用化合物。根據(jù)方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(I)所示的具有氧雜菁色素骨架的化合物(以下，也稱為"氧雜菁色素(oxonoldye)")。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>上述氧雜菁色素優(yōu)選選自熱分解溫度為IO(TC以上、50(TC以下的色素。根據(jù)方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(iv)所示的花青色素(cyaninedye)。根據(jù)方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(V)所示的苯乙烯基色素(styryldye)。通式(V)>15R16X上述花青色素或苯乙烯基色素優(yōu)選選自熱分解溫度為IO(TC以上、600ii'C以下的色素。根據(jù)方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(VI)所示的具有部花青色素骨架的化合物(以下，也稱為"部花青色素(merocyanine)")。上述部花青色素優(yōu)選選自熱分解溫度為150'C以上、50(TC以下的色素。根據(jù)方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(vn)所示的具有酞菁色素骨架的化合物(以下，也稱為"酞菁色素(phthalocyaninedye)")。通式(VII)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>通式(VII)所示的酞菁色素優(yōu)選選自下述通式(VIII)所示的化合物。通式(VIII)通式(VI)[通式(Vm沖，R"lTS和R"Res分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、甲?；?、羧基、磺基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的烷基、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基、碳數(shù)110的取代或無(wú)取代的雜環(huán)基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的烷氧基、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳氧基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的酰基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的垸基磺?；⑻紨?shù)614的取代或無(wú)取代的芳基磺?；⑻紨?shù)110的雜原子鍵合(Heteryl)磺酰基、碳數(shù)125的取代或無(wú)取代的氨基甲?；⑻紨?shù)032的取代或無(wú)取代的氨磺?；⑻紨?shù)220的取代或無(wú)取代的烷氧基羰基、碳數(shù)715的取代或無(wú)取代的芳氧基羰基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的?；被?、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的磺?；被蛱紨?shù)036的取代或無(wú)取代的氨基，R"R"和R"R^中的至少8個(gè)為氫原子，R"R"不全為氫原子。M與通式(VII)中的定義相同]根據(jù)方式之一，通式(VIII)中，R"和R"的任一方、R"和R"的任一方、Ra5和Ra6的任一方以及R°7和R°8的任一方不是氫原子。上述酞菁色素優(yōu)選選自熱分解溫度為150'C以上、50(TC以下的色素。根據(jù)方式之一，上述光致抗蝕用化合物選自下述通式(IX)所示的偶氮化合物或者該偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物。通式(IX)Q1—N=N—Q2通式(IX)所示的化合物中，特別優(yōu)選的一組為下述通式(X-1)所示的偶氮化合物以及該偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物。通式(X-1)(、a1^~N=N—Q3、N通式(IX)所示的化合物中，特別優(yōu)選的一組為下述通式(X-2)所示的偶氮化合物以及該偶氮化合物與金屬粒子的絡(luò)合物。通式(X-2)(A2/^_N,—Q4、N上述偶氮化合物以及該偶氮化合物與金屬粒子的絡(luò)合物優(yōu)選選自熱分解溫度為15(TC以上、50(TC以下的化合物和絡(luò)合物。本發(fā)明的其他方式涉及至少含有一種本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的光致抗蝕液。根據(jù)方式之一，以上述光致抗蝕液中所含全部固態(tài)組分為基準(zhǔn)，上述光致抗蝕液中含有50質(zhì)量％以上的上述光致抗蝕用化合物。本發(fā)明的其他方式涉及一種被加工表面的蝕刻方法，其中包括將本發(fā)明的光致抗蝕液涂布到被加工表面形成光致抗蝕膜的工序；對(duì)上述光致抗蝕膜進(jìn)行圖案曝光的工序；以及對(duì)具有上述圖案曝光后的光致抗蝕膜的被加工表面的至少一部分施加蝕刻處理，將與在上述圖案曝光中被曝光的部分相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的被加工表面的至少一部分蝕刻的工序。根據(jù)方式之一，上述圖案曝光中所使用的光是具有入nm的波長(zhǎng)的激光，上述光致抗蝕膜中含有的光致抗蝕用化合物是選自氧雜菁色素、花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素、偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物的化合物，該化合物的最大吸收波長(zhǎng)Amax在入土150nm的范圍。根據(jù)方式之一，上述圖案曝光中所使用的光是具有入nm的波長(zhǎng)的激光，上述光致抗蝕膜中含有的光致抗蝕用化合物為酞菁色素，且該酞菁色素在入土150nm的范圍內(nèi)具有最大吸收。根據(jù)本發(fā)明，僅進(jìn)行圖案曝光就可以形成蝕刻用掩模，換而言之，不用經(jīng)過(guò)利用顯影液的顯影工序，因此，可以將各種制造半導(dǎo)體裝置工序中多次進(jìn)行的光刻蝕法工序的各顯影工序省略，這樣可以實(shí)現(xiàn)大幅的簡(jiǎn)便化。另外，根據(jù)本發(fā)明可以在被加工表面形成微細(xì)凹凸。具體實(shí)施方式[光致抗蝕用化合物]本發(fā)明的光致抗蝕用化合物為從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物中選擇的化合物。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，含有從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物中選擇的化合物(以下，也稱為"色素化合物")的色素膜若局部奪光照射，則光照射部分發(fā)生局部物性變化，與光照射前的色素膜相比，耐蝕刻性下降，另外，新發(fā)現(xiàn)該色素膜可以發(fā)揮作為蝕刻用掩模的功能。對(duì)于該現(xiàn)象，本發(fā)明人進(jìn)行如下的推定。認(rèn)為如對(duì)含有上述色素化合物的色素膜用例如激光束照射點(diǎn)狀光，則光照射部分中，色素化合物發(fā)熱。因該發(fā)熱，色素化合物發(fā)生熱分解等引起物性變化，結(jié)果，色素膜中光照射部分發(fā)生局部物理及/或化學(xué)變化，形成凹坑(開(kāi)口)或局部耐久性下降的部分(低耐久性部)。形成了凹坑的色素膜的作為蝕刻用掩模的功能自不必說(shuō)，低耐久性部在蝕刻工序中更容易被蝕刻，因此經(jīng)圖案曝光形成了低耐久性部的色素膜也可以作為蝕刻用掩模起作用。另外也明確了，含有氧雜菁色素的色素膜自身的耐蝕刻性優(yōu)良，可以作為對(duì)蝕刻的耐久性膜而發(fā)揮良好作用。在此，蝕刻的方法可以是干蝕刻或濕蝕刻。特別是采用干蝕刻時(shí)，由于不需要濕蝕刻液的洗浄工序，因此優(yōu)選。特別是，本發(fā)明人觀察了含有上述色素化合物的色素膜在激光照射中的行為，結(jié)果確認(rèn)了，在激光束的光照射部分的中心部的溫度上升、在周邊部分溫度低下的現(xiàn)象。雖不清楚該周邊部分的溫度下降的理由，但認(rèn)為通過(guò)該周邊部分的溫度下降，可以抑制激光照射部的中心部中因熱分解引起的凹坑形成或低耐久性部形成的情況向周邊部的物性變化的擴(kuò)大，用激光進(jìn)行圖案曝光，可以在色素膜形成比激光束的光束徑更小徑的圖案。因此，通過(guò)利用激光對(duì)色素膜進(jìn)行圖案曝光，僅在比該激光束徑照射的區(qū)域更狹小一段的小徑的曝光區(qū)域成為低耐久性部，結(jié)果可以實(shí)現(xiàn)與以激光束徑比激光更小的光束進(jìn)行圖案曝光的情況相同的微細(xì)的圖案曝光。另外，含有上述色素化合物的色素膜通過(guò)圖案曝光在其照射部形成凹坑或低耐久性部，因此，不需要圖案曝光后的顯影處理，可以在圖案曝光之后進(jìn)行蝕刻工序。本發(fā)明中"光致抗蝕"包括利用該圖案曝光產(chǎn)生的熱形成抗蝕圖案的方式。以下進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的光致抗蝕用化合物。本發(fā)明的光致抗蝕用化合物可以是具有氧雜菁色素骨架的化合物。本發(fā)明中，"具有氧雜菁色素骨架的化合物"是指一種次甲基色素，其中，構(gòu)成發(fā)色團(tuán)的交互共軛系被具有負(fù)電荷的雜原子或碳原子終端，由此，使負(fù)電荷在共軛系整體中非局部化。具有氧雜菁色素骨架的化合物中，從吸光特性、熱分解特性等的觀點(diǎn)出發(fā)，可列舉如下述通式(I)所示的氧雜菁色素。通式(I)16通式(I)中，A、B、C和D分別獨(dú)立地表示吸電子性基團(tuán)，A所示的吸電子性基團(tuán)與B所示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值的合計(jì)為0.6以上，C所示的吸電子性基團(tuán)與D所示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值的合計(jì)為0.6以上，A與B可相互連結(jié)形成環(huán)，C與D可相互連結(jié)形成環(huán)，R表示次甲基碳上的取代基，m表示0以上、3以下的整數(shù)，n表示0以上、(2m+1)以下的整數(shù)，n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)存在的R可以分別相同或不同，也可以相互連結(jié)形成環(huán)，X表示將通式(I)所示化合物的電荷中和的平衡離子。以下，對(duì)通式(I)所示的氧雜菁色素進(jìn)行說(shuō)明。通式(I)中，A、B、C和D分別獨(dú)立地表示吸電子性基團(tuán)。A所示的吸電子性基團(tuán)與B所示的吸電子性基團(tuán)的哈米特取代基常數(shù)op值(以下，稱為op值)的合計(jì)為0.6以上，C所示的吸電子性基團(tuán)與D所示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值的合計(jì)為0.6以上。上述哈米特op值的合計(jì)如為0.6以上，則可以實(shí)現(xiàn)作為光致抗蝕用化合物的適合的吸收特性和熱分解性。A、B、C和D可以分別相同或不同。另夕卜，A與B或者C與D也可以連結(jié)形成環(huán)。A所示的吸電子性基團(tuán)與B所示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值的合計(jì)以及C所示的吸電子性基團(tuán)與D所示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值的合計(jì)分別優(yōu)選為0.61.7，更優(yōu)選為0.71.6。另夕卜，A、B、C以及D所示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值優(yōu)選分別獨(dú)立地在0.300.85的范圍，更優(yōu)選在0.350.80的范圍。哈米特op值已記載在例如Chem.Rev.91，165(1991)以及其引用的參考文獻(xiàn)中，沒(méi)有記載的內(nèi)容也可以通過(guò)該文獻(xiàn)記載的方法求得。A與B(或者C與D)連結(jié)形成環(huán)時(shí)，A(或C)的op值表示-A-B-H(或-C-D-H)基的op值，B(或D)的op值表示-B-A-H(或-D-C-H)基的op值。此時(shí)，由于兩者的結(jié)合的方向不同，因此op值不同。作為A、B、C和D所示的吸電子性基團(tuán)的優(yōu)選具體示例，可例如氰基、硝基、碳數(shù)110的?；?例如乙?；?、丙酰基、丁?；?、三甲基乙?；⒈郊柞；?、碳數(shù)212的垸氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、癸氧基羰基)、碳數(shù)711的芳氧17基羰基(例如，苯氧基羰基)、碳數(shù)110的氨基甲酰基(例如，甲基氨基甲?；?、乙基氨基甲?；?、苯基氨基甲?；?、碳數(shù)110的烷基磺酰基(例如，甲烷磺?；?、碳數(shù)610的芳基磺?；?例如，苯磺?；?、碳數(shù)110的垸氧基磺?；?例如，甲氧基磺?；?、碳數(shù)110的氨磺酰基(例如，乙基氨磺?；⒈交被酋；?、碳數(shù)110的烷基亞硫酰基(例如，甲垸亞硫?；⒁彝閬喠蝓；?、碳數(shù)610的芳基亞硫酰基(例如，苯亞硫?；?、碳數(shù)110的烷基亞氧硫基(alkylsulfenyl)(例如，甲亞氧硫基、乙亞氧硫基)、碳數(shù)610的芳亞氧硫基(例如，苯亞氧硫基)、鹵原子、碳數(shù)210的炔基(例如，乙炔基),、碳數(shù)210的二?；被?例如，二乙?；被?、磷?；Ⅳ然?、5元或6元的雜環(huán)基(例如，2-苯并噻唑啉基、2-苯并噻唑啉基、3-吡啶基、5-(1H)-四唑基、4-嘧啶基)。通式(I)中，作為R所示的次甲基碳上的取代基，可列舉如以下記載的取代基。碳數(shù)120的鏈狀或環(huán)狀的垸基(例如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基)、碳數(shù)618的取代或無(wú)取代的芳基(例如，苯基、氯苯基、茴香基、甲苯酰基、2，4-二-t-戊基、l-萘基)、烯基(例如，乙烯基、2-甲基乙烯基)、炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)、鹵原子(例如F、Cl、Br、I)、氰基、羥基、羧基、?；?例如，乙?；?、苯甲?；?、水楊?；?、三甲基乙?；?、烷氧基(例如，甲氧基、丁氧基、環(huán)己基氧基)、芳氧基(例如，苯氧基、l-萘氧基)、烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、芐硫基、3-甲氧基丙基硫基)、芳硫基(例如，苯硫基、4-氯苯硫基)、烷基磺?；?例如，甲烷磺?；?、丁烷磺酰基)、芳基磺酰基(例如，苯磺?；?duì)甲苯磺?；?、碳數(shù)110的氨基甲?；?、碳數(shù)110的酰胺基、碳數(shù)212的酰亞胺基、碳數(shù)210的酰氧基、碳數(shù)210的烷氧基羰基、雜環(huán)基(例如，吡啶基、噻嗯基、呋喃基、噻唑啉基、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環(huán)，吡咯烷環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、吡喃環(huán)、硫代吡喃環(huán)、二噁垸環(huán)、二硫雜環(huán)戊垸環(huán)等脂肪族雜環(huán))。作為R，可列舉如鹵原子、碳數(shù)18的鏈狀或環(huán)狀的垸基、碳數(shù)6IO的芳基、碳數(shù)18的烷氧基、碳數(shù)610的芳氧基、碳數(shù)310的雜環(huán)基，特別優(yōu)選氯原子、碳數(shù)14的烷基(例甲基、乙基、異丙基)、18苯基、碳數(shù)14的垸氧基(例甲氧基、乙氧基)、苯氧基、碳數(shù)48的含氮雜環(huán)基(例如，4-吡啶基、苯并噁唑-2-基、苯并噻唑-2-基)。n表示0以上、(2m+l)以下的整數(shù)。另夕卜，m的詳細(xì)情況如后所述。N為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)存在的R可以分別相同或不同，也可以相互連結(jié)形成環(huán)。此時(shí)環(huán)元數(shù)優(yōu)選48，特別優(yōu)選5或6，環(huán)的構(gòu)成原子優(yōu)選碳原子、氧原子及/或氮原子，特別優(yōu)選碳原子。A、B、C、D以及R還可以具有取代基，作為取代基的示例，可以例舉與之前作為通式(I)中R所示的一價(jià)取代基的示例而例舉的相同示例。另外，本發(fā)明中，對(duì)于某些基而言，"碳數(shù)"在具有取代基的基中是指不包括該取代基的部分的碳數(shù)。作為通式(I)所示的氧雜菁色素，從熱分解性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選的是A與B、及/或C與D連結(jié)形成環(huán)，作為該環(huán)的示例可列舉如下的環(huán)。另外，例示中，Ra、Rb與Rc各自獨(dú)立地表示氫原子或取代基。Ra、Rb以及Rc表示的取代基的詳細(xì)情況分別與對(duì)R的之前的記載相同。另外Ra、Rb以及Rc也可以分別相互連結(jié)形成碳環(huán)或雜環(huán)。作為碳環(huán)，例如環(huán)己垸、環(huán)戊垸、環(huán)己烯以及苯環(huán)等飽和或不飽和的47元的碳環(huán)。作為雜環(huán)，可列舉如哌啶環(huán)、哌嗪環(huán)、嗎啉環(huán)、四氫呋喃環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡啶環(huán)、以及吡嗪環(huán)等飽和或不飽和的47元的雜環(huán)。這些碳環(huán)或雜環(huán)還可以被取代。作為還可以取代的基團(tuán)，可以例舉與作為上述R表示的取代基而例舉的基團(tuán)。A-1A-2A-3A-4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>A-63A-64Po上述中，優(yōu)選的環(huán)為A-8、A-9、A-IO、A-ll、A-12、A-13、A-14、A-16、A-17，A-36、A-39、A-41、A-54以及A-57所示的環(huán)。更優(yōu)選的環(huán)為A-8、A-9、A-IO、A-13、A-14、A-16、A-17以及A-57所示的環(huán)。最優(yōu)選的環(huán)狀為A-9、A誦IO、A-13、A-17以及A-57所示的環(huán)。通式(I)中，m表示0以上、3以下的整數(shù)。根據(jù)該m的值的不同，通式(I)所示的氧雜菁色素的吸收波長(zhǎng)大幅變化。優(yōu)選選擇m的值使其具有相應(yīng)于抗蝕加工中所用的激光的振蕩波長(zhǎng)(oscillatorlength)的最適吸收波長(zhǎng)。詳細(xì)情況如后所述，使用本發(fā)明的光致抗蝕用化合物進(jìn)行抗蝕加工時(shí)，作為抗蝕加工中所用的光，可以使用被用于光記錄的激光。例如，抗蝕加工中所用的激光的中心振蕩波長(zhǎng)為780nm時(shí)(CD-R記錄用的半導(dǎo)體激光)，通式(I)中，m優(yōu)選為2或3，中心振蕩波長(zhǎng)為635nm或650nm時(shí)(DVD-R記錄用的半導(dǎo)體激光)，m優(yōu)選為1或2，中心振蕩波長(zhǎng)為550nm以下時(shí)(例如，中心振蕩波長(zhǎng)405nm的青紫色半導(dǎo)體激光)，m優(yōu)選為0或1，特別優(yōu)選為0。通式(I)中，X所示的平衡離子是將通式(I)所示的化合物的電荷中和的離子，可以是陰離子或陽(yáng)離子，另外可以是單獨(dú)的離子性種，也可以是多個(gè)離子性種的組合。通常為陽(yáng)離子，可以是無(wú)機(jī)陽(yáng)離子也可以是有機(jī)陽(yáng)離子。作為無(wú)機(jī)的陽(yáng)離子，可列舉如氫離子、金屬離子、銨離子(NH4+)，優(yōu)選金屬離子，特別優(yōu)選堿金屬離子(例Li+、Na+、K+)或者過(guò)渡金屬離子(例Cu2+、C02+)。另外，過(guò)渡金屬離子中也可以配位有有機(jī)配位基。作為X所示的有機(jī)的陽(yáng)離子，優(yōu)選鐵離子，特別優(yōu)選下述通式(III)所示的陽(yáng)離子。這些化合物通過(guò)對(duì)應(yīng)的二吡啶基與具有目的取代基的鹵化物的門舒特金反應(yīng)(例如，參考日本特開(kāi)昭61-148162號(hào)公報(bào)參照)，或者以日本特開(kāi)昭51-16675號(hào)公報(bào)以及日本特開(kāi)平1-96171號(hào)公報(bào)中記載的方法為基準(zhǔn)的芳基化反應(yīng)，來(lái)容易獲得。通式(III)通式(m)中，R"和R^分別獨(dú)立地表示垸基、烯基、炔基、芳基或雜環(huán)基，.R"表示取代基，.s表示08范圍的整數(shù)。s為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)存在的R"可以分別相同或不同，也可以相互連結(jié)形成環(huán)?！ㄊ?III)中，R"或R"所示的垸基可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的任一種。優(yōu)選為碳數(shù)118的烷基，更優(yōu)選為碳數(shù)18的烷基。作為上述垸基的具體例，可列舉如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、異戊基、正己基、環(huán)己基、2-乙基己基、正辛基。通式(m)中，R"或R"所示的烯基優(yōu)選為碳數(shù)218的烯基，更優(yōu)選為碳數(shù)28的烯基。作為具體示例，可列舉如乙烯基、2-丙烯基、2-甲基丙烯基、1,3-丁二烯基。通式(III)中，R"或R"所示的炔基優(yōu)選為碳數(shù)218的炔基，更優(yōu)選為碳數(shù)28的炔基。作為具體示例，可列舉如乙炔基、丙炔基、3,3-二甲24基丁炔基。通式(m)中，R"或R^所示的芳基優(yōu)選為碳數(shù)618的芳基，更優(yōu)選為碳數(shù)610的芳基。作為具體示例，可列舉如苯基、l-萘基、2-萘基。通式(III)中，R"或R"所示的雜環(huán)基優(yōu)選為碳數(shù)47的飽和或不飽和的雜環(huán)基，作為含有的雜原子，優(yōu)選氮原子、氧原子、硫原子。作為具體示例可列舉如4-吡啶基、2-吡啶基、2-吡嗪基、2-嘧啶基、4-嘧啶基、2_咪唑基、2-呋喃基、2-硫苯基、2-苯并噁唑基、2-苯并噻唑基。通式(III)中，R"或R^所示的烷基、烯基、炔基、芳基或雜環(huán)基還可以具有取代基，取代基可以例舉與作為通式(I)中的R表示的取代基而舉例的示例相同的例子。通式(III)中，R"表示取代基。R33表示的取代基的詳細(xì)情況與對(duì)通式(I)中的R表示的取代基而描述的內(nèi)容相同，優(yōu)選碳數(shù)118的取代或無(wú)取代的烷基，更優(yōu)選碳數(shù)18的無(wú)取代烷基。通式(III)中，s表示08范圍的整數(shù)，優(yōu)選04范圍的整數(shù)，更優(yōu)選02范圍的整數(shù)，特別優(yōu)選O。s為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)存在的R"分別相同或不同，也可相互連結(jié)形成環(huán)。另外，通式(III)中，兩個(gè)吡啶環(huán)可以在任意位置連結(jié)，優(yōu)選在吡啶環(huán)的2位或4位連結(jié)，特別優(yōu)選在兩吡啶環(huán)的4位之間連結(jié)。通式(I)所示的氧雜菁色素可以在任意位置結(jié)合形成多聚體，此時(shí)的各單元可以分別相同或不同，也可以與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈相結(jié)合。.通式(I)中，根據(jù)陰離子的局部存在位置的表記不同而包括多個(gè)互變異構(gòu)體，特別是，當(dāng)A、B、C、D的任一個(gè)為-CO-E(E為取代基)時(shí)，一般使負(fù)電荷局部存在于氧原子上來(lái)進(jìn)行表記。例如，當(dāng)D為-CO-E時(shí)，作為表記一般為下述通式(II)，該表記的通式也包含于通式(I)中。通式(II)25<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>通式(II)中，A、B、C、R、m、n、x的定義與通式(I)中的相同。作為通式(I)所示的氧雜菁色素的具體例，可列舉如在日本特開(kāi)昭63-209995號(hào)公報(bào)或其英文專利族成員美國(guó)專利第4968593號(hào)、日本特開(kāi)平10-297103號(hào)公報(bào)或其英文專利族成員美國(guó)專利第6670475號(hào)、日本特開(kāi)平11-348420號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)2000-52658號(hào)公報(bào)或其英文專利族成員美國(guó)專利第6225024號(hào)、日本特開(kāi)2000-272241號(hào)公報(bào)中記載的氧雜菁色素的具體例。以下例舉其一部分化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>從利用激光進(jìn)行圖案曝光時(shí)的靈敏度的角度出發(fā)，作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的具有氧雜菁色素骨架的化合物的熱分解溫度優(yōu)選為100°C以上、60(TC以下，更優(yōu)選為IO(TC以上、50(TC以下，更優(yōu)選為120"C以上、400。C以下，最優(yōu)選為15(TC以上、300。C以下。本發(fā)明中的熱分解溫度是經(jīng)TG/DTA測(cè)定而求得的值。具體可以使用例如SeikoInstrumentsInc.制EXSTAR6000，在&氣流下(流量200ml/min)、在30"C55(TC的范圍內(nèi)以10°C/min的速度進(jìn)行升溫，作為質(zhì)量減少率達(dá)到10%時(shí)的溫度求得熱分解溫度。作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的具有氧雜菁色素骨架的化合物可以通過(guò)公知的方法合成，或可以作為市售品得到。對(duì)于合成方法可以參考作為之前記載了氧雜菁色素的具體例的參考文獻(xiàn)而列舉的文獻(xiàn)。本發(fā)明的光致抗蝕用化合物可以為選自花青色素和苯乙烯基色素的化合物。本發(fā)明中，"花青色素"是指一種次甲基色素，其中，構(gòu)成發(fā)色團(tuán)的交互共軛系被具有正電荷的雜原子終端，由此，使正電荷在共軛系整體中非局部化。"苯乙烯基色素"是指具有正電荷的雜原子與碳環(huán)式芳香環(huán)經(jīng)二次曱基鏈或多次甲基鏈結(jié)合了的結(jié)構(gòu)的色素。選自花青色素和苯乙烯基色素的化合物中，作為本發(fā)明的光致抗蝕劑化合物的優(yōu)選示例，從吸光特性、熱分解特性等角度出發(fā)，可列舉如下述通式(IV)所示的花青色素和下述通式(V)所示的苯乙烯基色素。通式(iv)一<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>[通式(IV)中，Z1和Z2分別獨(dú)立地表示形成可稠環(huán)的5元或6元含氮雜環(huán)所必要的非金屬原子組，L1、I以及y分別獨(dú)立地表示次甲基鏈，!^表示02范圍的整數(shù)，Ri以及W分別獨(dú)立地表示取代基，r^表示2時(shí)，多個(gè)存在的l2、lS可以相同或不同。p和q分別獨(dú)立地表示o或l，R11、R12、R"和R"分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基。^表示將通式(IV)所示的化合物的電荷中和的平衡離子。.]通式(V)r3—以下，對(duì)通式(IV)和(V)所示的化合物進(jìn)行說(shuō)明。通式av)通式(IV)中，Z1和Z2分別獨(dú)立地表示形成可稠環(huán)的5元或6元含氮雜環(huán)所必要的非金屬原子組，p和q分別獨(dú)立地表示O或l。由Zi和ZZ形成的含氮雜環(huán)可以是無(wú)取代的，也可以有取代基。對(duì)上述取代基沒(méi)有特別的限定，作為其具有示例，可以例舉后述的R1、RZ表示的取代基的示例。作為上述含氮雜環(huán)的具體例，p或q為0時(shí)，可以舉出苯并噻唑、苯并噁唑、苯并咪唑、假噴哚、噻唑、噻唑啉、噁唑、噁唑啉、咪唑、咪唑啉、2-吡啶鑰、2-喹啉鑰、以及稠環(huán)形成它們的化合物，當(dāng)p或q為1時(shí)，可列舉如4-吡啶鐵、4-喹啉鐵、以及稠環(huán)形成它們的化合物。優(yōu)選苯并噻唑、苯并噁唑、苯并咪唑、假剛哚，再優(yōu)選苯并噁唑、假巧l哚，最優(yōu)選假剛哚。R'和RS分別獨(dú)立地表示取代基。作為取代基，可列舉如以下的示例。碳數(shù)11S(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的直鏈狀、分支鏈狀或環(huán)狀的烷基(例如，甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)己基、甲氧基乙基、乙氧基羰基乙基、氰基乙基、二乙基氨基乙基、羥乙基、氯乙基、乙酸基乙基、三氟甲基等)；碳數(shù)21S(優(yōu)選為碳數(shù)28)的烯基(例如，乙烯基等)；碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)28)的炔基(例如，乙炔基等)；碳數(shù)61S(優(yōu)選為碳數(shù)610)的取代或無(wú)取代的芳基(例如，苯基、4-甲基苯酚基、4-甲氧基苯基、4-羧基苯基、3，5-二羧基苯基等)；碳數(shù)71S(優(yōu)選為碳數(shù)712)的取代或無(wú)取代的芳烷基(例如，節(jié)基、羧基芐基等)；碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)28)的取代或無(wú)取代的?；?例如，乙?；?、丙?；?、丁?；?、氯乙酰基等)；碳數(shù)11S(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的烷基或芳基磺酰基(例如，甲垸磺?；?、p-甲苯磺?；?；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的烷基亞硫?；?例如，甲垸亞硫?；?、乙烷亞硫酰基、辛垸亞硫酰基等)；碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)28)的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等)；碳數(shù)718(優(yōu)選為碳數(shù)712)的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基、4-甲基苯氧基羰基、4-甲氧基苯基羰基等)；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、正丁氧基、甲氧基乙氧基等)；碳數(shù)61S(優(yōu)選為碳數(shù)610)的取代或無(wú)取代的芳氧基(例如，苯氧基、4-甲氧基苯氧基等)；碳數(shù)11S(優(yōu)選為碳數(shù)18)的垸硫基(例如，甲硫基、乙硫32基等)；碳數(shù)610(優(yōu)選為碳數(shù)18)的芳硫基(例如，苯硫基等)；碳數(shù)21S(優(yōu)選為碳數(shù)28)的取代或無(wú)取代的酰氧基(例如，乙酸基、乙基羰基氧基、環(huán)己基羰基氧基、芐氧基、氯乙?；趸?；碳數(shù)l18(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的磺酰氧基(例如，甲垸磺酰氧基等)；碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)28)的取代或無(wú)取代的氨基甲酰氧基(例如，甲基氨基甲酰氧基、二乙基氨基甲酰氧基等)；無(wú)取代的氨基、或碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代氨基(例如，甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、苯胺基、甲氧基苯基氨基、氯苯基氨基、吡啶基氨基、甲氧基羰基氨基、正丁氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、苯基氨基甲?；被?、乙基硫代氨基甲?；被⒓谆被酋；被?、苯基氨磺?；被?、乙基羰基氨基、乙基硫代羰基氨基、環(huán)己基羰基氨基、芐基氨基、氯乙?；被⒓综酋；被⒈交酋；被?；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的酰胺基(例如，乙酰胺基、乙酰基甲基酰胺基、乙?；刘０坊?；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的脲基(例如，無(wú)取代的脲基、甲基脲基、乙基脲基、二甲基脲基等)，碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的氨基甲?；?例如，無(wú)取代的氨基甲?；?、甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基、正丁基氨基甲?；⑹宥』被柞；?、二甲基氨基甲?；?、嗎啡代氨基甲酰基、吡咯烷代氨基甲酰基等)；無(wú)取代的氨磺酰基或碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代氨磺?；?例如，甲基氨磺?；?、苯基氨磺?；?；鹵原子(例如，氟原子、氯原子、溴原子等)；羥基；巰基;硝基；氰基；羧基；磺基；膦酰基(例如，二乙氧基膦?；?；雜環(huán)基(例如，噁唑環(huán)、苯并噁唑環(huán)、噻唑環(huán)、苯并噻唑環(huán)、咪唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、假剛哚環(huán)、吡啶環(huán)、嗎啉環(huán)、哌啶環(huán)、吡咯烷環(huán)、環(huán)丁砜環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡唑環(huán)、吡咯環(huán)、色滿環(huán)以及香豆素環(huán)等)。作為R1、R2，優(yōu)選碳數(shù)118的烷基，最優(yōu)選甲基。R11、R12、1113和1114分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基。R11、R12、R13、R"為取代基時(shí)的取代基沒(méi)有特別的限定。作為上述取代基的示例，可列舉如作為R1、W表示的取代基的示例而例舉的取代基。通式(IV)中，L1、1^和I^分別獨(dú)立地表示次甲基鏈。次甲基鏈可以具例而例舉的示例。優(yōu)選沒(méi)有取代基。mi表示02范圍的整數(shù)。M表示2時(shí)，多個(gè)存在的L2、！^可以相同或不同。n^優(yōu)選為0或l，最優(yōu)選為O。X1表示將通式(IV)所示化合物的電荷中和的平衡離子。某些色素是否為陽(yáng)離子、陰離子，或者是否具有帶正的離子電荷取決于其助色團(tuán)和取代基。取代基具有解離性基時(shí)，可以解離而帶負(fù)電荷，此時(shí)分子整體的電荷被X'中和。典型的陽(yáng)離子為無(wú)機(jī)或有機(jī)的銨離子(例如，四垸基銨離子、吡啶鎿離子)以及堿金屬離子，另一方面，陰離子可以為無(wú)機(jī)陰離子或有機(jī)陰離子的任一種，例如，鹵素陰離子(例如，氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子、碘化物離子)、取代芳基磺酸離子(例如，p-甲苯磺酸離子、p-氯苯磺酸離子)、芳基二磺酸離子(例如，1，3-苯二磺酸離子、1，5-萘二磺酸離子、2，6-萘二磺酸離子)、烷基硫酸離子(例如，甲基硫酸離子)、硫酸離子、硫氰酸離子、高氯酸離子、四氟硼酸離子、古液酸離子、醋酸離子、三氟甲烷磺酸離子。另外，作為電荷均衡平衡離子，可以使用離子性聚合物，或者具有與色素相反電荷的其他色素，也可以使用金屬配位離子(例如，二苯-1，2-二硫醇鎳(m)、偶氮色素螯合物)。通式(V)通式(V)中，表示形成可以稠環(huán)的5元或6元的含氮雜環(huán)所必要的非金屬原子組。r表示0或1，與^一起形成的含氮雜環(huán)的具體例等的詳細(xì)情況與通式(IV)中的與Z1、ZZ—起形成的含氮雜環(huán)相同。R15以及R16分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基。對(duì)于R15、R"為取代基時(shí)的取代基以及^具有取代基時(shí)的取代基沒(méi)有特別的限定。作為上述取代基的示例，可列舉如作為R1、W表示的取代基的示例而例舉的取代基。R3、R4、RS以及W分別獨(dú)立地表示取代基。113116的具體例等的詳細(xì)情況與通式(IV)中的R1、f同樣。士表示04范圍的整數(shù)。！^為2以上時(shí)，多個(gè)存在的W可以相同也可以不同。士?jī)?yōu)選為0。通式(V)中，"和LS分別獨(dú)立地表示次甲基鏈。次甲基鏈也可以具有取代基作為取代基的示例，可列舉與通式(IV)中的R1、W表示的取代基的示例而例舉的取代基。優(yōu)選沒(méi)有取代基。XZ表示將通式(V)所示化合物的電荷中和的平衡離子。X2的具體例等的詳細(xì)情況與通式(IV)中的X^目同。作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的花青色素和苯乙烯基色素的具體示例，可列舉如日本特開(kāi)2001-232945號(hào)公報(bào)中記載的花青色素以及日本特開(kāi)2002-74740號(hào)公報(bào)中記載的苯乙烯基色素。以下，示例了其一部分化合物。IV-lIV-65為花青色素的具體例，V-1V-10為苯乙烯基色素的具體例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage38</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula>CICV從利用激光進(jìn)行圖案曝光時(shí)的靈敏度的角度出發(fā)，作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的花青色素以及苯乙烯基色素的熱分解溫度優(yōu)選ioo'c以上、600。C以下，更優(yōu)選120。C以上、550。C以下，最優(yōu)選150。C以上、500°。以下。作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的花青色素以及苯乙烯基色素可以通過(guò)公知的方法合成，還可以作為市售品獲得。本發(fā)明的光致抗蝕用化合物可以為具有部花青色素骨架的化合物。本發(fā)明中，"部花青色素骨架"是指具有電中性的次甲基系發(fā)色團(tuán)的色素骨架。具有部花青色素骨架的化合物中，作為從吸光特性、熱分解特性等角度出發(fā)優(yōu)選的部花青色素，可列舉如下述通式(VI)所示的部花青色素。通式(VI)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula>通式(VI)中，Z11表示與X11和X12—起形成5元或6元雜環(huán)的原子團(tuán)，X"和X"分別獨(dú)立地表示碳原子或雜原子，Xn和X"中的至少一方表示雜原子。雜原子優(yōu)選氮原子或硫原子。作為由Z11、xn和x"形成的雜環(huán)，可列舉如噻唑啉環(huán)、噁唑啉環(huán)、二噻茂環(huán)、咪唑啉環(huán)、或它們的苯并稠環(huán)體、或具有以下示例結(jié)構(gòu)的雜環(huán)等。上述中，WRS分別獨(dú)立地表示取代基。對(duì)于取代基沒(méi)有特別的限定，例如，作為雜環(huán)可以具有的取代基，可列舉如后述的取代基。其中，上述雜環(huán)優(yōu)選為噻唑啉環(huán)、噁唑啉環(huán)、二噻茂環(huán)、咪唑啉環(huán)、或它們的苯并稠環(huán)體，最優(yōu)選為苯并噻唑啉環(huán)、苯并噁唑啉環(huán)、苯并二噻茂環(huán)或苯并咪唑啉環(huán)。它們也可以再經(jīng)其他芳香環(huán)稠環(huán)。上述雜環(huán)也可以具有氫原子以外的取代基。作為優(yōu)選的取代基的示例，可列舉如碳原子數(shù)120的烷基、碳原子數(shù)614的芳基、碳原子數(shù)715的芳垸基、碳原子數(shù)110的雜環(huán)基、碳原子數(shù)120的垸氧基、碳原子數(shù)614的芳氧基、碳原子數(shù)120的烷基亞氧硫基、碳原子數(shù)614的芳亞氧硫基、碳原子數(shù)120的烷基磺?；?、碳原子數(shù)614的芳基磺?；?、碳原子數(shù)221的酰基、碳原子數(shù)125的氨基甲?；?、碳原子數(shù)032的氨磺?；?、碳原子數(shù)120的垸氧基羰基、碳原子數(shù)715的芳氧基羰基、碳原子數(shù)221的酰基氨基、碳原子數(shù)120的磺?；被?、碳原子數(shù)032的氨基、氰基、硝基、羥基、羧基、磺基以及鹵原子，更優(yōu)選的示例可列舉如碳原子數(shù)316的烷基、碳原子數(shù)610的芳基、碳原子數(shù)316的烷氧基、碳原子數(shù)610的芳氧基。通式(VI)中，Yi和YS分別獨(dú)立地表示取代基，Yi和YS的至少一方表示氰基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺酰基、芳基磺酰基或氨基磺?；Ｗ鳛樯鲜鲋獾娜〈?，可列舉如作為之前雜環(huán)可以具有的取代基而示例的取代基。Yi和yz優(yōu)選兩者分別獨(dú)立地表示氰基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺?；?、芳基磺?；虬被酋；?。Y1、￥2優(yōu)選為氰基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基或氨基羰基。y1、yz為烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基或氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺酰基、芳基磺酰基或氨基磺?；鶗r(shí)，還可以具有取代基，作為該取代基的示例，可列舉如碳原子數(shù)120的烷基、碳原子數(shù)614的芳基、碳原子數(shù)715的芳烷基、碳原子數(shù)110的雜環(huán)基、碳原子數(shù)120的烷氧基、碳原子數(shù)614的芳氧基、碳原子數(shù)120的垸基亞氧硫基、碳原子數(shù)614的芳亞氧硫基、碳原子數(shù)120的烷基磺酰基、碳原子數(shù)614的芳基磺酰基、碳原子數(shù)221的?；⑻荚訑?shù)125的氨基甲?；⑻荚訑?shù)032的氨磺?；⑻荚訑?shù)120的垸氧基羰基、碳原子數(shù)715的芳氧基羰基、碳原子數(shù)221的?；被?、碳原子數(shù)120的磺?；被?、碳原子數(shù)032的氨基、氰基、硝基、羥基、羧基、磺基和鹵原子，優(yōu)選的示例為碳原子數(shù)316的烷基或碳原子數(shù)610的芳基。Yi與yz也可以結(jié)合形成環(huán)。作為形成的環(huán)可列舉如上述示例環(huán)結(jié)構(gòu)A-1A-64。優(yōu)選的環(huán)為A-8、A-9、A誦IO、A-ll、A國(guó)12、A-13、A-14、A-16、A-17,A-36、A-39、A-41、A-54以及A-57表示的環(huán)。更優(yōu)選的環(huán)為A誦2、A-8、A-9、A-IO、A-13、A誦14、A扁16、A-17以及A-57所示的環(huán)。最優(yōu)選的環(huán)為A-2、A-9所示的環(huán)。通式(VI)中，LH和L"分別獨(dú)立地表示次甲基。次甲基可以具有取代基，作為取代基的示例可列舉如作為雜環(huán)可以具有的取代基而示例的取代基。通式(VI)中，W表示02范圍的整數(shù)。從波長(zhǎng)適應(yīng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選O或l,最優(yōu)選O。通式(VI)所示的化合物可以在任意的位置結(jié)合形成多聚體，此時(shí)的各單元可以相同或不同，或者，也可以與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈相結(jié)合。通式(VI)所示的化合物可以具有電荷也可以為中性。通式(VI)所示的化合物是否為陽(yáng)離子、陰離子，或者是否具有帶正的離子電荷取決于其助色團(tuán)和取代基。取代基具有解離性基時(shí)，可以解離而帶負(fù)電荷，此時(shí)分子整體的電荷被任意的平衡離子中和。作為平衡離子的典型的陽(yáng)離子為無(wú)機(jī)或有機(jī)的銨離子(例如四垸基銨離子、吡啶鑰離子)以及堿金屬離子。另一方面，陰離子可以為無(wú)機(jī)陰離子、有機(jī)陰離子的任一種，例如，鹵素陰離子(例如，氟化物離子、氯化物、溴化物離子、碘化物離子)、取代芳基磺酸離子(例如，p-甲苯磺酸離子、p-氯苯磺酸離子)、芳基二磺酸離子(例如，1，3-苯二磺酸離子、1，5-萘二磺酸離子、2，6-萘二磺酸離子)、烷基硫酸離子(例如，甲基硫酸離子)、硫酸離子、硫氰酸離子、高氯酸離子、四氟硼酸離子、古液酸離子、醋酸離子、三氟甲烷磺酸離子。另外，作為電荷均衡平衡離子，可以使用離子性聚合物，或者具有與色素相反電荷的其他色素，也可以使用金屬配位離子(例如，二苯-1，2-二硫醇鎳(III)、偶氮色素螯合物)。以下例舉了通式(VI)所示化合物的優(yōu)選具體例，本發(fā)明不限于這些。47<table>tableseeoriginaldocumentpage48</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage49</formula>化合物X2、Y2S-16SSCNCNS-17sN_GH2CH3GNG02CH2CH:S-180N-CH3C02CH3C02CH3S-19N-CH2GH3N-GH2CH3COCH2GH2CH3COCH3S-20SSCNCF349<formula>formulaseeoriginaldocumentpage50</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage51</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage52</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula>作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的具有部花青色素骨架的化合物可以通過(guò)公知的方法合成，或者可以作為市售品得到。例如，通式(VI)所示的化合物可以通過(guò)F.M.Harmer著"HeterocyclicCompounds-CyanineDyesandRelatedCompounds",JohnWiley&Sons公司紐約,倫敦，1964年刊；D.M.Sturmer著"HeterocyclicCompounds-Specialtopicsinheterocyclicchemistry",第18章,第14節(jié),第482至515項(xiàng)，JohnWiley&Sons公司紐約,倫敦，1977年刊；"Rodd'sChemistryofCarbonCompounds"第2版，第IV巻，B部分,1977刊，第15章,第369至422項(xiàng)，ElsevierSciencePublishingCompanyInc.社刊，紐約；英國(guó)專利第1077611號(hào)等中全部的記載，特別是在此作為公開(kāi)內(nèi)容援引等記載、引用或其類似的方法來(lái)合成。從利用激光進(jìn)行圖案曝光時(shí)的靈敏度的角度出發(fā)，作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的具有部花青色素骨架的化合物的熱分解溫度優(yōu)選為100°C以上、60(TC以下，更優(yōu)選為IO(TC以上、60(TC以下，更優(yōu)選為12(TC以上、55(TC以下，最優(yōu)選15(TC以上、50(TC以下。本發(fā)明的光致抗蝕用化合物可以為具有酞菁色素骨架的化合物。具有酞菁色素骨架的化合物中，作為從吸光特性、熱分解特性等角度優(yōu)選的酞菁色素，可列舉如下述通式(VII)所示的酞菁色素。通式(vn)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage56</formula>通式(vn)中，r"表示取代基。作為上述取代基，例舉如作為后述通式(Vin)中的R°^R。8和R"R"而例舉的取代基。113表示18范圍的整數(shù)，優(yōu)選為16、更優(yōu)選為14。113為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)存在的R"可以相同或不同。M表示2個(gè)氫原子、24價(jià)的金屬原子、24價(jià)的氧代金屬原子、或具有配位基的24價(jià)的金屬原子。其具體例以及優(yōu)選示例中針對(duì)通式(vm)如后所述。作為通式(vn)所示酞菁色素的優(yōu)選方式，可列舉如下述通式(vm)所示的酞菁色素。通式(VIII)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage57</formula>通式(Vm)中，R"R。s和R"Res分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、甲?；?、羧基、磺基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的垸基、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基、碳數(shù)110的取代或無(wú)取代的雜環(huán)基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的烷氧基、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳氧基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的?；?、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的垸基磺?；?、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基磺酰基、碳數(shù)110的雜原子鍵合磺?；?、碳數(shù)125的取代或無(wú)取代的氨基甲酰基、碳數(shù)032的取代或無(wú)取代的氨磺酰基、碳數(shù)220的取代或無(wú)取代的烷氧基羰基、碳數(shù)715的取代或無(wú)取代的芳氧基羰基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的?；被⑻紨?shù)120的取代或無(wú)取代的磺?；被?、或碳數(shù)036的取代或無(wú)取代的氨基。在此，氨基中包括苯胺基。另外，從溶劑溶解性、吸收特性以及熱分解性的角度出發(fā)，R"R。s以及R"R^中的至少8個(gè)為氫原子，R"R"不全為氫原子。R"R。s以及R"Res優(yōu)選分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、羧基、磺基、碳數(shù)116的取代或無(wú)取代的垸基(例如，甲基、乙基、正丙基、i-丙基)、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基(例如，苯基、p-甲氧基苯基、p-十八烷基苯基)、碳數(shù)116的取代或無(wú)取代的垸氧基(例如，甲氧基、乙氧基、正辛氧基)、碳數(shù)610的取代或無(wú)取代的芳氧基(例如，苯氧基、p-乙氧基苯氧基)、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的烷基磺?；?例如，甲烷磺?；?、正丙基磺酰基、正辛基磺酰基)、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基磺?；?例如，甲苯磺?；?、苯磺?；?、碳數(shù)020的取代或無(wú)取代的氨磺?；?例如，甲基氨磺?；?、正丁基氨磺?；?、碳數(shù)117的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、正丁氧基羰基)、碳數(shù)715的取代或無(wú)取代的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基、m-氯苯基羰基)、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的酰基氨基(例如，乙酰氨基、三甲基乙酰氨基、正己基氨基)、或碳數(shù)118的磺?；被?例如，甲烷磺?；被⒄⊥榛酋；被?。R"R"以及R"R"更優(yōu)選為氫原子、鹵原子、羧基、磺基、碳數(shù)116的取代或無(wú)取代的烷基、碳數(shù)116的取代或無(wú)取代的烷氧基、碳數(shù)120取代或無(wú)取代的烷基磺?；⑻紨?shù)614的取代或無(wú)取代的芳基磺?；⑻紨?shù)220的取代或無(wú)取代的氨磺?；?、碳數(shù)113的烷氧基羰基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的?；被⒒蛱紨?shù)118的磺?；被８鼉?yōu)選的是，R"R"為氫原子、齒原子、磺基、碳數(shù)116的取代或無(wú)取代的垸氧基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的烷基磺?；?、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基磺?；?、碳數(shù)220的取代或無(wú)取代的氨磺酰基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的?；被?、碳數(shù)118的磺?；被?，R"R"為氫原子或鹵原子。特別優(yōu)選的是，R"R"為氫原子、磺基、碳數(shù)120的無(wú)取代的烷基磺?；?、碳數(shù)614的無(wú)取代的芳基磺酰基、碳數(shù)720的無(wú)取代的氨磺?；琑"R"為氫原子。通式(VIII)中，從溶劑溶解性、吸收特性以及熱分解性的角度出發(fā)，優(yōu)選R"和R"中的任意一方、R"和R"中的任意一方、R"和R"中的任意一方以及R"和R°8中的任意一方這4個(gè)不同時(shí)為氫原子。通式(VIII)中，作為R"R"禾卩R"R"所示基團(tuán)的上述各基具有取代基時(shí)，作為該取代基的示例可以例舉以下記載的取代基。碳數(shù)120的鏈狀或環(huán)狀的取代或無(wú)取代的烷基(例如，甲基、乙基、異丙基、環(huán)己基、節(jié)基、苯乙基)、碳數(shù)61S的取代或無(wú)取代的芳基(例如，苯基、氯苯基、2，4-二-叔戊基苯基、l-萘基)、碳數(shù)220的取代或無(wú)取代的烯基(例如，乙烯基、2-甲基乙烯基)、碳數(shù)220的取代或無(wú)取代的炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)、鹵原子58(例如，F(xiàn)、Cl、Br、I)、氰基、羥基、羧基、碳數(shù)220的取代或無(wú)取代的?；?例如，乙?；?、苯甲?；?、水楊酰基、三甲基乙?；?、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的垸氧基(例如，甲氧基、丁氧基、環(huán)己基氧基)、碳數(shù)620的取代或無(wú)取代的芳氧基(例如，苯氧基、l-萘氧基、p-甲氧基苯氧基)、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、芐硫基、3-甲氧基丙基硫基)、碳數(shù)620的取代或無(wú)取代的芳硫基(例如，苯硫基、4-氯苯硫基)、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的烷基磺?；?例如，甲垸磺酰基、丁烷磺酰基)、碳數(shù)620的取代或無(wú)取代的芳基磺?；?例如，苯磺酰基、對(duì)甲苯磺?；?、碳數(shù)117的取代或無(wú)取代的氨基甲?；?例如，無(wú)取代的氨基甲酰基、甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲?；⒄』被柞；?、二甲基氨基甲?；?、碳數(shù)116的取代或無(wú)取代的酰基氨基(例如，乙酰氨基、芐基氨基)、碳數(shù)210的取代或無(wú)取代的酰氧基(例如，乙酸基、芐氧基)、碳數(shù)210的取代或無(wú)取代的垸氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基)、5或6元的取代或無(wú)取代的雜環(huán)基(例如，吡啶基、噻嗯基、呋喃基、噻唑啉、咪唑基、吡唑基等芳香族雜環(huán)基、吡咯烷環(huán)、哌啶環(huán)、嗎啉環(huán)、吡喃環(huán)、硫代吡喃環(huán)、二噁垸、二硫雜環(huán)戊烷環(huán)等非芳香族雜環(huán)基)。通式(Vin)中，取代作為R"R"和R"R"所示基團(tuán)的上述各基的取代基的優(yōu)選示例為碳數(shù)116的鏈狀或環(huán)狀的取代或無(wú)取代的垸基、碳數(shù)614的芳基、碳數(shù)116的烷氧基、碳數(shù)614的芳氧基、鹵原子、碳數(shù)217的垸氧基羰基、碳數(shù)110的氨基甲?；⑻紨?shù)110的酰基氨基。其中，優(yōu)選的示例為碳數(shù)110的鏈狀或環(huán)狀的垸基、碳數(shù)610的芳基、碳數(shù)110的垸氧基、碳數(shù)610的芳氧基、氯原子、碳數(shù)211的烷氧基羰基、碳數(shù)17的氨基甲?；⑻紨?shù)18的?；被?。其中，特別優(yōu)選的示例為碳數(shù)18的鏈狀分支或環(huán)狀的無(wú)取代的垸基、碳數(shù)18的無(wú)取代的垸氧基、碳數(shù)39的無(wú)取代的烷氧基羰基、苯基以及氯原子。作為取代基最優(yōu)選的示例為碳數(shù)16的無(wú)取代的烷氧基。M表示2個(gè)氫原子、24價(jià)的金屬原子、24價(jià)的氧代金屬原子、或具有配位基的24價(jià)的金屬原子。優(yōu)選的是，M為24價(jià)的金屬原子,其中，優(yōu)選銅原子、鋅原子、鎂原子、或鈀原子。另外，優(yōu)選銅原子或鋅原子，最優(yōu)選銅原子。通式(vn)或(vni)所示的化合物可以在任意位置結(jié)合形成多聚體，此時(shí)的各單元可以相同或不同，也可以與聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯醇、纖維素等聚合物鏈相結(jié)合。通式(vii)或(vin)所示的化合物可以單獨(dú)使用特定的化合物，也可以將多種結(jié)構(gòu)不同的化合物混合使用。出于防止抗蝕膜的結(jié)晶化的目的，優(yōu)選使用取代基的取代位置不同的異構(gòu)體的混合物。以下，作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物，例舉了優(yōu)選的酞菁色素的具體例，本發(fā)明不限于這些。下述表1中，例如R°1/Ra2的表記是指Ra1或R。2的任意一方的意思，因此，具有該表記的化合物是取代位置異構(gòu)體的混合物。另外，無(wú)取代時(shí)，即氫原子取代時(shí)省略表記。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage60</formula>酞菁色素的具體例No.(vn-i)(vn-2)(vn-3)(VII畫(huà)4)(vn-5)(VII-6)(vn誦7)(VII-8)(vn陽(yáng)9)(vn-io)(VII畫(huà)ll)(VII-12)取代基位置和取代基r智2、r智4、r，6、r智8-SCbNCCsH"-^r智2、r智4、r，6、r,a8-S02NH(2+丁氧基-5-叔戊基苯基)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6畫(huà)S02NH(CH2)30(2,4-二-叔戊基-苯基)Ra7/Ra8-S03HRal/Ra2Ra3/Ra4Ra5/R016Ra7/Ra8-S02N(3-甲氧^丙基)2Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NMe(環(huán)己基)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02N(3-異丙氧基苯基)2Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NH(2-異戊氧基Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NH(2,4,6-三苯基Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02CH(CH3)CH2CH3Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02CH(CH3)CH2CH3Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02CH(CH3)CH2CH3Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6-S02PhMCuCuCuZnZnZnPdPdCuZnH2Cu61(VII-13)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Cu-S02C(CH3)3(vn-14)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8v=o-S02C(CH3)3(VII-15)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Cu-S02C(CH3)2C02C2H5(VII-16)Rai/Ra2Ra3/Ra4Ra5/Ra6Ra7/Ra8Mg-S02Ph(VII-17)Rdl^a:2Ra3/J^a4Ra5/Ra6Ra7/Ra8Cu-S02(環(huán)己基)(vn畫(huà)i8)Ral/Ra2R"/Ra4Ra5/Ra6Ra7/Ra8Zn-802{4-(2+丁氧基-苯甲酰氨基)苯基}(VII-19)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6H2-S02(2,6-二氯-4-甲氧基苯基)(VII-20)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6Mg-S02CH(Me)C02CH2-CH(C2H5)C4H9-"(vn-2i)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Zn-802{2-(2-乙氧基乙氧基)-苯基}Rpi/Rp2、Rp3/RP4、Rp5/Rp6、Rp7/Rp8-C2H5(VII-22)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Cu-S02N(CH2CH2OMe)2(yn-23)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8H2-OCH2CH(C2H5)C4H9-"(VII-24)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8Zn-OCHMe(苯基)(VII-25)RCtlRa2Ra3Ra5Ra6Ra7Ra8Cu-0(31^-丁基)2(VII-26)r(x1Ra2Rd3Ra4Ra5r(x6r(x7rCi8SiCl2-OCH2CH2OC3H7"(VII-27)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-叔戊基Rp'/Rp2、Rp3/Rp4、Rp5/Rp6、Rp7Rp8-CINi(vn陽(yáng)28;)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-(2，6-二-乙氧基苯基)Zn(VII-29)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-S02NHCH2CH2OC3H7-/Cu(VII-30)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6-C02CH2CH2OC2H5Ra7/Ra8-C02HCu(vn-3i)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-C02CH(Me)C02C3H7々Co(VII-32)RaI/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-CONHCH2CH2OC3H7-/Cu0/11-33)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6-CON(CH2CH2OC4H9-")2Ra7/Ra8-C02HPd(VII-34)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-NHCOCH(C2H5)C4H9-"Co(VII-35)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-NHCO(2-"-丁氧基羰基-苯基)Mg(VII-36)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-NHS02(2-異丙氧基苯基)Pd(VII-37)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8-麗802(2-"-丁氧基-5-叔戊基-苯基)Zn(VII-38)Ral/Ra2、Ra3/Ra4、Ra5/Ra6、Ra7/Ra8_1102(11-丙基)Zn63<formula>formulaseeoriginaldocumentpage64</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的酞菁色素可以通過(guò)例如白井-小林共著、(株)IPC發(fā)行「酞菁-化學(xué)與功能-」(P.l62)，C.C丄eznoff-A,B.P丄ever共著、VCH發(fā)行'Phthalocyanines-PropertiesandApplications，(P.l54)等中的全部記載，特別是在此作為公開(kāi)內(nèi)容援引等記載、引用或其類似的方法來(lái)合成，或者作為市售品獲得。從利用激光進(jìn)行圖案曝光時(shí)的靈敏度的角度出發(fā)，作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的具有酞菁色素骨架的化合物的熱分解溫度優(yōu)選為100°C以上、60(TC以下，更優(yōu)選為12(TC以上、55(TC以下，最優(yōu)選為150。C以上、50(TC以下o本發(fā)明的光致抗蝕用化合物可以為偶氮化合物或該化合物與金屬離子的絡(luò)合物。本發(fā)明中，"偶氮化合物"是指通過(guò)偶氮基(-N=N-)連結(jié)有2個(gè)有機(jī)基(R和R，)的有機(jī)化合物的總稱。作為與偶氮化合物形成絡(luò)合物的金屬，可以使用能夠形成絡(luò)合物的各種金屬，從吸收光譜的形狀良好的方面出發(fā)，優(yōu)選過(guò)渡金屬，特別優(yōu)選Ni、Co、Cu、Fe、Zn、Pd。絡(luò)合物由于從抗蝕涂布液到形成抗蝕膜的成膜時(shí)的薄膜形成性優(yōu)良，因此偶氮化合物優(yōu)選與金屬離子形成絡(luò)合物。偶氮化合物中，從吸光特性、熱分解特性等的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選的偶氮化合物可列舉如下述通式(IX)所示的偶氮化合物。通式(IX)Q1-N=N—Q2通式(ix)中，(^表示芳基或雜環(huán)基，優(yōu)選雜環(huán)。(^為芳基時(shí)，優(yōu)選取代或無(wú)取代的碳數(shù)620的芳基，更優(yōu)選為碳數(shù)620的取代或無(wú)取代的苯。Q1為雜環(huán)時(shí)，優(yōu)選取代或無(wú)取代的5元雜環(huán)、或取代或無(wú)取代的6元雜環(huán)。更優(yōu)選含有1個(gè)以上氮原子的碳數(shù)120的5元雜環(huán)。它們還可以經(jīng)苯環(huán)、苯并呋喃環(huán)、吡啶環(huán)、吡咯環(huán)、吲哚、噻吩環(huán)等稠環(huán)。作為Q1，可列舉如碳數(shù)325的噁唑核(例如，2-3-甲基噁唑基)、碳數(shù)325的噻唑核(例如，2-3-甲基噻唑基)、碳數(shù)325的咪唑核(例如，2-1，3-二乙基咪唑基)、碳數(shù)1030的假吲哚核(例如，3，3-二甲基假吲哚)、碳數(shù)925的喹啉核(例如，2-1-甲基喹啉基)、碳數(shù)325的硒唑核(例如，2-3-甲基苯并硒唑基)、碳數(shù)525的吡啶核(例如，2-吡啶基)、噻唑啉核、噁唑啉核、硒唑啉核、碲唑啉核、碲唑核、苯并碲唑核、咪唑啉核、咪唑并[4,5-喹喔啉]核、噁二唑核、噻二唑核、四唑核、嘧啶核、吡咯核、吡唑核、吡唑啉酮核、吡啶核、異噁唑核、三唑核、巴比土酸、丙二酸亞異丙酯(meldrumacid)。它們還可以具有取代基。通式(IX)中，(52表示芳基、雜環(huán)基或CR"R"所示的基團(tuán)。在此，R41和R"分別獨(dú)立地表示取代基，R"表示的取代基與1142表示的取代基的哈米特op值的合計(jì)值為0.6以上。上述哈米特op值的合計(jì)值如為0.6以上，則可以實(shí)現(xiàn)作為光致抗蝕用化合物的優(yōu)良的吸收特性和熱分解性。哈米特取代基常數(shù)op值(以下，稱為op值)記載于例如Chem.Rev.91,165(1991)及其引用的參考文獻(xiàn)，沒(méi)有記載的內(nèi)容也可以按照該文獻(xiàn)記載的方法求得。Q2為芳基時(shí)，優(yōu)選取代或無(wú)取代的碳數(shù)620的芳基，更優(yōu)選碳數(shù)620的取代或無(wú)取代的苯。(52為雜環(huán)時(shí)，優(yōu)選取代或無(wú)取代的5元雜環(huán)、或取代或無(wú)取代的6元的雜環(huán)。另外，優(yōu)選為含有1個(gè)以上氮原子的碳數(shù)120的5元雜環(huán)。02為CR"R"所示的基團(tuán)時(shí)，R"表示的取代基與R"表示的取代基優(yōu)選哈米特op值均為0.6以上。作為.該R41、R"的示例，可列舉如的氰基、硝基、碳數(shù)110的?；?例如，乙酰基、丙?；?、丁?；⑷谆阴；?、苯甲酰基)、碳數(shù)212的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、異丙氧基羰基、丁氧基羰基、癸氧基羰基)、碳數(shù)711的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基)、碳數(shù)110的氨基甲酰基(例如，甲基氨基甲?；⒁一被柞；?、苯基氨基甲?；?、碳數(shù)110的垸基磺?；?例如，甲烷磺?；?、碳數(shù)610的芳基磺?；?例如，苯磺?；?、碳數(shù)110的烷氧基磺?；?例如，甲氧基磺?；?、碳數(shù)1^10的氨磺?；?例如，乙基氨磺?；?、苯基氨磺酰基)、碳數(shù)110的垸基亞硫?；?例如，甲烷亞硫?；⒁彝閬喠蝓；?、碳數(shù)610的芳基亞硫?；?例如，67苯亞硫酰基)、碳數(shù)110的垸基亞氧硫基(例如，甲亞氧硫基、乙亞氧硫基)、碳數(shù)610的芳亞氧硫基(例如，苯亞氧硫基)、鹵原子、碳數(shù)210的炔基(例如，乙炔基)、碳數(shù)210的二酰基氨基(例如，二乙酰氨基)、磷?；Ⅳ然?、5元或6元的雜環(huán)基(例如，2-苯并噻唑啉基、2-苯并噻唑啉基、3-吡啶基、5-(1H)-四唑基、4-嘧啶基)。R41、R"優(yōu)選為氰基、碳數(shù)110的酰基、碳數(shù)212的垸氧基羰基、碳數(shù)110的氨基甲?；?、5元或6元的雜環(huán)基，更優(yōu)選碳數(shù)110的酰基、碳數(shù)212的垸氧基羰基、碳數(shù)110的氨基甲?；?，最優(yōu)選碳數(shù)212的垸氧基羰基、碳數(shù)110的氨基甲?；?。另外，通式(IX)包括共振結(jié)構(gòu)的表記不同的多個(gè)互變異構(gòu)體，特別是(52為CR"R"且R41、R"的任一個(gè)為-CO-E乂Ei為取代基)時(shí)，例如R"為-CO-E^f，下述通式(XI)為一般的表記，該表記的結(jié)構(gòu)也包含于通式(IX)中。通式(XI)通式(IX)所示的化合物優(yōu)選下述通式(X-1)或(X-2)所示的化合物。通式(X-1)(、、A1^~N=N—Q3、、N通式(X-2)R41<formula>formulaseeoriginaldocumentpage69</formula>通式(X-1)中，A1表示與其結(jié)合的碳原子和氮原子一起形成雜環(huán)的原子團(tuán)。通式(X-2)中，A2表示與其結(jié)合的碳原子和氮原子一起形成雜芳香環(huán)的原子團(tuán)。作為由A1、AS形成的雜芳香環(huán)，優(yōu)選為噻唑環(huán)、噁唑環(huán)、吡唑環(huán)、咪唑環(huán)、噻二唑環(huán)、異噁唑環(huán)或三唑環(huán)，更優(yōu)選噁唑環(huán)、吡唑環(huán)、噻二唑環(huán)、異噁唑環(huán)或三唑環(huán)，最優(yōu)選為吡唑環(huán)、噻二唑環(huán)、異噁唑環(huán)。Q3、(^與通式(IX)的(52的含義相同，具體的示例以及優(yōu)選范圍也相同。上述各基可以具有取代基。具有取代基時(shí)，作為取代基可列舉如碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的直鏈狀、分支鏈狀或環(huán)狀的烷基(例如，甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、環(huán)己基、甲氧基乙基、乙氧基羰基乙基、氰基乙基、二乙基氨基乙基、羥乙基、氯乙基、乙酸基乙基、三氟甲基等)；碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)2S)的烯基(例如，乙烯基等)；碳數(shù)21S(優(yōu)選為碳數(shù)28)的炔基(例如，乙炔基等)；碳數(shù)618(優(yōu)選為碳數(shù)610)的取代或無(wú)取代的芳基(例如，苯基、4-甲基苯酚、4-甲氧基苯基、4-羧基苯基、3，5-二羧基苯基等)；碳數(shù)71S(優(yōu)選為碳數(shù)712)的取代或無(wú)取代的芳烷基(例如，芐基、羧基芐基等)；碳數(shù)21S(優(yōu)選為碳數(shù)28)的取代或無(wú)取代的?；?例如，乙?；?、丙?；?、丁?；⒙纫阴；?；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的垸基或芳基磺?；?例如，甲烷磺?；-甲苯磺?；?；碳數(shù)11S(優(yōu)選為碳數(shù)18)的烷基亞硫?；?例如，甲烷亞硫酰基、乙垸亞硫?；⑿镣閬喠蝓；?，碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)28)的烷氧基羰基(例如，甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基等)；碳數(shù)718(優(yōu)選為碳數(shù)712)的芳氧基羰基(例如，苯氧基羰基、4-甲基苯氧基羰基、4-甲氧基苯基羰基等)；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的垸氧基(例如，甲氧基、乙69氧基、正丁氧基、甲氧基乙氧基等)；碳數(shù)618(優(yōu)選為碳數(shù)610)的取代或無(wú)取代的芳氧基(例如，苯氧基、4-甲氧基苯氧基等)；碳數(shù)l18(優(yōu)選為碳數(shù)18)的烷硫基(例如，甲硫基、乙硫基等)；碳數(shù)610(優(yōu)選為碳數(shù)18)的芳硫基(例如，苯硫基等)；碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)28)的取代或無(wú)取代的酰氧基(例如，乙酸基、乙基羰基氧基、環(huán)己基羰基氧基、芐氧基、氯乙酰氧基等)；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)l8)的取代或無(wú)取代的磺酰氧基(例如，甲垸磺酰氧基等)；碳數(shù)218(優(yōu)選為碳數(shù)28)的取代或無(wú)取代的氨基甲酰氧基(例如，甲基氨基甲酰氧基、二乙基氨基甲酰氧基等)；無(wú)取代的氨基、或碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代氨基(例如，甲基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、苯胺基、甲氧基苯基氨基、氯苯基氨基、吡啶基氨基、甲氧基羰基氨基、正丁氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、苯基氨基甲?；被⒁一蚧被柞；被?、甲基氨磺?；被⒈交被酋；被?、乙基羰基氨基、乙基硫基羰基氨基、環(huán)己基羰基氨基、芐基氨基、氯乙酰基氨基、甲烷磺酰基氨基、苯磺?；被?；碳數(shù)11S(優(yōu)選為碳數(shù)18)的酰胺基(例如，乙酰基氨基、乙?；柞；被?、乙?；刘；被?；碳數(shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的脲基(例如，無(wú)取代的脲基、甲基脲基、乙基脲基、二甲基脲基等)；碳數(shù)11S(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代或無(wú)取代的氨基甲酰基(例如，無(wú)取代的氨基甲酰基、甲基氨基甲?；⒁一被柞；?、正丁基氨基甲酰基、叔丁基氨基甲酰基、二甲基氨基甲酰基、嗎啡代氨基甲酰基、吡咯烷代氨基甲酰基等)；無(wú)取代的氨磺?；蛱紨?shù)118(優(yōu)選為碳數(shù)18)的取代氨磺?；?例如，甲基氨磺?；⒈交被酋；?；鹵原子(例如，氟原子、氯原子、溴原子等)；羥基、巰基；硝基；氰基；羧基；磺基；膦酰基(例如，二乙氧基膦酰基等)；雜環(huán)基(例如，噁唑環(huán)、苯并噁唑環(huán)、噻唑環(huán)、苯并噻唑環(huán)、咪唑環(huán)、苯并咪唑環(huán)、假剛哚環(huán)、吡啶環(huán)、嗎啉環(huán)、哌啶環(huán)、吡咯烷環(huán)、環(huán)丁砜環(huán)、呋喃環(huán)、噻吩環(huán)、吡唑環(huán)、吡咯環(huán)、色滿環(huán)以及香豆素環(huán)等)。以下例舉了作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的優(yōu)選偶氮化合物的具體示例，本發(fā)明不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage71</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage72</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage73</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage74</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage75</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage76</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage0</formula>以下。例舉了作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的優(yōu)選偶氮絡(luò)合物的具體例，本發(fā)明不限于此。另外，形成絡(luò)合物時(shí)，配位基可以使用能適當(dāng)解離的氫原子解離從而形成解離體的配位基。<table>tableseeoriginaldocumentpage78</column></row><table>作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的偶氮化合物和偶氮絡(luò)合物可以通過(guò)公知的方法合成，或者可以作為市售品獲得。從利用激光進(jìn)行圖案曝光時(shí)的靈敏度的角度出發(fā)，作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的偶氮化合物和絡(luò)合物的熱分解溫度優(yōu)選為10(TC以上、600。C以下，更優(yōu)選為12(TC以上、55(TC以下，最優(yōu)選為15(TC以上、500°C以下。本發(fā)明的光致抗蝕用化合物可以根據(jù)圖案曝光中使用的光的波長(zhǎng)來(lái)選擇合適的。例如，對(duì)于最大吸收波長(zhǎng)(入max)，作為一般性指標(biāo)，使用的激光的波長(zhǎng)為入nm時(shí)，由于經(jīng)圖案曝光的光致抗蝕膜有效分解或變性，因此可以從在A士150nm的范圍內(nèi)具有Amax的中進(jìn)行選擇，更優(yōu)選從在入±100nm的范圍內(nèi)具有Amax的中進(jìn)行選擇。例如，使用波長(zhǎng)為650nm的半導(dǎo)體激光時(shí)，可以從最大吸收波長(zhǎng)為500nm800nm范圍內(nèi)的光致抗蝕用化合物中選擇，更優(yōu)選從最大吸收波長(zhǎng)為550nm750nm范圍內(nèi)的光致抗蝕用化合物中選擇。另外，使用波長(zhǎng)為405nm的半導(dǎo)體激光時(shí)，可以從最大吸收波長(zhǎng)為255nm555nm范圍內(nèi)的光蝕抗使用化合物中選擇，更優(yōu)選從最大吸收波長(zhǎng)為305nm505nm范圍內(nèi)的光致抗蝕用化合物中選擇。根據(jù)與上述相同的理由，作為本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的具有酞菁色素骨架的化合物可以從為最大吸收波長(zhǎng)(Amax)為A士150nm范圍內(nèi)的化合物中選擇，優(yōu)選從在入±100nm的范圍內(nèi)具有入max的化合物中選擇。例如，使用波長(zhǎng)為650nm的半導(dǎo)體激光時(shí)，可以從最大吸收波長(zhǎng)為500nm800nm范圍內(nèi)的化合物中選擇，更優(yōu)選從最大吸收波長(zhǎng)為550nm750nm范圍內(nèi)的化合物中選擇。另外，可以從最大吸收波長(zhǎng)為255nm555nm范圍內(nèi)的化合物中選擇，更優(yōu)選從最大吸收波長(zhǎng)為305nm505mn范圍內(nèi)的化合物中選擇。另外，已知，酞菁色素一般具有被稱為Q帶吸收的600nm900nm的強(qiáng)主吸收和被稱為Soret帶吸收的300nm500nm的副吸收，上述最大吸收波長(zhǎng)是指主吸收的吸收波長(zhǎng)或副吸收的吸收波長(zhǎng)的任意種。使用波長(zhǎng)為405nm的半導(dǎo)體激光時(shí)，300nm500nm的Soret帶吸收波長(zhǎng)優(yōu)選在上述優(yōu)選范圍內(nèi)。[光致抗蝕液]本發(fā)明的光致抗蝕液含有本發(fā)明的光致抗蝕用化合物，優(yōu)選含有溶劑。本發(fā)明的光致抗蝕液可以含有l(wèi)種本發(fā)明的光致抗蝕用化合物，也可以含有2種以上。作為溶劑，優(yōu)選使用本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的良溶媒。另外，本發(fā)明的光致抗蝕液中，除了上述成分還可含有任意的其他成分。為了形成加工性優(yōu)良的抗蝕膜，以光致抗蝕液中含有的全部固態(tài)組分為基準(zhǔn)，本發(fā)明的光致抗蝕液中的上述光致抗蝕用化合物的含量?jī)?yōu)選為50質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為70質(zhì)量％以上，特別優(yōu)選90質(zhì)量％以上。其上限值例如為100質(zhì)量％。通過(guò)將本發(fā)明的光致抗蝕液涂布到成為處理對(duì)象的表面上，再使溶媒蒸發(fā)除去，從而可以形成光致抗蝕膜。涂布方法可列舉如噴射法、旋涂法、浸漬法、輥涂法、刮涂法、刀刮涂法、刮漿刀法、簾式涂布法、夾縫涂布法、絲網(wǎng)印刷法等。從容易控制生產(chǎn)性優(yōu)良的膜厚出發(fā)，優(yōu)選使用旋涂法。從被涂布的光致抗蝕液除去溶媒的方法可以使用以往已知的方法。例如，用旋涂法進(jìn)行涂布時(shí)，可以直接使旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)數(shù)提高來(lái)使溶媒蒸發(fā)。此時(shí)，也可以從噴嘴向涂布面吹附氣體來(lái)促進(jìn)溶媒的蒸發(fā)。另外，與以往的光致抗蝕劑的涂布工序相同，也可以將被旋涂了的光致抗蝕液膜加熱(烘焙)，即進(jìn)行所謂的預(yù)烘焙。作為除去溶媒的方法，優(yōu)選用旋涂法涂布光致抗蝕液，再直接使旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)數(shù)上升從而將溶媒除去的方法。此時(shí)，優(yōu)選再進(jìn)行加熱的退火處理。退火處理具有增強(qiáng)作為光致抗蝕膜的強(qiáng)度和穩(wěn)定性的效果。其加熱溫度下限為例如55i:以上，優(yōu)選為65。C以上，更優(yōu)選為75'C以上，其加熱溫度上限為例如20(TC以下，優(yōu)選為150'C以下，更優(yōu)選為IO(TC以下。時(shí)間的下限例如5分以上、優(yōu)選為15分以上、更優(yōu)選為30分以上，上限為例如4小時(shí)以下，優(yōu)選為2小時(shí)以下，更優(yōu)選為1小時(shí)以下。通過(guò)在該范圍的條件下進(jìn)行退火，可以不使生產(chǎn)性下降，可以使作為光致抗蝕膜的強(qiáng)度和穩(wěn)定性提高。從涂布性(例如，涂布和溶媒除去后的膜厚處于希望的范圍內(nèi)、該膜厚在被加工表面整體的均一性、被加工表面即使有若干凹凸也形成隨著該凹凸的均一厚度的涂膜等)等方面來(lái)考慮，本發(fā)明的光致抗蝕液中的全部固態(tài)組分的濃度優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上、10質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.4質(zhì)80量％以上、5質(zhì)量％以下，再更優(yōu)選為0.7質(zhì)量％以上、2質(zhì)量％以下。從可用旋涂法的涂布性方面考慮，本發(fā)明的光致抗蝕液中可以使用的溶媒優(yōu)選為涂布時(shí)具有適度的揮發(fā)性的溶媒，在制造適應(yīng)性上，更優(yōu)選具有以下的物性。1.沸點(diǎn)優(yōu)選為60。C以上、30(TC以下，更優(yōu)選為70。C以上、250。C以下，最優(yōu)選為8(TC以上、20(TC以下。2.粘度優(yōu)選為O.lcP以上、100cP以下，更優(yōu)選為0.5cP以上、50cP以下，最優(yōu)選為lcP以上、10cP以下。3.閃燃點(diǎn)優(yōu)選為25。C以上，更優(yōu)選為3(TC以上，最優(yōu)選為35。C以上。作為上述溶媒的具體示例，可列舉如烴類(環(huán)己垸、1，1-二甲基環(huán)己烷等)、醇類(丁醇、二丙酮醇、四氟丙醇等)、二醇醚類(甲基溶纖劑、丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基醚乙酸酯等)、酯類(醋酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等)、酮類(甲基乙基酮、甲基異丁酮等)、腈類(丙腈、苯甲腈等)、酰胺(二甲基甲酰胺等)、砜類(二甲基亞砜等)羧酸類(醋酸等)、胺類(三乙胺等)、鹵類(三氯甲烷、氫氟碳等)、芳香屬類(甲苯、二甲苯等)等。其中，由于其涂布性，特別優(yōu)選醇類或二醇醚類。上述溶媒可以單獨(dú)使用也可以將兩種以上混合使用。本發(fā)明的光致抗蝕液中，至少作為固態(tài)組分含有上述光致抗蝕用化合物即可，也可以根據(jù)需要含有其他成分。其他成分的含量?jī)?yōu)選相對(duì)于上述光致抗蝕用化合物以質(zhì)量比計(jì)為1倍量以下。作為其他成分的示例，可列舉如粘合劑'、退色防止劑、抗氧化劑、UV吸收劑、增塑劑、潤(rùn)滑劑等。作為粘合劑的示例，可列舉如明膠、纖維素衍生物、葡聚糖、松香、橡膠等天然有機(jī)高分子物質(zhì)；聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚異丁烯等烴系樹(shù)脂；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚氯乙烯氯醋酸乙烯酯共聚物等乙烯系樹(shù)脂，聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸樹(shù)脂，聚乙烯醇、氯化聚乙烯、乙氧基樹(shù)脂、丁醛樹(shù)脂、橡膠衍生物、酚醛甲醛樹(shù)脂等熱固化性樹(shù)脂的初期縮合物等合成有機(jī)高分子。向本發(fā)明的光致抗蝕液中添加粘合劑時(shí)，粘合劑的添加量相對(duì)于本發(fā)明的光致抗蝕用化合物，以質(zhì)量比計(jì)優(yōu)選為0.01倍1倍量，更優(yōu)選為0.1倍量0.5倍量。一般來(lái)講，本發(fā)明的光致抗蝕用化合物在通常的室內(nèi)照明環(huán)境下，不會(huì)分解或變性，因此不必在以往的光致抗蝕劑之類的安全燈(例如，將紫外線或比其更短波長(zhǎng)的光刪去后的照明)的條件下使用。但是，在該通常的室內(nèi)環(huán)境的照明下使用時(shí)，為了形成耐光性優(yōu)良的抗蝕膜，可以使光致抗蝕液中含有各種褪色防止劑。褪色防止劑一般使用單態(tài)氧猝滅劑。作為單態(tài)氧猝滅劑可以利用已經(jīng)在公知的專利說(shuō)明書(shū)等刊物中記載的猝滅劑。作為其具體示例，可列舉如在日本特開(kāi)昭58-175693號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭59-81194號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-18387號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-19586號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-19587號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-35054號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-36190號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-36191號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-44554號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-44555號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-44389號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-443卯號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-54892號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭60-47069號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)昭63-209995號(hào)公報(bào)、日本特開(kāi)平4-25492號(hào)公報(bào)、日本特公平1-38680號(hào)公報(bào)、日本特公平6-26028號(hào)公報(bào)等各公報(bào)、德國(guó)專利350399號(hào)說(shuō)明書(shū)以及日本化學(xué)會(huì)志1992年10月號(hào)第1141頁(yè)中記載的猝滅劑。上述單態(tài)氧猝滅劑等褪色防止劑的使用量相對(duì)于本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的量，例如為0.150質(zhì)量％的范圍，優(yōu)選為0.545質(zhì)量0%的范圍，更優(yōu)選為340質(zhì)量Q/^的范圍，特別優(yōu)選為525質(zhì)量。X的范圍。另外，如后所述，如使用本發(fā)明的光致抗蝕液，可以不經(jīng)過(guò)顯影工序而形成蝕刻用掩模。因此，需要顯影工序的通常的光致聚合物型抗蝕液中作為必要成分所含有的o-萘醌二疊氮基磺酸酯與酚醛清漆樹(shù)脂的組合成分、光酸發(fā)生劑與酸分解性化合物的組合成分、光堿發(fā)生劑與堿分解性化合物的組合成分、光自由基發(fā)生劑與加成聚合不飽和化合物的組合成分，不是本發(fā)明的光致抗蝕液中的必要成分，本發(fā)明的光致抗蝕液優(yōu)選不含有這些成分。本發(fā)明的光致抗蝕液可以通過(guò)將本發(fā)明的光致抗蝕用化合物與根據(jù)需要的上述成分混合而得。將本發(fā)明的光致抗蝕液涂布到成為處理對(duì)象的被加工表面，再將溶劑除去，可以得到光致抗蝕膜，對(duì)該光致抗蝕膜用激光以所希望的圖案進(jìn)行曝光，可以形成所希望圖案的抗蝕圖案。用于形成抗蝕膜的光致抗蝕液的涂布方法的詳細(xì)情況與之前說(shuō)明的相同。上述光致抗蝕膜中，其功能由本發(fā)明的光致抗蝕用化合物來(lái)?yè)?dān)負(fù)，因此以光致抗蝕膜的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，優(yōu)選含有50質(zhì)量以上的上述光致抗蝕用化合物，更優(yōu)選含有70質(zhì)量％以上，更優(yōu)選含有90質(zhì)量％以上。作為其上限值例如為100質(zhì)量％。對(duì)于上述光致抗蝕膜中含有的各種成分，與之前對(duì)本發(fā)明的光致抗蝕劑組合物說(shuō)明的情況相同。本發(fā)明的光致抗蝕液中，從可以容易將旋涂工序中被設(shè)于被加工表面之后多余的光致抗蝕液(例如，旋涂時(shí)，從被加工表面滴落的光致抗蝕液)回收進(jìn)行再利用的角度出發(fā)，特別優(yōu)選其固態(tài)組分的全部量由上述光致抗蝕用化合物構(gòu)成的方式。本發(fā)明的光致抗蝕液只要是用于需要微細(xì)加工的用途，就可以適用于任何用途。例如，LSI、LED、CCD、太陽(yáng)電池等半導(dǎo)體裝置的制造工序，液晶、PDP、EL等FPD的制造工序，透鏡、膜等光學(xué)部件的制造工序等各種工序，可以代替以往的光致抗蝕液來(lái)使用。即，可以使用本發(fā)明的光致抗蝕液的涂布和溶媒除去工序以及圖案曝光工序，來(lái)代替以往的光致抗蝕液的涂布和溶媒除去工序、圖案曝光工序和顯影工序。本發(fā)明的光致抗蝕液在納米壓印用掩模的制作工序中也可以使用。另外，本發(fā)明的光致抗蝕液在LED用的芯片的表面、內(nèi)面(例如，藍(lán)寶石基板等)、側(cè)面等面形成微細(xì)的凹凸，可以用于提高LED的光取出效率。一般，構(gòu)成成為L(zhǎng)ED甩芯片的光取出口的最外層(例如，電流擴(kuò)散層或透明電極等)的材料與封裝用的樹(shù)脂的折射率不同，例如，對(duì)于電流擴(kuò)散層的情況，其折射率為3以上，與此相對(duì)，后者的封裝用樹(shù)脂的折射率為1.5左右。光從該折射率大的部分取出到折射率小的部分時(shí)，光在其界面產(chǎn)生反射，光的取出效率降低，通過(guò)使其界面形成微細(xì)的凹凸，可以提高光取出效率。在此，形成成為L(zhǎng)ED用芯片的光取出口的層(例如，電流擴(kuò)散層)之后，在該層的表面涂布本發(fā)明的光致抗蝕液，除去溶媒形成光致抗蝕膜，僅在該光致抗蝕膜中與所希望的微細(xì)凹凸圖案的凹部相當(dāng)于的部分照射激光，進(jìn)行圖案曝光，接著進(jìn)行蝕刻，將與照射上述激光的部分相對(duì)應(yīng)的取出口的表面刻蝕，形成凹部，由此可以在取出口形成微細(xì)凹凸。之后，經(jīng)過(guò)必要的工序(例如，在電流擴(kuò)散層的表面形成電極的工序)可以完成LED用芯片。這樣得到的LED芯片的光取出口在表面具有微細(xì)的凹凸。將該LED元件封裝形成LED的方案，由于在封裝用樹(shù)脂與光取出口的界面形成微細(xì)的凹凸，因此可以制作在該界面的反射少、光取出效好的LED。這樣，從折射率大的部分向小的部分取出時(shí)，由于在其界面設(shè)有微細(xì)的凹凸因而可以提高光取出效率。對(duì)于在該發(fā)光部界面要形成的凹部的深度h和直徑d，只要是使發(fā)光部產(chǎn)生的光產(chǎn)生散射、折射的大小即可，優(yōu)選為發(fā)光波長(zhǎng)的四分之一以上，可以根據(jù)散射理論進(jìn)行設(shè)計(jì)。如上所述，在被加工表面形成微細(xì)凹凸時(shí)，在其表面上使用本發(fā)明的光致抗蝕液形成光致抗蝕膜，通過(guò)激光進(jìn)行微細(xì)圖案的曝光，將其作為掩模，通過(guò)RIE等可以在被加工表面形成與上述微圖案相當(dāng)?shù)募?xì)凹凸。另外，在被加工表面上形成掩模層，在其上用本發(fā)明的光致抗蝕液形成光致抗蝕膜，對(duì)其用激光進(jìn)行微細(xì)加工，之后利用RIE在掩模層形成微細(xì)穴，再隔著形成有該微細(xì)穴的掩模層，利用ICP(電感偶合等離子體)可以進(jìn)行深蝕刻。利用該掩模層的蝕刻方法是被加工表面為藍(lán)寶石之類堅(jiān)硬難蝕刻情況時(shí)的有利的方法。作為掩模層，優(yōu)選Si02、Ti02、SiN、SiON等無(wú)機(jī)氧化膜、氮化膜等。另外使用本發(fā)明的光致抗蝕液形成的光致抗蝕膜的厚度t與凹部的直徑d，可以根據(jù)本發(fā)明的光致抗蝕用化合物的種類、被加工表面的材質(zhì)、選擇比等蝕刻工序的條件來(lái)設(shè)定。應(yīng)該也考慮激光記錄時(shí)的光學(xué)特性來(lái)設(shè)定。作為優(yōu)選的范圍，抗蝕層的厚度t的上限值為滿足KlOOd的值，更優(yōu)選為滿足Kl0d的值，另外，下限值為滿足t>d/100的值，更優(yōu)選滿足t>d/10的值。另外，本發(fā)明涉及被加工表面的蝕刻方法。本發(fā)明的蝕刻方法包括-將本發(fā)明的光致抗蝕液涂布到被加工表面，形成光致抗蝕膜；對(duì)上述光致抗蝕膜進(jìn)行圖案曝光；以及，在具有上述圖案曝光后的光致抗蝕膜的被加工表面的至少一部分，實(shí)施蝕刻處理，將與上述圖案曝光中被曝光的部分相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的被加工表面的至少一部分蝕刻。經(jīng)圖案曝光的光致抗蝕膜中，在圖案曝光時(shí)的曝光部分的光致抗蝕膜中形成凹坑，或者形成低耐久性部之類引起局部物性變化的部分。蝕刻處理中，與光致抗蝕膜的凹坑及/或低耐久性部相當(dāng)?shù)谋患庸け砻姹粌?yōu)先蝕刻，位于其下的被加工表面也被蝕刻形成凹部。這樣，將與圖案曝光中被曝光的部分相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的被加工表面的至少一部分蝕刻，可以在被加工表面形成微細(xì)凹凸。另外，被加工表面具有多個(gè)薄層時(shí)，可以將該薄層的至少一層以圖案狀除去。利用該方法，可以制作各種半導(dǎo)體裝置。圖案曝光可以采用公知的逐次移動(dòng)式曝光裝置，隔著光致掩模進(jìn)行曝光的方法，優(yōu)選以下的方法，即，將激光的射線脈沖變調(diào)，通過(guò)透鏡使該被變調(diào)了的激光束進(jìn)入，以其焦點(diǎn)成為光致抗蝕膜的方式進(jìn)行圖案曝光。作為為進(jìn)行該光照射的圖案曝光裝置，優(yōu)選為向磁盤進(jìn)行情報(bào)記錄中使用的記錄裝置。只要可以將光聚集到必要的大小，不是激光之類的單色光也可以。作為激光的種類，也可以為氣體激光、固體激光、半導(dǎo)體激光等之類的激光。為了使光學(xué)系簡(jiǎn)單化，優(yōu)選使用固體激光、半導(dǎo)體激光。激光可以為連續(xù)光也可以為脈沖光，優(yōu)選采用發(fā)光間隔可以自在變化的激光。作為該激光，可列舉如半導(dǎo)體激光。另外，不能將激光直接閉合斷開(kāi)變調(diào)時(shí)，優(yōu)選通過(guò)外部變調(diào)元件進(jìn)行變調(diào)。為了提高加工速度，激光功率高者優(yōu)選。必須掃描速度(激光掃描涂布膜的速度；例如，后述的光盤驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)速度)隨著激光功率的提高而提高。因此，考慮到掃描速度的上限值，激光功率的上限值優(yōu)選為ioow，更優(yōu)選為IOW，再更優(yōu)選為5W，最好為1W。另外，激光功率的下限值優(yōu)選為O.lmW，更好為0.5mW，再更好為lmW。另外，激光優(yōu)選發(fā)信波長(zhǎng)寬度以及相干性優(yōu)良、可以縮小到波長(zhǎng)相當(dāng)?shù)陌唿c(diǎn)大小的光。另外，光脈沖照射條件優(yōu)選采用一般用于光盤中的方案。即，優(yōu)選采用光盤中使用之類的記錄速度、照射激光的波高值、脈沖寬度等條件。激光的波長(zhǎng)，只要是可以得到大激光功率的波長(zhǎng)即可，例如，優(yōu)選作為容易得到的激光波長(zhǎng)的1064土30nm、800士50nm、670土30nm、532±30nm、405nm土50nm、266士30nm、200士30nm。其中，優(yōu)選以半導(dǎo)體激光可以大輸出的780土30nm、660土20nm或405土20nm。最優(yōu)選為405±8510nm。另外，使用的光致抗蝕用化合物的最大吸收波長(zhǎng)入a與激光的波長(zhǎng)入w可以是入a^入w或入a^入w。為了從光致抗蝕膜的厚度方向的表面到內(nèi)面均一地給予光、整體地給予熱，形成漂亮形狀的孔，優(yōu)選使薄膜的吸收量在一定范圍內(nèi)。如果吸收過(guò)多，則光僅達(dá)到表面，如果過(guò)少，則光不會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)闊?，效率變差。表示材料的吸收的容易性的消減系數(shù)k的上限適合為2以下，優(yōu)選1以下，特別優(yōu)選0.5以下。下限為0.0005以上，優(yōu)選為0.005以上，更優(yōu)選為0.05以上。如滿足上述關(guān)系，則光致抗蝕用化合物的光吸收量適當(dāng)，通過(guò)圖案曝光，可以形成良好的凹坑或低耐久性部。上述抗蝕膜的厚度可以在例如110000nm的范圍內(nèi)適當(dāng)選擇。厚度的下限優(yōu)選為10nm以上，更優(yōu)選為30nm以上。這是由于如果厚度過(guò)薄，則變得難以得到蝕刻效果的緣故。另外，厚度的上限優(yōu)選為1000nm以下，更優(yōu)選為500nm以下。其理由為如果厚度過(guò)厚，則必須大的激光功率，而且變得難以形成深的孔的緣故，以及加工速度下降的緣故。作為光照射方法可以采用例如一次寫入性光盤、一次寫入多次讀出光盤等中公知的凹坑的形成方法。具體地講可以采用，例如，檢測(cè)隨凹坑大小不同而變化的激光的反射光的強(qiáng)度，補(bǔ)正激光的輸出以使該反射光的強(qiáng)度一定，從而形成均勻的凹坑，所謂的公知的RunningOPC(最優(yōu)能量控制技術(shù))技術(shù)(例如，參考專利第3096239號(hào)公報(bào))。另外，本發(fā)明的抗蝕膜中如果局部存在物性變化到經(jīng)光照射而蝕刻可以除去的程度的部分，則通過(guò)在蝕刻時(shí)將該部分除去可以得到作為蝕刻掩摸的功能，.因此沒(méi)有必要形成有肉眼等可以識(shí)別的凹坑(開(kāi)口)。另外，凹坑、物性變化部分的大小或加工間距可以通過(guò)調(diào)整光學(xué)系來(lái)控制。另外，激光在中心附近的光強(qiáng)度最強(qiáng)，朝向外側(cè)逐漸變?nèi)?，因此可以在涂布膜形成比激光的點(diǎn)徑更小徑的微細(xì)的凹坑。另外，要形成比激光的最小加工形狀更大的凹坑時(shí)，接上激光點(diǎn)即可。以下，對(duì)加工中使用的光學(xué)系的具體方式進(jìn)行說(shuō)明。本發(fā)明不限于以下所示方式。光照射裝置可以使用與一般的光盤驅(qū)動(dòng)相同結(jié)構(gòu)的裝置。作為光盤驅(qū)動(dòng)，可以使用例如日本特開(kāi)2003-203348號(hào)公報(bào)中所記載結(jié)構(gòu)的裝置。使用該光盤驅(qū)動(dòng)，如果形成了涂布膜的加工對(duì)象物是磁盤形狀的，則直接填充到磁盤驅(qū)動(dòng)中，如果形狀不同時(shí)，則將其貼付到模型光盤再填充到磁盤驅(qū)動(dòng)中。之后，以適當(dāng)?shù)妮敵鰧⒓す庹丈涞酵坎寄ど?。再向激光源?v脈沖信號(hào)或連續(xù)信號(hào)使該照射的圖案與加工圖案一致即可。另外，通過(guò)使用與光盤驅(qū)動(dòng)同樣的聚焦技術(shù)例如非點(diǎn)像差法等，即使涂布膜表面存在波動(dòng)、翹曲，也可以將光集中到涂布膜表面。另外，與向光記錄磁盤中記錄情報(bào)的情況相同，使加工對(duì)象物旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，使光學(xué)系在半徑方向移動(dòng)，藉此，可以向涂布膜的整體進(jìn)行周期的光照射。光照射條件為例如，光學(xué)系的開(kāi)口數(shù)NA的下限優(yōu)選為0.4以上，更優(yōu)選為0.5以上、再更優(yōu)選0.6以上。另夕卜，開(kāi)口數(shù)NA的上限優(yōu)選為2以下，更優(yōu)選為l以下，再更優(yōu)選為0.9以下。將開(kāi)口數(shù)增大時(shí)，通過(guò)物鏡與光致抗蝕膜之間隔有液體的所謂液浸法，可以得到容易進(jìn)行焦點(diǎn)調(diào)整的優(yōu)點(diǎn)。這是由于，開(kāi)口數(shù)NA如果過(guò)小，則不能精細(xì)加工，如果過(guò)大，則光照射時(shí)相對(duì)于角度的余量(margin)減少的緣故。光學(xué)系的波長(zhǎng)例如為405土30nm、532士30nm、650土30nm、780士30nm。這些是容易得到大輸出的波長(zhǎng)。另外，由于波長(zhǎng)越短越容易加工，因此優(yōu)選。光學(xué)系的輸出的下限例如為O.lmW以上，優(yōu)選為lmW以上，更優(yōu)選5mW以上，再更優(yōu)選20mW以上。光學(xué)系的輸出的上限例如為1000mW以下，優(yōu)選為500mW以下，更優(yōu)選為200mW以下。這是由于以下原因輸出如果過(guò)低，則加工花費(fèi)時(shí)間，如果過(guò)高，則構(gòu)成光學(xué)系的部件的耐久性下降。使光學(xué)系對(duì)于涂布膜表面相對(duì)移動(dòng)的線速的下限例如為0.1m/s以上，優(yōu)選為lm/s以上，更優(yōu)選為5m/s以上，再更優(yōu)選為20m/s以上。線速的上限例如為500m/s以下，優(yōu)選為200m/s以下，更優(yōu)選為100m/s以下，再更優(yōu)選為50m/s以下。這是由于線速如果過(guò)高，則難以提高加工精度，如果過(guò)慢，則加工花費(fèi)時(shí)間，而且難以得到良好的形狀的緣故。作為包括光學(xué)系的具體的光學(xué)加工機(jī)的一例，可列舉如帕路斯科技工業(yè)株式會(huì)社制NE0500。以上說(shuō)明的光致抗蝕膜在圖案曝光后不經(jīng)過(guò)顯影工序就可以作為蝕刻用掩模使用。另外，也可以插入進(jìn)行熱處理的后烘焙來(lái)作為圖案曝光后且下述說(shuō)明的蝕刻之前的工序。通過(guò)進(jìn)行后烘焙，使圖案曝光后的光致抗87作為對(duì)后續(xù)的蝕刻的掩模的功能。后烘焙的加熱溫度的下限例如為55'C以上、優(yōu)選為65'C以上、更優(yōu)選為75。C以上，其溫度上限例如為200。C以下、優(yōu)選為15(TC以下、更優(yōu)選為IO(TC以下。通過(guò)在該范圍內(nèi)進(jìn)行加熱處理，不會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)性的降低，可以得到上述效果。作為蝕刻方法，可以例舉濕蝕刻、干蝕刻等各種蝕刻方法，根據(jù)進(jìn)行蝕刻的表面的物性來(lái)選擇方法即可。為了進(jìn)行微細(xì)加工，優(yōu)選采用蝕刻墻貼的直進(jìn)性高且可以得到微細(xì)圖案的RIE(反應(yīng)性離子蝕刻)。RIE是如下的技術(shù)將被處理體放置于氣密封的處理室內(nèi)，進(jìn)行規(guī)定的處理氣體的導(dǎo)入以及利用真空抽吸使處理室內(nèi)形成規(guī)定的減壓氣氛氣之后，例如通過(guò)向形成于處理室內(nèi)的電極施加規(guī)定的高頻電力來(lái)激勵(lì)等離子體，通過(guò)該等離子體中的蝕刻離子，對(duì)被處理體進(jìn)行蝕刻處理。該RIE的蝕刻氣體可以根據(jù)被蝕刻的物質(zhì)來(lái)進(jìn)行選擇。由本發(fā)明的光致抗蝕液形成的光致抗蝕膜通常在蝕刻后被除去，也可以根據(jù)用途不除去而殘留。光致抗蝕膜的除去可以例如通過(guò)使用剝離液(例如，乙醇)的濕式的除去方法來(lái)進(jìn)行。以上，對(duì)在蝕刻中使用本發(fā)明的光致抗蝕液的方式進(jìn)行了說(shuō)明，本發(fā)明的光致抗蝕液也可以用于在被加工表面的希望區(qū)域堆積所希望的物質(zhì)。例如，LED用芯片中，在光取出口(例如，電流擴(kuò)散層)的表面的一部分，取出AuZn或AuGe之類的電極。此時(shí)，在光取出口的表面(例如，電流擴(kuò)散層的表面)，涂布本發(fā)明的光致抗蝕液，除去溶媒，形成光致抗蝕膜之后，在形成電極的區(qū)域，照射激光除去光致抗蝕膜。此時(shí)，向光致抗蝕膜照射的激光可以為在光致抗蝕膜形成低耐久性部的充分的量，此時(shí)繼續(xù)蝕刻除去低耐久性部的光致抗蝕膜，這樣，可以除去形成電極區(qū)域的光致抗蝕膜。之后，將成為電極的物質(zhì)(例如，AuZn或AuGe)在真空下堆積，接著除去光致抗蝕膜，這樣可以在光取出口的表面的所希望的區(qū)域形成電極。如上述說(shuō)明所示，本發(fā)明的光致抗蝕用化合物可以用于微細(xì)凹凸的形成以及半導(dǎo)體裝置的制作中，作為具體示例，可列舉如半導(dǎo)體元件、磁泡存儲(chǔ)器、集成電路等各種電子部件，LED或熒光燈、有機(jī)EL元件、等離子顯示器等發(fā)光等，但不限于這些。實(shí)施例以下通過(guò)實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，本發(fā)明不限于實(shí)施例所示的方式。光致抗蝕膜的形成將氧雜菁色素(示例化合物(II)-5、膜的入max:378nm、熱分解溫度216'C)2g溶解于四氟丙醇(TFP)100ml，將其旋涂到磁盤狀的硅基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內(nèi)徑15mm)上形成涂布膜。旋涂如下進(jìn)行以涂布開(kāi)始旋轉(zhuǎn)數(shù)為500rpm、涂布結(jié)束旋轉(zhuǎn)數(shù)為100rpm的方式，將涂布液分散到基板的內(nèi)周部，緩緩將旋涂數(shù)提高到2200rpm，使涂布膜干燥。形成的涂布膜的厚度為100nm。將形成了涂布膜的硅基板設(shè)置于帕路斯科技工業(yè)株式會(huì)社制NE0500(波長(zhǎng)405nm、NA:0.65)，朝向涂布膜表面照射激光。激光照射條件如下所示。涂布膜中以0.5um間距形成凹坑。激光輸出2mW線速5m/s記錄信號(hào)5MHz的矩形波[實(shí)施例2]凹凸形成以以下的條件，對(duì)經(jīng)實(shí)施例1處理的硅基板，從涂布膜形成面?zhèn)冗M(jìn)行RIE蝕刻之后，以乙醇作為剝離液將涂布膜除去。通過(guò)肉眼可以確認(rèn)，硅基板表面的涂布膜除去面形成有微細(xì)的凹凸。由該結(jié)果可以明確，經(jīng)實(shí)施例1處理的涂布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nrn[實(shí)施例314]除了使用下述表2所示的示例化合物作為氧雜菁色素之外，與實(shí)施例1同樣實(shí)施，在涂布膜表面照射激光，結(jié)果與實(shí)施例1同樣以0.5"m間距在涂布膜形成凹坑。89<table>tableseeoriginaldocumentpage90</column></row><table>[實(shí)施例1526]使用實(shí)施例314所示的具有形成有凹坑的涂布膜的硅基板，與實(shí)施例2同樣操作進(jìn)行RIE蝕刻之后，將乙醇作為剝離液除去涂布膜，結(jié)果肉眼確認(rèn)，所有的硅基板均與實(shí)施例2同樣在各自的表面形成有微細(xì)的凹凸。由該結(jié)果可知，對(duì)于實(shí)施例314所使用的氧雜菁色素，其涂布膜也起到蝕刻掩模的作用。另外，使用在激光的波長(zhǎng)(405rnn)土150nm的范圍內(nèi)具有入max的色素的實(shí)施例與使用在上述范圍之外具有入max的色素的實(shí)施例相比較，凹坑形狀良好。[實(shí)施例15]光致抗蝕膜的形成將花青色素(示例化合物IV-57、膜的入max:448nm、熱分解溫度275T:)2g溶解于四氟丙醇(TFP)100ml，將其旋涂到磁盤狀的硅基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內(nèi)徑15mm)上形成涂布膜。旋涂如下進(jìn)行以涂布開(kāi)始旋轉(zhuǎn)數(shù)為500rpm、涂布結(jié)束旋轉(zhuǎn)數(shù)為100rpm的方式，將涂布液分散到基板的內(nèi)周部，緩緩將旋轉(zhuǎn)數(shù)提高到2200rpm，使涂布膜干燥。形成的涂布膜的厚度為100nm。將形成了涂布膜的硅基板設(shè)置于帕路斯科技工業(yè)株式會(huì)社制NE0500(波長(zhǎng)405nm、NA:0.65)中，向涂布膜表面照射激光。激光照射條件如下所示。涂布膜中以0.5um間距形成了凹坑。激光輸出2mW線速5m/s記錄信號(hào)5MHz的矩形波[實(shí)施例16]除了將使用的色素從花青色素變更為苯乙烯基色素(示例化合物V-l、膜的Amax:543nm、熱分解溫度280°C)之外，通過(guò)與實(shí)施例15同樣的方法，在硅基板上形成了光致抗蝕膜。與實(shí)施例l同樣向該抗蝕膜照射激光，在抗蝕膜以0.5um間距形成有凹坑。[實(shí)施例17、18]凹凸形成在以下的條件下，分別從涂布膜形成面?zhèn)?，?duì)實(shí)施例15和16中處理的硅基板進(jìn)行RIE蝕刻，之后將乙醇作為剝離液將涂布膜除去。肉眼可以確認(rèn)，硅基板表面的涂布膜除去面形成有微細(xì)的凹凸。通過(guò)該結(jié)果可以確認(rèn)，實(shí)施例1和2中處理的涂布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nrn[實(shí)施例1926]除了使用下述表3記載的花青色素或苯乙烯基色素作為色素以外，與實(shí)施例15同樣操作，向抗蝕膜表面照射激光，結(jié)果與實(shí)施例1同樣，以0.5iim的間距在抗蝕膜形成了凹坑。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage91</column></row><table>使用實(shí)施例1926所得的具有形成有凹坑的抗蝕膜的硅基板，與實(shí)施例17同樣操作進(jìn)行RIE蝕刻之后，將乙醇作為剝離液除去涂布膜，結(jié)果肉眼確認(rèn)，所有硅基板均與實(shí)施例l7同樣在其表面形成有微細(xì)的凹凸。由該結(jié)果可知，對(duì)于實(shí)施例1926中使用的花青色素和苯乙烯基色素，其抗蝕膜也可以起到蝕刻掩模的作用。另外，使用在激光的波長(zhǎng)(405nm)士150nm的范圍內(nèi)具有入max的色素的實(shí)施例與使用具有上述范圍之外的Amax的色素的實(shí)施例比較，凹坑形狀良好。[實(shí)施例35](1)光致抗蝕膜的形成將部花青色素(示例化合物(S-39)、熱分解溫度263°C)2g溶解于四氟丙醇(TFP)100ml中，將其旋涂到磁盤狀的硅基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內(nèi)徑15mm)上形成涂布膜。旋涂如下進(jìn)行以涂布開(kāi)始旋轉(zhuǎn)數(shù)為500rpm、涂布結(jié)束旋轉(zhuǎn)數(shù)為100rpm的方式，將涂布液分散到基板的內(nèi)周部，緩緩將旋轉(zhuǎn)數(shù)提高到2200rpm，使涂布膜干燥。形成的涂布膜的厚度為100nm，最大吸收波長(zhǎng)入max為379nm。將形成了涂布膜的硅基板設(shè)置于帕路斯科技工業(yè)株式會(huì)社制NE0500(波長(zhǎng)405nm、NA:0.65)，向涂布膜表面照射激光。激光照射條件如下所示。涂布膜中以0.5um間距形成了凹坑。激光輸出2mW線速5m/s記錄信號(hào)5MHz的矩形波(2)凹凸形成在以下的條件下，對(duì)經(jīng)上述(1)處理的硅基板從涂布膜形成面?zhèn)冗M(jìn)行RIE蝕刻后，將乙醇作為剝離液除去涂布膜。肉眼確認(rèn)，硅基板表面的涂布膜除去面形成有微細(xì)的凹凸。由該結(jié)果可以確認(rèn)，經(jīng)上述(1)處理的涂布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nm[實(shí)施例3647]除了將部花青色素(示例化合物S-39)變換成下述表4所示的示例化合物之外，進(jìn)行與實(shí)施例35同樣的處理，得到了與實(shí)施例35同樣的結(jié)果。表5示例化合物最大吸收波長(zhǎng)(nm)實(shí)施例35(S-39)379實(shí)施例36(S-31)381實(shí)施例37(S-32)401實(shí)施例38(S-33)416實(shí)施例39(S-34)385實(shí)施例40(S-35)370實(shí)施例41(S-36)376實(shí)施例42(S-37)388實(shí)施例43(S-38)413實(shí)施例44(S-40)344實(shí)施例45(S-41)392實(shí)施例46(S-42)402實(shí)施例47(S-43)368(1)光致抗蝕膜的形成將酞菁色素(示例化合物(VII-9)、熱分解溫度325'C、最大吸收波長(zhǎng)入max:346nm)2g溶解于四氟丙醇(TFP)100ml，將其旋涂于磁盤狀的硅基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內(nèi)徑15mm)上形成涂布膜。旋涂如下進(jìn)行以涂布開(kāi)始旋轉(zhuǎn)數(shù)為500rpm、涂布結(jié)束旋轉(zhuǎn)數(shù)為100rpm的方式，將涂布液分散到基板的內(nèi)周部，緩緩將旋涂數(shù)提高到2200rpm，使涂布膜干燥。形成的涂布膜的厚度為100nm。將形成了涂布膜的硅基板設(shè)置于帕路斯科技工業(yè)株式會(huì)社制NE0500(波長(zhǎng):405nm、NA:0.65)中，向涂布膜表面照射激光。.激光照射條件如下所示。涂布膜中以0.5um間距形成了凹坑。激光輸出2mW線速5m/s記錄信號(hào)5MHz的矩形波(2)凹凸形成在以下的條件下，對(duì)經(jīng)上述(1)處理的硅基板從涂布膜形成面?zhèn)冗M(jìn)行RIE蝕刻之后，將乙醇作為剝離液除去涂布膜。肉眼確認(rèn)，硅基板表面的涂布膜除去面形成有微細(xì)的凹凸。由該結(jié)果可知，經(jīng)上述(1)處理的涂布膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)93蝕刻深度50nm[實(shí)施例4959]除了將酞菁色素(VII-9)變換成下述表5所示的示例化合物之外，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的處理，結(jié)果得到與實(shí)施例48相同的結(jié)果。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage94</column></row><table>光致抗蝕膜的形成將偶氮色素(示例化合物(75)、膜的最大吸收波長(zhǎng)入max:441nm、熱分解溫度270°C、)2g溶解于四氟丙醇(TFP)100ml中，將其旋涂到磁盤狀的硅基板(厚度0.6mm、外徑120mm、內(nèi)徑15mm)上形成涂布膜。旋涂如下進(jìn)行以涂布開(kāi)始旋轉(zhuǎn)數(shù)為500rpm、涂布結(jié)束旋轉(zhuǎn)數(shù)為100rpm的方式，將涂布液分散于基板的內(nèi)周部，緩緩將旋轉(zhuǎn)數(shù)提高至2200rpm使涂布膜干燥。形成的光致抗蝕膜的厚度為100nm。將形成了光致抗蝕膜的硅基板設(shè)置到帕路斯科技工業(yè)株式會(huì)社制NEO500(波長(zhǎng)405nm、NA:0.65)，向光致抗蝕膜表面照射激光。激光照射條件如下所示。光致抗蝕膜中以0.5Um間距形成了凹坑。激光輸出2mW線速5m/s記錄信號(hào)5MHz的矩形波[實(shí)施例61]凹凸形成在以下的條件下，對(duì)經(jīng)實(shí)施例60處理的具有形成有凹坑的光致抗蝕膜的硅基板從光致抗蝕膜面?zhèn)?，進(jìn)行RIE蝕刻，之后將乙醇作為剝離液除去光致抗蝕膜。肉眼確認(rèn)，硅基板表面的涂布膜除去面形成有微細(xì)的凹凸。由該結(jié)果可知，實(shí)施例60所得的形成有凹坑的光致抗蝕膜起到蝕刻掩模的作用。蝕刻氣體SF6+CHF3(1:1)蝕刻深度50nrn[實(shí)施例6269]除了使用下述表6所示的示例化合物作為偶氮色素之外，與實(shí)施例60同樣進(jìn)行，對(duì)光致抗蝕膜表面照射激光，結(jié)果與實(shí)施例60同樣，以0.5iim間隔，在光致抗蝕膜形成了凹坑。表7示例化合物最大吸收波長(zhǎng)(nm)熱分解溫度rc)實(shí)施例62(81)460254實(shí)施例63(82)482331實(shí)施例64(85)439275實(shí)施例65(86)377322實(shí)施例66(87)457321實(shí)施例67(44)455321實(shí)施例68(46)598340實(shí)施例69(47)603320使用實(shí)施例6269所得的具有形成有凹坑的光致抗蝕膜的硅基板，與實(shí)施例61同樣操作，進(jìn)行RIE蝕刻之后，將乙醇作為剝離液除去涂布膜，結(jié)果肉眼確認(rèn)，所有硅基板均與實(shí)施例2同樣，在其表面形成有微細(xì)的凹凸。由該結(jié)果可知，實(shí)施例6269使用的偶氮色素中，其光致抗蝕膜也起到蝕刻掩模的作用。另外，使用在激光的波長(zhǎng)(405nm)士150nm的范圍具有Amax的色素的實(shí)施例與使用具有上述范圍外的Amax的色素的實(shí)施例相比，凹坑形狀良好。通過(guò)本發(fā)明，可以容易地進(jìn)行微細(xì)的表面加工。權(quán)利要求1.一種光致抗蝕用化合物，其選自具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(I)所示的化合物，通式(I)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>通式(I)中，A、B、C和D分別獨(dú)立地表示吸電子性基團(tuán)，A表示的吸電子性基團(tuán)與B表示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值的合計(jì)為0.6以上，C表示的吸電子性基團(tuán)與D表示的吸電子性基團(tuán)的哈米特op值的合計(jì)為0.6以上，A與B可以相互連結(jié)形成環(huán)，C與D也可相互連結(jié)形成環(huán)，R表示次甲基碳上的取代基，m表示0以上、3以下的整數(shù)，n表示0以上、(2m+l)以下的整數(shù)，當(dāng)n為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)存在的R可分別相同或不同，也可相互連結(jié)形成環(huán)，X表示將通式(I)所示化合物的電荷中和的平衡離子。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為IOO。C以上、50(TC以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(IV)所示的化合物，通式(IV)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>通式(IV)中，Z1和Z2分別獨(dú)立地表示形成可稠環(huán)的5元或6元含氮雜環(huán)所必要的非金屬原子組，L1、1^和y分別獨(dú)立地表示次甲基鏈，n^表示02范圍的整數(shù)，W和f分別獨(dú)立地表示取代基，n^表示2時(shí)，多個(gè)存在的L2、17可以相同或不同，p和q分別獨(dú)立地表示O或l，R11、R12、1113和R"分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，X1表示將通式(IV)所示化合物的電荷中和的平衡離子。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(V)所示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>通式(V)中，^表示形成可稠環(huán)的5元或6元含氮雜環(huán)所必要的非金屬原子組，1/和15分別獨(dú)立地表示次甲基鏈，R3、R4、尺5和116分別獨(dú)立地表示取代基，士表示04范圍的整數(shù)，士為2以上時(shí)，多個(gè)存在的R6可以相同或不同，r表示0或1，R"和R"分別獨(dú)立地表示氫原子或取代基，XZ表示將通式(V)所示化合物的電荷中和的平衡離子。6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為IO(TC以上、60(TC以下。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(VI)所示的化合物，通式(V)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>通式(vi)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>通式(VI)中，ZU表示與X^和X"—起形成5元或6元雜環(huán)的原子團(tuán)，xn和X"分別獨(dú)立地表示碳原子或雜原子，X"和X"中的至少一方表示雜原子，Yi和P分別獨(dú)立地表示取代基，"和"中的至少一方表示氰基、垸基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、氨基羰基、烷基磺酸基、芳基磺酸基、烷基磺酰基、芳基磺酰基或氨基磺?；?，Yi與f也可以相互結(jié)合形成環(huán)，LU和L"分別獨(dú)立地表示次甲基，W表示02范圍的整數(shù)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為150t:以上、50(TC以下。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(VII)所示的化合物，通式(VII)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>通式(Vn)中，R"表示取代基，113表示18范圍的整數(shù)，」為2以上的整數(shù)時(shí)，多個(gè)存在的R"可分別相同或不同，M表示2個(gè)氫原子、24價(jià)的金屬原子、24價(jià)的氧代金屬原子、或具有配位基的24價(jià)的金屬原子。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(VII)所示的化合物為下述通式(VIII)所示的化合物，通式(vm)4<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>通式(VIII)中，R"R"和R"R"分別獨(dú)立地表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、甲?；Ⅳ然?、磺基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的垸基、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基、碳數(shù)110的取代或無(wú)取代的雜環(huán)基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的垸氧基、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳氧基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的酰基、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的垸基磺?；?、碳數(shù)614的取代或無(wú)取代的芳基磺?；?、碳數(shù)110的雜原子鍵合磺酰基、碳數(shù)125的取代或無(wú)取代的氨基甲?；⑻紨?shù)032的取代或無(wú)取代的氨磺?；⑻紨?shù)220的取代或無(wú)取代的垸氧基羰基、碳數(shù)715的取代或無(wú)取代的芳氧基羰基、碳數(shù)221的取代或無(wú)取代的?；被?、碳數(shù)120的取代或無(wú)取代的磺?；被蛱紨?shù)036的取代或無(wú)取代的氨基，R"R。s和R"R"中的至少8個(gè)為氫原子，R"R。8不全為氫原子，M與通式(VII)中的定義相同。11.根據(jù)權(quán)利要求IO所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(VIII)中，R"和R。2中的任一方、R"和R"中的任一方、R05和R"中的任一方以及R。7和Ra8中的任一方不是氫原子。12.根據(jù)權(quán)利要求911中任一項(xiàng)所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為150。C以上、50(TC以下。13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕用化合物，其為下述通式(IX)所示的化合物，或該化合物與金屬離子的絡(luò)合物，通式(IX)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>通式(IX)中，Qi表示芳基或雜環(huán)基，(^2表示芳基、雜環(huán)基或CR"R42所示的基團(tuán)，R"和R"分別獨(dú)立地表示取代基，R41表示的取代基與R42表示的取代基的哈米特op值的合計(jì)值為0.6以上。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(IX)所示的化合物為下述通式(X-1)所示的化合物，通式(X-1)通式(X-1)中，A1表示與和其結(jié)合的碳原子以及氮原子一起形成雜芳香環(huán)的原子團(tuán)，(53與通式(1乂)中的02的含義相同。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光致抗蝕用化合物，其中，通式(IX)所示的化合物為下述通式(X-2)所示的化合物，通式(X-2)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>通式(X-2)中，A2表示與和其結(jié)合的碳原子以及氮原子一起形成雜芳香環(huán)的原子團(tuán)，Q"與通式(IX沖(^的含義相同。16.根據(jù)權(quán)利要求1315中任一項(xiàng)所述的光致抗蝕用化合物，其熱分解溫度為150。C以上、50(TC以下。17.—種光致抗蝕液，其中含有權(quán)利要求116中任一項(xiàng)所述的光致抗蝕用化合物的至少一種。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光致抗蝕液，其中，以所述光致抗蝕液中含有的全部固態(tài)組分為基準(zhǔn)，含有50質(zhì)量％以上的所述光致抗蝕用化合物。19.一種被加工表面的蝕刻方法，其中包括下述工序?qū)?quán)利要求17或18所述的光致抗蝕液涂布到被加工表面形成光致抗蝕膜；對(duì)所述光致抗蝕膜進(jìn)行圖案曝光；以及，對(duì)具有所述圖案曝光后的光致抗蝕膜的被加工表面的至少一部分施加蝕刻處理，將與所述圖案曝光中被曝光的部分相對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的被加工表面的至少一部分蝕刻。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的被加工表面的蝕刻方法，所述圖案曝光中所使用的光是具有入nm的波長(zhǎng)的激光，所述光致抗蝕膜中含有的所述光致抗蝕用化合物是從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物選擇的化合物，且其最大吸收波長(zhǎng)入max在入士150nm的范圍。21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的被加工表面的蝕刻方法，其中，所述圖案曝光中使用的光為具有入nm的波長(zhǎng)的激光，所述光致抗蝕膜中含有的所述光致抗蝕用化合物為具有酞菁色素骨架的化合物，且在入土150nm的范圍具有最大吸收。全文摘要本發(fā)明涉及從具有氧雜菁色素骨架的化合物，具有花青色素、苯乙烯基色素、部花青色素骨架的化合物，具有酞菁色素骨架的化合物，偶氮化合物，以及偶氮化合物與金屬離子的絡(luò)合物選擇的光致抗蝕用化合物。另外，本發(fā)明提供了使用含有至少一種上述光致抗蝕用化合物的光致抗蝕液，以及使用上述光致抗蝕液的被加工表面的蝕刻方法。文檔編號(hào)C09B23/00GK101675117SQ20088000706公開(kāi)日2010年3月17日申請(qǐng)日期2008年3月5日優(yōu)先權(quán)日2007年3月5日發(fā)明者宇佐美由久,渡邊哲也申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社