專利名稱：銦錫氧化物層的涂布方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是與透明導(dǎo)電物的涂層技術(shù)有關(guān)，特別是指一種銦錫氧化物層 的涂布方法。
背景技術(shù)：
按，現(xiàn)有的顯示裝置中，以平板顯示器而言，例如液晶屏幕、行動電 話屏幕，在制造時必須使用到透明導(dǎo)電層的。公知技術(shù)中是使用銦錫氧化
物(ITO)做為透明導(dǎo)電層。
而現(xiàn)有的銦錫氧化物的涂層方法中，主要是使用ITO靶材，經(jīng)由濺鍍 沉積(sputter deposition)來形成的。
例如，中國臺灣專利第1253477號「氧化銦錫層及其制造方法」發(fā)明 專利，其專利說明書中關(guān)于背景技術(shù)，即已提到了 Ishibashi et al.的論文 (Low Resistivity Indium- Tin Oxide Transparent Conductive Films, I. Effect Of Introducing H20 Gas or H2-Gas During Direct Current Magnetron Sputtering,) ， J Vac. Sci. Technol. A 8(3) May/June 1990，該論文介紹了關(guān)于 使用直流電磁電管濺鍍的技術(shù)。另外，前述1253477號專利的背景技術(shù)中 還有提到了 B. H. Lee et al.的論文(effect of Base Pressure in Sputter
月8日至12日于美國舊金山平板顯示器材料II討論會，Mat.Res.Soc.Symp. Proc.Vol.424, 1997.該論文是射頻與直流電磁電管濺鍍的技術(shù)。
而1253477號專利，其本身的技術(shù)亦是在于使用濺鍍的技術(shù)來形成氧 化銦錫層。
然而，使用濺鍍的方式來形成氧化銦錫層，濺鍍的技術(shù)本身的環(huán)境需 求嚴(yán)苛且昂貴，例如，其對于真空、反應(yīng)氣體壓力以及溫度的控制，而真 空腔室本身即是昂貴且生產(chǎn)效率極低的制造環(huán)境，因此更為便宜快速的銦 錫氧化物層的涂布方法，即成為目前大家積極找尋的方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種銦錫氧化物層的涂布方法，其可以液態(tài)的 方式來進行涂布，且其工作環(huán)境需求低，可在常溫常壓下進行涂布，成本 可大幅降低。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的銦錫氧化物層的涂布方法，包含有下 列步驟
a) 備置銦錫氧化物的混合液以及一基板該銦錫氧化物的混合液中 至少含有多數(shù)的銦錫氧化物粒子以及溶劑，其中該溶劑屬液態(tài)物質(zhì)；
b) 涂覆將該銦錫氧化物的混合液均勻涂覆于該基板上；
C)干燥以預(yù)定干燥方式將該銦錫氧化物的混合液中的液態(tài)物質(zhì)移 除；以及
d)成形干燥后即于該基板上形成預(yù)定厚度的一層銦錫氧化物。 所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟C中，干燥的方式為 真空減壓干燥(VCD)。
所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟d中，該銦錫氧化物
層的厚度小于3000A。
所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟a中，該些銦錫氧化 物粒子的直徑介于l-10納米(nm)。
所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟a中，該銦錫氧化物 的混合物還包含有連接劑(Binder)、單體(Monomer)以及光起始劑 (photo-initiator);于步驟c的干燥后，還包含有一步驟cl固化進行熱板 (HP)、冷板(CP)、曝光(exposure)以及固烤(post bake)步驟，使得該光起始 劑啟動該連接劑與該些銦錫氧化物粒子作用，以使該些銦錫氧化物粒子更 穩(wěn)固的附著于該基板上。
所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟cl中，固烤的溫度 低于500°C。
所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟b中，涂覆的方式為
旋轉(zhuǎn)涂覆。
所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟b中，涂覆的方式為 直接涂覆。
具體實施例方式
為了詳細說明本發(fā)明的技術(shù)特點所在，舉以下一較佳實施例進行說 明，其中
本發(fā)明一較佳實施例所提供的一種銦錫氧化物層的涂布方法，具有下 列步驟
a) 備置銦錫氧化物的混合液以及一基板該銦錫氧化物的混合液中
含有多數(shù)的銦錫氧化物粒子、溶劑、連接劑(Binder)、單體(Monomer)以及 光起始劑(Photo-initiator)，其中該溶劑屬液態(tài)物質(zhì)，該些銦錫氧化物粒子 的直徑介于l-10納米(nm)。
b) '涂覆將該銦錫氧化物的混合液均勻涂覆于該基板上。而均勻涂 覆的方式可為旋轉(zhuǎn)涂覆(slit&spin)或為直接涂覆(spinless,非旋轉(zhuǎn)式涂覆)。 其中旋轉(zhuǎn)涂覆或直接涂覆的方式，屬公知技術(shù)，常見于光盤片制造技術(shù)的 上膠工藝，其詳細操作方式由于不是本發(fā)明的技術(shù)重點，容不贅述。
c) 干燥以預(yù)定干燥方式，例如真空減壓干燥(VCD)或加熱方式將 該銦錫氧化物的混合液中的液態(tài)物質(zhì)移除(受熱蒸發(fā)或壓降蒸發(fā))。
cl)固化進行熱板(HP)、冷板(CP)、曝光(exposure)以及固烤(post bake)
步驟，使得該光起始劑啟動該連接劑與該些銦錫氧化物粒子作用，以使該 些銦錫氧化物粒子更穩(wěn)固的附著于該基板上。且固烤的溫度低于500°C。
d) 成形干燥后即于該基板上形成預(yù)定厚度的一層銦錫氧化物。該 層銦錫氧化物的厚度小于3000A。
由上述步驟，可以在基板上形成一層銦錫氧化物，其主要是通過銦錫 氧化物的混合液(液態(tài))，先進行涂覆，再干燥成形出一層銦錫氧化物，該 層銦錫氧化物即為一透明導(dǎo)電層。其銦錫氧化物在成形過程中的工作形態(tài) 為液態(tài)。
本發(fā)明以液態(tài)的方式進行涂布，可在常溫常壓的環(huán)境中進行。相較于 傳統(tǒng)濺鍍的方式，本發(fā)明的環(huán)境需求極低，不僅可大量降低成本，更進一 步還受惠于不需真空環(huán)境而可直接進行連續(xù)的生產(chǎn)，生產(chǎn)速度即因而大幅 提咼°
權(quán)利要求
1、一種銦錫氧化物層的涂布方法，包含有下列步驟a)備置銦錫氧化物的混合液以及一基板該銦錫氧化物的混合液中至少含有多數(shù)的銦錫氧化物粒子以及溶劑，其中該溶劑屬液態(tài)物質(zhì)；b)涂覆將該銦錫氧化物的混合液均勻涂覆于該基板上；c)干燥以預(yù)定干燥方式將該銦錫氧化物的混合液中的液態(tài)物質(zhì)移除；以及d)成形干燥后即于該基板上形成預(yù)定厚度的一層銦錫氧化物。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟C 中，干燥的方式為真空減壓干燥。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟d中，該銦錫氧化物層的厚度小于3000A。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟a 中，該些銦錫氧化物粒子的直徑介于l-10納米。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟a 中，該銦錫氧化物的混合物還包含有連接劑、單體以及光起始劑；于步驟 c的干燥后，還包含有一步驟cl固化進行熱板、冷板、曝光以及固烤步 驟，使得該光起始劑啟動該連接劑與該些銦錫氧化物粒子作用，以使該些 銦錫氧化物粒子更穩(wěn)固的附著于該基板上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟 cl中，固烤的溫度低于50(TC。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟b中，涂覆的方式為旋轉(zhuǎn)涂覆。
8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的銦錫氧化物層的涂布方法，其中于步驟b中，涂覆的方式為直接涂覆。
全文摘要
一種銦錫氧化物層的涂布方法，包含有a)備置銦錫氧化物的混合液以及一基板該銦錫氧化物的混合液中至少含有多數(shù)的銦錫氧化物粒子以及溶劑，其中該溶劑屬液態(tài)物質(zhì)；b)將該銦錫氧化物的混合液均勻涂覆于該基板上；c)以預(yù)定干燥方式將該銦錫氧化物的混合液中的液態(tài)物質(zhì)移除；以及d)干燥后即于該基板上形成預(yù)定厚度的一層銦錫氧化物。由上述步驟，可在常溫常壓的環(huán)境下進行涂布作業(yè)，而可較公知的濺鍍方式更為節(jié)省成本并可提高產(chǎn)能。
文檔編號B05D7/24GK101376131SQ200710147949
公開日2009年3月4日 申請日期2007年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月27日
發(fā)明者李炳寰, 簡永杰 申請人:東捷科技股份有限公司