包含環(huán)酮過氧化物的母體混合物的制作方法
【專利說明】包含環(huán)酮過氧化物的母體混合物
[0001] 本申請涉及包含二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物的母體混合物。本申請還涉及制備 此母體混合物的方法及此母體混合物在改性聚合物中的用途。
[0002] 母體混合物為可用于加工聚合物（具體而言為烯烴聚合物）的添加劑（在此狀況 下為有機過氧化物）的濃縮物。母體混合物可用于添加有機過氧化物至待加工的聚合物中 以改進過氧化物在該聚合物中的分散且改進配量容易性，尤其當使用者不能處理液體形式 的有機過氧化物時。
[0003] -般通過將高濃度的過氧化物分散于與待加工的聚合物兼容的材料中來獲得母 體混合物。為了獲得最優(yōu)選使用經濟性，濃縮物應含有至多且包括最高可能量的可用量 的過氧化物，同時使得當該母體混合物稀釋于待加工的聚合物中時達到過氧化物的有效分 散。
[0004] 有機溶劑中的液體環(huán)酮過氧化物配制劑公開于WO 98/33770和US6, 358, 435中。 然而，這些液體配制劑在儲存于-o°c或-o°c以下時由于形成易發(fā)生爆炸的晶體而削減安 全性且為危險的。
[0005] WO 2004/052877提供針對此安全性問題的解決方案，通過添加固體石蠟至液體配 制劑中，固體石蠟通過在高于環(huán)酮過氧化物的結晶溫度的溫度下在該環(huán)酮過氧化物配制劑 中凝固而充當共結晶化合物。
[0006] 現已出人意料地發(fā)現可在不存在該種共結晶劑的情況下制備二聚和/或三聚環(huán) 酮過氧化物的母體混合物而不削減安全性，即使在低溫及高過氧化物濃度下也如此。因此， 當將環(huán)酮過氧化物分散于聚合基質中時，添加共結晶劑不為必需的。
[0007] 本發(fā)明因此涉及包含分散于聚合基質中的二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物的母體 混合物，該聚合基質以基于該基質體積的空隙百分比表示的孔隙率為〇. 1-80體積％，其中 該母體混合物在每100g聚合基質中包含l-30g二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物和小于0. 20g 具有17-51個碳原子的飽和烴。
[0008] 典型地，可根據本發(fā)明調配的二聚和三聚環(huán)酮過氧化物由式I-II表示：
[0009]
【主權項】
1. 包含分散于聚合基質中的二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物的母體混合物，所述聚合基 質以基于基質體積的空隙百分比表示的孔隙率為0. 1-80體積％，其中所述母體混合物在 每100g聚合基質中包含l-30g二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物和小于0. 20g具有17-51個 碳原子的飽和烴。
2. 根據權利要求1的母體混合物，其在每100g聚合基質中包含小于0. 15g具有17-51 個碳原子的飽和烴。
3. 根據權利要求2的母體混合物，其在每100g聚合基質中包含小于0.1 Og具有17-51 個碳原子的飽和烴。
4. 根據權利要求1-3中任一項的母體混合物，其中二聚環(huán)酮過氧化物具有式（I)的結 構且三聚環(huán)酮過氧化物具有式（II)的結構：
其中^-^獨立地選自：氫工廠'烷基工廠'環(huán)烷基工廣'芳基工廠'芳烷基和^-。 烷芳基，所述基團可包括直鏈或支化烷基部分；且R1-R6中的每一個可任選經一或多個選自 羥基、烷氧基、直鏈或支化烷基、芳氧基、酯、羧基、腈和酰氨基的基團取代。
5. 根據權利要求4的母體混合物，其中環(huán)酮過氧化物為3, 6, 9-三乙基-3, 6, 9-三甲 基_1，4, 7_二過氧壬燒。
6. 根據前述權利要求中任一項的母體混合物，其中所得母體混合物在每100g聚合基 質中包含4-18g二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物。
7. 根據前述權利要求中任一項的母體混合物，其中聚合基質具有10-60體積％的孔隙 率。
8. 根據前述權利要求中任一項的母體混合物，其中聚合基質中至少50重量％由聚丙 烯、聚乙烯、乙烯乙酸乙烯酯聚合物或其任何混合物組成。
9. 根據權利要求8的母體混合物，其中聚合物為聚合反應器等級或擠壓多孔等級。
10. 根據前述權利要求中任一項的母體混合物，其中配制劑包含一或多種另外的過氧 化物或氫過氧化物。
11. 用于制備根據權利要求1-10中任一項的母體混合物的方法，其包括以下步驟： (i) 提供聚合基質，所述聚合基質以基于基質體積的空隙百分比表示的孔隙率為 0. 1-80體積％，和 (ii) 用包含二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物及一或多種溶劑的配制劑浸漬所述聚合基 質。
12. 根據權利要求1-10中任一項的母體混合物在改性聚合物中的用途。
13. 根據權利要求12的用途，其中改性涉及聚丙烯均聚物和/或丙烯與乙烯的共聚物 的裂解。
14.根據權利要求12的用途，其中改性涉及聚乙烯的長鏈分支引入或交聯。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種包含分散于聚合基質中的二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物的母體混合物，該聚合基質以基于該基質體積的空隙百分比表示的孔隙率為0.1-80體積％，其中該母體混合物在每100g聚合基質中包含1-30g二聚和/或三聚環(huán)酮過氧化物和小于0.20g具有17-51個碳原子的飽和烴。
【IPC分類】C08L23-02, C08J3-22, C08K5-14, C08J9-40
【公開號】CN104822752
【申請?zhí)枴緾N201380061349
【發(fā)明人】P·A·亞科布奇, W·K·弗里林克, B·費希爾
【申請人】阿克佐諾貝爾化學國際公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2013年12月2日
【公告號】WO2014086692A1