本發(fā)明涉及微生物培養(yǎng),更具體地,本發(fā)明涉及一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置及培養(yǎng)方法。
背景技術(shù):
1、電纜細(xì)菌(cable?bacteria)是desulfobulbaceae科中一類特殊的絲狀細(xì)菌,它們通過多個(gè)細(xì)胞首尾相連形成長(zhǎng)達(dá)數(shù)厘米的細(xì)胞長(zhǎng)鏈。電纜細(xì)菌在自然環(huán)境中起重要作用,特別是在促進(jìn)有機(jī)污染物降解、調(diào)節(jié)金屬元素遷移和循環(huán)、緩解硫化物毒性以及減少溫室氣體排放方面體現(xiàn)顯著。然而,目前對(duì)電纜細(xì)菌的主要培養(yǎng)方式都是在開放體系中持續(xù)曝氣培養(yǎng),這種培養(yǎng)方式雖然貼合原位環(huán)境,但因開放體系而帶來的局限性也隨之顯現(xiàn),如開放體系缺乏嚴(yán)格的隔離措施,容易受到外界微生物的干擾,從而影響電纜細(xì)菌的生長(zhǎng)和實(shí)驗(yàn)結(jié)果;開放體系中,我們無法根據(jù)電纜細(xì)菌的生長(zhǎng)特性,提供最有利的生長(zhǎng)條件,導(dǎo)致電纜細(xì)菌生長(zhǎng)的速度和豐度未能達(dá)到預(yù)期;開放體系中的條件不穩(wěn)定,難以控制,實(shí)驗(yàn)結(jié)果的重復(fù)性差,增加了電纜細(xì)菌實(shí)驗(yàn)結(jié)果的不確定性。因此,急需提供了一種在密閉體系條件下培養(yǎng)電纜細(xì)菌的方法,用于解決了開放體系的微生物培養(yǎng)面臨污染風(fēng)險(xiǎn)、條件控制難度、資源消耗、實(shí)驗(yàn)操作復(fù)雜性以及數(shù)據(jù)重復(fù)性等問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明目的是提供一種在密閉體系下培養(yǎng)電纜細(xì)菌的裝置和方法。
2、本發(fā)明的第一個(gè)方面,提供一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置,包括培養(yǎng)試管、密封培養(yǎng)試管的膠塞、進(jìn)氣針和出氣針,培養(yǎng)試管包括管身本體、與管身本體連通的壓力表,管身本體內(nèi)從下到上依次設(shè)有沉積物層、超純水層和頂空氣體層,進(jìn)氣針與出氣針平行穿過膠塞并插入管身本體內(nèi),進(jìn)氣針的尖端低于出氣針的尖端,進(jìn)氣針的頂端設(shè)有進(jìn)氣口,進(jìn)氣口通過氣管連接純氧氣瓶對(duì)管身本體內(nèi)進(jìn)行曝氣,壓力表與頂空氣體層相連通。
3、在一些實(shí)施方式中,超純水層的厚度為2mm,進(jìn)氣針的尖端位于超純水層上方5mm處,出氣針的尖端位于膠塞下方5mm處。
4、在一些實(shí)施方式中,沉積物層與頂空氣體層的容積比為1:2。
5、在一些實(shí)施方式中,培養(yǎng)試管還包括單向閥門,單向閥門的一端與管身本體的頂空氣體層相連通,另一端與壓力表相連通。
6、在一些實(shí)施方式中,進(jìn)氣口內(nèi)設(shè)有濾膜,濾膜是孔徑為0.22μm的微孔濾膜。
7、在一些實(shí)施方式中,管身本體是規(guī)格為18*18mm的試管,膠塞為丁基膠塞,膠塞與管身本體的管口相匹配。
8、本發(fā)明的第二個(gè)方面,提供了一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)方法,該方法采用一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置對(duì)電纜細(xì)菌進(jìn)行培養(yǎng),包括以下步驟:
9、s1.對(duì)典型黑臭河流中收集到的沉積物進(jìn)行預(yù)處理,得到預(yù)處理沉積物;
10、s2.向管體本身內(nèi)裝入步驟s1得到的預(yù)處理沉積物,形成沉積物層,在沉積物層上方加入超純水,形成2mm厚的超純水層,用丁基膠塞封堵管口,并用壓蓋器密封;
11、s3.在丁基膠塞外側(cè)平行插入一根進(jìn)氣針和一根出氣針,其中進(jìn)氣針的針尖位于超純水層上方5mm處,出氣針的針尖位于丁基膠塞下方5mm處,通過進(jìn)氣針向培養(yǎng)試管內(nèi)進(jìn)行純氧曝氣5min,使頂空氣體層內(nèi)氧氣濃度達(dá)到0.2mpa,完成一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置的建立;
12、s4.將該電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置置于25℃、黑暗條件下對(duì)沉積物層中含有的電纜細(xì)菌進(jìn)行培養(yǎng)。
13、在一些實(shí)施方式中,步驟s1中對(duì)典型黑臭河流中收集到的沉積物進(jìn)行預(yù)處理為:用0.50mm孔徑的篩網(wǎng)去除沉積物中的大型異物,混勻靜置24h后去除上清液,得到預(yù)處理沉積物。
14、在一些實(shí)施方式中,步驟s1中典型黑臭河流中收集到的沉積物的理化參數(shù)為:avs含量不低于1.50mg/g,toc含量不低于40mg/g。
15、在一些實(shí)施方式中,步驟s2中裝入的預(yù)處理沉積物的體積為11ml,步驟s3中曝氣過程中曝氣量為1cm3/min,曝氣過程中將培養(yǎng)試管置于25℃恒溫水浴中持續(xù)曝氣。
16、本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明構(gòu)建的電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置為快速、簡(jiǎn)便地培養(yǎng)電纜細(xì)菌提供了新方法,能夠顯著降低污染風(fēng)險(xiǎn),提高電纜細(xì)菌的培養(yǎng)純度和可靠性,且通過精確控制培養(yǎng)條件,增強(qiáng)培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)的可重復(fù)性,提高了實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一致性和重復(fù)性,使得長(zhǎng)期培養(yǎng)實(shí)驗(yàn)可行,維持了穩(wěn)定的電纜細(xì)菌生長(zhǎng)環(huán)境,對(duì)研究電纜細(xì)菌的適應(yīng)性和進(jìn)化具有重要價(jià)值,同時(shí)降低人為誤差,提高準(zhǔn)確性,為難以在開放環(huán)境中生長(zhǎng)或?qū)Νh(huán)境變化敏感的微生物提供適宜的生長(zhǎng)條件,實(shí)現(xiàn)資源的最大化利用,節(jié)約培養(yǎng)成本。
1.一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置,其特征在于,包括培養(yǎng)試管、密封所述培養(yǎng)試管的膠塞、進(jìn)氣針和出氣針,所述培養(yǎng)試管包括管身本體、與管身本體連通的壓力表,所述管身本體內(nèi)從下到上依次設(shè)有沉積物層、超純水層和頂空氣體層,所述進(jìn)氣針與所述出氣針平行穿過所述膠塞并插入所述管身本體內(nèi),所述進(jìn)氣針的尖端低于所述出氣針的尖端,所述進(jìn)氣針的頂端設(shè)有進(jìn)氣口,所述進(jìn)氣口通過氣管連接純氧氣瓶對(duì)所述管身本體內(nèi)進(jìn)行曝氣,所述壓力表與所述頂空氣體層相連通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置,其特征在于,所述超純水層的厚度為2mm,所述進(jìn)氣針的尖端位于所述超純水層上方5mm處,所述出氣針的尖端位于所述膠塞下方5mm處。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置,其特征在于,所述沉積物層與所述頂空氣體層的容積比為1:2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置,其特征在于,所述培養(yǎng)試管還包括單向閥門,所述單向閥門的一端與所述管身本體的頂空氣體層相連通,另一端與所述壓力表相連通。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置,其特征在于,所述進(jìn)氣口內(nèi)設(shè)有濾膜,所述濾膜是孔徑為0.22μm的微孔濾膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置,其特征在于,所述管身本體是規(guī)格為18*18mm的試管,所述膠塞為丁基膠塞,所述膠塞與所述管身本體的管口相匹配。
7.一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)方法,其特征在于,采用權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)裝置對(duì)電纜細(xì)菌進(jìn)行培養(yǎng),包括以下步驟:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)方法,其特征在于,所述步驟s1中對(duì)典型黑臭河流中收集到的沉積物進(jìn)行預(yù)處理為:用0.50mm孔徑的篩網(wǎng)去除沉積物中的大型異物,混勻靜置24h后去除上清液,得到預(yù)處理沉積物。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)方法,其特征在于,所述步驟s1中典型黑臭河流中收集到的沉積物的理化參數(shù)為:avs含量不低于1.50mg/g,toc含量不低于40mg/g。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種電纜細(xì)菌的密閉體系培養(yǎng)方法,其特征在于,所述步驟s2中裝入的預(yù)處理沉積物的體積為11ml,所述步驟s3中曝氣過程中曝氣量為1cm3/min,所述曝氣過程中將培養(yǎng)試管置于25℃恒溫水浴中持續(xù)曝氣。