本發(fā)明涉及半導體
技術領域：
，尤其是涉及一種以二甲基蒽酮為核心的化合物及其在有機電致發(fā)光器件上的應用。
背景技術：
：有機電致發(fā)光(oled:organiclightemissiondiodes)器件技術既可以用來制造新型顯示產(chǎn)品，也可以用于制作新型照明產(chǎn)品，有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明，應用前景十分廣泛。oled發(fā)光器件猶如三明治的結(jié)構，包括電極材料膜層以及夾在不同電極膜層之間的有機功能材料，各種不同功能材料根據(jù)用途相互疊加在一起共同組成oled發(fā)光器件。oled發(fā)光器件作為電流器件，當對其兩端電極施加電壓，并通過電場作用有機層功能材料膜層中的正負電荷時，正負電荷進一步在發(fā)光層中復合，即產(chǎn)生oled電致發(fā)光。當前，oled顯示技術已經(jīng)在智能手機，平板電腦等領域獲得應用，進一步還將向電視等大尺寸應用領域擴展，但是，和實際的產(chǎn)品應用要求相比，oled器件的發(fā)光效率和使用壽命等性能還需要進一步提升。目前對oled發(fā)光器件提高性能的研究包括：降低器件的驅(qū)動電壓、提高器件的發(fā)光效率、提高器件的使用壽命等。為了實現(xiàn)oled器件的性能的不斷提升，不但需要從oled器件結(jié)構和制作工藝的創(chuàng)新，更需要oled光電功能材料不斷研究和創(chuàng)新，創(chuàng)制出更高性能的oled功能材料。應用于oled器件的oled光電功能材料從用途上可劃分為兩大類，分別為電荷注入傳輸材料和發(fā)光材料。進一步，還可將電荷注入傳輸材料分為電子注入傳輸材料、電子阻擋材料、空穴注入傳輸材料和空穴阻擋材料，還可以將發(fā)光材料分為主體發(fā)光材料和摻雜材料。為了制作高性能的oled發(fā)光器件，要求各種有機功能材料具備良好的光電性能，譬如，作為電荷傳輸材料，要求具有良好的載流子遷移率，高玻璃化轉(zhuǎn)化溫度等，作為發(fā)光層的主體材料具有良好雙極性，適當?shù)膆omo/lumo能階等。構成oled器件的oled光電功能材料膜層至少包括兩層以上結(jié)構，產(chǎn)業(yè)上應用的oled器件結(jié)構則包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等多種膜層，也就是說應用于oled器件的光電功能材料至少包括空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā)光材料、電子傳輸材料等，材料類型和搭配形式具有豐富性和多樣性的特點。另外，對于不同結(jié)構的oled器件搭配而言，所使用的光電功能材料具有較強的選擇性，相同的材料在不同結(jié)構器件中的性能表現(xiàn)也可能完全迥異。因此，針對當前oled器件的產(chǎn)業(yè)應用要求以及oled器件的不同功能膜層，器件的光電特性需求，必須選擇更適合、性能更高的oled功能材料或材料組合，才能實現(xiàn)器件的高效率、長壽命和低電壓的綜合特性。就當前的oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實際需求而言，目前oled材料的發(fā)展還遠遠不夠，落后于面板制造企業(yè)的要求，作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機功能材料顯得尤為重要。技術實現(xiàn)要素：針對現(xiàn)有技術存在的上述問題，本申請人提供了一種以二甲基蒽酮為核心的化合物及其在有機電致發(fā)光器件上的應用。本發(fā)明化合物以二甲基蒽酮為核心，作為發(fā)光層材料應用于有機發(fā)光二極管，本發(fā)明制作的器件具有良好的光電性能，能夠滿足面板制造企業(yè)的要求。一種以二甲基蒽酮為核心的化合物，所述化合物的結(jié)構如通式(1)所示：通式(1)中，ar1表示苯基或二聯(lián)苯基，ar1還可以是單鍵；r表示通式(2)、通式(3)或者通式(4)所示的結(jié)構；通式(2)和通式(4)中，ar2表示為苯基、二聯(lián)苯基或萘基；通式(2)、通式(3)和通式(4)通過cl1-cl2鍵、cl2-cl3鍵或cl3-cl4鍵和通式(1)連接。優(yōu)選的，所述以二甲基蒽酮為核心的化合物的具體結(jié)構式為以下結(jié)構中的任一種：本申請人還提供了一種制備所述的以二甲基蒽酮為核心的化合物的方法，制備過程中發(fā)生的反應式如下：反應a：具體制備方法為：將原料i和中間體m溶解于甲苯和乙醇的混合溶液中，除氧后加入pd(pph3)4和k2co3，在惰性氣氛下95～110℃反應10～24個小時，反應過程中不斷用tlc監(jiān)測反應進程，待原料反應完全后，冷卻、過濾，將濾液旋蒸除去溶劑，粗產(chǎn)品過硅膠柱，得到目標化合物；所述的原料i與中間體m的摩爾比為(1.0～2.5):1，pd(pph3)4與原料i的摩爾比為(0.006～0.02):1，k2co3與原料i的摩爾比為(1.5～2.5):1；或者反應b：具體制備方法為：稱取中間體原料i和中間體n用甲苯溶解，再加入pd2(dba)3和叔丁醇鈉；在惰性氣氛下，將上述反應物的混合溶液于反應溫度90～110℃下反應10～24小時，反應過程中不斷用tlc監(jiān)測反應進程，待原料反應完全后冷卻、過濾反應溶液，濾液旋蒸，過硅膠柱，得到目標產(chǎn)物；所述的原料i與中間體n的摩爾比為1:(1.0～1.5)；pd2(dba)3與原料i的摩爾比為(0.006～0.02):1，叔丁醇鈉與原料i的摩爾比為(2.0～3.0):1。本申請人還提供了一種所述的以二甲基蒽酮為核心的化合物用于制備有機電致發(fā)光器件的應用方法。所述有機電致發(fā)光器件還包括透明基板層、ito陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層/電子傳輸層、電子注入層及陰極反射電極層，所述透明基板層、ito陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、空穴阻擋層/電子傳輸層、電子注入層及陰極反射電極層從下至上依次層疊布置。本申請人還提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括發(fā)光層，所述發(fā)光層包括所述的以二甲基蒽酮為核心的化合物。本發(fā)明有益的技術效果在于：所述化合物結(jié)構分子內(nèi)包含電子給體(donor,d)與電子受體(acceptor,a)的組合可以增加軌道重疊、提高發(fā)光效率，同時兩側(cè)連接兩個芳香雜環(huán)基團以獲得homo、lumo空間分離的電荷轉(zhuǎn)移態(tài)材料，實現(xiàn)小的s1態(tài)和t1態(tài)的能級差，從而在熱刺激條件下實現(xiàn)反向系間竄越，適合作為發(fā)光層主體材料使用；所述化合物以二甲基蒽酮為母核，連接咔唑并芳香雜環(huán)基團，破壞分子的結(jié)晶性，避免了分子間的聚集作用，分子中多為剛性基團，具有好的成膜性和熒光量子效率，適合作為發(fā)光層材料使用。本發(fā)明所述化合物為tadf材料，二甲基蒽酮為a結(jié)構，支鏈為d結(jié)構，屬于d-a或者d-a-d構型的tadf材料。其d-a分離，具有較小的s1-t1能級差，且具有良好的空間分子取向排列，能大幅提高器件效率?？勺鳛榘l(fā)光層材料應用于oled發(fā)光器件制作，可以獲得良好的器件表現(xiàn)，器件的電流效率，功率效率和外量子效率均得到很大改善；同時，本發(fā)明化合物的電化學穩(wěn)定性好，對于器件壽命提升非常明顯。cn201610689673.1公開了一種以蒽酮為核心的化合物，該專利申請了一種蒽酮連接芳香雜環(huán)的分子，破壞了分子的對稱性，避免了分子間集聚，因此有很好的成膜性；而本申請的有機化合物的結(jié)構含有二甲基蒽酮和咔唑并芳香雜環(huán)基團，具有更高的剛性，提升了材料結(jié)構穩(wěn)定性；同時，由于分子的剛性使得分子不容易聚集形成晶態(tài)，因此本發(fā)明化合物的蒸鍍溫度低于相同分子量的其他分子，且本發(fā)明材料都具有很高的tg溫度，既保證了材料在量產(chǎn)時長時間蒸鍍材料不分解，又降低了由于蒸鍍溫度的熱輻射對蒸鍍mask的形變影響。本發(fā)明分子具有更長的共軛長度，使得電子云在分子上分布的更加均勻，電子密度降低，這使得本發(fā)明分子都有很好的電化學穩(wěn)定性，因此oled器件的壽命得到大幅度提升。附圖說明圖1為本發(fā)明提供的材料應用于oled器件的結(jié)構示意圖；其中，1為透明基板層，2為ito陽極層，3為空穴注入層，4為空穴傳輸層，5為發(fā)光層，6為電子傳輸層，7為電子注入層，8為陰極反射電極層。具體實施方式下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明進行具體描述。首先給出中間體的合成步驟：稱取原料鄰硝基溴苯和原料a1(原料b1或c1)，用甲苯溶解，在惰性氣氛下，加入碳酸鉀、四三苯基磷鈀、乙醇和水的混合溶液，攪拌升溫至110～120℃，反應10～24小時，反應結(jié)束后，冷卻至室溫，過濾，濾液分層，取有機相減壓旋蒸至無餾分，過硅膠柱，得到中間體a2(中間體b2或c2)；上述反應中，原料a1(原料b1或c1)與原料鄰硝基溴苯的摩爾比為1:1～2；原料a1(原料b1或c1)與碳酸鉀的摩爾比為1:1～3；原料a1(原料b1或c1)與四三苯基磷鈀的摩爾比為1:0.01～0.05；在惰性氣氛下，將中間體a2(中間體b2或c2)溶于鄰二氯苯中，再加入三苯基膦，在170～190℃下攪拌反應12～16小時，反應結(jié)束后冷卻至室溫，過濾，濾液減壓旋蒸至無餾分，過硅膠柱，得到中間體a3(中間體b3或c3)；上述反應中，中間體a2(中間體b2或c2)與三苯基膦摩爾比為1:1～2；在氮氣保護下，依次稱取中間體a3(中間體b3或c3)、原料、叔丁醇鈉、pd2(dba)3、三叔丁基膦，用甲苯攪拌混合，加熱至110～120℃，回流反應12～24小時，取樣點板，顯示無中間體a3(中間體b3或c3)剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到中間體a4(中間體b4或c4)。上述反應中；中間體a3(中間體b3或c3)與叔丁醇鈉的摩爾比為1:1～3；中間體a3(中間體b3或c3)與pd2(dba)3、三叔丁基膦的摩爾比均為1:0.01～0.05；在通氮氣保護下，稱取中間體a4(中間體b4或c4)、聯(lián)硼酸頻那醇酯、乙酸鉀、pd(dppf)cl2、1,4-二氧六環(huán)，混合攪拌，加熱至80～100℃，反應10～24小時，取樣點板，顯示無中間體a4(中間體b4或c4)剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，加水后有固體析出，過濾，取濾餅用真空干燥箱烘干，然后過中性硅膠柱，得到中間體a5(中間體b5或c5)；上述反應中，中間體a4(中間體b4或c4)與聯(lián)硼酸頻那醇酯摩爾比為1:1～2；中間體a4(中間體b4或c4)與乙酸鉀的摩爾比為1:1～3；中間體a4(中間體b4或c4)與pd(dppf)cl2的摩爾比為1:0.01～0.05；以中間體m1為例：在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.05mol原料i-1、0.06mol鄰硝基溴苯與100ml甲苯，攪拌混合，再加入0.0025molpd(pph3)4、0.075mol碳酸鉀、50ml水和乙醇1:1的混合液，攪拌升溫至120℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無原料剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液分層，取有機相減壓旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到中間體1，hplc純度99.3％，收率70.6％；在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.04mol中間體1、0.05mol三苯基膦、100ml鄰二氯苯，攪拌混合，加熱至180℃，反應12小時，取樣點板，顯示無中間體1剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液減壓旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到中間體2，hplc純度99.2％，收率71.5％；在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.03mol中間體2、0.036mol1,4-二溴苯、150ml甲苯，攪拌混合，再加入0.09mol叔丁醇鈉、0.002molpd2(dba)3、0.002mol三叔丁基膦，攪拌加熱至115℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無中間體2剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液減壓旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到中間體3，hplc純度99.1％，收率65.9％；在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，依次加入0.02mol中間體3、0.025mol聯(lián)硼酸頻那醇酯、0.04mol乙酸鉀、0.002molpd(dppf)cl2、100ml1,4-二氧六環(huán)，攪拌混合，加熱至80℃，反應24小時，取樣點板，顯示無中間體3剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，加水后有固體析出，過濾，取濾餅用真空干燥箱烘干，然后過中性硅膠柱，得到中間體m1，hplc純度99.5％，收率71.6％。實施例中所需的中間產(chǎn)物合成原料如表1表1實施例1：化合物1的合成在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.01mol原料a，0.012mol中間體m3，150ml甲苯/50ml乙醇攪拌混合，然后加入20ml碳酸鉀水溶液(2m)，1×10-4molpd(pph3)4，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無原料剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸(-0.09mpa，85℃)，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，hplc純度99.3％，收率65.8％；元素分析結(jié)構(分子式c46h32n2o)：理論值c,87.87；h,5.13；n,4.46；測試值：c,87.65；h,5.11；n,4.48。msm/z：測試值：628.41[m+h]+，理論值：628.77。實施例2：化合物8的合成化合物8的合成步驟與化合物1相似，只是把中間體m1換成中間體m2。元素分析結(jié)構(分子式c46h32n2o)：理論值c,87.87；h,5.13；n,4.46；測試值：c,87.69；h,5.11；n,4.47。msm/z：測試值：628.26[m+h]+，理論值：628.77。實施例3：化合物22的合成在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.01mol原料b，0.012mol中間體m3，150ml甲苯/50ml乙醇攪拌混合，然后加入20ml碳酸鉀水溶液(2m)，1×10-4molpd(pph3)4，加熱至105℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無原料剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液進行減壓旋蒸(-0.09mpa，85℃)，過中性硅膠柱，得到目標產(chǎn)物，hplc純度99.3％，收率65.8％；元素分析結(jié)構(分子式c46h32n2o)：理論值c,87.87；h,5.13；n,4.46；測試值：c,87.56；h,5.10；n,4.50。msm/z：測試值：628.15[m+h]+，理論值：628.77。實施例4：化合物30的合成化合物30的合成步驟與化合物22相似，只是把中間體m3換成m4。元素分析結(jié)構(分子式c52h36n2o)：理論值c,88.61；h,5.15；n,3.97；測試值：c,88.65；h,5.11；n,3.95。msm/z：測試值：705.36[m+h]+，理論值：704.87。實施例5：化合物36的合成化合物36的合成步驟與化合物1相似，只是把中間體m5換成m1。元素分析結(jié)構(分子式c52h36n2o)：理論值c,88.61；h,5.15；n,3.97；測試值：c,88.69；h,5.08；n,3.97。msm/z：測試值：704.52[m+h]+，理論值：704.87。實施例6：化合物41的合成化合物41的合成步驟與化合物22相似，只是把中間體m3換成m6。元素分析結(jié)構(分子式c50h34n2o)：理論值c,88.47；h,5.05；n,4.13；測試值：c,88.36；h,5.09；n,4.16。msm/z：測試值：678.23[m+h]+，理論值：678.84。實施例7：化合物52的合成在250ml的三口瓶中，通氮氣保護下，加入0.008mol原料a、0.01mol中間體m7，攪拌混合，再加入0.03mol叔丁醇鈉、0.002molpd2(dba)3、0.002mol三叔丁基膦，攪拌加熱至115℃，回流反應24小時，取樣點板，顯示無原料a剩余，反應完全；自然冷卻至室溫，過濾，濾液減壓旋蒸至無餾分，過中性硅膠柱，得到化合物52，hplc純度99.1％，收率65.9％；元素分析結(jié)構(分子式c46h32n2o)：理論值c,87.87；h,5.13；n,4.46；測試值：c,88.95；h,5.09；n,4.38。msm/z：測試值：628.11[m+h]+，理論值：628.77。實施例8：化合物64的合成化合物64的合成步驟與化合物22相似，只是把中間體m3換成m8。元素分析結(jié)構(分子式c49h37n2o)：理論值c,89.74；h,5.69；n,2.14；測試值：c,89.52；h,5.81；n,2.10。msm/z：測試值：655.21[m+h]+，理論值：655.84。實施例9：化合物76的合成化合物76的合成步驟與化合物22相似，只是把中間體m3換成m9。元素分析結(jié)構(分子式c49h37n2o)：理論值c,89.74；h,5.69；n,2.14；測試值：c,89.36；h,5.95；n,2.11。msm/z：測試值：655.97[m+h]+，理論值：655.84。實施例10：化合物84的合成化合物84的合成步驟與化合物22相似，只是把中間體m3換成中間體m10。元素分析結(jié)構(分子式c49h38n2o)：理論值c,87.73；h,5.71；n,4.18；測試值：c,89.52；h,5.62；n,4.23。msm/z：測試值670.53[m+h]+，理論值：670.86。實施例11：化合物90的合成化合物84的合成步驟與化合物1相似，只是把中間體m1換成中間體m8。元素分析結(jié)構(分子式c49h37n2o)：理論值c,89.74；h,5.69；n,2.14；測試值：c,89.36；h,5.95；n,2.11。msm/z：測試值：655.36[m+h]+，理論值：655.84。實施例12：化合物102的合成化合物102的合成步驟與化合物1相似，只是把中間體m1換成中間體m9。元素分析結(jié)構(分子式c49h37n2o)：理論值c,89.74；h,5.69；n,2.14；測試值：c,89.28；h,5.74；n,2.09。msm/z：測試值：655.44[m+h]+，理論值：655.84。本發(fā)明化合物可以作為發(fā)光層主體材料使用。對本發(fā)明化合物、現(xiàn)有材料cpb分別進行熱穩(wěn)定性、循環(huán)伏安穩(wěn)定性、△est的測定，檢測結(jié)果如表2所示。表2化合物tg(℃)△est(ev)循環(huán)伏安特性功用化合物11560.0350優(yōu)主體材料化合物81490.0074優(yōu)主體材料化合物221440.0029優(yōu)主體材料化合物301350.0461優(yōu)主體材料化合物361460.0023優(yōu)主體材料化合物411670.0164優(yōu)主體材料化合物521580.0156優(yōu)主體材料化合物641690.0214優(yōu)主體材料化合物761520.0187優(yōu)主體材料化合物841650.0153優(yōu)主體材料化合物901490.0206優(yōu)主體材料化合物1021450.0125優(yōu)主體材料cbp1130.81差主體材料注：△est是先分別測試化合物的熒光發(fā)射光譜和磷光發(fā)射光譜，并由熒光發(fā)射峰和磷光發(fā)射峰計算得到(測試設備：利用edinburghinstruments的fls980熒光光譜儀，oxfordinstruments的optistatdn-v2低溫組件)；tg日本島津公司的dsc-60熱差掃描分析儀進行測定，氮氣流量10ml/min。循環(huán)伏安穩(wěn)定性是通過循環(huán)伏安法觀測材料的氧化還原特性來進行鑒定；測試條件：測試樣品溶于體積比為2:1的二氯甲烷和乙腈混合溶劑，濃度1mg/ml，電解液是0.1m的四氟硼酸四丁基銨或六氟磷酸四丁基銨的有機溶液。參比電極是ag/ag+電極，對電極為鈦板，工作電極為ito電極，循環(huán)次數(shù)為50次。由上表數(shù)據(jù)可知，本發(fā)明化合物具有較好的氧化還原穩(wěn)定性，較高的熱穩(wěn)定性，較低的△est，適合作為發(fā)光層的主體材料；同時，本發(fā)明化合物含有電子給體(donor,d)與電子受體(acceptor,a)，使得應用本發(fā)明化合物的oled器件電子和空穴達到平衡狀態(tài)，使得器件效率和壽命得到提升。本發(fā)明化合物具有較好的氧化還原穩(wěn)定性，較高的tg，蒸鍍膜狀態(tài)穩(wěn)定；其具有較低的△est，容易實現(xiàn)高t1→s1態(tài)激子轉(zhuǎn)化率，適合作為發(fā)光層的主體材料。通過量子化學從頭計算軟件orca對本發(fā)明化合物的homo、lumo能級進行計算并進行可視化，計算方法采用b3lyp雜化泛函，基組6-31g(d)?；衔?、化合物4、化合物24、化合物99以及化合物cbp的可視化homo、lumo分布圖如表3所示。表3從homo、lumo在分子中的空間分布可以看到，本發(fā)明化合物的homo和lumo能級處于空間分離狀態(tài)，homo、lumo重疊度小，從而導致單線態(tài)-三線態(tài)能級差小，有利于三線態(tài)激子通過熱激發(fā)轉(zhuǎn)化為單線態(tài)激子，理論上可使器件內(nèi)量子效率達到100％。以下通過器件實施例1～12和器件比較例1～3詳細說明本發(fā)明合成的化合物在器件中作為發(fā)光層主體材料的應用效果。器件實施例2～12與器件實施例1相比，所述器件的制作工藝完全相同，并且所采用了相同的基板材料和電極材料，電極材料的膜厚也保持一致，所不同的是器件中發(fā)光層材料發(fā)生了改變。器件實施例1～12與器件比較例1～3相比，器件比較例1～3所述器件的發(fā)光層材料采用的是現(xiàn)有常用原料，而器件實施例1～12的器件發(fā)光層材料采用的是本發(fā)明化合物。各實施例所得器件的結(jié)構組成如表4所示。各器件的性能測試結(jié)果如表5所示。器件實施例1透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物1和gd-19按照100：5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極電極層8(al)。相關材料的分子結(jié)構式如下所示：具體制備過程如下：透明基板層1采用透明材料。對ito陽極層2(膜厚為150nm)進行洗滌，即依次進行堿洗滌、純水洗滌、干燥后再進行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ito表面的有機殘留物。在進行了上述洗滌之后的ito陽極層2上，利用真空蒸鍍裝置，蒸鍍膜厚為10nm的三氧化鉬moo3作為空穴注入層3使用。緊接著蒸鍍80nm厚度的tapc作為空穴傳輸層4。上述空穴傳輸材料蒸鍍結(jié)束后，制作oled發(fā)光器件的發(fā)光層5，其結(jié)構包括oled發(fā)光層5所使用材料化合物1作為主體材料，gd-19作為摻雜材料，摻雜材料摻雜比例為5％重量比，發(fā)光層膜厚為30nm。在上述發(fā)光層5之后，繼續(xù)真空蒸鍍電子傳輸層材料為tpbi。該材料的真空蒸鍍膜厚為40nm，此層為電子傳輸層6。在電子傳輸層6上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為1nm的氟化鋰(lif)層，此層為電子注入層7。在電子注入層7上，通過真空蒸鍍裝置，制作膜厚為80nm的鋁(al)層，此層為陰極反射電極層8使用。如上所述地完成oled發(fā)光器件后，用公知的驅(qū)動電路將陽極和陰極連接起來，測量器件的發(fā)光效率，發(fā)光光譜以及器件的電流-電壓特性。器件實施例2透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物8和gd-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例3透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物22和gd-19按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例4透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物30和gd-19按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例5透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物36和ir(ppy)3按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例6透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物41和ir(ppy)3按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例7透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物52和ir(ppy)3按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例8透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物64和ir(ppy)3按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例9透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物76和gd-pactz按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例10透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物84和gd-pactz按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例11透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物90和gd-pactz按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件實施例12透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物102和gd-pactz按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件比較例1透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(cbp和gd-19按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件比較例2透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(cbp和ir(ppy)3按照100:10的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極反射電極層8(al)。器件比較例3透明基板層1/ito陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬moo3，厚度10nm)/空穴傳輸層4(tapc，厚度80nm)/發(fā)光層5(cbp和gd-pactz按照100:5的重量比混摻，厚度30nm)/電子傳輸層6(tpbi，厚度40nm)/電子注入層7(lif，厚度1nm)/陰極電極層8(al)。所制作的oled發(fā)光器件的測試結(jié)果見表5。表4表5器件代號電流效率(cd/a)色彩lt95壽命(hr)器件實施例110.6綠光22.1器件實施例211.2綠光32.3器件實施例310.3綠光31.8器件實施例419.8綠光32.6器件實施例550.36綠光15.8器件實施例649.24綠光19.7器件實施例752.51綠光21.3器件實施例851.26綠光20.5器件實施例938.65綠光15.1器件實施例1039.89綠光16.5器件實施例1137.25綠光16.8器件實施例1238.32綠光16.2器件比較例16.50綠光3.8器件比較例224.60綠光4.3器件比較例325.10綠光7.8說明:器件比較例1的電流效率為6.5cd/a(@10ma/cm2)；啟動電壓為4.3v(@1cd/m2)，5000nit亮度下lt95壽命衰減為3.8hr。器件比較例2的電流效率為24.6cd/a(@10ma/cm2)；5000nit亮度下lt95壽命衰減為4.3hr。器件比較例3的電流效率為25.1cd/a(@10ma/cm2)；啟動電壓為3.5v(@1cd/m2)，5000nit亮度下lt95壽命衰減為7.8hr。壽命測試系統(tǒng)為本發(fā)明所有權人與上海大學共同研究的oled器件壽命測試儀。表5的結(jié)果可以看出，本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層主體材料可應用于oled發(fā)光器件制作；并且與比較例相比，無論是效率、電壓還是壽命均比已知oled材料獲得較大改觀，特別是器件的驅(qū)動壽命獲得較大的提升。為進一步體現(xiàn)本發(fā)明化合物在產(chǎn)業(yè)化應用的優(yōu)勢，本發(fā)明將實施例和對比例所制備的器件在高溫高濕(85℃，rh＝85％)條件下放置24h，然后再次測試其性能，模擬同一器件結(jié)構在高溫高濕環(huán)境處理前后的性能變化情況，定義溫濕度系數(shù)進行表示；它表示驅(qū)動電流為10ma/cm2下放置在不同溫濕度條件下的器件，其效率最大值μmax、最小值μmin和平均值之間的均勻程度，值越大，說明高溫高濕環(huán)境處理對器件的效率影響越大，其實際應用效果較差，工業(yè)應用窗口較小；反之，說明器件性能受高溫高濕環(huán)境的影響較小，容易實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)，產(chǎn)品具備較高市場競爭力，具有良好的產(chǎn)業(yè)化應用前景。參考器件實施例1-12的發(fā)光器件測試方法，選擇器件實施例1、器件實施例5、器件實施例9和器件比較例1～3進行高溫高濕環(huán)境處理，其測試結(jié)果如表6所示：表6從以上數(shù)據(jù)應用來看，本發(fā)明化合物作為發(fā)光層材料在oled發(fā)光器件中具有良好的應用效果，溫濕度系數(shù)較小，受外界應用環(huán)境影響更小，從而具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。雖然已通過實施例和優(yōu)選實施方式公開了本發(fā)明，但應理解，本發(fā)明不限于所公開的實施方式。相反，本領域技術人員應明白，其意在涵蓋各種變型和類似的安排。因此，所附權利要求的范圍應與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類似的安排。當前第1頁12