加成固化型硅酮組合物、及半導(dǎo)體裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種加成固化型硅酮組合物、及以該組合物的固化物將半導(dǎo)體元件覆蓋而成的可靠性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置，該加成固化型硅酮組合物，粘度低且填充性良好，固化性良好，固化并形成折射率大、透光率高、對(duì)基材的密接性高、抗裂性優(yōu)異、透氣性低的固化物。本發(fā)明提供一種加成固化型硅酮組合物，其含有：(A)平均單元式(1)表示的有機(jī)聚硅氧烷100質(zhì)量份；(B)平均單元式(2)表示的有機(jī)聚硅氧烷1～500質(zhì)量份；(C)通式(3)表示的1分子中具有至少2個(gè)Si-H鍵的有機(jī)氫聚硅氧烷，相對(duì)于(A)＋(B)成分合計(jì)100質(zhì)量份，為1～200質(zhì)量份的量；及(D)促進(jìn)本組合物的固化的量的氫化硅烷化反應(yīng)用催化劑。
【專利說(shuō)明】加成固化型硅酮組合物、及半導(dǎo)體裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種加成固化型硅酮組合物、及使用此加成固化型硅酮組合物的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通過(guò)氫化硅烷化反應(yīng)而固化的加成固化型娃酮組合物,在光電稱合器、發(fā)光二極管、及固態(tài)成像元件等光學(xué)用半導(dǎo)體裝置中的半導(dǎo)體元件中，用作保護(hù)涂層劑。由于前述元件會(huì)發(fā)光、或接收光，因此要求這種半導(dǎo)體元件的保護(hù)涂層劑不吸收光或散射光。
[0003]作為通過(guò)氫化硅烷化反應(yīng)而固化，而形成折射率大、透光性高的固化物的加成固化型硅酮組合物，可以列舉例如:包含含有鍵結(jié)于硅原子上的苯基與鍵結(jié)于硅原子上的烯基的有機(jī)聚硅氧烷、有機(jī)氫環(huán)硅氧烷及氫化硅烷化反應(yīng)用催化劑的固化性有機(jī)聚硅氧烷組合物(參照專利文獻(xiàn)I);包含含有鍵結(jié)于硅原子上的苯基與鍵結(jié)于硅原子上的烯基的粘度為10，OOOcp (250C )以上的液體或固體有機(jī)聚硅氧烷、I分子中具有至少2個(gè)鍵結(jié)于硅原子上的氫原子的有機(jī)氫聚硅氧烷、及氫化硅烷化反應(yīng)用催化劑的固化性有機(jī)聚硅氧烷組合物(參照專利文獻(xiàn)2);包含I分子中具有至少2個(gè)鍵結(jié)于硅原子上的烯基且具有鍵結(jié)于硅原子上的芳基的有機(jī)聚硅氧烷、I分子中具有至少2個(gè)鍵結(jié)于硅原子上的氫原子的有機(jī)聚硅氧烷、及鉬與含芳基的有機(jī)硅氧烷低聚物的絡(luò)合物的固化性有機(jī)聚硅氧烷組合物(參照專利文獻(xiàn)3);及，分子鏈兩末端通過(guò)硅氧烷鍵由鍵結(jié)于硅原子上的氫原子封端的有機(jī)聚硅氧烷組合物(參照專利文獻(xiàn)4)等。
[0004]然而，這些固化性有機(jī)聚硅氧烷組合物可能會(huì)難以使固化與透明性保持平衡，或由于少量的催化劑毒物而產(chǎn)生剝離。
[0005]并且，還存在以下問(wèn)題:粘度較高而導(dǎo)致缺乏填充性，固化物缺乏密接性而容易從基材上剝離，難以控制固化性而導(dǎo)致在現(xiàn)場(chǎng)制造時(shí)容易發(fā)生故障，抗裂性(crackresistance)差,透氣性較高而容易`腐蝕基板。
[0006]并且，還提出一種同時(shí)使用直鏈狀娃酮油(silicone oil)與具有分支結(jié)構(gòu)的娃酮樹(shù)脂的加成固化型硅酮組合物(參照專利文獻(xiàn)5)，但對(duì)基材的密接性和抗裂性不充分。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平8-176447號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平11-1619號(hào)公報(bào)
[0011]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2003-128922號(hào)公報(bào)
[0012]專利文獻(xiàn)4:日本特開(kāi)2005-105217號(hào)公報(bào)
[0013]專利文獻(xiàn)5:日本特開(kāi)2004-143361號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明是鑒于上述狀況而完成的，其目的在于，提供一種加成固化型硅酮組合物、及以該組合物的固化物將半導(dǎo)體元件覆蓋而成的可靠性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置，所述加成固化型硅酮組合物，粘度低且填充性良好，固化性良好,固化并形成折射率大、透光率高、對(duì)基材的密接性高、抗裂性優(yōu)異、透氣性低的固化物。
[0015]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種加成固化型硅酮組合物，其特征在于，其含有:由下述平均單元式(I)所表示的有機(jī)聚硅氧烷100質(zhì)量份:
[0016](R1SiO372) al (R12SiO272) bi (R13SiOl72) cl (X1O172) dl (I)
[0017]{式中，R1可以相同或不同，且為取代或未被取代的一價(jià)烴基(其中，Rl的0.1~50摩爾％為烯基，R1的10摩爾％以上為芳基)，X1為氫原子或烷基；al為0.25~1，bl為
O~0.75，Cl 為 O ~0.3，dl 為 O ~0.1，且 al + bl + cl + dl = 1}；
[0018](B)由下述平均單元式(2)所表示的有機(jī)聚硅氧烷I~500質(zhì)量份:
[0019](R2SiO372 ) a2 (R22SiO272)b2 (R23SiOl72) c2X201/2)d2 (2)
[0020]{式中，R2可以相同或不同，且為取代或未被取代的一價(jià)烴基(其中，R2的0.001~20摩爾％為烯基，R2的10摩爾％以上為芳基)，X2為氫原子或烷基；a2為O~0.1，b2為
0.5 ~0.995，c2 為 0.005 ~0.5，d2 為 O ~0.1，且 a2 + b2 + c2 + d2 = 1};
[0021](C)由下述通式(3)所表示的I分子中具有至少2個(gè)S1-H鍵的有機(jī)氫聚硅氧烷，相對(duì)于⑷+⑶成分合計(jì)100質(zhì)量份,為I~200質(zhì)量份的量:
[0022]
【權(quán)利要求】
1.一種加成固化型硅酮組合物，其特征在于，其含有: (A)由下述平均單元式(I)所表示的有機(jī)聚硅氧烷100質(zhì)量份:
(R1SiO372) al (R12SiO272) bl (R13SiOl72) cl (X1O172) dl (I) 式(I)中，R1可以相同或不同，且為取代或未被取代的一價(jià)烴基，并且，R1的0.1~50摩爾％為烯基，R1的10摩爾％以上為芳基J1為氫原子或烷基；al為0.25~1，bl為O~0.75，Cl 為 O ~0.3，dl 為 O ~0.1，且 al + bl + Cl + dl = 1， (B)由下述平均單元式(2)所表示的有機(jī)聚硅氧烷I~500質(zhì)量份:
(R2SiO372 ) a2) (R22SiO272)b2(R23SiOl72)c2(X2Ol72)d2 (2)， 式(2)中，R2可以相同或不同，且為取代或未被取代的一價(jià)烴基，并且，R2的0.001~20摩爾％為烯基，R2的10摩爾％以上為芳基；X2為氫原子或烷基；a2為O~0.1，b2為0.5~0.995，c2 為 0.005 ~0.5，d2 為 O ~0.1，且 a2 + b2 + c2 + d2 = 1， (C)由下述通式(3)所表示的I分子中具有至少2個(gè)S1-H鍵的有機(jī)氫聚硅氧烷，相對(duì)于⑷+⑶成分合計(jì)100質(zhì)量份,為I~200質(zhì)量份的量:CH3R3R3 CH3II 1.1HSh.GH2-CH2- —Si~-o— -S1-~CH2 CH2 -SiH( 3)II IICH3R3R3CH3



mmm 式(3)中，R3為氫原子、烷基、芳基、及鹵代烷基中的任一種，重復(fù)單元之間和重復(fù)單元內(nèi)的各個(gè)R3可以相同或不同邱為O以上的整數(shù)， 及，(D)促進(jìn)本組合物的固化的量的氫化硅烷化反應(yīng)用催化劑。
2.如權(quán)利要求1所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(A)成分中，前述平均單元式(I)中的R1的芳基的含率為30摩爾％以上。
3.如權(quán)利要求1所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(B)成分中，前述平均單元式(2)中的R2的芳基的含率為20摩爾％以上。
4.如權(quán)利要求2所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(B)成分中，前述平均單元式(2)中的R2的芳基的含率為20摩爾％以上。
5.如權(quán)利要求1所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的鍵結(jié)于硅原子上的R3與H的合計(jì)的30摩爾％以下為苯基。
6.如權(quán)利要求2所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的鍵結(jié)于硅原子上的R3與H的合計(jì)的30摩爾％以下為苯基。
7.如權(quán)利要求3所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的鍵結(jié)于硅原子上的R3與H的合計(jì)的30摩爾％以下為苯基。
8.如權(quán)利要求4所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的鍵結(jié)于硅原子上的R3與H的合計(jì)的30摩爾％以下為苯基。
9.如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的加成固化型硅酮組合物，其中，在前述(C)成分中，前述通式(3)中的m為20以下的整數(shù)。
10.如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的加成固化型硅酮組合物，其中，固化并形成在589nm的可見(jiàn)光中的25°C下的折射率為1.5以上的固化物。
11.如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的加成固化型硅酮組合物，其中，固化并形成在25 °C下的透光率為80%以上的固化物。
12.—種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其通過(guò)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的加成固化型硅酮組合物的固化物將半導(dǎo)體元件覆蓋。
【文檔編號(hào)】C08L83/05GK103571209SQ201310331667
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月1日
【發(fā)明者】小材利之, 茂木勝成 申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社