專利名稱：有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，特別涉及包含多個層化有機材料層的有機電致發(fā)光(簡寫為EL)器件，所述層化有機材料層利用具有電荷輸送性(空穴遷移性和/或電子遷移性)的有機化合物。
背景技術：
通常，有機EL器件具有多個層化有機材料層的層疊結(jié)構。有機材料層包含發(fā)光層和具有空穴輸送能力的材料層(例如空穴注入層或空穴輸送層等)，以及具有電子輸送能力的另一材料層(例如電子輸送層或電子注入層等)。當對包含層化的發(fā)光層和電子或空穴輸送層等的多層有機EL膜施加電場時，空穴由陽極注入并且電子由陰極注入，并且它們在發(fā)光層中再結(jié)合從而產(chǎn)生激子。激子由激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時將會發(fā)光。為提高器件的發(fā)光效率，有效地將電子或相似載流子移至發(fā)光層的界面非常重要。有機發(fā)光器件也采用多層結(jié)構，所述多層結(jié)構利用具有電荷輸送性的有機化合物，即電荷輸送有機化合物。公知的是，具有有機化合物發(fā)光層的有機EL器件能夠低電壓運行，但與發(fā)光二極管等相比要使用較高的驅(qū)動電壓來驅(qū)動。這就存在下述問題，即，具有高發(fā)光量子效率的磷光有機EL器件的驅(qū)動電壓比熒光有機EL器件的驅(qū)動電壓高。通常可以通過設置降低有機EL器件中有機層的厚度來降低驅(qū)動電壓。在此情況下，兩個電極之間的不良通電的出現(xiàn)增加，導致有機EL器件產(chǎn)品的產(chǎn)率降低。為解決此問題已以下述方式進行了嘗試向電極的相鄰層(即，電荷輸送層)中引入摻雜劑，以提高電荷輸送層的導電性(參見專利文獻1)。專利文獻2 日本第10-270172號未審查專利公報

發(fā)明內(nèi)容
[技術問題]然而，還存在著問題，例如通過摻雜劑的高溫真空沉積成膜的成本、沉積的這些摻雜劑的分解、螯合物產(chǎn)生所造成的層不清晰、驅(qū)動常規(guī)有機EL器件所需的高電壓和常規(guī)有機EL器件的短使用壽命。因此，本發(fā)明要實現(xiàn)的示例性任務之一即提供有機EL器件，所述有機EL器件能夠由低施加電壓驅(qū)動，并且具有可高溫保存的厚的層化有機半導體層。[技術方案]本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件是一種包含下述部分的有機電致發(fā)光器件一對彼此相對的陽極和陰極；和在所述陽極和陰極之間層化或設置的多個有機半導體層，所述有機半導體層包括發(fā)光層，其中，所述有機半導體層中的至少有一層含有大體積有機半導體化合物，所述化合物具有芳香族多元環(huán)結(jié)構和至少三個與其相連的芳香族取代基，其中各芳香族取代基的排列方式使得芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面與芳香族取代基的環(huán)平面之間的二面角為70° 90° (通過半經(jīng)驗分子軌道計算法確定)。另外，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件是一種包含下述部分的有機電致發(fā)光器件一對彼此相對的陽極和陰極；和在所述陽極和陰極之間層化或設置的多個有機半導體層，所述有機半導體層包括發(fā)光層，其中，所述有機半導體層中至少有一層含有大體積有機半導體化合物，所述化合物具有芳香族多元環(huán)結(jié)構和至少三個與其相連的芳香族取代基，其中各芳香族取代基的排列方式使得芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面與芳香族取代基的環(huán)平面之間的二面角為70° 90° (通過半經(jīng)驗分子軌道計算法確定)，其中含有大體積有機半導體化合物的所述有機半導體層或其相鄰層含有無機氟化物或無機氧化物。本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件能夠在低驅(qū)動電壓下以高亮度和高效率長時間進行發(fā)射。因此，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件能夠適用于平板顯示器件(例如，個人電腦顯示器、壁掛式電視機)、車載監(jiān)視器、手機顯示屏和具有表面發(fā)光特性的光源(例如，復印機光源、LCD或計量儀器的背光光源)，因而具有技術價值。


圖1是顯示本發(fā)明的一個實施方式的有機EL器件的部分截面示意圖。圖2是顯示本發(fā)明的另一個實施方式的有機EL器件的部分截面示意圖。圖3是顯示本發(fā)明的又一個實施方式的有機EL器件的部分截面示意圖。圖4是顯示本發(fā)明的另一個實施方式的有機EL器件的部分截面示意圖。圖5是顯示本發(fā)明的又一個實施方式的有機EL器件的部分截面示意圖。圖6是圖示使用MO法的MOPAC (分子軌道PACkage)計算機程序繪制的電荷輸送材料的分子的圖。圖7是圖示使用MO法的MOPAC計算機程序繪制的電荷輸送材料的分子的圖。圖8是圖示使用MO法的MOPAC計算機程序繪制的電荷輸送材料的分子的圖。圖9是圖示使用MO法的MOPAC計算機程序繪制的電荷輸送材料的分子的圖。圖10是本發(fā)明的實施例6的有機發(fā)光器件的正視圖。圖11是本發(fā)明的實施例6的另一有機發(fā)光器件的正視圖。圖12是圖示使用MO法的MOPAC計算機程序繪制的電荷輸送材料的分子的圖。圖13是圖示使用MO法的MOPAC計算機程序繪制的電荷輸送材料的分子的圖。圖14是圖示使用MO法的MOPAC計算機程序繪制的電荷輸送材料的分子的圖。
具體實施例方式下面將參照附圖描述本發(fā)明的實施方式。如圖1中所示實施方式的有機EL器件的一個實例包含透明陽極2 ；空穴輸送層 4 ；發(fā)光層5 ；電子輸送層6 ；電子注入層7 ；和由金屬制得的陰極8，它們被相繼層壓在例如由玻璃或塑料等制得的透明基板1上?？昭ㄝ斔蛯?、發(fā)光層5、電子輸送層6和電子注入層7為有機半導體層。即，有機EL器件包含一對彼此相對的陽極和陰極；和于二者之間層化或設置的多個有機半導體層，所述有機半導體層包括空穴注入層、空穴輸送層和發(fā)光層。 有機半導體層的組件等將在下文中詳細描述。除了如圖1中所示的陽極2/空穴注入層3/空穴輸送層4/發(fā)光層5/電子輸送層6/電子注入層7/陰極8的層化結(jié)構，本發(fā)明還包括如圖2中所示的陽極2/空穴注入層3/ 發(fā)光層5/電子輸送層6/電子注入層7/陰極8的層化結(jié)構?！?”表示彼此接觸的相鄰層之間的界面。此外，本發(fā)明還包括下述層化結(jié)構，例如，圖3顯示的陽極2/空穴輸送層4/發(fā)光層5/電子輸送層6/電子注入層7/陰極8的結(jié)構；和圖4顯示的陽極2/發(fā)光層5/電子輸送層6/電子注入層7/陰極8的結(jié)構。此外，如圖5中所示，本發(fā)明還包括陽極2/空穴注入層3/空穴輸送層4/具有電子輸送層功能的發(fā)光層51/電子注入層7/陰極8的層化結(jié)構。本發(fā)明的范圍絕不限于這些層化構造。可以將例如空穴阻擋層和/或緩沖層(未顯示)等其他層化構造插入上述那些層化構造中。-基板、陽極和陰極一用于基板1的玻璃透明材料以外的材料是透明或半透明材料，例如，熱塑性樹脂， 如聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚環(huán)烯烴，聚甲基丙烯酸甲酯；或熱固性樹脂，如酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂；和其他不透明材料，例如可以使用硅或Al等。陽極2和陰極8的電極材料包括金屬或其合金，例如Ti、Al、Al、Cu、Ni、Ag、Mg:Ag、 Au、Pt、Pd、Ir、Cr、Mo、W、Ta等或其合金。作為另外一種選擇，可以使用如聚苯胺或PEDT:PSS 等導電性聚合物。另外，可以使用例如氧化物透明導電性薄膜，該氧化物透明導電性薄膜的主要組分為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅或氧化錫等中的任意材料。此外，各電極的厚度優(yōu)選為IOnm 500nm左右。電極材料膜優(yōu)選通過真空沉積法或濺射法制造。對于陽極2，優(yōu)選使用逸出功比陰極8高的高逸出功的選定導電性材料。此外，選擇并設置陽極和陰極的材料和/或厚度，使得位于發(fā)出光發(fā)射側(cè)的陽極和陰極中的至少一個必須是透明或半透明的。特別是，優(yōu)選陽極和陰極之一由或者二者均由下述材料制得，所述材料在發(fā)光材料所發(fā)的光的波長范圍內(nèi)具有至少10%的透射率。對于電子注入層7，為提高有機EL器件的電子注入效率，可以使用由具有低逸出功的堿金屬或堿土金屬或其化合物(例如，CsF、Cs2C03、Li20、LiF)等制得的無機電子注入層。對于摻雜劑(摻雜到電子注入層中，包含一種能夠輸送電子的有機化合物作為主要組分)的給電子材料可以使用如Li等堿金屬和如Mg等堿土金屬和由其合成的有機化合物，但是所述摻雜劑不限于此。特別是，優(yōu)選將具有4. MV以下的高逸出功的金屬，如Cs、 Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Mg、Sm、Gd、Yb或由其合成的化合物用于摻雜劑。一有機半導體層一對于作為包含空穴注入層3、空穴輸送層4、發(fā)光層5和電子注入層7的有機半導體層的主要組分的材料，利用具有電荷輸送性(例如，空穴和/或電子遷移性)的有機化合物。對于用于發(fā)光層5的磷光有機化合物，可以使用銥絡合物，如雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)銥III、三(2-苯基吡啶)銥(III)、雙(2-苯基苯并噻唑基)(乙酰丙酮化物)銥(III)，或鋨絡合物，如鋨(II)雙(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)_吡唑特)二甲基苯基膦，或稀土元素化合物，如三(二苯甲酰甲烷)菲咯啉銪(III)， 或鉬絡合物，如2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟吩鉬(II)等。另外，對于各自作為發(fā)光層或電子輸送層或電子注入層的主要組分的能夠輸送電子的有機化合物，例如可以使用多環(huán)化合物，如對三聯(lián)苯、四聯(lián)苯等及其衍生物，稠合多環(huán)烴化合物，如萘、并四苯、芘、暈苯、菇、蒽、二苯基蒽、并四苯、菲等及其衍生物，或稠合雜環(huán)化合物，如菲咯啉、紅菲咯啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉、吩嗪等及其衍生物，和熒光素 (fluoroceine)、二萘嵌苯、酞菁芘(phthaloperylene)、萘二甲酰芘、芘酮(perynone)、酞菁芘酮(phthaloperynone)、萘二甲酰芘、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、噁二唑、醛連氮、二苯并唑啉、雙苯乙烯基、吡嗪、環(huán)戊二烯、喔星(oxine)、氨基喹啉、亞胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、硫代吡喃、聚甲炔、份菁、喹嚇啶酮、紅熒烯等及其衍生物。另外，可以使用其他能夠輸送電子的有機化合物，如金屬螯合絡合物，適當?shù)慕饘衮蠂f肟(oxanoide)化合物是含有選自8_羥基喹啉(8-quinolinolato)及其衍生物中的至少一種作為其配體的金屬絡合物，所述8-羥基喹啉及其衍生物例如為三(8-羥基喹啉) 鋁、雙(8-羥基喹啉)鎂、雙[苯并(f)-8羥基喹啉]鋅、雙甲基-8-羥基喹啉)鋁、三 (8-羥基喹啉)銦、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、8-羥基喹啉鋰、三(5-氯-8-羥基喹啉) 鎵或雙(5-氯-8-羥基喹啉)鈣等。另外，可以優(yōu)選使用其他能夠輸送電子的有機化合物，如噁二唑、三嗪、芪衍生物和二苯乙烯基亞芳基衍生物、苯乙烯基衍生物、二烯烴衍生物。此外，可以使用其他能夠輸送電子的有機化合物，例如，苯并噁唑類，如2，5-雙 (5，7- 二-叔戊基-2-苯并噁唑基)-1，3，4-噻唑、4，4‘-雙(5，7-叔戊基-2-苯并噁唑基) 芪、4，4'-雙[5，7-二甲基-2-丁基)-2-苯并噁唑基]芪、2，5-雙(5，7-二-叔戊基-2-苯并惡唑基)噻吩、2，5-雙[5_(α，α-二甲基芐基)-2-苯并惡唑基]噻吩、2，5_雙 [5，7-二甲基-2-丁基)-2-苯并惡唑基]-3，4-二苯基噻吩、2，5-雙(5-甲基-2-苯并噁唑基)噻吩、4，4'-雙(2-苯并惡唑基)聯(lián)苯、5-甲基-2-{244-(5-甲基-2-苯并惡唑基)苯基]乙烯基}苯并噁唑、2-[2-(4_氯苯基)乙烯基]萘并(l，2-d)噁唑等；和苯并噻唑類，如2，2' _(對亞苯基二苯撐)_雙苯并噻唑(2，2-(p-phenylenedipynylene)-b isbenzo thiazole)等；和苯并咪唑類，如2-{2-[4-(2_苯并咪唑基)苯基]乙烯基}苯并咪唑、2-[2-(4_羧基苯基)乙烯基]苯并咪唑等。此外，可以使用其他能夠輸送電子的有機化合物，如1，4_雙甲基苯乙烯基) 苯、1，4_雙(3-甲基苯乙烯基)苯、1，4_雙甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、1，4-雙 (2-乙基苯乙烯基)苯、1，4_雙(3-乙基苯乙烯基)苯、1，4_雙甲基苯乙烯基)-2-甲基苯或1，4_雙甲基苯乙烯基)-2-乙基苯等。另外，可以使用其他能夠輸送電子的有機化合物，如2，5_雙甲基苯乙烯基) 吡嗪、2，5-雙(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2，5-雙[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2，5-雙(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2，5_雙[2-(4-聯(lián)苯基)乙烯基]吡嗪或2，5_雙[2-(1-芘基)乙烯基]吡嗪等。此外，可以使用其他能夠輸送電子的有機化合物，如1，4_亞苯基-二次甲基(l，4-phenylene-dimethylidine)、4，4 ‘-亞苯基二次甲基 0，4 ‘ -phenylenedimethylidine)、2，5-亞二甲苯基-二次甲基(2， 5-xylylene-dimethylidine) >2,6-亞萘基二次甲基(2,6-naphthylenedimethylidine)、 1,4-二亞苯基-二次甲基(l，4-biphenylene-dimethylidine)、1，4-對三聯(lián)亞苯基二次甲基(1,4-p-ter印henylenedimethylidine)、9，10-蒽基二次甲基(9，10-anthracenediyldimethylidine) ,4,4 ‘ ，2-二-叔丁基苯基乙烯基)聯(lián)苯或 4， 4' -(2，2_ 二苯乙烯基)聯(lián)苯等。除這些有機化合物之外，還可以適當?shù)厥褂萌魏纬Ｓ糜诂F(xiàn)有技術的有機EL器件生產(chǎn)中的公知化合物。反之，可以使用能夠輸送空穴的有機化合物，如N，N，N'，N'-四苯基-4， 4' - 二氨基苯基、N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4' - 二氨基聯(lián)苯、2， 2-雙(4-二-對甲苯基氨基苯基)丙烷、N，N，N' , N'-四對甲苯基-4，4' -二氨基聯(lián)苯、雙G-二-對甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N，N' - 二苯基-N，N' -二 G-甲氧基苯基)_4，4' - 二氨基聯(lián)苯、N，N，N' , N'-四苯基-4，4' -二氨基二苯基醚、4，4‘-雙 (二苯基氨基)四聯(lián)苯基、4-N，N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4' -N， N—二 1 (3-methoxy-4 ‘ -N, N-diphenylaminostilbenzene), N- SS^ R^U, 1-雙(4-二-對三氨基苯基)環(huán)己烷、1，1_雙(4-二-對三氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷、雙 (4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N，N，N-三(對甲苯基)胺、4-( 二-對甲苯基氨基)-4' - -(二-對甲苯基氨基)苯乙烯基]芪、N，N，N'，N'-四苯基-4，4' - 二氨基聯(lián)苯基N-苯基咔唑、4，4'-雙[N-(l-萘基)N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4〃 -雙[N_(l_萘基) N-苯基氨基]對三聯(lián)苯、4，4'-雙[Ν-(2-萘基)N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4'-雙[Ν_(3_苊基)N-苯基氨基]萘、4，4'-雙[Ν-(9-蒽基)N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4〃 -雙[N_(l_蒽基)N-苯基氨基]對三聯(lián)苯、4，4'-雙[Ν-0-菲基)-Ν-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4'-雙 [N-(8-氟噻吩甲基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(4，4' -bis [N- (8-fluoranthenyl) -N-phenylam ino]biphenyl),4,4'-雙[N_(2_ 芘基)N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4'-雙[N_(2_ 二萘嵌苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、4，4'-雙[N-(l-暈苯基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯、2，6_雙(二-對甲苯基氨基)萘、2，6_雙[二-(1-萘基)氨基]萘、2，6_雙[N-(1-萘基)-N-(2-萘基) 氨基]萘、4，4〃 -雙[N，N-二(2-萘基)氨基]三聯(lián)苯、4，4'-雙{N-苯基-N-W-(1-萘基)苯基]氨基}聯(lián)苯、4，4'-雙[N-苯基-N-(2-芘基)氨基]聯(lián)苯、2，6_雙[N，N-二 (2-萘基)氨基]芴、4，4〃 -雙(N，N-二對甲苯基氨基)三聯(lián)苯或雙(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺等。此外，在形成空穴注入層、空穴輸送層和空穴輸送發(fā)光層的情況中，可以使用上述有機化合物在聚合物中的分散體或所述有機化合物的聚合產(chǎn)物。此外，可以將所謂的“ η 共軛聚合物”(如聚對苯乙炔及其衍生物)、空穴輸送非共軛聚合物(其一個典型實例為聚 (N-乙烯基咔唑)和聚硅烷的σ -共軛聚合物用于相同的目的。關于空穴注入層的材料(不限于特定的-種)，可以在其形成過程中適當?shù)厥褂媒饘偬?，如作為一種銅絡合物的銅酞菁(CuPc)，以及非金屬酞菁，和導電性聚合物，如碳膜、
聚苯胺等。-多元環(huán)結(jié)構的大體積有機半導體化合物一本發(fā)明人對于具有特殊的大體積的芳香族取代基的分子(即，用于利用低驅(qū)動電壓驅(qū)動器件的作為電荷輸送材料的大體積有機半導體化合物)進行了專注的觀察，并進一步注意了在大體積有機半導體化合物中幾乎垂直于芳香族多元環(huán)結(jié)構設置的芳香族取代基，因此本發(fā)明人通過將無機化合物以低濃度摻雜至電子注入層或電子輸送層中進行了實驗，并測試了器件的高溫存儲性，以改善驅(qū)動使用壽命和高溫存儲性等器件性質(zhì)。在搜索用于芳香族多元環(huán)或稠合芳香環(huán)的材料的具有電荷輸送性(空穴遷移性和/或電子遷移性)的有機化合物時，本發(fā)明人由上述實驗結(jié)果發(fā)現(xiàn)，優(yōu)選的是使用具有芳香族多元環(huán)結(jié)構和與其相連的至少三個芳香族取代基的大體積有機半導體化合物，其中，排列各芳香族取代基，從而使得芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面與芳香族取代基的環(huán)平面之間的二面角為70° 90° (通過半經(jīng)驗分子軌道計算法確定)。利用半經(jīng)驗分子軌道計算法，例如MOPAC(分子軌道PACkage)計算機程序(M0PAC， 版本6)、AMI法和計算加權的氫鍵的PM3法，本發(fā)明人(對于二面角)進行了幾何優(yōu)化。對于關于環(huán)硼氮烷環(huán)結(jié)構的輸入數(shù)據(jù)的初始坐標，在幾何優(yōu)化中采用C-C鍵為1.4埃，C-H鍵為11埃，并且鍵角為120°。分子軌道計算法是基于解薛定諤方程的利用電子在整個分子中的分布描述分子狀態(tài)的數(shù)學函數(shù)或者電子空間的軌道函數(shù)。關于分子軌道計算法存在公知的近似，如經(jīng)驗分子軌道計算法、非經(jīng)驗分子軌道計算法和半經(jīng)驗分子軌道計算法。由于半經(jīng)驗分子軌道計算法使用許多與哈特里-?？朔椒ㄖ兴l(fā)現(xiàn)的相同的半經(jīng)驗參數(shù)數(shù)學， 因此，對于分子電子狀態(tài)的計算，其可實現(xiàn)與非經(jīng)驗分子軌道計算法相比計算復雜性得到降低，對于處理大分子是很有利的。只要大體積有機半導體化合物具有芳香族多元環(huán)結(jié)構和與其相連的至少三個芳香族取代基，其中所述各芳香族取代基的排列方式使得芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面與芳香族取代基的環(huán)平面之間的二面角為70° 90° (通過半經(jīng)驗分子軌道計算法確定)，大體積有機半導體化合物就不受限制。優(yōu)選的是，芳香族取代基的環(huán)平面的面積之和大于芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面的面積，各芳香族取代基的環(huán)平面與芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面成 70° 90°的二面角。關于大體積有機半導體化合物，存在各自具有由以下化學通式(1)表示的芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)硼氮烷化合物。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，所述器件包含 一對彼此相對的陽極和陰極；和在所述陽極和所述陰極之間層化設置的多個有機半導體層，所述有機半導體層包括發(fā)光層，其中，所述有機半導體層中的至少一層含有大體積有機半導體化合物，所述大體積有機半導體化合物具有芳香族多元環(huán)結(jié)構和至少三個與其相連的芳香族取代基， 其中，通過半經(jīng)驗分子軌道計算法來進行確定。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其中，包含所述大體積有機半導體化合物的所述有機半導體層被設置為位于所述發(fā)光層和所述陽極之間的空穴輸送層或空穴注入層。
3.如權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其中，包含所述大體積有機半導體化合物的所述有機半導體層被設置為位于所述發(fā)光層和所述陰極之間的電子輸送層或電子注入層。
4.如權利要求1 3中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述大體積有機半導體化合物為環(huán)硼氮烷化合物，其中所述芳香族多元環(huán)結(jié)構為環(huán)硼氮烷環(huán)結(jié)構。
5.如權利要求1 3中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述大體積有機半導體化合物為苯化合物，其中所述芳香族多元環(huán)結(jié)構為苯環(huán)結(jié)構。
6.如權利要求1 5中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述大體積有機半導體化合物中所述芳香族取代基的環(huán)平面的面積之和大于所述芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面的面積。
7.如權利要求1 6中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中，含有所述大體積有機半導體化合物的所述有機半導體層或其相鄰層含有無機氟化物。
8.如權利要求7所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機氟化物為AlF3或1%&。
9.如權利要求7或8所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機氟化物以2.5體積％ 40體積％摻雜。
10.如權利要求9所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機氟化物以5體積％ 40體積％摻雜。
11.如權利要求1 6中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中，含有所述大體積有機半導體化合物的所述有機半導體層或其相鄰層含有無機氧化物。
12.如權利要求11所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機氧化物為氧化鉬或氧化釩。
13.如權利要求11或12所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機氧化物以2.5體積％ 40體積％摻雜。
14.如權利要求13所述的有機電致發(fā)光器件，其中，所述無機氧化物以5體積％ 40 體積％摻雜。
15.如權利要求1 14中任一項所述的有機電致發(fā)光器件，其中，至少一個所述陰極為透明或半透明。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種能夠被低電壓驅(qū)動的具有高耐熱性的有機電致發(fā)光器件。本發(fā)明具體公開的是包括多個有機半導體層的有機電致發(fā)光器件，所述有機半導體層包括發(fā)光層，并被設置為在彼此相對的一對陽極和陰極之間的層疊體。至少有一個所述有機半導體層含有大體積有機半導體化合物，所述大體積有機半導體化合物之中至少三個芳香族取代基位于芳香族多元環(huán)結(jié)構中，通過半經(jīng)驗分子軌道計算法確定，所述芳香族多元環(huán)結(jié)構的環(huán)平面與所述至少三個芳香族取代基的環(huán)平面之間的二面角為70°～90°。
文檔編號C07F5/05GK102265422SQ200980152520
公開日2011年11月30日 申請日期2009年11月25日 優(yōu)先權日2008年12月26日
發(fā)明者小山田崇人, 小川淳也, 甲斐孝弘, 辻大志, 須田充 申請人:先鋒株式會社, 新日鐵化學株式會社