一種多晶硅鑄錠用提純爐的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠用提純爐。
【背景技術(shù)】
[0002]在多晶硅生產(chǎn)和提純的過(guò)程中，通常需要先采用真空感應(yīng)爐進(jìn)行熔煉去雜，再進(jìn)行多次定向凝固去雜，上述提純過(guò)程需要消耗大量電能。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種多晶硅鑄錠用提純爐，該多晶硅鑄錠用提純爐解決了耗電量高的技術(shù)問(wèn)題。
[0004]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0005]—種多晶硅鑄錠用提純爐，包括爐體、坩禍、離心裝置、真空裝置和加熱裝置；
[0006]所述爐體內(nèi)設(shè)有保溫層，所述保溫層內(nèi)設(shè)置所述加熱裝置；
[0007]所述坩禍設(shè)置于爐體內(nèi)；
[0008]所述離心裝置設(shè)于所述爐體下部，并與所述坩禍通過(guò)離心裝置的主軸固定連接；
[0009]所述真空裝置設(shè)于所述爐體外，并與所述爐體通過(guò)真空管路連接。
[0010]優(yōu)選地，還包括密封裝置，所述密封裝置環(huán)繞于所述坩禍外。
[0011]優(yōu)選地，所述坩禍的數(shù)量與所述離心裝置的數(shù)量相同為2?100個(gè)。
[0012]優(yōu)選地，所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。
[0013]優(yōu)選地，所述加熱裝置為電極。
[0014]優(yōu)選地，所述電極對(duì)稱(chēng)安裝在所述第二保溫層內(nèi)。
[0015]優(yōu)選地，所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。
[0016]優(yōu)選地，所述電極為石墨電極。
[0017]本實(shí)用新型的有益效果為:
[0018]本實(shí)用新型通過(guò)在保溫層內(nèi)設(shè)置加熱裝置，節(jié)省爐體空間，提高爐體空間利用率。本實(shí)用新型中通過(guò)采用離心裝置對(duì)多晶硅進(jìn)行提純，經(jīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，采用本實(shí)用新型的提純爐提純得到的多晶硅中磷在5ppm以下，硼在0.3ppm以下，符合晶硅太陽(yáng)能對(duì)多晶硅純度的要求。
【附圖說(shuō)明】
[0019]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本實(shí)用新型多晶硅鑄錠用提純爐的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]圖中:
[0022]1、爐體；2、坩禍；3、第一保溫層；4、第二保溫層；5、真空裝置；51、真空管路；6、離心裝置；61、主軸；7、加熱裝置；8、密封裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0024]如圖1所示，本實(shí)用新型提供的多晶硅鑄錠用提純爐，包括爐體1、坩禍2、離心裝置6、真空裝置5和加熱裝置7。
[0025]所述坩禍2設(shè)置于爐體I內(nèi)，用于盛放要提純的多晶硅，所述離心裝置6通過(guò)帶動(dòng)i甘禍2旋轉(zhuǎn)，對(duì)多晶娃進(jìn)彳丁提純，提尚多晶娃的純度。
[0026]所述離心裝置6通過(guò)離心過(guò)程對(duì)多晶硅進(jìn)行提純，所述離心裝置6設(shè)置于所述爐體I 一側(cè)，通過(guò)主軸61與所述坩禍2固定連接，離心裝置6通過(guò)帶動(dòng)主軸61旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)對(duì)多晶硅的提純，本實(shí)用新型中可設(shè)置2?100個(gè)坩禍2和離心裝置61，優(yōu)選10?80個(gè)，更優(yōu)選20?50個(gè)，可實(shí)現(xiàn)多組多晶硅同時(shí)提純，保證高純度多晶硅的批量化生產(chǎn)，提高了高純度多晶硅的生產(chǎn)效率。
[0027]所述保溫層用來(lái)減少爐內(nèi)熱量流失，從而保證提純爐的保溫性能。具體實(shí)施時(shí)，保溫層包括第一保溫層3和第二保溫層4，第一保溫層3為耐火保溫纖維層，第二保溫層4為石墨碳磚層，通過(guò)采用耐火材料層和石墨碳磚層逐層保溫，將其熱傳導(dǎo)逐漸降低，進(jìn)而保證了提純爐的保溫性能。
[0028]所述加熱裝置7設(shè)于保溫層內(nèi)，節(jié)省爐體I空間，提高爐體I空間利用率，具體實(shí)施時(shí)，所述加熱裝置7為電極，對(duì)稱(chēng)安裝在第二保溫層4內(nèi)，其中電極的數(shù)量為5?25個(gè)，相鄰電極之間的距離相等，上述電極的設(shè)置使得爐體I內(nèi)溫度均勻，消除了盲區(qū)，避免了礦石資源的浪費(fèi)，同時(shí)降低了能耗。
[0029]所述真空裝置5用于保證爐體I的真空狀態(tài)，該真空裝置5設(shè)于爐體I外，通過(guò)真空管路51與爐體I連接，真空管路51設(shè)于爐體I外一側(cè)。
[0030]所述密封裝置8用于對(duì)坩禍進(jìn)行密封，避免了坩禍內(nèi)熱量損失，所述密封裝置8環(huán)繞于所述坩禍2外.
[0031]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:包括爐體、坩禍、離心裝置、真空裝置和加熱裝置； 所述爐體內(nèi)設(shè)有保溫層，所述保溫層內(nèi)設(shè)置所述加熱裝置； 所述坩禍設(shè)置于爐體內(nèi)； 所述離心裝置設(shè)于所述爐體下部，并與所述坩禍通過(guò)離心裝置的主軸固定連接； 所述真空裝置設(shè)于所述爐體外，并與所述爐體通過(guò)真空管路連接。2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:還包括密封裝置，所述密封裝置環(huán)繞于所述坩禍外。3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述坩禍的數(shù)量與所述離心裝置的數(shù)量相同為2?100個(gè)。4.如權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述保溫層包括第一保溫層和第二保溫層。5.如權(quán)利要求4所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述加熱裝置為電極。6.如權(quán)利要求5所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述電極對(duì)稱(chēng)安裝在所述第二保溫層內(nèi)。7.如權(quán)利要求6所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述第一保溫層為耐火保溫纖維層，所述第二保溫層為石墨碳磚層。8.如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的多晶硅鑄錠用提純爐，其特征在于:所述電極為石墨電極。
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多晶硅鑄錠用提純爐，包括爐體、坩堝、離心裝置、真空裝置和加熱裝置；所述爐體內(nèi)設(shè)有保溫層，所述保溫層內(nèi)設(shè)置所述加熱裝置；所述坩堝設(shè)置于爐體內(nèi)；所述離心裝置設(shè)于所述爐體下部，并與所述坩堝通過(guò)離心裝置的主軸固定連接；所述真空裝置設(shè)于所述爐體外一側(cè)，并與所述爐體通過(guò)真空管路連接。本實(shí)用新型通過(guò)在保溫層內(nèi)設(shè)置加熱裝置，節(jié)省爐體空間，提高爐體空間利用率。采用本實(shí)用新型的提純爐提純得到的多晶硅中磷在5ppm以下，硼在0.3ppm以下，符合晶硅太陽(yáng)能對(duì)多晶硅純度的要求。
【IPC分類(lèi)】C30B29/06, C30B28/06
【公開(kāi)號(hào)】CN204898124
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520654801
【發(fā)明人】王增林
【申請(qǐng)人】寧夏金海金晶光電產(chǎn)業(yè)有限公司
【公開(kāi)日】2015年12月23日
【申請(qǐng)日】2015年8月27日