的一部分直接位于金屬功能層FAF上，該攔截層由層厚約為2nm或略小的欠化學(xué)計(jì)量的鎳一鉻一氧化物NiCrOx構(gòu)成。
[0070]在該攔截層FAB的上方直接連接著覆蓋層結(jié)構(gòu)DA，其由下方的介電遮蓋層DAU和位于它上方的第一遮蓋層DAD構(gòu)成，該介電遮蓋層DAU由約20nm的二氧化鈦T12構(gòu)成，該第一遮蓋層由層厚約為25nm的氮氧化娃S1xNy構(gòu)成。
[0071]保護(hù)層SS直接設(shè)置在第一遮蓋層DAD上，該保護(hù)層由層厚約為2nm的二氧化鈦構(gòu)成。
[0072]按本發(fā)明的層式系統(tǒng)的所有層都已借助磁控噴鍍來沉積。在增大的壓力為5xl0_3和7x 10_3mbar時(shí)，第一遮蓋層DAD從氮氧化硅中沉積出來。
[0073]按本發(fā)明的層式系統(tǒng)具有以下的色調(diào):a*(Rg) = -O, 2 ;b*(Rg) = _5，6。透射性將近 87%。
[0074]優(yōu)選的高透射的反射紅外射線的層式系統(tǒng)(其具有功能層結(jié)構(gòu)單低-E)因此在透明介電基底(S)上從基底(S)向上看去具有以下的透明層:
[0075]錫酸鋅層，其層厚在10-25nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在15 - 20nm的范圍內(nèi)；
[0076]二氧化鈦層，其層厚在5 - 25nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在10 - 20nm的范圍內(nèi)；
[0077]摻雜銷的氧化鋅層，其層厚在大于0-5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在I _ 3nm的范圍內(nèi)；
[0078]銀層，其層厚在10_20nm的范圍內(nèi)；
[0079]欠化學(xué)計(jì)量的鎳鉻氧化層，其層厚在0.8 - 2.5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1.0-2.0nm的范圍內(nèi)；
[0080]二氧化鈦層，其層厚在5 - 25nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在10 - 20nm的范圍內(nèi)；
[0081]氮氧化娃層，其層厚在15-40nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在20 - 35nm的范圍內(nèi)；
[0082]二氧化鈦層，其層厚在O和5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在I和3nm的范圍內(nèi)。
[0083]為了達(dá)到防曬功能，已經(jīng)改變了以下層的層厚:功能層FAF提高到約18nm，攔截層降低約15%，并且第一覆蓋層提高到接近30nm。因此在類似的色調(diào)中，能夠調(diào)到約72%的透射性。
[0084]在該層式系統(tǒng)的備選方案中(圖2)，也可以省略基本層結(jié)構(gòu)GA中的最下方的錫酸鋅層，并且覆蓋層結(jié)構(gòu)DA的首先設(shè)置在鎳鉻氧化層之后的二氧化鈦層被錫酸鋅層替代。為了達(dá)到期望的數(shù)值，在此調(diào)節(jié)單個(gè)層的層厚，并且與第一提到的實(shí)施例是不同的。
[0085]這種修正的高透射的反射紅外射線的層式系統(tǒng)(其具有功能層結(jié)構(gòu))因此在透明介電基底(S)上從基底(S)向上看去具有以下的透明層:并且具有以下按所用的參考標(biāo)記標(biāo)出的各層配屬關(guān)系:
[0086]二氧化鈦層GAl，其層厚在5 - 25nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在15 - 25nm的范圍內(nèi)；
[0087]摻雜鋁的氧化鋅層FAK，其層厚在大于0-5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在5 -1Onm的范圍內(nèi)；
[0088]銀層FAF，其層厚在10-20nm的范圍內(nèi)；
[0089]欠化學(xué)計(jì)量的鎳鉻氧化層FAB，其層厚在0.8 - 2.5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1.0 -
2.0nm的范圍內(nèi)；
[0090]二氧化鈦層DAU，其層厚在5 - 25nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在10 - 20nm的范圍內(nèi)；
[0091]錫酸鋅層DAO，其層厚在1-1Onm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在3-5nm的范圍內(nèi)；
[0092]氮氧化娃層DAD，其層厚在15-40nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在20 - 37nm的范圍內(nèi)；
[0093]二氧化鈦層SS，其層厚在O和5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在I和3nm的范圍內(nèi)。
[0094]具有兩個(gè)功能層(雙一 Low-E)的反射紅外射線的層式系統(tǒng)從基底向上看去能夠具有以下具有相應(yīng)層厚的層順序(圖3):
[0095]二氧化鈦層作為介電的基本層GA1，其層厚在10-25nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在15-20nm的范圍內(nèi)；
[0096]銀層作為胚層，其層厚在3_8nm的范圍內(nèi)；
[0097]銀層作為下方功能層FAF，其層厚在7_15nm的范圍內(nèi)；
[0098]欠化學(xué)計(jì)量的鎳鉻氧化層作為攔截層FAB，其層厚在0.8 - 2.5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1.0 - 2.0nm的范圍內(nèi)；
[0099]中間層結(jié)構(gòu)TA,其具有錫酸鋅層作為中間層ZAZ，其層厚在30 - 70nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在40 - 60nm的范圍內(nèi)；
[0100]摻雜鋁的氧化鋅層FAK作為胚層，其層厚在3-10nm的范圍內(nèi)；
[0101]銀層作為功能層FAF，其層厚在10-15nm的范圍內(nèi)；
[0102]欠化學(xué)計(jì)量的鎳鉻氧化層作為攔截層FAB，其層厚在0.8 - 2.5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在1.0 - 2.0nm的范圍內(nèi)；
[0103]氮氧化娃層作為第一覆蓋層DAD，其層厚在15-40nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在20 - 35nm的范圍內(nèi)；
[0104]可選地將二氧化硅層作為上方的遮蓋層DAO，其層厚在8 - 18nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在
10- 15nm的范圍內(nèi)；
[0105]二氧化鈦層作為保護(hù)層SS，其層厚在O和5nm的范圍內(nèi)，優(yōu)選在I和3nm的范圍內(nèi)。
[0106]可選地，在此也可將二氧化鈦層作為下方遮蓋層DAU，其層厚能夠位于以上提到的范圍內(nèi)。
[0107]此外在此實(shí)施例的備選構(gòu)造方案中，直接在基底S的上方應(yīng)用氮化硅作為基本層，補(bǔ)充或者替代基本層結(jié)構(gòu)GA的二氧化鈦層。
[0108]應(yīng)理解，在上述實(shí)施例中包含的特征可以在其他實(shí)施例中以任意合適的方式進(jìn)行組合。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種在透明介電基底(S)上反射紅外射線的層式系統(tǒng)，其從基底(S)向上看去具有以下的透明層式結(jié)構(gòu):基本層結(jié)構(gòu)(GA)，其具有至少一個(gè)介電基本層(GA1)，所述介電基本層由金屬的、半導(dǎo)體的氮化物、氧化物或氮氧化物組成或由半導(dǎo)體合金組成；功能層結(jié)構(gòu)(FA)，其具有至少一個(gè)金屬功能層(FAF)以用于反射紅外射線，具有直接鄰接到所述功能層(FAF)并且設(shè)置在其下的胚層(FAK)，所述胚層用于調(diào)節(jié)具有固有或摻雜的氧化鋅作為重要組成部分的功能層的光電特性，以及具有直接鄰接到所述功能層(FAF)并且設(shè)置在其上的攔截層(FAOB)，所述攔截層由金屬、金屬混合物或金屬合金或者由金屬氧化物、氮化物或氧氮化物組成；覆蓋層結(jié)構(gòu)(DA)，其具有至少一個(gè)由氮氧化硅組成的第一介電覆蓋層(DAD);以及在覆蓋層結(jié)構(gòu)(DA)上設(shè)置的保護(hù)層(SS)，所述保護(hù)層由二氧化鈦或由無定形的氮氧化鈦組成。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層式系統(tǒng)，其中所述保護(hù)層(SS)具有在0〈d〈5nm、優(yōu)選l〈d〈3nm范圍內(nèi)的層厚d。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層式系統(tǒng)，其中所述覆蓋層結(jié)構(gòu)(DA)包括直接在所述第一介電覆蓋層(DAD)之下設(shè)置的由氧化鈦組成的下介電覆蓋層(DAU)。4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層式系統(tǒng)，其中與所述攔截層鄰接地設(shè)置由氧化鈦或由錫酸鋅或者由氧化鋅或由摻雜鋁的氧化鋅組成的層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層式系統(tǒng)，其中所述攔截層(FAOB)是鎳鉻的亞化學(xué)計(jì)量氧化物。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層式系統(tǒng)，其中與所述攔截層鄰接地設(shè)置由氧化鈦或由錫酸鋅或者由氧化鋅或由摻雜鋁的氧化鋅組成的層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層式系統(tǒng)，其中所述攔截層(FAOB)是鎳鉻的亞化學(xué)計(jì)量氧化物。8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層式系統(tǒng)，其中所述覆蓋層結(jié)構(gòu)(DA)包括直接在所述第一介電覆蓋層(DAD)之上設(shè)置的由二氧化硅組成的上介電覆蓋層(DAO)。9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層式系統(tǒng)，其中所述第一覆蓋層(DAD)的氮氧化硅在波長為550nm的情況下具有1.8±0.1的折射率。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層式系統(tǒng)，其特征在于，所述基本層結(jié)構(gòu)(GA)包括由氧化鈦組成的基本層。11.一種用于借助于真空涂布在連續(xù)過程中涂布介電基底(S)的方法，其中根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的反射紅外射線的層式系統(tǒng)的各層依次由氣相沉積在基底(S)或已經(jīng)在基底(S)上沉積的層上，并且所述各層中至少一個(gè)層的沉積借助于DC或MF磁控噴鍍或脈沖式磁控噴鍍實(shí)現(xiàn)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種在透明介電基底S上的透明的、反射IR的層式系統(tǒng)以及一種制造這種層式系統(tǒng)的方法，該層式系統(tǒng)從基底S往上看包含基本層結(jié)構(gòu)GA，該基本層結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)介電基本層GAG。功能層結(jié)構(gòu)FA位于該基本層結(jié)構(gòu)上，該功能層結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)金屬功能層FAF用來反射紅外射線，具有直接設(shè)置在其下的胚層FAK，所述胚層由固有的或摻雜的氧化鋅構(gòu)成，以及具有直接設(shè)置在其上的攔截層FAB，所述攔截層由金屬、金屬混合物或金屬合金或者由金屬氧化物、氮化物或氧氮化物組成。最后，層式系統(tǒng)通過覆蓋層結(jié)構(gòu)DA和保護(hù)層SS構(gòu)成，該覆蓋層結(jié)構(gòu)具有由氮氧化硅構(gòu)成的介電遮蓋層DAD，該保護(hù)層設(shè)置在覆蓋層結(jié)構(gòu)DA的上方并且由二氧化鈦或非結(jié)晶的氮氧化鈦構(gòu)成。
【IPC分類】C03C17/34, C03C17/36
【公開號】CN104973801
【申請?zhí)枴緾N201510164794
【發(fā)明人】C·可科特
【申請人】馮·阿德納有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2015年4月9日
【公告號】DE102014111190A1