技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，自所述玻璃基片的表面向外依次沉積形成第一電介質(zhì)層、低輻射層、第二電介質(zhì)層及保護(hù)層，在第一電介質(zhì)層與低輻射層之間還設(shè)有穩(wěn)定電介質(zhì)層，所述穩(wěn)定電介質(zhì)層為ZnO或NiCr膜層結(jié)構(gòu)，ZnO膜層厚度為7?11nm，NiCr膜層為3?9nm；所述低輻射層為AgTi膜層結(jié)構(gòu)，AgTi膜層厚度為12?20nm。本實(shí)用新型通過采用的低輻射層為AgTi膜沉積而成，并在第一電介質(zhì)層與低輻射層之間還設(shè)有穩(wěn)定電介質(zhì)層，使得制得的鍍膜玻璃不僅具有很低的輻射率和較高遮蔽系數(shù)，能夠最大限度地利用太陽能。此外，還使鍍膜玻璃的內(nèi)部具有優(yōu)良、穩(wěn)定的物理特性性，使用壽命大大延長。

技術(shù)研發(fā)人員：龐會軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：欽州市中玻玻璃有限責(zé)任公司
文檔號碼：201621423537
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.23
技術(shù)公布日：2017.08.18