本實用新型涉及單晶硅設備技術領域，特別涉及一種直拉單晶爐及其導流筒結構。

背景技術：

在光伏市場上，應用的單晶硅主要是以直拉法拉制而成。相比于鑄造多晶硅而言，直拉法而成的單晶硅的質量好。

但是，與多晶硅相比，單晶硅的生產成本較高。高成本妨礙了單晶硅在市場上的廣泛應用。

因此，如何降低生產成本，是本技術領域人員亟待解決的問題。

技術實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實用新型提供了一種導流筒結構，以降低生產成本。本實用新型還提供了一種具有上述導流筒結構的直拉單晶爐。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術方案：

從上述的技術方案可以看出，本實用新型提供的導流筒結構，包括內導流筒及設置于所述內導流筒的外側的外導流筒；

所述內導流筒及所述外導流筒均為石墨導流筒；

所述內導流筒與所述外導流筒之間設置有石墨紙。

優(yōu)選地，上述導流筒結構中，所述內導流筒與所述外導流筒之間形成空腔；

所述石墨紙位于所述空腔內。

優(yōu)選地，上述導流筒結構中，所述內導流筒的外壁上設置有所述石墨紙；

所述內導流筒的外壁為所述內導流筒朝向所述外導流筒的壁面。

優(yōu)選地，上述導流筒結構中，所述外導流筒的內壁上設置有所述石墨紙；

所述外導流筒的內壁為所述外導流筒朝向所述內導流筒的壁面。

優(yōu)選地，上述導流筒結構中，所述空腔內設置有保溫材料；

所述石墨紙位于所述保溫材料的外側。

優(yōu)選地，上述導流筒結構中，所述保溫材料為軟氈。

優(yōu)選地，上述導流筒結構中，所述內導流筒與所述外導流筒的頂部均具有與直拉單晶爐連接的連接部。

優(yōu)選地，上述導流筒結構中，所述內導流筒的連接部與所述外導流筒的連接部之間設置有固定氈條。

本實用新型還提供了一種直拉單晶爐，包括導流筒結構，所述導流筒結構為如上述任一項所述的導流筒結構。

本實用新型提供的導流筒結構，熱量由晶棒以及硅熔液輻射出來，經過內導流筒與外導流筒不斷吸收、反射與輻射。在此過程中，內導流筒與外導流筒之間設置有石墨紙，由于石墨紙的表面光滑，對熱量具有極高的反射率。因此，在熱量沿內導流筒及外導流筒傳遞時，受到石墨紙的反射，提高了導流筒結構對熱量的反射率，降低了內導流筒溫度升高的幾率，進而降低了內導流筒向晶棒發(fā)射的熱量，進而提高了晶棒的生長速率，降低了單晶硅的生產成本。

本實用新型還提供了一種直拉單晶爐，包括如上述任一項的導流筒結構。由于上述導流筒結構具有上述技術效果，具有上述導流筒結構的直拉單晶爐也應具有同樣的技術效果，在此不再詳細介紹。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例提供的直拉單晶爐的結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的導流筒結構的結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型公開了一種導流筒結構，以降低生產成本。本實用新型還提供了一種具有上述導流筒結構的直拉單晶爐。

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1及圖2所示，本實用新型實施例提供的一種導流筒結構，包括內導流筒4、外導流筒6及石墨紙8，其中，外導流筒6設置于內導流筒4的外側；內導流筒4及外導流筒6均為石墨導流筒。石墨紙8設置于內導流筒4與外導流筒6之間。通過上述設置，避免了石墨紙8與硅溶液7直接接觸。

本實用新型實施例提供的導流筒結構，熱量由晶棒1以及硅熔液7輻射出來，經過內導流筒4與外導流筒6不斷吸收、反射與輻射。在此過程中，內導流筒4與外導流筒6之間設置有石墨紙8，由于石墨紙8的表面光滑，對熱量具有極高的反射率。因此，在熱量沿內導流筒4及外導流筒6傳遞時，受到石墨紙8的反射，提高了導流筒結構對熱量的反射率，降低了內導流筒4溫度升高的幾率，進而降低了內導流筒4向晶棒1發(fā)射的熱量，進而提高了晶棒的生長速率，降低了單晶硅的生產成本。

其中，內導流筒4的外側為內導流筒4背向直拉單晶爐中晶棒1的一側。內導流筒4的內壁為內導流筒4背向外導流筒6的壁面，外導流筒6的外壁為外導流筒6背向內導流筒4的壁面。

為了便于石墨紙8的設置，內導流筒4與外導流筒6之間形成空腔5，石墨紙8位于空腔5內。也可以使內導流筒4與外導流筒6分別貼緊石墨紙8的兩面。

如圖1及圖2所示，內導流筒4的外壁上設置有石墨紙8；內導流筒4的外壁為內導流筒4朝向外導流筒6的壁面。內導流筒4的外壁設置有一層光滑的石墨紙8，晶棒1輻射過來的熱量大部分會被反射到直拉單晶爐的爐蓋2上，內導流筒4的溫度低，只有少部分熱量會發(fā)射回晶棒1上。通過設置石墨紙8，提高了熱反射率，進而提高了晶棒1的生長速率。

進一步地，外導流筒6的內壁上設置有石墨紙8；外導流筒6的內壁為外導流筒6朝向內導流筒4的壁面。外導流筒6的內壁設置有一層光滑的石墨紙8，硅熔體7輻射過來的熱量大部分會被反射回硅熔體7，外導流筒6溫度低，只有少部分熱量會到達內導流筒4上。通過設置石墨紙8，提高了熱反射率，進而提高了晶棒1的生長速率。

石墨紙8可以完全覆蓋內導流筒4的外壁，也可以覆蓋內導流筒4的外壁的局部部分。同理，石墨紙8可以完全覆蓋外導流筒6的內壁，也可以覆蓋外導流筒6的內壁的局部部分。優(yōu)選地，石墨紙8完全覆蓋內導流筒4的外壁及外導流筒6的內壁。

空腔5內設置有保溫材料；石墨紙8位于保溫材料的外側。通過設置保溫材料，避免了熱量沿內導流筒4與外導流筒6的排列方向傳遞，減少向晶棒1輻射的熱量，進而提高了晶棒1的生長速率。

在本實施例中，保溫材料優(yōu)選為軟氈。

內導流筒4與外導流筒6的頂部均具有與直拉單晶爐連接的連接部。通過設置；連接部，以便于將導流筒結構固定于直拉單晶爐內。

本實用新型實施例提供的導流筒結構中，內導流筒4的連接部與外導流筒6的連接部之間設置有固定氈條3。通過設置固定氈條3，方便了導流筒結構的固定。也可以采用其他方式固定導流筒結構，在此不再一一累述且均在保護范圍之內。

如圖2所示，本實用新型實施例還提供了一種直拉單晶爐，包括導流筒結構，導流筒結構為如上述任一種導流筒結構。由于上述導流筒結構具有上述技術效果，具有上述導流筒結構的直拉單晶爐也應具有同樣的技術效果，在此不再詳細介紹。

本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。

對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業(yè)技術人員能夠實現(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領域的專業(yè)技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。