技術總結
本發(fā)明公開了一種提拉法制備超高導電石墨烯透明薄膜的方法，包括:在室溫條件下，將石英片清洗，干燥，表面氧化處理；在室溫條件下，將由低溫下制備而成的超大片氧化石墨烯和碘化氫按照一定質量比配制成分散溶液，然后在60?80℃恒溫處理5?15min；石英片在分散液中進行提拉處理，得到處理后的石英片；將裝有處理后的石英片的容器放入容器中，涂上凡士林進行密封，在85℃條件下，恒溫處理12?24h，即得。本發(fā)明的制備方法簡單，產(chǎn)量大；薄膜的透過率高，尺寸可控，分布均勻，穩(wěn)定性好，并且導電性能良好。

技術研發(fā)人員：高超;彭蠡;莊寄涵;俞添
受保護的技術使用者：浙江大學
文檔號碼：201610566373
技術研發(fā)日：2016.07.15
技術公布日：2017.01.04