技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種在通過濺射法制成氧化物半導(dǎo)體薄膜時(shí)能夠獲得低載流子濃度、高載流子遷移率氧化物燒結(jié)體以及使用該氧化物燒結(jié)體的濺射用靶。該氧化物燒結(jié)體以氧化物的形式含有銦、鎵和銅。由Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)的鎵的含量?jī)?yōu)選為0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子數(shù)比計(jì)的銅的含量?jī)?yōu)選為0.001以上且小于0.03，并且優(yōu)選在1200℃以上且1550℃以下的溫度進(jìn)行燒成。將該氧化物燒結(jié)體作為濺射用靶而形成的非晶質(zhì)的氧化物半導(dǎo)體薄膜，能夠獲得載流子濃度為3.0×1018cm?3以下、載流子遷移率為10cm2V?1sec?1以上。

技術(shù)研發(fā)人員：中山德行;西村英一郎;松村文彥;井藁正史
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友金屬礦山株式會(huì)社
文檔號(hào)碼：201580015792
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.15
技術(shù)公布日：2016.11.16