專利名稱：一種硅的提純方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種冶金技術(shù)，尤其是高純硅的提煉方法。
背景技術(shù)：
目前的高純硅基本是采用西門子法，通過電弧初步提純至98％，然后通過制作成化學(xué)氣體三氯氫硅，再使用氫氣進(jìn)行還原。這種方式消耗電力巨大，產(chǎn)量都有很大限制，而且生產(chǎn)成本居高不下。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的任務(wù)是設(shè)計(jì)出經(jīng)濟(jì)的、能耗小的硅的提純方法。
本發(fā)明是采用密封的鎢爐中將高純二氧化硅和焦炭在電爐中強(qiáng)熱制得碳化硅，然后再與高溫氫氣化合后得到甲硅烷，再次采用臨界液化和堿洗方式再次提純，然后進(jìn)行高溫裂解得到高純硅。
采用熔融提純和氣化提純，可以大量減少能源消耗，降低成本。
具體實(shí)施例方式
具體制作中，首先在1650攝氏度將石英砂敞開燒除雜質(zhì)，再密封在1750攝氏度熔融進(jìn)行初步提純，得到液態(tài)二氧化硅，再將焦碳加入化合得到碳化硅。
然后將高溫氫氣與熾熱的碳化硅反應(yīng)，得到的氣體為氫氣，水蒸汽、硅烷和碳?xì)浠衔?。再通過臨界液化法進(jìn)行提純，再在氫氧化鈉溶液中清洗得到比較純的甲硅烷，然后將低硅烷在溫度高于500℃情況下裂解得到高純硅。
權(quán)利要求
1.一種高純硅的提煉方法，其特征是采用密封的鎢爐中將高純二氧化硅和焦炭在電爐中強(qiáng)熱制得碳化硅，然后再與高溫氫氣化合后得到甲硅烷，再次采用臨界液化和堿洗方式再次提純，然后進(jìn)行高溫裂解得到高純硅。
2.如權(quán)利要求1所述，其特征是在1650攝氏度將石英砂敞開燒除雜質(zhì)，再密封在1750攝氏度熔融進(jìn)行初步提純，得到液態(tài)二氧化硅，再將焦碳加入化合得到碳化硅。
3.如權(quán)利要求1所述，其特征是通過臨界液化法進(jìn)行提純，再在氫氧化鈉溶液中清洗得到比較純的甲硅烷。
全文摘要
一種高純硅的提煉方法，為解決目前硅提純過程中消耗電力巨大，產(chǎn)量都有很大限制，而且生產(chǎn)成本居高不下的問題，本發(fā)明采用陶瓷窯內(nèi)使用氬氣密封的鎢爐熔融高純二氧化硅進(jìn)行初步提純，再采用高溫氫氣化合后得到硅烷再次采用臨界液化方式再次提純，然后進(jìn)行還原得到高純硅，這樣就可以使高純度硅的生產(chǎn)成本大幅度降低，適合太陽能發(fā)電及半導(dǎo)體工業(yè)。
文檔編號(hào)C01B33/00GK1994878SQ20061016637
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月25日
發(fā)明者楊貽方 申請(qǐng)人:楊貽方