電極蒸鍍裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種電極蒸鍍裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 低維量子物質(zhì)是物理學(xué)研宄內(nèi)容最豐富的領(lǐng)域之一。半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)界面的二維電 子氣、石墨烯、銅基和鐵基超導(dǎo)體、拓?fù)浣^緣體、氧化物界面以及過(guò)渡金屬硫族化合物層狀 材料等等都屬于這類(lèi)體系。這些體系展現(xiàn)了自然界中一些最神奇的量子態(tài)，涉及凝聚態(tài)物 理主要的重大科學(xué)問(wèn)題，是揭示低維物理最具挑戰(zhàn)的強(qiáng)電子關(guān)聯(lián)問(wèn)題的關(guān)鍵體系，它們很 有可能還是導(dǎo)致未來(lái)信息、清潔能源、電力和精密測(cè)量等技術(shù)重大革新甚至是革命的一類(lèi) 體系，是目前全世界的研宄重點(diǎn)。
[0003] 由于所述低維量子物質(zhì)或者低維材料是從物理上提煉簡(jiǎn)化為厚度為一到幾個(gè)原 子層/單位原胞的準(zhǔn)二維體系，非常薄，當(dāng)在該低維量子物質(zhì)上采用傳統(tǒng)的電極蒸鍍裝置 蒸鍍電極時(shí)，會(huì)破壞低維量子物質(zhì)。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 有鑒于此，確有必要提供一種不會(huì)破壞低維材料結(jié)構(gòu)的電極蒸鍍裝置。
[0005] 一種電極蒸鍍裝置，包括一電極蒸發(fā)源和一電極蒸鍍單元，所述電極蒸發(fā)源設(shè)置 于所述電極蒸鍍單元的底部；所述電極蒸鍍單元包括一樣品托插座、一第一限位框、一第二 限位框和一磁力棒，所述樣品托插座用于固定一樣品，且該樣品托插座具有相對(duì)的兩個(gè)凸 棒，定義相互垂直的一X方向和一Y方向，該兩個(gè)凸棒的連線(xiàn)平行于所述X方向；所述第 一限位框具有相對(duì)的兩個(gè)第一開(kāi)口，第二限位框具有相對(duì)的兩個(gè)第二開(kāi)口，該第二限位框 和第一限位框依次套設(shè)在所述樣品托插座上，且所述凸棒依次穿過(guò)所述第二開(kāi)口和第一開(kāi) 口；所述磁力棒位于第一限位框的外側(cè)，且該磁力棒沿所述Y方向延伸。
[0006] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的電極蒸鍍裝置中，通過(guò)固定低維材料結(jié)構(gòu)的 第一樣品托插座、第二限位框、第一限位框和磁力棒的設(shè)置方式，使低維材料結(jié)構(gòu)隨同第一 樣品托插座在自身重力的作用下，與掩模接觸，然后再加熱電極蒸發(fā)源于低維材料的表面 蒸鍍電極，不會(huì)破壞低維材料結(jié)構(gòu)。
【附圖說(shuō)明】
[0007] 圖1為原位輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量裝置的立體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2為低維材料制備系統(tǒng)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖3為低維材料處理系統(tǒng)的立體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010] 圖4為低維材料處理系統(tǒng)中電極蒸鍍腔內(nèi)部的立體結(jié)構(gòu)分解圖。
[0011] 圖5為低維材料處理系統(tǒng)中刻劃處理腔內(nèi)部及顯微鏡的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012] 圖6為輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)的立體結(jié)構(gòu)分解示意圖。
[0013] 圖7為輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量系統(tǒng)中探針臺(tái)的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 圖8為低維材料原位輸運(yùn)性質(zhì)測(cè)量方法的流程圖。
[0015] 主要元件符號(hào)說(shuō)明
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電極蒸鍍裝置，包括一電極蒸發(fā)源和一電極蒸鍍單元，所述電極蒸發(fā)源設(shè)置于 所述電極蒸鍍單元的底部；其特征在于，所述電極蒸鍍單元包括一樣品托插座、一第一限位 框、一第二限位框和一磁力棒，所述樣品托插座用于固定一樣品，該樣品托插座具有相對(duì)的 兩個(gè)凸棒，定義相互垂直的一 X方向和一 Y方向，該兩個(gè)凸棒的連線(xiàn)平行于所述X方向；所 述第一限位框具有相對(duì)的兩個(gè)第一開(kāi)口，第二限位框具有相對(duì)的兩個(gè)第二開(kāi)口，該第二限 位框和第一限位框依次套設(shè)在所述樣品托插座上，且所述凸棒依次穿過(guò)所述第二開(kāi)口和第 一開(kāi)口；所述磁力棒位于第一限位框的外側(cè)，且該磁力棒沿所述Y方向延伸。
2. 如權(quán)利要求1所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述電極蒸鍍單元進(jìn)一步包括一 支撐結(jié)構(gòu)，所述樣品托插座、第一限位框和第二限位框設(shè)置于該支撐結(jié)構(gòu)的表面，所述樣品 托插座通過(guò)該支撐結(jié)構(gòu)與所述電極蒸發(fā)源間隔設(shè)置。
3. 如權(quán)利要求2所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)包括一支撐臺(tái)，該支 撐臺(tái)具有一第一通孔，一掩模設(shè)置于該支撐臺(tái)的第一通孔上，且與所述電極蒸發(fā)源正對(duì)。
4. 如權(quán)利要求3所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述第二開(kāi)口具有相對(duì)的兩個(gè)與 支撐臺(tái)的表面垂直的側(cè)面，該第二開(kāi)口的設(shè)置用于使所述樣品托插座上下移動(dòng)。
5. 如權(quán)利要求3所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述第一開(kāi)口具有一與支撐臺(tái)的 表面成一角度的斜面，該斜面的延長(zhǎng)線(xiàn)與所述支撐臺(tái)的表面形成一鈍角，且所述磁力棒靠 近該斜面。
6. 如權(quán)利要求5所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述磁力棒活動(dòng)地設(shè)置于所述電 極蒸鍍單元中，且沿所述Y方向移動(dòng)。
7. 如權(quán)利要求6所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述磁力棒推第一限位框時(shí)，所述 樣品托插座由于所述第一開(kāi)口中斜面和所述第二開(kāi)口的限定而向上移動(dòng)。
8. 如權(quán)利要求7所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，該磁力棒遠(yuǎn)離所述第一限位框時(shí)， 所述樣品托插座在重力的作用下向下移動(dòng)。
9. 如權(quán)利要求3所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述電極蒸發(fā)源通過(guò)一法蘭連接 于所述電極蒸鍍腔，所述支撐臺(tái)通過(guò)支撐桿連接于該底法蘭。
10. 如權(quán)利要求1所述的電極蒸鍍裝置，其特征在于，所述電極蒸鍍腔內(nèi)部為真空環(huán) 境。
【專(zhuān)利摘要】一種電極蒸鍍裝置，包括一電極蒸發(fā)源和一電極蒸鍍單元，電極蒸發(fā)源設(shè)置于電極蒸鍍單元的底部；所述電極蒸鍍單元包括一樣品托插座、一第一限位框、一第二限位框和一磁力棒，所述樣品托插座用于固定一樣品，且具有相對(duì)的兩個(gè)凸棒，定義相互垂直的一X方向和一Y方向，該兩個(gè)凸棒的連線(xiàn)平行于所述X方向；所述第一限位框具有相對(duì)的兩個(gè)第一開(kāi)口，第二限位框具有相對(duì)的兩個(gè)第二開(kāi)口，該第二限位框和第一限位框依次套設(shè)在所述樣品托插座上，且所述凸棒依次穿過(guò)所述第二開(kāi)口和第一開(kāi)口；所述磁力棒位于第一限位框的外側(cè)，且該磁力棒沿所述Y方向延伸。
【IPC分類(lèi)】C23C14-24
【公開(kāi)號(hào)】CN204550697
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520219715
【發(fā)明人】胡小鵬, 薛其坤, 陳曦, 趙大鵬
【申請(qǐng)人】清華大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年8月12日
【申請(qǐng)日】2015年4月13日