一種電子元器件表面鍍膜工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電子元器件表面鍍膜工藝，它包括以下步驟：調(diào)配鍍膜材料鋁和硅；將調(diào)配好的鍍膜材料鋁和硅放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐；投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空；啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能；將電壓調(diào)至5.10V，進(jìn)行時(shí)間為12s的預(yù)蒸發(fā)階段；將電壓調(diào)至8.85V，進(jìn)行時(shí)間為10s的蒸發(fā)階段；開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出產(chǎn)品；該工藝可有效解決電膜層顏色偏黃的問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
一種電子元器件表面鍍膜工藝
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及膜制造領(lǐng)域，特別涉及一種電子元器件表面鍍膜工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]目前電鍍行業(yè)面臨兩大社會(huì)問(wèn)題:職業(yè)健康與環(huán)境污染問(wèn)題。企業(yè)、勞動(dòng)者對(duì)企業(yè)社會(huì)責(zé)任、職業(yè)健康的高度關(guān)注，傳統(tǒng)的高污染、高危害的工業(yè)水電鍍技術(shù)必將被新興的工藝真空鏈膜逐步取代。
[0003]手機(jī)外殼和平板電腦外框等塑膠一般要進(jìn)行真空鍍膜，由于手機(jī)和平板電腦都是帶電體，因此，進(jìn)行真空鍍膜時(shí)，要求外殼、外框鍍上不導(dǎo)電膜層。
[0004]目前，不導(dǎo)電膜層鍍膜工藝已普遍成熟，一般采用預(yù)熱后蒸發(fā)鍍膜工藝，大多使用相同工藝參數(shù)及材料，及使用硅錫合金(30:70)蒸發(fā)鍍膜;然而，硅錫合金在蒸鍍過(guò)程中顏色不統(tǒng)一，光澤度不夠，金屬質(zhì)感差，在自然光環(huán)境下，因?yàn)楣桢a合金易氧化，產(chǎn)品不能在空氣中暴露太久。
[0005]目前，國(guó)內(nèi)不導(dǎo)電膜層鍍膜工藝多數(shù)是采用蒸發(fā)單體鍍膜機(jī)制備不連續(xù)導(dǎo)電膜，存在產(chǎn)量低、均勻性不好和制造成本高等問(wèn)題，而且硅、錫又是稀有金屬，生產(chǎn)成本居高不下。
[0006]磁控濺射鍍膜技術(shù)能夠做到鍍膜的膜層具有色澤均勻，清晰度高，持久隔熱以及不褪色等特點(diǎn)，但該技術(shù)中濺射效率容易受到多種因素的影響，尤其是靶材的選擇及其尺寸的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種電子元器件表面鍍膜工藝，以解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致的上述多項(xiàng)缺陷。
[0008]1.為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下的技術(shù)方案:一種電子元器件表面鍍膜工藝，它包括以下步驟:
1)采用電子束蒸鍍、濺射鍍或熱氣流蒸鍍的方式在清洗后的產(chǎn)品表面形成Si02膜層；
2)調(diào)配鍍膜材料鋁和硅，質(zhì)量配比為2:5;
3)將調(diào)配好的鍍膜材料鋁和硅放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐；
4)投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空，啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備；
5 )取出產(chǎn)品采用電子束蒸鍍、濺射鍍或熱氣流蒸鍍的方式在鍍有Si02膜層的產(chǎn)品表面形成防污膜層；
6)將產(chǎn)品放入真空鍍膜室，啟動(dòng)真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能，；
7)開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出廣品。
[0009]優(yōu)選的:所述步驟6)中，將電壓調(diào)至2.70V，進(jìn)行時(shí)間為28s的預(yù)熱階段;將電壓調(diào)至5.10V，進(jìn)行時(shí)間為12s的預(yù)蒸發(fā)階段;將電壓調(diào)至8.85V，進(jìn)行時(shí)間為8-12S的蒸發(fā)階段
優(yōu)選的:所述步驟3)中，真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0X 10—2Pa。
[0010]優(yōu)選的:所述蒸發(fā)時(shí)間為10s。
[0011]采用以上技術(shù)方案的有益效果是:由于該工藝采用的鍍膜材料為鋁和硅，而且由于鍍膜材料的不同，預(yù)熱階段與蒸發(fā)階段之間增加了預(yù)蒸發(fā)階段，使得鍍膜材料蒸發(fā)更完全，加上鋁在自然光環(huán)境下不易發(fā)生氧化，以及硅的作用，使得不導(dǎo)電膜層顏色不易偏黃。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。
[0013]本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】:一種電子元器件表面鍍膜工藝，它包括以下步驟:
1)采用電子束蒸鍍、濺射鍍或熱氣流蒸鍍的方式在清洗后的產(chǎn)品表面形成Si02膜層；
2)調(diào)配鍍膜材料鋁和硅，質(zhì)量配比為2:5;
3)將調(diào)配好的鍍膜材料鋁和硅放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐；
4)投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空，啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備；
5)取出產(chǎn)品采用電子束蒸鍍、濺射鍍或熱氣流蒸鍍的方式在鍍有Si02膜層的產(chǎn)品表面形成防污膜層；
6)將產(chǎn)品放入真空鍍膜室，啟動(dòng)真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能，；
7)開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出產(chǎn)品。
[0014]所述步驟6)中，將電壓調(diào)至2.70V，進(jìn)行時(shí)間為28s的預(yù)熱階段;將電壓調(diào)至5.10V，進(jìn)行時(shí)間為12s的預(yù)蒸發(fā)階段;將電壓調(diào)至8.85V，進(jìn)行時(shí)間為8-12S的蒸發(fā)階段，所述蒸發(fā)時(shí)間為10s。
[0015]所述步驟3)中，真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0X10—2Pa。
[0016]由于該工藝采用的鍍膜材料為鋁和硅，而且由于鍍膜材料的不同，預(yù)熱階段與蒸發(fā)階段之間增加了預(yù)蒸發(fā)階段，使得鍍膜材料蒸發(fā)更完全，加上鋁在自然光環(huán)境下不易發(fā)生氧化，以及硅的作用，使得不導(dǎo)電膜層顏色不易偏黃。
[0017]由于鋁的導(dǎo)電性極佳，用來(lái)制作不導(dǎo)電膜，工藝上必須有突破，蒸發(fā)時(shí)要有適當(dāng)?shù)碾妷汉瓦m當(dāng)?shù)臅r(shí)間控制。因?yàn)殇X的熔點(diǎn)高，如果電壓過(guò)低，則蒸發(fā)不完全，電壓過(guò)高則可能導(dǎo)電，時(shí)間過(guò)短則蒸發(fā)不完全，時(shí)間過(guò)長(zhǎng)也可能會(huì)導(dǎo)電。因此針對(duì)這種鋁加上硅的鍍膜材料，采用“分步同時(shí)蒸發(fā)方式”，“分步”即先預(yù)熱、再預(yù)蒸發(fā)、最后蒸發(fā)，“同時(shí)”即將調(diào)配好的鋁和硅兩種材料同時(shí)放在一個(gè)材料筐里進(jìn)行蒸發(fā)。
[0018]此工藝獲得的膜層具有通透的底色，很好地解決膜層顏色偏黃的問(wèn)題，適合于用來(lái)制造高端手機(jī)透光面蓋，或其它半透裝飾件。
[0019]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電子元器件表面鍍膜工藝，其特征在于，它包括以下步驟: I)采用電子束蒸鍍、濺射鍍或熱氣流蒸鍍的方式在清洗后的產(chǎn)品表面形成Si02膜層； 2 )調(diào)配鍍膜材料鋁和硅，質(zhì)量配比為2:5; 3)將調(diào)配好的鍍膜材料鋁和硅放入真空鍍膜設(shè)備真空室內(nèi)的材料筐； 4)投入待鍍膜產(chǎn)品，關(guān)真空室大門，對(duì)真空室進(jìn)行抽真空，啟動(dòng)真空鍍膜設(shè)備； 5)取出產(chǎn)品采用電子束蒸鍍、濺射鍍或熱氣流蒸鍍的方式在鍍有Si02膜層的產(chǎn)品表面形成防污膜層； 6)將產(chǎn)品放入真空鍍膜室，啟動(dòng)真空室的半自動(dòng)蒸發(fā)功能，； 7)開(kāi)真空室大門并放入空氣，取出產(chǎn)品。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件表面鍍膜工藝，其特征在于:所述步驟6)中，將電壓調(diào)至2.70V，進(jìn)行時(shí)間為28s的預(yù)熱階段;將電壓調(diào)至5.10V，進(jìn)行時(shí)間為12s的預(yù)蒸發(fā)階段;將電壓調(diào)至8.85V，進(jìn)行時(shí)間為8-12S的蒸發(fā)階段。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件表面鍍膜工藝，其特征在于:所述步驟3)中，真空室內(nèi)抽真空后的真空度為2.0X 10—2Pa。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子元器件表面鍍膜工藝，其特征在于:所述蒸發(fā)時(shí)間為1s。
【文檔編號(hào)】C23C14/30GK106011749SQ201610617073
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年8月1日
【發(fā)明人】羅文彬
【申請(qǐng)人】合肥佳瑞林電子技術(shù)有限公司