專利名稱：鉆針的表面鍍膜方法與鍍膜鉆針的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種鉆針，特別是涉及一種在一鉆針表面鍍膜而制成一鍍膜鉆 針的技術。
背景技術：
在一般的加工作業(yè)中，在對工件進行鉆孔加工時，都免不了會使用到鉆針 或微鉆針。 一般而言，鉆頭用于對工件進行一般尺寸的鉆孔加工作業(yè)，微鉆針 則用于對工件進行較小尺寸(如微米或奈米尺寸等級)的鉆孔加工作業(yè)。
特別是在對多層電路板進行導電通孔的鉆孔作業(yè)時，因為加工尺寸要求較 為精密的緣故，通常會選用微鉆針來進行鉆孔加工。當微鉆針進行鉆孔作業(yè)達 一定數(shù)量之后，即會產(chǎn)生鈍化而影響切削精度，或是產(chǎn)生磨損及變形的現(xiàn)象。 因此，微鉆針的適時更換乃為多層電路板的產(chǎn)量制造中不可或缺的重要環(huán)節(jié)； 同時，微鉆針的使用壽命會直接造成微鉆針的消耗性成本增加，而微鉆針的消 耗性成本增加則會造成多層電路板的制造成本增加。
在現(xiàn)有技術中，為了延長微鉆針的使用壽命，通常會在微鉆針的表面鍍上
由非晶質類鉆石(Dimond-Like Carbon, DLC)材料所組成的非晶質DLC膜， 用于形成一鍍膜微鉆針。非晶質DLC材料的結構由碳及氫緊密堆積而成，含 有部份以sp2混成軌域(hybirdizedorbital)與較多以sp3混成軌域的價電子。 在整體性質上，非晶質DLC材料與天然鉆石十分相近，同樣具有硬度高、耐 熱性佳與防腐蝕的優(yōu)點。因此，若在微鉆針的表面上鍍上非晶質DLC膜后所 形成的鍍膜微鉆針就能具備較佳的切削能力、排削能力、耐磨度及耐熱度。
然而，由于微鉆針與非晶質DLC材料皆為高硬度的材質，因此，會存在 著彼此附著力不佳的問題。此外，當非晶質DLC膜的厚度增加時，內應力也 會隨之增加，當內應力過大時，非晶質DLC膜將會破裂并由微鉆針的表面剝 落。有鑒于以上原因，在現(xiàn)有技術中，在對微鉆針表面進行非晶質DLC膜的 鍍膜作業(yè)時，為了防止非晶質DLC膜自微鉆針的表面剝落，通常非晶質DLC膜的厚度都相當薄，造成非晶質DLC膜對提高切削能力、排削能力、耐磨度 及耐熱度的功效上大打折扣。
因此，如何使非晶質類鉆石膜緊密地包覆于微鉆針的表面來增加非晶質
DLC膜的厚度，進而為鍍膜微鉆針提供更佳的切削能力、排削能力、耐磨度
及耐熱度，實為當今亟待思考的課題。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于提供一種鉆針的表面鍍膜方法與鍍膜鉆
針，用于通過使非晶質DLC膜得以緊密結合于鉆針的表面，解決現(xiàn)有技術中， 在微鉆針與非晶質DLC材料彼此間的附著力不佳與非晶質DLC膜內應力的雙 重影響下，非晶質DLC膜的厚度通常都非常薄，無法有效提高切削能力、排 削能力、耐磨度及耐熱度的問題。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于， 包括以下歩驟
a，提供一鉆針；
b，清潔該鉆針的表面，并對該鉆針加熱； C，在該鉆針的表面形成一附著膜；
d,在該附著膜的表面形成一混合膜，該混合膜的成分含有一非晶質類鉆 石材料與該附著膜所含的成分，且在該混合膜中，越遠離該鉆針處，該非晶質
類鉆石材料的含量越高；以及
e，在該混合膜的表面形成一非晶質類鉆石膜，用于制成一鍍膜鉆針。 所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，該步驟b還包含以下步驟 bl，將該鉆針設置于一真空環(huán)境中；
b2，提供一外加電力而在該真空環(huán)境中產(chǎn)生一偏壓電場； b3，將至少一氣體導入該真空環(huán)境；以及
b4，利用該偏壓電場將該氣體解離為一電槳狀物質，以清潔該鉆針的表面。 所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在該歩驟b中，該真空環(huán)境的一真空
壓力在初始時控制在1.5 4ubar;并在20分鐘后調升至4 7ubar。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在進行該步驟c時，共歷時1~5分鐘，
并將該真空壓力控制在4 7ubar;在進行該步驟d時，初始時，將該真空壓力控制在4 7ubar，再過1 5分鐘后，將該真空壓力由4 7ubar調升至13 17ubar， 并且維持5分鐘時；在進行該步驟e時，將該真空壓力設定在13 17ubar維持 2分鐘以形成該非晶質類鉆石膜。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在該步驟b中，該外加電力由一可調 式電源供應器所提供，初始時，該外加電力的功率為300瓦，該偏壓電場的一 偏壓值為300伏特；20分鐘后，該輸出電力的功率調升為600瓦、該偏壓值 調升為500 600伏特；之后，該輸出電力的功率又調升為1000瓦，并將該偏 壓值調整為550伏特，維持20分鐘以清潔該鉆針的表面，并對該鉆針予以加 熱。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在進行該步驟c時，該偏壓電場的一 偏壓值設定為550 600伏特；在進行該歩驟d時，該偏壓值由550 600伏特， 調降為400 550伏特；在進行該步驟e時，該偏壓值設定為1000伏特。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在該歩驟b中，該氣體包含氫氣及氬 氣，且該氣體被解離后所形成的電漿狀物質是電漿狀的氫離子與氬離子。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在該步驟b中，初始時，該氣體中氫 氣與氬氣流入該真空環(huán)境的流率分別設定為20sccm、 50sccm; 20分鐘后，該 氣體中氫氣與氬氣的流率分別調升為45 60sccm與200 250sccm。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在進行該步驟c時，該附著膜由一氫 氣以及一含硅氣體經(jīng)解離而沉積形成，該附著膜所含的成分包括有硅、碳化硅 與碳氫化合物，該氫氣流入該真空環(huán)境的流率控制在45 60sccm，且該含硅氣 體流入該真空環(huán)境的流率控制在180 250sccm。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在進行該步驟d時，該混合膜由氫氣、 一含硅氣體以及一含碳氣體所解離而沉積形成。
所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，在進行該歩驟d時，初始時，該氫氣、 該含硅氣體與該含碳氣體流入該真空環(huán)境的流率分別設定為45sccm、 180sccm 與Osccm;經(jīng)過1 5分鐘后，該氫氣、該含硅氣體與該含碳氣體流入該真空環(huán) 境的流率分別調整為800sccm、 50sccm與600sccm;再經(jīng)過2 5分鐘后，該氫 氣、該含硅氣體與該含碳氣體流入該真空環(huán)境的流率分別調整為800sccm、 50sccm與Osccm，用于使該混合膜同時含有該非晶質類鉆石以及該附著膜所含 的成分。所述的鉆針的表面鍍膜方法，其中，該含碳氣體為乙炔，而該含硅氣體為 四甲基硅垸。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種鍍膜鉆針，其特征在f，包括 一鉆針；
一附著膜，包覆該鉆針的表面；
一混合膜，包覆該附著膜的表面，并包括一非晶質類鉆石材料與該附著膜 所含的成分，且在該混合膜中，越遠離該鉆針處，該非晶質類鉆石材料的含量 越高；以及
一非晶質類鉆石膜，包覆該混合膜的表面。
所述的鍍膜鉆針，其中，該附著膜包括硅、碳化硅以及碳氫化合物，而該 混合膜包括碳化硅以及硅，用于緊密接合并包覆該附著膜。 本發(fā)明的有益技術效果在于
相較于現(xiàn)有技術，本發(fā)明所提供的鍍膜鉆針具備上述的鉆針、附著膜、混 合膜與非晶質類鉆石膜。其中、由于混合膜的成分包括非晶質類鉆石膜所含的 非晶質DLC材料與附著膜所含的成分，且非晶質DLC材料與附著膜所含的成 分比例依據(jù)混合膜內部的位置而緩沖變化；因此，通過混合膜，可使附著膜與 非晶質類鉆石膜彼此緊密結合。此外，加上由于附著膜本身又可緊密結合于鉆 針的緣故，致使非晶質類鉆石膜能夠間接緊密結合于鉆針。
由于非晶質類鉆石膜能夠間接緊密結合于鉆針的緣故，致使鍍膜微鉆針具 備較佳的排削能力與耐磨度。同時，由于鍍膜微鉆針的切削能力與排削能力有 關，非晶質DLC材料具備相當高的導熱系數(shù)，加上非晶質類鉆石膜不易脫落 的緣故，因此，可容許在微鉆針表面鍍上更厚的非晶質DLC材料，進而促使 本發(fā)明所提供的鍍膜微鉆針具備較佳的切削能力與耐熱度。
綜上所述，本發(fā)明所提供的鍍膜微鉆針確實可具備提高切削能力、排削能 力、耐磨度及耐熱度等功效，故可有效降低鍍膜微鉆針的消耗性成本，進而減 少鉆孔作業(yè)所需的加工成本。
以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細描述，但不作為對本發(fā)明的 限定。


圖1是顯示一鍍膜設備用于對一鉆針進行表面鍍膜的示意圖； 圖2是顯示將鉆針固定于導電架，并以一外加電力而在真空環(huán)境中產(chǎn)生-偏壓電場；
圖3是顯示將氣體導入至真空環(huán)境中，并使所導入氣體在偏壓電場的作用 下，被解離為一電漿狀物質；
圖4是顯示在鉆針表面形成附著膜的制作過程； 圖5是顯示圖4中圈X所示區(qū)域的剖面圖； 圖6是顯示在附著膜的表面形成混合膜的制作過程； 圖7是顯示圖6中圈Y所示區(qū)域的剖面圖8是顯示在混合膜的表面形成非晶質類鉆石膜的制作過程；
圖9是顯示圖8中圈Z所示區(qū)域的剖面圖。
其中，附圖標記-.
100鍍膜設備
1鍍膜鉆針
11鉆針
12附著膜
13混合膜
14非晶質類鉆石膜
2鍍膜室
2卜24通氣口
真空泵
4電力控制裝置
41可調式電源供應器
42導電架
H氫氣
H，氫離子
A氬氣
A，氬離子
S含硅氣體
C含碳氣體
9E 偏壓電場
具體實施例方式
下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明的技術方案作進一步更詳細的描述。
由于發(fā)明作所提供的鉆針的表面鍍膜方法，可廣泛對鉆針進行鍍膜作業(yè)而 制成各種鍍膜鉆針，其組合實施方式更是不勝枚舉，故在此不再一一贅述，僅 列舉一個較佳實施例來加以具體說明。
請參閱圖l，其顯示一鍍膜設備用于對一鉆針進行表面鍍膜的示意圖。如
圖所示，-一鍍膜設備IOO用于對一鉆針11進行表面鍍膜，用于將鉆針11制成 一鍍膜鉆針1 (標示于圖8與圖9)。鍍膜設備100包含一鍍膜室2、 一真空 泵3與一電力控制裝置4，其中，鍍膜室2具有四個通氣口 21、 22、 23與24; 真空泵3連通鍍膜室2;電力控制裝置4包含一可調式電源供應器41與 一導 電架42，可調式電源供應器41位于鍍膜室2外，導電架42自可調式電源供 應器41延伸至鍍膜室2內。
接著，請參閱圖2至圖9，其說明在本發(fā)明較佳實施中，對鉆針進行表面 鍍膜的一系列制作過程示意圖。首先，請參閱圖2，其顯示將鉆針固定于導電 架，并以一外加電力而在真空環(huán)境中產(chǎn)生一偏壓電場。如圖所示，在對鉆針 11進行表面鍍膜之前，必須先將鉆針11架設于導電架42上，使鉆針11電性 連接于可調式電源供應器41。接著，利用真空泵3對鍍膜室2抽氣，使鍍膜 室2內形成一真空環(huán)境，以調整與控制真空環(huán)境內的一真空壓力。同時，利用 可調式電源供應器41施加一外加電力，使導電架42形成一高電位點，鍍膜室 2內的真空環(huán)境形成一低電位點，據(jù)以產(chǎn)生一偏壓電場E。
請繼續(xù)參閱圖3，其顯示將氣體導入至真空環(huán)境中，并使所導入氣體在偏 壓電場的作用下，被解離為一電漿狀物質。如圖所示，在本實施例中，對鉆針 11進行表面鍍膜時，要打開通氣口 21與22以分別導入一氫氣H與一氬氣A 等氣體，并且關閉通氣口 23與24。所導入的氫氣H與氬氣A在鍍膜室2內 的真空環(huán)境中，受到真空環(huán)境內偏壓電場E的作用，會被解離為二電漿狀物質， 即電漿狀的氫離子H'與氬離子A'。在偏壓電場E的作用下，電漿狀的氫離子 H'與氬離子A'會轟擊鉆針11的表面，用于清洗鉆針11。在此階段中，初始時，氫氣H與氬氣A分別被設定以20sccm (standard cc/min)與50sccm的流率流入鍍膜室2內的真空環(huán)境；此時，可調式電源供 應器41所提供的外加電力的功率初始値為300W，偏壓電場E的偏壓值為 300V，且真空壓力為1.5 4ubar。 20分鐘后，可將氫氣H與氬氣A的流率分 別調升為45 60sccm與200 250sccm，外加電力的功率調升至600W，偏壓電 場的偏壓值調升為500 600V，并將真空壓力調升至4 7ubar。再過30分鐘后， 可將外加電力的功率調升為IOOOW，偏壓電場的偏壓值為550V以加大電流， 同時保持其它參數(shù)20分鐘，用于加強清潔該鉆針11的表面，并對該鉆針ll 予以加熱。
請繼續(xù)參閱圖4與圖5，圖4顯示在鉆針表面形成附著膜的制作過程；圖 5顯示圖4中圈X所示區(qū)域的剖面圖。如圖所示，在鉆針U的表面形成一附 著膜12 (標示于圖5)時，必須關閉通氣口 21與24，并打開通氣口 22與23 以將氫氣H與一含硅氣體S以一固定流率導入鍍膜室2內的真空環(huán)境中，利 用偏壓電場E予以解離，用于在鉆針11表面上沉積形成附著膜12，并使附著 膜12與鉆針1之間具備良好接合效果。
在形成附著膜12的階段，共歷時1 5分鐘，其中，氫氣H的流率可維持 在45 60sccm之間；而含硅氣體S可為硅垸(SiH4)、四氟化硅(SiF4)、四氯化硅 (SiCU)及四甲基硅垸(Si(CH3)4)。若含硅氣體S為四甲基硅烷時，其流率可 為180 250sccm，而使該附著膜12具有硅(Si)、碳化硅(SiC)與極少量的 碳氫化合物，該附著膜12含硅比例甚高于非晶質類鉆(diamond like carbon; DLC)材料，緊密附著于鉆針ll。此時，可調式電源供應器41所提供的外加 電力的功率保持在IOOOW，偏壓電場E的偏壓值則設定在550 600V，而真空 壓力則設定在4 7ubar之間。
請參閱圖6與圖7，圖6顯示在附著膜的表面形成混合膜的制作過程；圖 7顯示圖6中圈Y所示區(qū)域的剖面圖。如圖所示，在附著膜的表面形成一混合 膜13 (標示于圖7)時，必須關閉通氣口21，并打開通氣口22、 23與24，將 氫氣H、含硅氣體S與一含碳氣體C導入鍍膜室2內的真空環(huán)境中，利用偏 壓電場E予以解離，用于在附著膜12的表面沉積以形成混合膜13。
在形成混合膜13的階段中，初始時，必須將各氣體流入真空環(huán)境的流率 分別控制為氫氣H45sccm、含硅氣體S 180sccm以及含碳氣體C Osccm;可調式電源供應器41所提供的外加電力的功率應調整為100(K1500W，以維持 電漿繼續(xù)點燃，偏壓電場的偏壓值可設定為550 600V，真空環(huán)境的真空壓力 控制于4 7ubar。
在1 5分鐘后，必將氫氣H、含硅氣體S與含碳氣體C的流率分別調整 為800sccm、 50sccm與600sccm，偏壓電場的偏壓值應調整至400 550V，而 真空壓力應調升為13 17ubar，并保持上述參數(shù)5分鐘以完成該混合膜13，惟 在2 5分鐘后，必須關閉通氣口 23，使含硅氣體S的流率減為Osccm。
混合膜13的成分至少包括有碳化硅、非晶質DLC材料與少量的硅。由于 混合膜13亦具有附著膜12的成分(如硅與碳化硅等)，且在形成混合膜13 的初始狀態(tài)時，混合膜13的材質與附著膜12的材質相近，因此混合膜13可 緊密接合于附著膜12上。
同時，在形成混合膜13的過程中，通過含碳氣體C、含硅氣體S與氫氣 H的流率消長，可使因沉積而形成的混合膜13具備以下特征在越接近鉆針 11處，混合膜13中的組成成分越接近于附著膜12;在越遠離鉆針12處，混 合膜13中的非晶質DLC材料的含量越高。
請參閱圖8與圖9，圖8顯示在混合膜的表面形成非晶質類鉆石膜的制作 過程；圖9顯示圖8中圈Z所示區(qū)域的剖面圖。如圖所示，在混合膜13的表 面形成一非晶質類鉆石膜14 (標示于圖9)時，必須關閉通氣口 21與23，并 打開通氣口22、 24，將氫氣H與含碳氣體C導入鍍膜室2內的真空環(huán)境中， 利用偏壓電場E予以解離，用于在混合膜13的表面沉積以形成非晶質類鉆石 膜14。至此，己完成鍍膜鉆針1的制作。
在形成非晶質類鉆石膜14的階段中，必須將含硅氣體S的流率降為 Osccm，并且將保持氫氣H、該含碳氣體C的流率分別控制在800sccm及 600sccm;并將偏壓電場的偏壓值、真空壓力、與外加電力的功率等參數(shù)分別 控制在400V、 13 17ubar、 IOOOW，以形成一非晶質類鉆石膜13，在此條件下， 大約維持2分鐘，即可順利在混合膜13的表面形成非晶質類鉆石膜14。
由于混合膜13的最外圍的成分已十分接近純非晶質DLC材料，因此，非 晶質類鉆石膜14可緊密地接合于混合膜13的表面。同時，由于混合膜13可 緊密接合于該附著膜12的表面，以及附著膜12可緊密附著于該鉆針11的表 面，因此，使鉆針1具有一緊密接合的非晶質類鉆石膜14。綜整以上所述，依據(jù)以上所提供的鍍膜技術，本實施例已同時提供了上述 鍍膜鉆針1的結構。如圖9所示，上述的鍍膜鉆針1包括上述的鉆針11、上
述包覆于該鉆針11表面的附著膜12、上述包覆于附著膜12表面的混合膜13， 以及上述包覆于該混合膜13表面的非晶質類鉆石膜14。混合膜13包括與附 著膜12同成分的化合物(如硅與碳化硅等)以及非晶質DLC材料，以緊密鍵 結于附著膜12。同時，在混合膜13中，具備以下特征在越接近鉆針ll處， 混合膜13的成分越接近附著膜12;在越遠離該鉆針11處，混合膜13中所含 的非晶質類鉆石成份比例越高。
當上述的鍍膜鉆針1運用于微米或奈米尺寸等級的加工時，可視為一鍍膜 微鉆針。此外，就在微鉆針的制作領域而言，雖然在現(xiàn)有技術中，以存在可在 微鉆針上鍍非晶質類鉆石膜的技術；然而，在現(xiàn)有技術中，卻存在不容易附著 于微鉆針表面的問題。反之，在本發(fā)明中，在形成非晶質類鉆石膜14之前， 依序先包覆附著膜12與混合膜13，使非晶質類鉆石膜14得以通過附著膜12 與混合膜13而與鉆針11緊密結合，因此，可使非晶質類鉆石膜14自不易鍍 膜鉆針1的混合膜13表面脫落。即使上述的鍍膜鉆針1為鍍膜微鉆針時，亦 然。
因此，相較于現(xiàn)有鍍有非晶質DLC材料的鉆針，由于在本發(fā)明中，鍍膜 鉆針具有結合性強而不易脫落的非晶質類鉆石膜，因此，本發(fā)明中所提供的鍍 膜鉆針(包含鍍膜微鉆針)可具備較高的厚度，用于提供更佳的切削能力、排 削能力、耐磨度及耐熱度，延長鍍膜鉆針的使用壽命而節(jié)省鍍膜鉆針的消耗性 成本。
為了驗證本發(fā)明所提供的鍍膜微鉆針是否確實具備非晶質類鉆石膜不易 脫落的性質，更進一步對現(xiàn)有的鍍膜微鉆針與依據(jù)本發(fā)明所制作的鍍膜微鉆針
進行實際的測試，在完成測試后發(fā)現(xiàn)相較于現(xiàn)有的鍍膜微鉆針，依據(jù)本發(fā)明 所提供的鍍膜微鉆針的排削能力及耐磨度約為現(xiàn)有鍍膜微鉆針的5倍。
鍍膜微鉆針之所以會具備較佳的排屑效率與耐磨度，因為鍍膜微鉆針的表
面具備硬度較高的非晶質DLC材料。由測試結果顯見，本發(fā)明所提供的鍍膜 微鉆針的非晶質類鉆石膜確實不易脫落，因此才能具備較佳的耐磨度。
鍍膜微鉆針的切削能力與排削能力有關，而非晶質DLC材料具備相當高 的導熱系數(shù)。由于非晶質類鉆石膜不易脫落的緣故，因此，可容許在微鉆針表面鍍上更厚的非晶質DLC材料，進而促使本發(fā)明所提供的鍍膜微鉆針具備較
佳的切削能力與耐熱度。
通過上述的本發(fā)明實施例可知，本發(fā)明確是具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。 當然，本發(fā)明還可有其他多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質的情
況下，熟悉本領域的技術人員當可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應的改變和變形，但
這些相應的改變和變形都應屬于本發(fā)明所附的權利要求的保護范圍。
權利要求
1、一種鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟a，提供一鉆針；b，清潔該鉆針的表面，并對該鉆針加熱；c，在該鉆針的表面形成一附著膜；d，在該附著膜的表面形成一混合膜，該混合膜的成分含有一非晶質類鉆石材料與該附著膜所含的成分，且在該混合膜中，越遠離該鉆針處，該非晶質類鉆石材料的含量越高；以及e，在該混合膜的表面形成一非晶質類鉆石膜，用于制成一鍍膜鉆針。
2、 根據(jù)權利要求1所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，該歩驟b 還包含以下步驟bl，將該鉆針設置于一真空環(huán)境中；b2，提供一外加電力而在該真空環(huán)境中產(chǎn)生一偏壓電場； b3,將至少一氣體導入該真空環(huán)境；以及b4，利用該偏壓電場將該氣體解離為一電漿狀物質，以清潔該鉆針的表面。
3、 根據(jù)權利要求2所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在該步驟 b中，該真空環(huán)境的一真空壓力在初始時控制在1.5 4ubar;并在20分鐘后調 升至4-7ubar。
4、 根據(jù)權利要求2所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在進行該 步驟c時，共歷時1 5分鐘，并將該真空壓力控制在4 7ubar;在進行該步驟 d時，初始時，將該真空壓力控制在4 7ubar，再過1 5分鐘后，將該真空壓 力由4 7ubar調升至13 17ubar，并且維持5分鐘時；在進行該步驟e時，將 該真空壓力設定在13 17ubar維持2分鐘以形成該非晶質類鉆石膜。
5、 根據(jù)權利要求2所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在該步驟 b中，該外加電力由一可調式電源供應器所提供，初始時，該外加電力的功率 為300瓦，該偏壓電場的一偏壓值為300伏特；20分鐘后，該輸出電力的功 率調升為600瓦、該偏壓值調升為500 600伏特；之后，該輸出電力的功率又 調升為1000瓦，并將該偏壓值調整為550伏特，維持20分鐘以清潔該鉆針的 表面，并對該鉆針予以加熱。
6、 根據(jù)權利要求2所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在進行該步驟c時，該偏壓電場的一偏壓值設定為550 600伏特；在進行該步驟d時， 該偏壓值由550~600伏特，調降為400 550伏特；在進行該步驟e時，該偏壓 值設定為1000伏特。
7、 根據(jù)權利要求2所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在該步驟 b中，該氣體包含氫氣及氬氣，且該氣體被解離后所形成的電漿狀物質是電漿 狀的氫離子與氬離子。
8、 根據(jù)權利要求7所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在該步驟 b中，初始時，該氣體中氫氣與氬氣流入該真空環(huán)境的流率分別設定為20sccm、 50sccm; 20分鐘后，該氣體中氫氣與氬氣的流率分別調升為45 60sccm與 200 250s隨。
9、 根據(jù)權利要求2所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在進行該 步驟c時，該附著膜由一氫氣以及一含硅氣體經(jīng)解離而沉積形成，該附著膜所 含的成分包括有硅、碳化硅與碳氫化合物，該氫氣流入該真空環(huán)境的流率控制 在45 60sccm,且該含硅氣體流入該真空環(huán)境的流率控制在180 250sccm。
10、 根據(jù)權利要求2所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在進行該 歩驟d時，該混合膜由氫氣、 一含硅氣體以及一含碳氣體所解離而沉積形成。
11、 根據(jù)權利要求10所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，在進行 該步驟d時，初始時，該氫氣、該含硅氣體與該含碳氣體流入該真空環(huán)境的流 率分別設定為45sccm、 180sccm與0sccm;經(jīng)過1~5分鐘后，該氫氣、該含硅 氣體與該含碳氣體流入該真空環(huán)境的流率分別調整為800sccm、 50sccm與 600sccm;再經(jīng)過2 5分鐘后，該氫氣、該含硅氣體與該含碳氣體流入該真空 環(huán)境的流率分別調整為800sccm、 50sccm與Osccm，用于使該混合膜同時含有 該非晶質類鉆石以及該附著膜所含的成分。
12、 根據(jù)權利要求10所述的鉆針的表面鍍膜方法，其特征在于，該含碳 氣體為乙炔，而該含硅氣體為四甲基硅烷。
13、 一種鍍膜鉆針，其特征在于，包括 一鉆針；一附著膜，包覆該鉆針的表面；一混合膜，包覆該附著膜的表面，并包括一非晶質類鉆石材料與該附著膜所含的成分，且在該混合膜中，越遠離該鉆針處，該非晶質類鉆石材料的含量 越高；以及一非晶質類鉆石膜，包覆該混合膜的表面。
14、根據(jù)權利要求13所述的鍍膜鉆針，其特征在于，該附著膜包括硅、碳化硅以及碳氫化合物，而該混合膜包括碳化硅以及硅，用于緊密接合并包覆 該附著膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鉆針的表面鍍膜方法與鍍膜鉆針，其中鉆針的表面鍍膜方法包括以下步驟提供一鉆針；清潔鉆針的表面，并對鉆針加熱；在鉆針的表面形成一附著膜；在附著膜的表面形成一混合膜；以及在混合膜的表面形成一非晶質類鉆石膜，用于制成一鍍膜鉆針。利用該鍍膜方法制作的鍍膜鉆針包含上述的鉆針、附著膜、混合膜與非晶質類鉆石膜。其中，混合膜的成分包括一非晶質類鉆石材料與附著膜所含的成分，在混合膜中，越遠離鉆針處，非晶質類鉆石材料的含量越高。
文檔編號C23C16/455GK101565821SQ20081009460
公開日2009年10月28日 申請日期2008年4月22日 優(yōu)先權日2008年4月22日
發(fā)明者林玉雪 申請人:林玉雪