一種蒸鍍掩膜版以及蒸鍍?cè)O(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示設(shè)備制造領(lǐng)域，尤其涉及一種蒸鍍掩膜版以及蒸鍍?cè)O(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的急速進(jìn)步，作為顯示裝置核心的半導(dǎo)體元件技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進(jìn)步。對(duì)于現(xiàn)有的顯示裝置而言，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de, OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中OLED器件包括陰極、陽極以及位于陰極和陽極之間的功能層。所述功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。其中，有機(jī)發(fā)光層的成膜方法有很多種，包括蒸鍍成膜法、分子束外延法、有機(jī)化學(xué)氣相沉積法以及溶膠-凝膠法等；其中，蒸鍍成膜法由于具有操作簡(jiǎn)單、膜厚容易控制、對(duì)薄膜的污染小以及易于實(shí)現(xiàn)摻雜等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)有技術(shù)中多采用蒸鍍成膜法形成有機(jī)發(fā)光層等有機(jī)功能膜層，即在真空環(huán)境下，將有機(jī)材料加熱使其蒸發(fā)(升華)，并沉積到目標(biāo)基板上形成對(duì)應(yīng)的膜層。
[0004]然而，在蒸鍍上述功能層的過程中，由于從蒸鍍?cè)凑舭l(fā)出的物質(zhì)呈圓錐型放射狀向基板擴(kuò)散并沉積，容易造成基板上形成的膜層存在厚度不均一的問題，導(dǎo)致顯示面板出現(xiàn)亮度或色彩差異，從而降低了產(chǎn)品質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種蒸鍍掩膜版以及蒸鍍?cè)O(shè)備，能夠改善蒸鍍的薄膜層厚度不均一的問題。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種蒸鍍掩膜版，包括間隔設(shè)置的遮擋區(qū)和蒸鍍區(qū)，所述遮擋區(qū)設(shè)置有遮擋部，所述蒸鍍掩膜版還包括至少覆蓋所述蒸鍍區(qū)的擋板；所述擋板包括多個(gè)蒸鍍子區(qū)，每個(gè)所述蒸鍍子區(qū)中設(shè)置有多個(gè)開孔；所述多個(gè)蒸鍍子區(qū)中包括一個(gè)第一蒸鍍子區(qū)，相對(duì)于其余蒸鍍子區(qū)，所述第一蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)所有開孔的面積總和最?。痪嚯x所述第一蒸鍍子區(qū)越近的蒸鍍子區(qū)，該蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)所有開孔的面積總和越小。
[0008]優(yōu)選的，所述第一蒸鍍子區(qū)為圓形且位于所述蒸鍍區(qū)的中心位置；其余蒸鍍子區(qū)呈環(huán)形與所述第一蒸鍍子區(qū)同心，并包裹所述第一蒸鍍子區(qū)；依次遠(yuǎn)離所述第一蒸鍍子區(qū)的呈環(huán)形的蒸鍍子區(qū)的面積依次增大。
[0009]優(yōu)選的，所述擋板通過支架固定于所述遮擋部上，用于使得所述擋板與所述遮擋部之間具有間隙。
[0010]優(yōu)選的，所述支架的高度為15cm?30cm。
[0011]優(yōu)選的，所述第一蒸鍍子區(qū)中開孔的孔徑為4.5mm?6.5mm。
[0012]優(yōu)選的，除了所述第一蒸鍍子區(qū)以外的蒸鍍子區(qū)中開孔的孔徑為9.5mm?10.5mmο
[0013]優(yōu)選的，所述擋板的厚度為1.5mm?3.5mmο
[0014]優(yōu)選的，構(gòu)成所述擋板的材料為樹脂材料或金屬材料，所述樹脂材料或所述金屬材料的耐受溫度大于等于200°C。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括如上所述的任意一種蒸鍍掩膜版。
[0016]優(yōu)選的，還包括蒸鍍?cè)?，擋板相?duì)于遮擋部靠近所述蒸鍍?cè)础?br>[0017]本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍掩膜版以及蒸鍍?cè)O(shè)備，該蒸鍍掩膜版包括間隔設(shè)置的遮擋區(qū)和蒸鍍區(qū)，遮擋區(qū)設(shè)置有遮擋部，所述蒸鍍掩膜版還包括至少覆蓋蒸鍍區(qū)的擋板。擋板包括多個(gè)蒸鍍子區(qū)，每個(gè)蒸鍍子區(qū)中設(shè)置有多個(gè)開孔。上述多個(gè)蒸鍍子區(qū)中包括一個(gè)第一蒸鍍子區(qū)，相對(duì)于其余蒸鍍子區(qū)，該第一蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)所有開孔的面積總和最小。并且距離第一蒸鍍子區(qū)越近的蒸鍍子區(qū)，該蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)所有開孔的面積總和越小。
[0018]這樣一來，當(dāng)?shù)谝徽翦冏訁^(qū)與現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍薄膜層的基板上，薄膜層厚度最厚的位置相對(duì)應(yīng)時(shí)，由于第一蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)所有開孔的面積總和相對(duì)于其余蒸鍍子區(qū)最小，因此通過第一蒸鍍子區(qū)中單位面積的蒸鍍材料的量最少。此外，由于距離第一蒸鍍子區(qū)越近的蒸鍍子區(qū)，該蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)所有開孔的面積總和越小，因此通過距離第一蒸鍍子區(qū)越近的蒸鍍子區(qū)中單位面積的蒸鍍材料的量越少，而通過距離第一蒸鍍子區(qū)越遠(yuǎn)的蒸鍍子區(qū)中單位面積的蒸鍍材料的量越多。從而使得現(xiàn)有技術(shù)中，原本在基板上形成的薄膜層較厚的位置，通過本發(fā)明提供的蒸鍍掩膜版進(jìn)行蒸鍍后，薄膜層的厚度有所減少，而原本厚度較薄的位置形成薄膜層的厚度有所增加。進(jìn)而減小了現(xiàn)有技術(shù)中蒸鍍薄膜層的基板上薄膜層的厚度差異，改善了薄膜層厚度不均一的問題。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍?cè)O(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖1b為圖1所示的蒸鍍掩膜版中遮擋部和蒸鍍區(qū)的示意圖；
[0022]圖2為圖1a中蒸鍍掩膜版上一種擋板的俯視圖；
[0023]圖3為圖1a中蒸鍍掩膜版上另一種擋板的俯視圖；
[0024]圖4為圖1a中設(shè)置有支架的蒸鍍掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]附圖標(biāo)記:
[0026]10-基板；101、101’-成膜區(qū)；11-薄膜層；12-蒸鍍?cè)矗?0_蒸鍍掩膜版；201_遮擋部；202_擋板；2021_蒸鍍子區(qū)；2023_第一蒸鍍子區(qū)；2024_除了第一蒸鍍子區(qū)以外的蒸鍍子區(qū)；2022_開孔；30_支架；h、h’ -薄膜層的厚度；L-支架的高度；B-擋板的厚度；40_蒸鍍區(qū)；41_邊框；42-遮擋區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍掩膜版20，如圖1b所示包括間隔設(shè)置的遮擋區(qū)42和蒸鍍區(qū)40，該遮擋區(qū)42設(shè)置有遮擋部201，其中，遮擋部201可以阻擋蒸鍍材料抵達(dá)如圖1a所示的基板10。在此基礎(chǔ)上，該蒸鍍掩膜版20如圖1a所示還包括至少覆蓋蒸鍍區(qū)40的擋板 202。
[0029]上述擋板202可以包括多個(gè)蒸鍍子區(qū)2021，每個(gè)蒸鍍子區(qū)2021中設(shè)置有多個(gè)開孔2022。具體的如圖2所示，上述多個(gè)蒸鍍子區(qū)2021中包括一個(gè)第一蒸鍍子區(qū)2023，其中相對(duì)于其余蒸鍍子區(qū)2024，該第一蒸鍍子區(qū)2023中單位面積內(nèi)所有開孔2022的面積總和最小。即其余蒸鍍子區(qū)2024中單位面積內(nèi)所有開孔2022的面積總和均大于第一蒸鍍子區(qū)2023中單位面積內(nèi)所有開孔2022的面積總和。上述區(qū)域蒸鍍子區(qū)2024為，除了第一蒸鍍子區(qū)2023中以外的蒸鍍子區(qū)2024。這樣一來，通過第一蒸鍍子區(qū)2023中單位面積并到達(dá)基板10的蒸鍍材料最少。
[0030]并且距離第一蒸鍍子區(qū)2023越近的蒸鍍子區(qū)2024，該蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)所有開孔202的面積總和越小。這樣一來，通過距離第一蒸鍍子區(qū)2023越近的蒸鍍子區(qū)2024中單位面積的蒸鍍材料的量越少，而通過距離第一蒸鍍子區(qū)2023越遠(yuǎn)的蒸鍍子區(qū)2024中單位面積的蒸鍍材料的量越多。
[0031]需要說明的是，第一、在蒸鍍上述薄膜層11的過程中，由于從蒸鍍?cè)?2蒸發(fā)出的物質(zhì)呈圓錐型放射狀向基板10擴(kuò)散并沉積，容易造成基板10上形成的薄膜層11出現(xiàn)厚度不均一的現(xiàn)象。因此如圖1a所示，在基板10上的薄膜層11會(huì)具有多個(gè)厚度h不同的成膜區(qū)101。例如圖1a中，薄膜層11在成膜區(qū)101’的厚度h’相對(duì)于薄膜層11在成膜區(qū)101的厚度h而言較小。
[0032]此外，在蒸鍍的過程中，每個(gè)蒸鍍子區(qū)2021與一個(gè)成膜區(qū)101的上、下位置相對(duì)應(yīng)。而與上述第一蒸鍍子區(qū)2023位置相對(duì)應(yīng)的成膜區(qū)101中薄膜層11的厚度最厚。在此情況下，當(dāng)?shù)谝徽翦冏訁^(qū)2023中單位面積內(nèi)所有開孔2022的面積總和相對(duì)于其余蒸鍍子區(qū)2024最小時(shí)，可以使得單位面積內(nèi)通過第一蒸鍍子區(qū)2023的蒸鍍材料的量最少，以減小與該第一蒸鍍子區(qū)2023位置相對(duì)應(yīng)的成膜區(qū)101中薄膜層的厚度。
[0033]第二、不同的蒸鍍?cè)O(shè)備中基板10上的薄膜層11厚度最厚的位置也不同。當(dāng)薄膜層11厚度最厚的成膜區(qū)101位于基板10的中心位置時(shí)。優(yōu)選的，如圖3所示，上述第一蒸鍍子區(qū)2023為圓形且位于蒸鍍區(qū)40的中心位置。其余蒸鍍子區(qū)2024呈環(huán)形與第一蒸鍍子區(qū)2023同心，并包裹該第一蒸鍍子區(qū)2023。此外，依次遠(yuǎn)離第一蒸鍍子區(qū)2023的呈環(huán)形的蒸鍍子區(qū)2024的面積依次增大。這樣一來，由于依次遠(yuǎn)離第一蒸鍍子區(qū)2023的呈環(huán)形的蒸鍍子區(qū)2024的面積依次增大。因此通過依次遠(yuǎn)離第一蒸鍍子區(qū)2023的呈環(huán)形的蒸鍍子區(qū)2024的蒸鍍材料的量依次增多，從而使得逐漸遠(yuǎn)薄膜層11厚度最厚的成膜區(qū)101的其余成膜區(qū)101’的厚度逐漸增大，進(jìn)而逐漸減小了基板10上不同成膜區(qū)101中薄膜層11的厚度差異，使得基板10上的薄膜層11的厚度更加均勻。
[0034]當(dāng)然上述僅僅是以第一蒸鍍子區(qū)2023位于蒸鍍區(qū)40的中心位置時(shí)，對(duì)擋板202上的開孔2022的分布情況進(jìn)行的舉例說明。對(duì)于第一蒸鍍子區(qū)2023位于其它位置時(shí)，擋板202上開孔2022的分布情況在此不再一一贅述。
[0035]第三、本發(fā)明對(duì)蒸鍍子區(qū)2021中開孔2022的分布情況不做限定，可以均勻分布，也可以根據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的需要進(jìn)行設(shè)定。只要能夠保證第一蒸鍍子區(qū)2023中單位面積內(nèi)所有開孔2022的面積總和相對(duì)于其余蒸鍍子區(qū)2024最小，并且距離第一蒸鍍子區(qū)2023越近的蒸鍍子區(qū)2024，該蒸鍍子區(qū)中單位面積內(nèi)開孔202的面積總和越小即可。
[0036]第四、擋板202至少覆蓋蒸鍍區(qū)40可以是指，每個(gè)蒸鍍區(qū)40設(shè)置有一個(gè)擋板202?；蛘呖梢允侵杆姓趽鯀^(qū)42和所有蒸鍍區(qū)40均被一個(gè)遮擋部202覆蓋。
[0037]本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸鍍掩膜版，包括間隔設(shè)置的遮擋區(qū)和蒸鍍區(qū)，遮擋區(qū)設(shè)