專利名稱：單層拋光布生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種拋光材料的生產(chǎn)工藝。
硅片是大規(guī)模集成電路的基本材料，而影響硅片質(zhì)量的主要因素之一就是拋光布。以前，用于硅片拋光的拋光布一般都是長毛絨、海軍呢一類的天然織物，并一直沿用鉻離子拋光工藝，采用上述拋光布和拋光工藝所拋出的硅片表面質(zhì)量較差，其表面氧化層錯(cuò)密度高達(dá)5×105～106/cm2。合格率低，嚴(yán)重影響了大規(guī)模集成電路的發(fā)展。目前國外工業(yè)發(fā)達(dá)國家均采用先進(jìn)的SiO2拋光工藝，而這一拋光過程是在堿性介質(zhì)中進(jìn)行的，所以天然織物無論在結(jié)構(gòu)上還是在抗化學(xué)性能上都無法滿足要求。
本發(fā)明的目的是提供一種與SiO2拋光工藝相適應(yīng)的適合我國國情的拋光材料。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的即采用特殊纖維制成無紡布，通過熱收縮處理后，再經(jīng)由具有耐堿耐水解耐磨性能優(yōu)良的聚氨酯彈性體和各種添加劑所組成的二甲基甲酰胺(DMF)溶液浸清、萃取、干燥、磨面、凈化而成。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是生產(chǎn)工藝簡單，而且產(chǎn)品具有柔軟、彈性好、強(qiáng)度高、耐堿性能優(yōu)良和使用方便的特點(diǎn)。
現(xiàn)以一最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述
首先，采用錦綸15-25％、滌綸30-45％、氯綸10-30％、粘膠纖維15-25％、晴綸0-10％化學(xué)纖維經(jīng)梳理成網(wǎng)、針刺形成無紡布，再經(jīng)熱收縮處理制成一定密度的無紡布。其次，在聚氨酯彈性體二甲基甲酰胺(DNF)溶液中，加入各種添加劑所組成的浸漬液，采用濕法成型工藝，經(jīng)凝固、水洗萃取其中的DMF，從而形成多孔質(zhì)的片狀材料。再次，通過干燥后的片狀材料用高精度的磨革機(jī)研磨制成表面平整、細(xì)致、多孔的單層結(jié)構(gòu)拋光布。
權(quán)利要求
1.單層拋光布的生產(chǎn)工藝，其特征在于A.采用錦綸15-25％、滌綸30-45％、氯綸10-30％、粘膠纖維15-25％、晴綸0-10％化學(xué)纖維經(jīng)梳理成網(wǎng)、針刺形成無紡布，再經(jīng)熱收縮處理制成一定密度的無紡布。B.在聚氨酯彈性體二甲基甲酰胺(DMF)溶液中，加入各種添加劑所組成的浸漬液，采用濕法成型工藝，經(jīng)凝固、水洗萃取其中的二甲基甲酰胺(DMF)，從而形成多孔質(zhì)的片狀材料。C.通過干燥后的片狀材料用高精度的磨革機(jī)研磨制成表面平整、細(xì)致、多孔的單層結(jié)構(gòu)拋光布。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種拋光材料的生產(chǎn)工藝。本發(fā)明提供一種與SiO
文檔編號(hào)B24D11/00GK1140118SQ9511168
公開日1997年1月15日 申請(qǐng)日期1995年7月7日 優(yōu)先權(quán)日1995年7月7日
發(fā)明者陳有文, 顧廣發(fā) 申請(qǐng)人:上海益民合成革廠