專(zhuān)利名稱：同軸磁控濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種能在金屬材料及非金屬材料制品上鍍制超硬、防腐、裝飾膜的同軸磁控濺射靶。
同軸磁控濺射裝置，是把磁控濺射和離子鍍有機(jī)結(jié)合的一種裝置，它使膜層材料轉(zhuǎn)化為分子(原子)的過(guò)程和條件，處于一個(gè)連續(xù)的矩形面積的狀態(tài)下進(jìn)行，所以膜層材料(靶)和基板(工件)之間膜材的分子(原子)分布，具有較好均布性。
現(xiàn)有的同軸磁控濺射裝置，應(yīng)用的是銅(仿金)和鋁，以及少數(shù)氮化鈦，可鍍膜層材料數(shù)量少，靶材利用率不高，膜層與基板的結(jié)合力差，性能不太理想。
本實(shí)用新型的目的成功地解決了熔點(diǎn)超過(guò)1200℃及硬度超過(guò)HRC60的純金屬、合金、化合物材料組合而成的同軸磁控濺射靶在玻璃、陶瓷、塑料、紡織品等非金屬基材和各種金屬基材上鍍制出相應(yīng)的純鉻膜，鉻合金膜、純鎢膜和碳化鎢膜的問(wèn)題。
本實(shí)用新型可在2－2.4／10真空鍍膜室中，以氬氣為介質(zhì)，控制靶電壓DC0－660V，靶電流DC0－40A條件下鍍制一超硬、防腐、裝飾膜層，這些膜層具有高硬度，高抗腐蝕性，耐高溫、附著力強(qiáng)等特性。由于靶材采用環(huán)狀套裝結(jié)構(gòu)，便于更換有缺陷靶環(huán)，并通過(guò)移動(dòng)磁環(huán)裝置來(lái)改變靶材的濺射部位，因而靶材利用率可提高至70％以上(剩余部份可回收重新加工成新環(huán)再用)，為無(wú)污染鍍膜提供了一種適用于工業(yè)化生產(chǎn)的靶材。
本實(shí)用新型由基體(1)、磁體(2)、隔離片(3)、冷卻水管(4)構(gòu)成，其特征在于基體(1)采用非磁性金屬材料制做，其基體內(nèi)裝有磁體(2)，冷卻水管(4)、隔離片(3)，基體外面套裝有靶環(huán)(5)。從而構(gòu)成一種同軸磁控濺射靶。這種結(jié)構(gòu)增加了磁場(chǎng)分量，減少磁通外漏，具有靶的刻蝕均勻度好，刻蝕面積大、淀積速度高的特點(diǎn)。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是說(shuō)明書(shū)摘要附圖。
現(xiàn)結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)描述。
本實(shí)用新型采用一些非磁性金屬如鋁、銅、鈦不銹鋼材料制成基體(1)，基體內(nèi)裝有磁性材料如鐵氧體、電磁體制成的永磁環(huán)(2)和冷卻水管(4)，永磁環(huán)(2)之間裝有無(wú)碳電工鐵，硅鋼片制成的隔離片(3)；基體外面套裝有高硬度、高熔點(diǎn)金屬或金屬合金為材料，采用粉末冶金方法制做成的靶環(huán)(5)，套裝靶環(huán)的數(shù)量可視需要在2——100個(gè)。采用粉末冶金方法制做靶時(shí)，可根據(jù)需要配制不同成份或不同配比材料粉末制出相應(yīng)的靶環(huán)。本實(shí)用新型以碳化鎢、鉻、鉻合金、鎢以及多元素材料分別制出了相應(yīng)的碳化鎢靶，純鉻靶、鉻合金靶，純鎢靶以及多元素材料混合膜靶。
使用時(shí)將靶的兩端套在塑料絕緣環(huán)和屏蔽環(huán)上，裝到鍍膜機(jī)上即可使用。靶在工作過(guò)程中通過(guò)進(jìn)水口(6)進(jìn)水、排水口(7)排水進(jìn)行水循環(huán)，達(dá)到冷卻。
權(quán)利要求1.一種同軸磁控濺射靶，由基體(1)、磁體(2)、隔離片(3)、冷卻水管(4)構(gòu)成，其特征在于基體(1)采用非磁性金屬材料制做，其基體內(nèi)裝有磁體(2)，冷卻水管(4)、隔離片(3)，基體外面套裝有靶環(huán)(5)。
2.按權(quán)利要求1所述的同軸磁控濺射靶，其特征在于磁體(2)采用鐵氧體、電磁體制做成永磁環(huán)。
3.按權(quán)利要求1或2所述的同軸磁控濺射靶，其特征在于套裝在基體(1)上的靶環(huán)(5)數(shù)量視需要在2－100個(gè)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型提供一種可應(yīng)用于大面積基板上鍍裝飾性鉻膜和碳化鎢、超硬膜以及多元素材料混合膜的磁控濺射靶。它是由非磁性金屬基體(1)、磁體(2)、隔離片(3)、冷卻水管(4)組成。靶基體外層采用高硬度、高熔點(diǎn)金屬制做的靶環(huán)(5)，環(huán)狀套裝結(jié)構(gòu)，可通過(guò)移動(dòng)磁環(huán)位置來(lái)改變靶材的濺射部位，同時(shí)也便于更換有缺陷靶環(huán)，靶材利用率可提高至70％以上，為無(wú)污染鍍膜提供了一種適用于工業(yè)化生產(chǎn)的靶材。本實(shí)用新型具有刻蝕均勻度好，刻蝕面積大，沉積速度高，薄膜均勻度好，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易制做特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C23C14/34GK2159398SQ93214070
公開(kāi)日1994年3月23日 申請(qǐng)日期1993年4月13日 優(yōu)先權(quán)日1993年4月13日
發(fā)明者倪振中 申請(qǐng)人:昆明航天科發(fā)鍍膜公司