本公開總體涉及噴淋頭組件和噴淋頭盤(plate)。更具體地，本公開涉及用于半導體制造工具中的噴淋頭盤。

背景技術(shù)：

1、在沉積過程中可以使用噴淋頭組件來提供均勻的氣流到晶片上。然而，由于噴淋頭盤中通孔的布置和氣流速度的變化，可能會出現(xiàn)晶片不均勻性。特別地，相對于晶片的外邊緣，晶片中心的區(qū)域可以表現(xiàn)出不同的厚度。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本技術(shù)的各種實施例可以提供包括具有多個通孔的噴淋頭盤的噴淋頭組件。每個通孔具有錐形入口和錐形出口。噴淋頭盤可以包括在中心區(qū)域具有第一尺寸的通孔和在外部區(qū)域具有不同于第一尺寸的第二尺寸的通孔。

2、根據(jù)一方面，一種噴淋頭盤包括：頂面和相對的底面；位于噴淋頭盤的幾何中心的中心區(qū)域，其中該中心區(qū)域的直徑在10mm至60mm的范圍內(nèi)；圍繞中心區(qū)域并向噴淋頭盤的外邊緣延伸的外部區(qū)域；位于中心區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第一通孔；位于外部區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第二通孔；其中第二通孔與第一通孔的形狀不同。

3、在噴淋頭盤的一個實施例中，每個第二通孔包括在頂面具有第一尺寸的錐形入口和在底面具有第一尺寸的錐形出口，以及將入口連接到出口的線性通道。

4、在噴淋頭盤的一個實施例中，線性通道的長度在11mm至17mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，錐形入口和出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

5、在噴淋頭盤的一個實施例中，每個第一通孔包括在頂面具有第一尺寸的第一錐形入口和在底面具有第二尺寸的第二錐形出口，以及將入口連接到出口的線性通道，其中第一尺寸不同于第二尺寸。

6、在噴淋頭盤的一個實施例中，線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，錐形入口和出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

7、在噴淋頭盤的一個實施例中，線性通道的長度在8mm到11mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm到1.5mm的范圍內(nèi)，錐形入口和出口的最大直徑在8mm到90mm的范圍內(nèi)。

8、在噴淋頭盤的一個實施例中，線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，錐形入口和出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

9、在噴淋頭盤的一個實施例中，線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，錐形入口具有第一最大直徑，出口具有第二最大直徑，其中第二最大直徑大于第一最大直徑。

10、在噴淋頭盤的一個實施例中，多個第一孔具有18至20個范圍內(nèi)的第一孔的數(shù)量。

11、在噴淋頭盤的一個實施例中，多個第一孔具有28至32個范圍內(nèi)的第一孔的數(shù)量。

12、根據(jù)另一方面，一種噴淋頭盤包括：頂面和相對的底面；位于噴淋頭盤的幾何中心的中心區(qū)域，其中該中心區(qū)域的直徑在10mm至60mm的范圍內(nèi)；圍繞中心區(qū)域并延伸到噴淋頭盤外邊緣的外部區(qū)域；位于中心區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第一通孔，其中每個第一通孔包括：在頂面具有第一錐形形狀和第一尺寸的第一入口；在底面具有第二錐形形狀和第二尺寸的第一出口；以及將第一入口連接到第一出口的第一線性通道；其中第一尺寸不同于第二尺寸；位于外部區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第二通孔，其中每個第二通孔包括：在頂面具有第一錐形形狀和第一尺寸的第二入口；在底面具有第一錐形形狀和第一尺寸的第二出口；以及將第二入口連接到第二出口的第二線性通道。

13、在噴淋頭盤的一個實施例中，第二線性通道的長度在11mm至17mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且第二入口和第二出口各自的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

14、在噴淋頭盤的一個實施例中，第一線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且第一入口和第一出口各自的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

15、在噴淋頭盤的一個實施例中，第一線性通道的長度在8mm至11mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且第一入口和第一出口各自的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

16、在噴淋頭盤的一個實施例中，第一線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且第一入口和第一出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

17、在噴淋頭盤的一個實施例中，第一線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，錐形入口具有第一最大直徑，出口具有第二最大直徑，其中第二最大直徑大于第一最大直徑。

18、在噴淋頭盤的一個實施例中，多個第一孔具有18至32個范圍內(nèi)的第一孔的數(shù)量。

19、根據(jù)另一方面，一種噴淋頭組件包括：蓋，包括配置為耦合到氣體源的主入口；與主入口連通并至少部分由蓋和噴淋頭盤限定的增壓空間，其中噴淋頭盤包括：頂面和相對的底面；位于噴淋頭盤的幾何中心的中心區(qū)域，其中該中心區(qū)域的直徑在10mm至60mm的范圍內(nèi)；圍繞中心區(qū)域并延伸到噴淋頭盤外邊緣的外部區(qū)域；位于中心區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第一通孔，其中每個第一通孔包括：錐形第一入口；錐形第一出口；以及連接入口和出口的第一線性通道；以及位于外部區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第二通孔，其中每個第二通孔包括：錐形第二入口；錐形第二出口，其中第二入口和第二出口具有相等的錐形尺寸；以及連接入口和出口的第二線性通道；其中第二通孔與第一通孔的形狀不同；并且其中第二線性通道的長度大于第一線性通道的長度。

20、根據(jù)權(quán)利要求18所述的反應室，其中多個第一孔具有18至32個第一孔的數(shù)量。

21、根據(jù)權(quán)利要求18所述的反應室，其中第一線性通道的長度在4mm至12mm的范圍內(nèi)，第二線性通道的長度在12mm至20mm的范圍內(nèi)。

22、根據(jù)又一方面，一種噴淋頭組件，包括：蓋，包括配置為耦合到氣體源的主入口；與主入口連通并至少部分由蓋和噴淋頭盤限定的增壓空間，其中噴淋頭盤包括：頂面和相對的底面；位于噴淋頭盤的幾何中心的中心區(qū)域，其中該中心區(qū)域的直徑在10mm至60mm的范圍內(nèi)；圍繞中心區(qū)域并延伸到噴淋頭盤外邊緣的外部區(qū)域；位于中心區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第一通孔，其中多個第一通孔中的至少一個孔包括從頂面的第一入口延伸到底面的錐形第一出口的傾斜通道；以及位于外部區(qū)域內(nèi)并從頂面延伸到底面的多個第二通孔，其中每個第二通孔包括：錐形第二入口；錐形第二出口，其中第二入口和第二出口具有相等的錐形尺寸；以及連接入口和出口的第二線性通道；其中第二通孔與第一通孔的形狀不同。

技術(shù)特征：

1.一種噴淋頭盤，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋頭盤，其中，每個第二通孔包括位于所述頂面的具有第一尺寸的錐形入口和位于所述底面的具有第一尺寸的錐形出口，以及將入口連接到出口的線性通道。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的噴淋頭盤，其中，所述線性通道的長度在11mm至17mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述錐形入口和出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的噴淋頭盤，其中，每個第一通孔包括位于所述頂面的具有第一尺寸的第一錐形入口和位于所述底面的具有第二尺寸的第二錐形出口，以及將入口連接到出口的線性通道，其中第一尺寸不同于第二尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭盤，其中，所述線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述錐形入口和出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭盤，其中，所述線性通道的長度在8mm至11mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述錐形入口和出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭盤，其中，所述線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述錐形入口和出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭盤，其中，所述線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述錐形入口具有第一最大直徑，出口具有第二最大直徑，其中第二最大直徑大于第一最大直徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的噴淋頭盤，其中，所述多個第一孔具有18至20個范圍內(nèi)的第一孔的數(shù)量。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的噴淋頭盤，其中，所述多個第一孔具有28至32個范圍內(nèi)的第一孔的數(shù)量。

11.一種噴淋頭盤，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭盤，其中，所述第二線性通道的長度在11mm至17mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述第二入口和第二出口各自的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭盤，其中，所述第一線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述第一入口和第一出口各自的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭盤，其中，所述第一線性通道的長度在8mm至11mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述第一入口和第一出口各自的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭盤，其中，所述第一線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述第一入口和第一出口的最大直徑在8mm至9mm的范圍內(nèi)。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭盤，其中，所述第一線性通道的長度在4mm至6mm的范圍內(nèi)，直徑在0.5mm至1.5mm的范圍內(nèi)，并且所述錐形入口具有第一最大直徑，所述出口具有第二最大直徑，其中第二最大直徑大于第一最大直徑。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的噴淋頭盤，其中，所述多個第一孔具有18至32個范圍內(nèi)的第一孔的數(shù)量。

18.一種噴淋頭組件，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的反應室，其中：

20.一種噴淋頭組件，包括：

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)的各種實施例可以提供包括具有多個通孔的噴淋頭盤的噴淋頭組件。每個通孔具有錐形入口和錐形出口。噴淋頭盤可以包括在中心區(qū)域具有第一尺寸的通孔和在外部區(qū)域具有不同于第一尺寸的第二尺寸的通孔。

技術(shù)研發(fā)人員：祁祁,R·穆泰亞,S·加格,J·李,Y·白,D·莫里斯,N·G·維克爾,金智妍,J·倫奇,N·謝奧蘭,陳冠男
受保護的技術(shù)使用者：ASM IP私人控股有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2