本發(fā)明涉及鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及一種鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法。

背景技術(shù)：

在真空鍍膜設(shè)備中，石英晶體振蕩監(jiān)控法是工藝過程中監(jiān)控薄膜厚度和材料蒸鍍速率最常用的方法。石英晶體振蕩監(jiān)控法，主要是利用了石英晶體的壓電效應(yīng)和質(zhì)量負(fù)荷效應(yīng)，當(dāng)晶振片表面沉積薄膜后，晶體的振動(dòng)就會(huì)減弱，這種振動(dòng)或頻率的減少，是由薄膜的厚度和密度決定的，利用非常精密的電子設(shè)備，每秒鐘多次測試振動(dòng)的變化，從而實(shí)現(xiàn)對蒸鍍速率和膜層厚度的實(shí)時(shí)監(jiān)控。

在oled(有機(jī)發(fā)光二極管：organiclight-emittingdiode)的有機(jī)鍍膜設(shè)備中，石英晶振膜厚探頭一般位于加熱源的一側(cè)，基板位于加熱源的斜上方。由于兩者幾何位置的差異，晶振上測量得到的蒸發(fā)速率和膜厚值和基板上的實(shí)際值是有較大差異的，需要一個(gè)修正因子來進(jìn)行修正，修正因子＝基板膜層厚度/晶振片膜層厚度。理論上來說，針對同一種材料，只要加熱源、晶振和基板三者的幾何相對位置不變，這個(gè)修正因子應(yīng)當(dāng)是固定的。然而，在實(shí)際情況中，這個(gè)修正因子卻是不斷變化的，特別是在添加材料或更換晶振片前后，修正因子會(huì)發(fā)生顯著的變化，導(dǎo)致膜厚發(fā)生偏差。正因如此，添加材料或更換晶振片后，都要蒸鍍樣品測試膜厚，校正該修正因子。此外，在鍍膜工藝過程中，會(huì)遇到晶振有瑕疵、接觸不良、信號受到外界干擾、蒸鍍材料飛濺到晶振等問題，這些問題均會(huì)導(dǎo)致修正因子發(fā)生變化，最終導(dǎo)致厚膜偏差，影響工藝穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)中膜厚監(jiān)控裝置的修正因子發(fā)生變化而導(dǎo)致膜厚偏差及工藝不穩(wěn)定的缺陷，提供一種鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：提供了一種鍍膜系統(tǒng)，包括基板和位于基板下方的鍍膜源，鍍膜系統(tǒng)還包括第一膜厚監(jiān)控裝置和第二膜厚監(jiān)控裝置，第一膜厚監(jiān)控裝置位于基板與鍍膜源之間，第二膜厚監(jiān)控裝置鄰近基板。

優(yōu)選地，第二膜厚監(jiān)控裝置并排設(shè)于基板一側(cè)。

優(yōu)選地，鍍膜系統(tǒng)還包括設(shè)于第二膜厚監(jiān)控裝置下方的第一遮板，第一遮板開啟時(shí)，鍍膜源輸出的鍍膜材料的氣流通過第一遮板并到達(dá)第二膜厚監(jiān)控裝置，第一遮板關(guān)閉時(shí)，阻擋氣流到達(dá)第二膜厚監(jiān)控裝置。

優(yōu)選地，第一膜厚監(jiān)控裝置位于基板下方的側(cè)邊。

優(yōu)選地，第一膜厚監(jiān)控裝置和第二膜厚監(jiān)控裝置均位于基板的同一側(cè)邊。

優(yōu)選地，第一膜厚監(jiān)控裝置和第二膜厚監(jiān)控裝置均包括石英晶片。

優(yōu)選地，鍍膜系統(tǒng)還包括位于基板與鍍膜源之間的第二遮板，第二遮板開啟時(shí)，鍍膜源輸出的鍍膜材料的氣流通過第二遮板并到達(dá)基板，第二遮板關(guān)閉時(shí)，阻擋氣流到達(dá)基板。

本發(fā)明還提供了一種鍍膜方法，包括：

鍍膜源輸出鍍膜材料的氣流對基板進(jìn)行鍍膜，第一膜厚監(jiān)控裝置即時(shí)監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度；以及

判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結(jié)果是否需要校正，若是，則啟用鄰近基板設(shè)置的第二膜厚監(jiān)控裝置，并通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置。

優(yōu)選地，判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結(jié)果是否需要校正包括：獲取第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，若修正因子的偏差超過預(yù)設(shè)閾值，則確定第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結(jié)果需要校正；

通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置包括：獲取第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，并采用第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子來校正第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子。

優(yōu)選地，鍍膜方法還包括：在啟用第二膜厚監(jiān)控裝置后，停用第一膜厚監(jiān)控裝置，采用第二膜厚監(jiān)控裝置即時(shí)監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度。

實(shí)施本發(fā)明具有以下有益效果：鍍膜系統(tǒng)及鍍膜方法中，兩個(gè)膜厚監(jiān)控裝置協(xié)同工作，提升了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性，特別是在第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子發(fā)生變化時(shí)。另，第二膜厚監(jiān)控裝置鄰近基板，因此第二膜厚監(jiān)控裝置獲取的鍍膜速率及膜厚值與基板上的真實(shí)值相當(dāng)接近，即第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子近似為100％，具有修正誤差小的優(yōu)點(diǎn)，由此可在需要時(shí)采用第二膜厚監(jiān)控裝置來檢查并校正第一膜厚監(jiān)控裝置；此校正方法雖不能完全代替制備樣品測試膜厚進(jìn)行校正的傳統(tǒng)方法，但是可以大大減少采用傳統(tǒng)方式進(jìn)行校準(zhǔn)的頻率，不但節(jié)省了制作樣品及測試膜厚的時(shí)間，還節(jié)省了原材料開支。

附圖說明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中：

圖1是依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

參見圖1，圖1示出了依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖，該鍍膜系統(tǒng)包括基板1、位于基板1下方的鍍膜源2、第一膜厚監(jiān)控裝置3和第二膜厚監(jiān)控裝置4，第一膜厚監(jiān)控裝置3位于基板1與鍍膜源2之間，第二膜厚監(jiān)控裝置4鄰近基板1。工作過程中，鍍膜源2產(chǎn)生鍍膜材料的氣流21，該氣流21一部分在基板1上沉積形成所需薄膜，另一部分沉積到第一和第二膜厚監(jiān)控裝置4中的至少一個(gè)上，通過測量膜厚監(jiān)控裝置中沉積的薄膜的厚度等數(shù)據(jù)，再結(jié)合校正因子即可獲得基板1上沉積的薄膜的厚度，從而實(shí)現(xiàn)監(jiān)控基板1上所鍍薄膜的厚度。

上述鍍膜系統(tǒng)中，兩個(gè)膜厚監(jiān)控裝置可協(xié)同工作，提升了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性，特別是在第一膜厚監(jiān)控裝置3的修正因子發(fā)生變化時(shí)。另，第二膜厚監(jiān)控裝置4鄰近基板1，因此第二膜厚監(jiān)控裝置4獲取的鍍膜速率及膜厚值與基板1上的真實(shí)值相當(dāng)接近，即第二膜厚監(jiān)控裝置4的修正因子近似為100％，具有修正誤差小的優(yōu)點(diǎn)，由此可在需要時(shí)采用第二膜厚監(jiān)控裝置4來檢查并校正第一膜厚監(jiān)控裝置3；此校正方法雖不能完全代替制備樣品測試膜厚進(jìn)行校正的傳統(tǒng)方法，但是可以大大減少采用傳統(tǒng)方式進(jìn)行校準(zhǔn)的頻率，不但節(jié)省了制作樣品及測試膜厚的時(shí)間，還節(jié)省了原材料開支。另，本鍍膜系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，容易制造，可以通過改造現(xiàn)有設(shè)備實(shí)現(xiàn)升級。

具體地，鍍膜源2包括坩堝，鍍膜材料為oled材料，oled材料在坩堝中受熱蒸發(fā)，形成氣流21，并從坩堝口向外輸運(yùn)，部分沉積到基板1上形成所需要的薄膜。應(yīng)當(dāng)知曉，以上鍍膜源2中采用坩堝和oled材料僅用作舉例，并不是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可選用任意適合的鍍膜源2，例如，鍍膜方法包括但不限于物理蒸汽鍍膜方法、以及化學(xué)蒸汽鍍膜；鍍膜源2可以是一個(gè)種類或多個(gè)不同種類的組合；鍍膜源2可以是移動(dòng)的或靜止的等等，此處不再一一贅述。

第一膜厚監(jiān)控裝置3和第二膜厚監(jiān)控裝置4均包括石英晶片，例如圖中的石英晶片31和41，通過石英晶體振蕩監(jiān)控法監(jiān)控薄膜厚度。第二膜厚監(jiān)控裝置4并排設(shè)于基板1一側(cè)，并緊鄰該基板1，從而可進(jìn)一步確保第二膜厚監(jiān)控裝置4獲取的鍍膜速率及膜厚值與基板1上的真實(shí)值非常接近，基本相等。第一膜厚監(jiān)控裝置3位于基板1下方的側(cè)邊，且第一膜厚監(jiān)控裝置3和第二膜厚監(jiān)控裝置4還可均位于基板1的同一側(cè)邊，從而減少氣流21差異對兩個(gè)膜厚監(jiān)控裝置監(jiān)控?cái)?shù)據(jù)的影響，確保兩個(gè)膜厚監(jiān)控裝置在相同的條件下監(jiān)控薄膜厚度和鍍膜速率，即確保監(jiān)控結(jié)果的一致性，從而有助于采用第二膜厚監(jiān)控裝置4來檢查并校正第一膜厚監(jiān)控裝置3。

參見圖2，圖2示出了依據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)，與第一實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)的區(qū)別在于，本實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)還包括設(shè)于第二膜厚監(jiān)控裝置4下方的第一遮板5，該第一遮板5具有開關(guān)功能，在第一遮板5開啟時(shí)，鍍膜源2輸出的鍍膜材料的氣流21通過第一遮板5并到達(dá)第二膜厚監(jiān)控裝置4，第一遮板5關(guān)閉時(shí)，阻擋氣流21到達(dá)第二膜厚監(jiān)控裝置4。采用第一遮板5，可在平時(shí)關(guān)閉第二膜厚監(jiān)控裝置4，僅在需要時(shí)開啟，從而延長第二膜厚監(jiān)控裝置4的使用時(shí)間或使用壽命。

在鍍膜工藝過程中，在添加材料或更換晶振片(例如石英晶片)前后，修正因子會(huì)發(fā)生顯著的變化，導(dǎo)致膜厚發(fā)生偏差；或者當(dāng)?shù)谝荒ず癖O(jiān)控裝置3遇到晶振有瑕疵、接觸不良、信號受到外界干擾、蒸鍍材料飛濺到晶振等問題時(shí)，其監(jiān)測結(jié)果也將發(fā)生較大偏差，導(dǎo)致工藝參數(shù)波動(dòng)。此時(shí)可以開啟第一遮板5，啟用第二膜厚監(jiān)控裝置4。一方面，第二膜厚監(jiān)控裝置4可獨(dú)立工作，即獨(dú)立監(jiān)控基板1的鍍膜情況，無需中斷正在進(jìn)行的鍍膜工藝，避免第一膜厚監(jiān)控裝置3突發(fā)波動(dòng)或故障造成的產(chǎn)品損失。另一方面，上述已經(jīng)提及第二膜厚監(jiān)控裝置4的修正因子接近100％，因此還可采用第二膜厚監(jiān)控裝置4的修正因子對第一膜厚監(jiān)控裝置3進(jìn)行檢查和校正，可大大減少采用傳統(tǒng)方式進(jìn)行校準(zhǔn)的頻率，不但節(jié)省了制作樣品及測試膜厚的時(shí)間，還節(jié)省了原材料開支。

參見圖3，圖3示出了依據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)，與第二實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)的區(qū)別在于，本實(shí)施例的鍍膜系統(tǒng)還包括位于基板1與鍍膜源2之間的第二遮板6，該第二遮板6具有開關(guān)功能，當(dāng)?shù)诙诎?開啟時(shí)，鍍膜源2輸出的鍍膜材料的氣流21通過第二遮板6并到達(dá)基板1，第二遮板6關(guān)閉時(shí)，阻擋氣流21到達(dá)基板1。

依據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的鍍膜方法包括：步驟s100、鍍膜源輸出鍍膜材料的氣流對基板進(jìn)行鍍膜，第一膜厚監(jiān)控裝置即時(shí)監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度；以及步驟s200、判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結(jié)果是否需要校正，若是，則啟用鄰近基板設(shè)置的第二膜厚監(jiān)控裝置，并通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置。

步驟s100中，判斷第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結(jié)果是否需要校正時(shí)，可先獲取第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，若修正因子的偏差超過預(yù)設(shè)閾值，則確定第一膜厚監(jiān)控裝置的監(jiān)測結(jié)果需要校正。通常，在添加材料或更換晶振片(例如石英晶片)前后，修正因子會(huì)發(fā)生顯著的變化，導(dǎo)致膜厚發(fā)生偏差；或者當(dāng)?shù)谝荒ず癖O(jiān)控裝置遇到晶振有瑕疵、接觸不良、信號受到外界干擾、蒸鍍材料飛濺到晶振等問題時(shí)，其監(jiān)測結(jié)果也將發(fā)生較大偏差，導(dǎo)致工藝參數(shù)波動(dòng)，從而需要校正。

步驟s200中，在通過第二膜厚監(jiān)控裝置校正第一膜厚監(jiān)控裝置時(shí)，可先獲取第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子，因該修正因子接近100％，因此可采用第二膜厚監(jiān)控裝置的修正因子來校正第一膜厚監(jiān)控裝置的修正因子。

在一具體實(shí)施方式中，為了避免中斷正在進(jìn)行的鍍膜工藝，可在啟用第二膜厚監(jiān)控裝置后但完成校正第一膜厚監(jiān)控裝置之前，先停用第一膜厚監(jiān)控裝置，采用第二膜厚監(jiān)控裝置即時(shí)監(jiān)控基板上所鍍薄膜的厚度。

應(yīng)當(dāng)知曉，本發(fā)明的鍍膜方法的細(xì)節(jié)方案已在上述鍍膜系統(tǒng)中詳細(xì)闡述，可部分或全部引用，即上述任意鍍膜系統(tǒng)可實(shí)施任意鍍膜方法，此處不再贅述。

可以理解的，以上實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制；應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，可以對上述技術(shù)特點(diǎn)進(jìn)行自由組合，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍；因此，凡跟本發(fā)明權(quán)利要求范圍所做的等同變換與修飾，均應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的涵蓋范圍。