本實(shí)用新型涉及磁控濺射鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

上世紀(jì)80年代開(kāi)始，磁控濺射技術(shù)得到迅猛發(fā)展，其應(yīng)用領(lǐng)域得到了極大的推廣，現(xiàn)在磁控鍍膜技術(shù)在鍍膜領(lǐng)域有著舉足輕重的地位，在工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)領(lǐng)域發(fā)揮著極大的作用，在TP及顯示行業(yè)，立式連續(xù)磁控濺射鍍膜作為T(mén)P sensor加工的上游顯得尤為重要。

現(xiàn)有技術(shù)如附圖1所示，圖中編號(hào)1-4依次為進(jìn)口室、一級(jí)轉(zhuǎn)換室、二級(jí)轉(zhuǎn)換室、鍍膜前變速室，編號(hào)5-19為工藝室，編號(hào)20-23依次為鍍膜后變速室、一級(jí)轉(zhuǎn)換室、二級(jí)轉(zhuǎn)換室、出口室，MP：molecular pump，即分子泵；Nb：鈮的化學(xué)式；Si：硅的化學(xué)式；ITO：indium tin oxside ，氧化銦錫，此圖為雙面消影ITO立式連續(xù)鍍膜線(xiàn)。具體流程如下：1.玻璃原片清洗：純水電阻率不低于18兆歐，清洗機(jī)為雙平面玻璃清洗機(jī)；2.鍍膜裝片：裝片室要求無(wú)塵等級(jí)為百級(jí)，即大于等于0.5μm的塵粒數(shù)大于350粒/m³（0.35粒/L）到小于等于3500粒/m³（3.5粒/L）；大于等于5μm的塵粒數(shù)為0；3.玻璃原片經(jīng)承載臺(tái)車(chē)依次進(jìn)入編號(hào)1-4完成粗真空到中低真空的轉(zhuǎn)換；4.在編號(hào)5-19中完成消影與ITO連續(xù)鍍；5.在編號(hào)20-23中，承載臺(tái)車(chē)慢速變快速，中低真空轉(zhuǎn)粗真空完成出片。

現(xiàn)有技術(shù)采用立式連續(xù)鍍膜線(xiàn)雙面配置Nb靶、Si靶通過(guò)反應(yīng)濺射生成成Nb₂O₅+SiO₂（消影層）與ITO直流濺射完成雙面消影ITO的功能，以滿(mǎn)足TP雙面ITO sensor的需求，但金屬邊框走線(xiàn)為T(mén)P sensor結(jié)構(gòu)中不可或缺的部分，此鍍膜線(xiàn)的配置并未達(dá)到多功能的要求，如能能夠?qū)嵱眯滦鸵环N既能生產(chǎn)OGS，還能夠生產(chǎn)單面消影ITO、雙面消影ITO的連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，將個(gè)企業(yè)帶來(lái)巨大的便利和利潤(rùn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，旨在提供一種能在一條鍍膜線(xiàn)上同時(shí)滿(mǎn)足雙面消影ITO鍍膜、金屬鍍膜的多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，達(dá)到一機(jī)多用的功能。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：一種多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，包括A功能區(qū)和B功能區(qū)、承載臺(tái)車(chē)，還包括依次設(shè)置的進(jìn)口室1、一號(hào)一級(jí)轉(zhuǎn)換室2、一號(hào)二級(jí)轉(zhuǎn)換室3、鍍膜前變速室4、依次連續(xù)設(shè)置的十五個(gè)工藝室5-19、鍍膜后變速室20、二號(hào)一級(jí)轉(zhuǎn)換室21、二號(hào)二級(jí)轉(zhuǎn)換室22、出口室23；所述十五個(gè)工藝室5-19在所述A功能區(qū)對(duì)應(yīng)工藝室分別依次設(shè)置一號(hào)分子泵、二號(hào)鈮靶、三號(hào)分子泵、二號(hào)硅靶、五號(hào)分子泵、四號(hào)硅靶、七號(hào)分子泵、八號(hào)分子泵、九號(hào)分子泵、十號(hào)分子泵、十一號(hào)分子泵、十二號(hào)分子泵、十三號(hào)分子泵、三號(hào)氧化銦錫靶、四號(hào)氧化銦錫靶，所述十五個(gè)工藝室5-19在所述B功能區(qū)對(duì)應(yīng)工藝室分別依次設(shè)置一號(hào)鈮靶、二號(hào)分子泵、一號(hào)硅靶、四號(hào)分子泵、三號(hào)硅靶、六號(hào)分子泵、一號(hào)鉬靶材、一號(hào)鋁靶材、二號(hào)鋁靶材、三號(hào)鋁靶材、二號(hào)鉬靶材、一號(hào)氧化銦錫靶、二號(hào)氧化銦錫靶、十四號(hào)分子泵、十五號(hào)分子泵；所述承載臺(tái)車(chē)（未圖示）上設(shè)有鍍膜裝片室（未圖示）。

作為對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述一號(hào)鉬靶材和二號(hào)鉬靶材分別包括兩支鉬靶。

作為對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述一號(hào)鋁靶材、二號(hào)鋁靶材、三號(hào)鋁靶材分別包括兩支鋁靶。

作為對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述承載臺(tái)車(chē)（未圖示）從進(jìn)口室1進(jìn)入所述多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，鍍膜完成后從出口室23出片。

作為對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述承載臺(tái)車(chē)（未圖示）變速通過(guò)所述多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)。

作為對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述鍍膜裝片室（未圖示）無(wú)塵等級(jí)至少為百級(jí)。

作為對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述十五個(gè)工藝室5-19的每一支靶均設(shè)有開(kāi)啟和關(guān)閉兩種模式。

作為對(duì)本實(shí)用新型所述技術(shù)方案的一種改進(jìn)，所述A功能區(qū)和B功能區(qū)對(duì)應(yīng)設(shè)置。

本實(shí)用新型提供的一種多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，增設(shè)了Mo（鉬）+Al（鋁）+Mo（鉬）靶材，此種鍍膜線(xiàn)的配置可生產(chǎn)OGS，單面消影ITO，雙面消影ITO三種產(chǎn)品，產(chǎn)品多樣化，相對(duì)原有技術(shù)而言，以O(shè)GS產(chǎn)品為例，只需要切換鍍膜線(xiàn)中的靶材即可一條線(xiàn)滿(mǎn)足鍍膜的要求，節(jié)省了鍍膜設(shè)備的投資，鍍膜設(shè)備多功能化簡(jiǎn)化了工藝流程，縮減了人員用工成本，不用切換鍍膜線(xiàn)，工藝更加穩(wěn)定，減少調(diào)試及維護(hù)時(shí)間，提高了產(chǎn)量。

附圖說(shuō)明

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中：

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施例的立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，本實(shí)用新型具體實(shí)施例的立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，其包括A功能區(qū)和B功能區(qū)、承載臺(tái)車(chē)，還包括依次設(shè)置的進(jìn)口室1、一級(jí)轉(zhuǎn)換室2、二級(jí)轉(zhuǎn)換室3、鍍膜前變速室4、依次連續(xù)設(shè)置的十五個(gè)工藝室5-19、鍍膜后變速室20、一級(jí)轉(zhuǎn)換室21、二級(jí)轉(zhuǎn)換室22、出口室23；十五個(gè)工藝室5-19在A功能區(qū)對(duì)應(yīng)工藝室分別依次設(shè)置一號(hào)分子泵、二號(hào)鈮靶、三號(hào)分子泵、二號(hào)硅靶、五號(hào)分子泵、四號(hào)硅靶、七號(hào)分子泵、八號(hào)分子泵、九號(hào)分子泵、十號(hào)分子泵、十一號(hào)分子泵、十二號(hào)分子泵、十三號(hào)分子泵、三號(hào)氧化銦錫靶、四號(hào)氧化銦錫靶，十五個(gè)工藝室5-19在B功能區(qū)對(duì)應(yīng)工藝室分別依次設(shè)置一號(hào)鈮靶、二號(hào)分子泵、一號(hào)硅靶、四號(hào)分子泵、三號(hào)硅靶、六號(hào)分子泵、一號(hào)鉬靶材、一號(hào)鋁靶材、二號(hào)鋁靶材、三號(hào)鋁靶材、二號(hào)鉬靶材、一號(hào)氧化銦錫靶、二號(hào)氧化銦錫靶、十四號(hào)分子泵、十五號(hào)分子泵；承載臺(tái)車(chē)（未圖示）上設(shè)有鍍膜裝片室（未圖示）；一號(hào)鉬靶材和二號(hào)鉬靶材分別包括兩支鉬靶，一號(hào)鋁靶材、二號(hào)鋁靶材、三號(hào)鋁靶材分別包括兩支鋁靶，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）從進(jìn)口室1進(jìn)入多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，鍍膜完成后從出口室23出片，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）變速通過(guò)多功能立式連續(xù)磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，鍍膜裝片室（未圖示）無(wú)塵等級(jí)至少為百級(jí)，十五個(gè)工藝室5-19的每一支靶均設(shè)有開(kāi)啟和關(guān)閉兩種模式，A功能區(qū)和B功能區(qū)對(duì)應(yīng)設(shè)置。

其中的A功能區(qū)和B功能區(qū)是指能夠設(shè)置靶材和分子泵的區(qū)域，該區(qū)域所設(shè)置的靶材和分子泵能夠根據(jù)需要設(shè)置成陰極位或者陽(yáng)極位。

實(shí)施例一：

本實(shí)施例中可以生產(chǎn)一種觸摸屏OGS結(jié)構(gòu)，如圖2所示，具體的實(shí)施步驟如下：（1）大板玻璃清洗；（2）BM（黑矩陣，蓋板玻璃黑色邊框，防止漏光）絲??；（3）ITO鍍膜：此步驟如圖2所示，只要求開(kāi)啟全部氧化銦錫靶，而把鈮靶、硅靶、鉬靶、鋁靶全部關(guān)閉，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）裝載大板玻璃片從進(jìn)口室1進(jìn)入，依次通過(guò)所有的工藝室，大板玻璃片完成ITO鍍膜，再?gòu)某隹谑?3完成出片；（4）黃光：將完成ITO膜層的大板玻璃片進(jìn)行圖形化并PI(PI:一種負(fù)性光阻，作為金屬搭橋的絕緣層；（5）PI工藝完成后再次流到圖2中的鍍膜線(xiàn)，此時(shí)需要鍍Mo+Al+Mo膜層，關(guān)閉鈮靶、硅靶、氧化銦錫靶，開(kāi)啟鉬靶、鋁靶，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）裝載大板玻璃片從進(jìn)口室1進(jìn)入，依次通過(guò)所有的工藝室，大板玻璃片完成Mo+Al+Mo膜層鍍膜，再?gòu)某隹谑?3完成出片；（6）Mo+Al+Mo膜層圖形化形成METAL JUMPER（金屬點(diǎn)，接通ITO其中一個(gè)方向的電極）及邊框走線(xiàn)；（7）passivation（金屬鈍化處理，防止金屬氧化、劃傷），將完成Mo+Al+Mo膜層鍍膜的大板玻璃再次進(jìn)入圖2的鍍膜線(xiàn)，此步驟中如圖2所示，只要求開(kāi)啟全部鈮靶、硅靶，關(guān)閉氧化銦錫靶、鉬靶、鋁靶，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）裝載大板玻璃片從進(jìn)口室1進(jìn)入，依次通過(guò)所有的工藝室，大板玻璃片完成passivation膜層鍍膜，再?gòu)某隹谑?3完成出片。

本實(shí)施例中，本實(shí)用新型可以生產(chǎn)OGS產(chǎn)品，只需要切換鍍膜線(xiàn)中的靶材即可一條線(xiàn)滿(mǎn)足鍍膜的要求，節(jié)省了鍍膜設(shè)備的投資。

實(shí)施例二：

本實(shí)施例中可以生產(chǎn)單面消影ITO的鍍膜產(chǎn)品，如圖2所示，具體的實(shí)施步驟如下：（1）大板玻璃清洗；（2）BM（黑矩陣，蓋板玻璃黑色邊框，防止漏光）絲印；（3）ITO鍍膜：此步驟中如圖2所示，只要求開(kāi)啟一號(hào)氧化銦錫靶、二號(hào)氧化銦錫靶，而把三號(hào)氧化銦錫靶、四號(hào)氧化銦錫靶關(guān)閉，或者只要求開(kāi)啟三號(hào)氧化銦錫靶、四號(hào)氧化銦錫靶，而把一號(hào)氧化銦錫靶、二號(hào)氧化銦錫靶關(guān)閉，以及把鈮靶、硅靶、鉬靶、鋁靶全部關(guān)閉，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）裝載大板玻璃片從進(jìn)口室1進(jìn)入，依次通過(guò)所有的工藝室，大板玻璃片完成ITO鍍膜，再?gòu)某隹谑?3完成出片；（4）黃光：將完成ITO膜層的大板玻璃片進(jìn)行圖形化并PI(PI:一種負(fù)性光阻，作為金屬搭橋的絕緣層）；（5）passivation（金屬鈍化處理，防止金屬氧化、劃傷），將完成黃光鍍膜的大板玻璃再次進(jìn)入圖2的鍍膜線(xiàn)，此步驟中如圖2所示，只要求開(kāi)啟全部鈮靶、硅靶，關(guān)閉全部氧化銦錫靶，鉬靶、鋁靶，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）裝載大板玻璃片從進(jìn)口室1進(jìn)入，依次通過(guò)所有的工藝室，大板玻璃片完成passivation膜層鍍膜，再?gòu)某隹谑?3完成出片。

本實(shí)施例中，本實(shí)用新型可以生產(chǎn)一種單面消影的ITO產(chǎn)品，這是本實(shí)用新型最基礎(chǔ)的功能，也只需要用到本實(shí)用新型的部分靶材，不需要開(kāi)啟其他靶材，簡(jiǎn)化了工藝流程，縮減了人員用工成本。

實(shí)施例三：

本實(shí)施例中可以生產(chǎn)雙面消影ITO的鍍膜產(chǎn)品，如圖2所示，具體的實(shí)施步驟如下：（1）大板玻璃清洗；（2）BM（黑矩陣，蓋板玻璃黑色邊框，防止漏光）絲??；（3）ITO鍍膜：此步驟中如圖2所示，只要求開(kāi)啟一號(hào)氧化銦錫靶、二號(hào)氧化銦錫靶，三號(hào)氧化銦錫靶、四號(hào)氧化銦錫靶，而把鈮靶、硅靶、鉬靶、鋁靶全部關(guān)閉，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）裝載大板玻璃片從進(jìn)口室1進(jìn)入，依次通過(guò)所有的工藝室，大板玻璃片完成ITO鍍膜，再?gòu)某隹谑?3完成出片；（4）黃光：將完成ITO膜層的大板玻璃片進(jìn)行圖形化并PI(PI:一種負(fù)性光阻，作為金屬搭橋的絕緣層）；（5）passivation（金屬鈍化處理，防止金屬氧化、劃傷），將完成黃光鍍膜的大板玻璃再次進(jìn)入圖2的鍍膜線(xiàn)，此步驟中如圖2所示，只要求開(kāi)啟全部鈮靶、硅靶，關(guān)閉全部氧化銦錫靶、鉬靶、鋁靶，承載臺(tái)車(chē)（未圖示）裝載大板玻璃片從進(jìn)口室1進(jìn)入，依次通過(guò)所有的工藝室，大板玻璃片完成passivation膜層鍍膜，再?gòu)某隹谑?3完成出片。

與生產(chǎn)單面消影ITO產(chǎn)品類(lèi)似，不用切換鍍膜線(xiàn)，工藝更加穩(wěn)定，減少調(diào)試及維護(hù)時(shí)間，提高了產(chǎn)量。

本實(shí)用新型提供一種雙面消影ITO與鉬鋁鉬并存于一條立式連續(xù)鍍膜的生產(chǎn)線(xiàn)，不僅滿(mǎn)足TP雙面ITO sensor的需求，同時(shí)滿(mǎn)足金屬邊框走線(xiàn)可以為T(mén)P sensor得需求，此種鍍膜線(xiàn)的配置可生產(chǎn)OGS，單面消影ITO，雙面消影ITO，產(chǎn)品多樣化，只需要切換鍍膜線(xiàn)中的靶材即可一條線(xiàn)滿(mǎn)足鍍膜的要求，節(jié)省了鍍膜設(shè)備的投資，鍍膜設(shè)備多功能化簡(jiǎn)化了工藝流程，縮減了人員用工成本，不用切換鍍膜線(xiàn)，工藝更加穩(wěn)定，減少調(diào)試及維護(hù)時(shí)間，提高了產(chǎn)量。

應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。