本實(shí)用新型涉及一種靶材，具體地說是一種旋轉(zhuǎn)磁控多弧靶。

背景技術(shù)：

真空鍍膜采用的多弧靶，通常為圓形小平面靶，焊接的工作面積較小。工作時(shí)，由于焊接的工作面積小，使得單位面積轟擊電流較大，導(dǎo)致鍍膜層的金屬顆粒較為粗大，并且轟擊電流不均勻，使得焊接效果較差。嚴(yán)重時(shí)會(huì)出現(xiàn)金屬液滴，或者飛弧現(xiàn)象進(jìn)而損壞工件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供轟擊電流均勻分布的旋轉(zhuǎn)磁控多弧靶。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采取以下方案：

一種旋轉(zhuǎn)磁控多弧靶，包括圓柱靶管，所述圓柱靶管上設(shè)有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)通過轉(zhuǎn)軸與圓柱靶管連接，圓柱靶管內(nèi)固定磁鐵極靴，該磁鐵極靴上設(shè)有磁鐵組，圓柱靶管內(nèi)設(shè)有冷卻水進(jìn)管，該冷卻水進(jìn)管穿出圓柱靶管外，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)上設(shè)有冷卻水出口，圓柱靶管上通過管路與冷卻水出口連接。

所述磁鐵組包括從左至右依次排列的S極磁鐵、N極磁鐵和S極磁鐵，N極磁鐵上端和下端各設(shè)一個(gè)S極磁鐵，各個(gè)磁鐵構(gòu)成一個(gè)磁場回路。

所述磁鐵為鐵淦氧磁鐵。

所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)設(shè)置在圓柱靶管的上方。

所述N極磁鐵兩側(cè)的S極磁鐵對稱分布。

所述磁鐵組呈“丁”字型。

本實(shí)用新型通過旋轉(zhuǎn)圓柱靶管，使轟擊弧斑線呈長橢圓形，弧斑線較長轟擊電流均勻分布，使得鍍膜層的金屬顆粒細(xì)小且均勻，消除了飛弧燒損工件的現(xiàn)象。

附圖說明

附圖1為本實(shí)用新型剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖2為本實(shí)用新型磁鐵的分布示意圖；

附圖3為附圖1徑向剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖4為本實(shí)用新型弧班線結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。

如附圖1、2和3所示，本實(shí)用新型揭示了一種旋轉(zhuǎn)磁控多弧靶，包括圓柱靶管1，所述圓柱靶管1上設(shè)有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)2，該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)2通過轉(zhuǎn)軸與圓柱靶管連接，圓柱靶管1內(nèi)固定磁鐵極靴6，該磁鐵極靴6上設(shè)有磁鐵組5，圓柱靶管1內(nèi)設(shè)有冷卻水進(jìn)管3，該冷卻水進(jìn)管3穿出圓柱靶管1外，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)2上設(shè)有冷卻水出口4，圓柱靶管1上通過管路與冷卻水出口4連接。本實(shí)用新型中通過引入高達(dá)30A的多弧電流，保證穩(wěn)定工作。

磁鐵組5包括從左至右依次排列的S極磁鐵、N極磁鐵和S極磁鐵，N極磁鐵上端和下端各設(shè)一個(gè)S極磁鐵，各個(gè)磁鐵構(gòu)成一個(gè)磁場回路，N極磁鐵兩側(cè)的S極磁鐵對稱分布。磁鐵組呈“丁”字型。磁鐵為鐵淦氧磁鐵。選擇磁場強(qiáng)度適中的鐵淦氧磁鐵，各個(gè)磁鐵構(gòu)成一個(gè)閉合磁場回路，電焊時(shí)多弧電流保持在該磁場回路內(nèi)。通過該特定的磁鐵分布，形成長橢圓形的弧斑線。

旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)2設(shè)置在圓柱靶管1的上方。該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)可以為一個(gè)電機(jī)及相應(yīng)的連接機(jī)構(gòu)，帶動(dòng)圓柱靶管轉(zhuǎn)動(dòng)?；蛘呤瞧渌愋偷男D(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，只要滿足能夠帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)靶管轉(zhuǎn)動(dòng)即可。

本實(shí)用新型中，工作時(shí)，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)圓柱靶管均速轉(zhuǎn)動(dòng)，磁鐵在圓柱靶管內(nèi)保持不動(dòng)。冷卻水經(jīng)冷卻水進(jìn)管進(jìn)入到圓柱靶管內(nèi)，并且經(jīng)換熱后的冷卻水從冷卻水出口排出，形成循環(huán)。通過長橢圓形的弧斑線焊接，使轟擊電流均勻分布，保證鍍膜層上的金屬顆粒細(xì)小且均勻，不會(huì)出現(xiàn)飛弧燒損工件的現(xiàn)象。

需要說明的是，以上所述并非是對本實(shí)用新型的限定，在不脫離本實(shí)用新型的創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，任何顯而易見的替換均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。