本發(fā)明屬于一種太陽能技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用金剛線切割的多晶硅片的處理方法。

背景技術(shù)：

太陽能電池片采用單晶硅或多晶硅經(jīng)過切割、清洗、酸洗、制絨、擴散、蝕刻、成膜、印刷電極等工藝制作形成，傳統(tǒng)硅電池片分為單晶硅片和多晶硅片，以單晶硅片為主，單晶硅片采用砂漿切割，多晶硅片的價格低于單晶硅片，但是多晶硅片多采用金剛線切割形成，與單晶硅片相比更薄，更易碎，在切割過程中金剛線與硅片會在硅片表面形成一層致密的非晶硅，非晶硅無法用傳統(tǒng)的酸洗進行制絨，必須改變工藝，采用堿制絨，因此太陽能電池生產(chǎn)廠家必須對重新購置堿洗設(shè)備進行改造，這導(dǎo)致設(shè)備改造的成本增加。中國專利200510029562.X、201210091858.4、CN102832291A，公開了在制絨前采用干砂對硅片噴砂處理的方法，然而其缺點是工作環(huán)境粉塵污染嚴重，噴砂過程必須在噴砂室中進行，噴砂前需要對硅片表面進行干燥，工藝過程復(fù)雜；中國專利CN201220148871.4公開了一種硅片噴砂機，該設(shè)備用于單晶硅片去除硅片背面雜質(zhì)時使用，并不適于去除多晶硅片表面的加工線痕和非晶硅組織。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述存在的技術(shù)不足，本發(fā)明的目的是提供一種對硅片進行預(yù)處理的方法，能夠在酸洗步驟之前將硅片表面的非晶硅去除。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：太陽能電池用硅片的制絨前預(yù)處理方法，將砂粉與水混合形成的砂水混合液，用氣體加壓噴吹到硅片表面，使所述的砂水混合液對硅片表面進行噴砂處理。

優(yōu)選地，所述的砂粉取自碳化硅、二氧化硅、三氧化二鋁、金剛石中的一種或者任意兩種以上的混合物。

優(yōu)選地，所述的砂粉的顆粒度為600-1500目。

優(yōu)選地，所述的氣體為壓縮空氣，氣體壓力為2KG-6KG。

優(yōu)選地，所述的砂水混合液與加壓氣體在一噴嘴內(nèi)合流后噴出。

優(yōu)選地，所述的砂水混合液以2KG-4KG的壓力注入所述的噴嘴內(nèi)。

優(yōu)選地，所述的噴嘴距離硅片50-200mm。

優(yōu)選地，所述的噴嘴以30-90度傾角對硅片進行噴砂。

本發(fā)明的另一目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、無粉塵污染的太陽能電池用硅片處理設(shè)備。

為達到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：一種太陽能電池用硅片處理設(shè)備，包括:用于沿著一條傳送路徑連續(xù)傳送太陽能硅片的傳送帶、噴砂機構(gòu)，所述的噴砂機構(gòu)包括：設(shè)置在傳送路徑上的噴嘴、用于提供砂水混合物的容器、壓縮氣體源，所述的容器和壓縮氣體源分別與噴嘴的內(nèi)腔相連通。

優(yōu)選地，所述的噴砂機構(gòu)還包括連接所述的容器與噴嘴的增壓泵。

優(yōu)選地，所述的容器內(nèi)還設(shè)置有攪拌機構(gòu)。

優(yōu)選地，所述的噴嘴距離所述的傳送帶表面50-200mm。

優(yōu)選地，所述的噴嘴與傳送帶表面之間呈30-90度夾角。

優(yōu)選地，該太陽能電池用硅片處理設(shè)備還包括水槽，所述的傳送帶設(shè)置在該水槽內(nèi)，所述的水槽的底部開設(shè)有回流孔，所述的回流孔與所述的容器相連通。

優(yōu)選地，為調(diào)節(jié)噴砂力度和切削深度，所述的噴砂機構(gòu)還包括用于調(diào)節(jié)所述的壓縮氣源壓力的調(diào)節(jié)閥。

本發(fā)明的有益效果在于：與干法噴砂工藝相比，本發(fā)明采用濕法對硅片表面噴砂處理，一方面改善了工作環(huán)境，減少了粉塵；另一方面，濕法噴砂工藝更容易控制切削深度，砂粉更容易回收；此外，濕法噴砂方法，由于水對硅片表面形成一定的壓應(yīng)力，壓應(yīng)力下可以減少裂紋的擴散，從而降低碎片率，降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

附圖1為本發(fā)明的設(shè)備的原理圖。

具體實施方式

本發(fā)明的太陽能電池用硅片的制絨前預(yù)處理方法，是在制絨工序前，采用砂粉和水混合形成的砂水混合物，用加壓氣體打在硅片2表面，進而實現(xiàn)對硅片表面的噴砂處理，去除硅片表面的非晶硅組織和金剛線切割的線痕。

具體地說，該加壓氣體可以為壓縮空氣或二氧化碳氣體等，氣體壓力為2KG-6KG。本發(fā)明的砂粉采用碳化硅、二氧化硅、三氧化二鋁或金剛石中的任意一種或兩種及以上的混合物制作而成，顆粒度為600-1500目。砂粉預(yù)先與水在容器3中混合，形成砂水混合液，為防止砂粉沉淀分層，容器中最好設(shè)置攪拌裝置將砂水混合液不斷攪拌，然后將砂水混合液以2KG-4KG壓力注入噴嘴4中，加壓空氣同時也通入噴嘴中，噴嘴4的噴口朝向硅片，并且由于噴嘴外的大氣壓力僅為1KG，噴嘴內(nèi)的壓力大于外界壓力，因此加壓氣體與砂水混合液一起噴向硅片。

用砂水混合物對硅片表面進行噴砂處理的好處是在硅片表面形成一層水膜，而水膜的壓應(yīng)力可以阻止裂紋擴散，降低碎片率，同時還避免了干粉噴砂的粉塵污染。

本發(fā)明的方法可以通過調(diào)節(jié)氣體的壓力、改變砂水混合物中砂粉粒徑和濃度、以及通過改變砂水混合物的水壓，來調(diào)節(jié)噴砂的切削深度和噴砂速度。在本發(fā)明優(yōu)選實施例中，噴嘴距離硅片50-200mm，并以30-90度夾角傾斜向硅片噴砂。硅片在傳送帶上移動的過程中，完成對一側(cè)表面的噴砂處理，處理完畢以后，通過翻片機構(gòu)將硅片翻轉(zhuǎn)，對另一側(cè)進行噴砂處理，去除表面的線痕和非晶硅組織。

參見附圖1所示，本發(fā)明的太陽能電池用硅片處理設(shè)備，包括水槽、用于沿著一條傳送路徑連續(xù)傳送太陽能硅片2的傳送帶1、噴砂機構(gòu)，所述的噴砂機構(gòu)包括：設(shè)置在傳送路徑上的噴嘴4、用于提供砂水混合物的容器3、壓縮氣體源、連接容器3與噴嘴4的增壓泵5。噴嘴4上具有兩個入口和一個噴口，兩個入口分別是與容器3相連通的液體入口6和與壓縮氣體源相連通的氣體入口7。壓縮氣體源提供2KG-6KG壓力的氣體，當(dāng)壓縮氣體和砂水混合物同時被通入噴嘴4中，使噴嘴4內(nèi)的壓力增大，砂水混合物被加壓噴出，對傳送帶1上的硅片2進行表面噴砂處理。

砂粉和水預(yù)先在容器3內(nèi)混合，為防止砂水混合物沉淀分層，容器3內(nèi)還設(shè)置有攪拌機構(gòu)，不停的對砂水混合物攪拌?；旌暇鶆虻纳八旌衔锿ㄟ^增壓泵5，以2KG-4KG的壓力通過液體入口6被注入噴嘴4中。

該太陽能電池用硅片處理設(shè)備還包括水槽，所述的傳送帶1設(shè)置在該水槽內(nèi)，所述的水槽的底部與所述的容器相連通，使砂水混合液被循環(huán)利用（水槽、壓縮氣體源圖中未示出）。

所述的噴嘴到硅片表面的距離D為50-200mm。所述的噴嘴與傳送帶表面之間的夾角α為30-90度，傳送帶1承載硅片2走過噴砂機構(gòu)時，噴嘴4掃過硅片的表面，完成噴砂工作。

本發(fā)明通過壓縮氣體對砂水混合液進行增壓，可以避免單純使用砂水混合物進行噴砂壓力過大、增加碎片的問題，還可以避免使用干法噴砂粉塵過大的問題。通過改變所投入砂粉的濃度和顆粒大小，可以調(diào)節(jié)切削深度，此外，還可以通過調(diào)節(jié)壓縮氣體的壓力或增壓泵的壓力來調(diào)節(jié)噴砂力度和切削深度。

上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。