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一種改善oled蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性的方法

文檔序號:3316963閱讀:1390來源:國知局
一種改善oled蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善OLED蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性的方法,包括以下步驟:提供蒸鍍腔體與玻璃基板,將位于所述蒸鍍腔體內(nèi)的玻璃基板加熱至一平衡溫度;提供金屬掩膜,將所述金屬掩膜進行預(yù)加熱至所述平衡溫度;將完成預(yù)加熱的所述金屬掩膜傳輸入所述蒸鍍腔體內(nèi)的所述玻璃基板上進行蒸鍍。本發(fā)明通過在金屬掩膜傳入蒸鍍腔體前,對金屬掩膜進行預(yù)加熱,使金屬掩膜在傳入蒸鍍腔體前,就已經(jīng)達(dá)到連續(xù)蒸鍍制程時將達(dá)到的平衡溫度。如此在金屬掩膜一開始傳入蒸鍍腔體時,就可以保持尺寸不受溫度變化而產(chǎn)生變異,避免了金屬掩模與玻璃基板因熱膨脹而導(dǎo)致變形,進而達(dá)到制程的穩(wěn)定。
【專利說明】一種改善OLED蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種0LED蒸鍍工藝,尤其是指一種改善0LED蒸鍍工藝中金屬掩膜溫 度穩(wěn)定性的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)0LED蒸鍍鍍膜,利用金屬掩?;蚴荈MM (高精度金屬掩模板)定義鍍膜區(qū)域, 金屬掩模的尺寸變化會影響鍍膜精度,若尺寸變化過大,會影響鍍膜質(zhì)量,造成混色使產(chǎn)品 良率降低。影響金屬掩模尺寸變化的其中一個因素為熱膨脹,因為有機材料采用蒸鍍的方 式,熱量會透過被加熱的有機材料或是以熱輻射的方式將蒸發(fā)源的熱傳遞到金屬掩?;虿?璃基板上,造成金屬掩模與玻璃基板因熱膨脹而導(dǎo)致變形。此變形對于0LED制程的穩(wěn)定造 成影響,尤其對于目前高分辨率的產(chǎn)品要求的高鍍膜精度,影響更大。
[0003] 傳統(tǒng)0LED蒸鍍鍍膜的方法,如圖1所示,通過機械手臂90將金屬掩膜91由處于 室溫的暫存腔體92取放至相對高溫的蒸鍍腔體93內(nèi)。目前一般采用在蒸鍍腔體內(nèi)部預(yù)留 冷卻水的管路,達(dá)到控制金屬掩膜與玻璃基板溫度的目的。蒸鍍腔體93的內(nèi)部示意圖如圖 2所示,蒸鍍腔體93內(nèi)包括一蒸發(fā)源94,蒸發(fā)源94上方依次設(shè)置有載臺95、金屬掩膜91、 玻璃基板96、壓板97以及水溫控制器98,載臺95、壓板97以及水溫控制器98之間連接有 冷卻水管路99,通過冷卻水控制金屬掩膜91與玻璃基板96的溫度。
[0004] 此方法確實可以使金屬掩膜與玻璃基板的溫度在經(jīng)過一段時間后,趨于穩(wěn)定。但 是在金屬掩膜一開始傳入蒸鍍腔體時,是處于室溫狀態(tài)下,隨著連續(xù)的蒸鍍制程會使金屬 掩膜的溫度逐漸上升,最終才會處于穩(wěn)定。在這一段溫度上升的過程中,金屬掩膜的尺寸仍 會隨著產(chǎn)生變化,造成金屬掩模與玻璃因熱膨脹而導(dǎo)致變形,造成蒸鍍制程的不穩(wěn)定。
[0005] 故如何在蒸鍍的過程中持續(xù)保持較穩(wěn)定的金屬掩模與玻璃基板的溫度,不使其隨 時間而造成變化,是本領(lǐng)域亟待解決的重要課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 有鑒于上述問題,本發(fā)明提供了一種改善0LED蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性 的方法,包括以下步驟:
[0007] 提供蒸鍍腔體與玻璃基板,將位于所述蒸鍍腔體內(nèi)的玻璃基板加熱至一平衡溫 度;
[0008] 提供金屬掩膜,將所述金屬掩膜進行預(yù)加熱至所述平衡溫度;
[0009] 將完成預(yù)加熱的所述金屬掩膜傳輸入所述蒸鍍腔體內(nèi)的所述玻璃基板上進行蒸 鍍。
[0010] 本發(fā)明通過在金屬掩膜傳入蒸鍍腔體前,對金屬掩膜進行預(yù)加熱,使金屬掩膜在 傳入蒸鍍腔體前,就已經(jīng)達(dá)到連續(xù)蒸鍍制程時將達(dá)到的平衡溫度。如此在金屬掩膜一開始 傳入蒸鍍腔體時,就可以保持尺寸不受溫度變化而產(chǎn)生變異,避免了金屬掩模與玻璃基板 因熱膨脹而導(dǎo)致變形,進而達(dá)到制程的穩(wěn)定。 toon] 本發(fā)明的進一步改進在于,提供暫存腔體,將所述金屬掩膜放置于所述暫存腔體 內(nèi)預(yù)加熱至所述平衡溫度。
[0012] 本發(fā)明的進一步改進在于,通過電阻式加熱方式對所述金屬掩膜進行預(yù)加熱。
[0013] 本發(fā)明的進一步改進在于,所述暫存腔體內(nèi)設(shè)有用于放置所述金屬掩膜的承載平 臺,在所述暫存腔體的腔體四周或所述承載平臺內(nèi)埋設(shè)電阻式加熱線,通過所述電阻式加 熱線對所述金屬掩膜進行預(yù)加熱。
[0014] 本發(fā)明的進一步改進在于,通過水溫加熱方式對所述金屬掩膜進行預(yù)加熱。
[0015] 本發(fā)明的進一步改進在于,所述暫存腔體內(nèi)設(shè)有用于放置所述金屬掩膜的承載平 臺,在所述暫存腔體的腔體四周或所述承載平臺內(nèi)埋設(shè)水管,通過一水溫控制器對所述水 管中的水加熱,進而對所述金屬掩膜進行預(yù)加熱。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1是現(xiàn)有的0LED蒸鍍工藝的示意圖。
[0017] 圖2是現(xiàn)有的0LED蒸鍍工藝中蒸鍍腔體的內(nèi)部示意圖。
[0018] 圖3是本發(fā)明的改善0LED蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性的方法的第一種實施 例示意圖。
[0019] 圖4是本發(fā)明的改善0LED蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性的方法的第二種實施 例示意圖。

【具體實施方式】
[0020] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對 本發(fā)明進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明,并不 用于限定本發(fā)明。
[0021] 本發(fā)明的改善0LED蒸鍍鍍膜時金屬掩膜溫度穩(wěn)定的方法,包括以下步驟:
[0022] 提供蒸鍍腔體與玻璃基板,將位于所述蒸鍍腔體內(nèi)的玻璃基板加熱至一平衡溫 度;
[0023] 提供金屬掩膜與暫存腔體,將所述金屬掩膜放置于所述暫存腔體內(nèi)預(yù)加熱至所述 平衡溫度;
[0024] 將完成預(yù)加熱的所述金屬掩膜傳輸入所述蒸鍍腔體內(nèi)的所述玻璃基板上進行蒸 鍍。
[0025] 以下是本發(fā)明對金屬掩膜進行預(yù)加熱的兩種【具體實施方式】:
[0026] 實施例1 :
[0027] 配合參看圖3所示,金屬掩膜20傳入蒸鍍腔體40之前,存放于暫存腔體30內(nèi)處 于室溫下,再將金屬掩膜20傳入蒸鍍腔體40之前,先在暫存腔體30內(nèi)對金屬掩膜20進行 預(yù)加熱,使金屬掩膜20在傳入蒸鍍腔體40前,就已經(jīng)達(dá)到連續(xù)蒸鍍制程時將達(dá)到的平衡溫 度,保證了金屬掩膜20傳入蒸鍍腔體40后,尺寸不受溫度變化而產(chǎn)生變異,避免了金屬掩 模20與蒸鍍腔體40內(nèi)的玻璃基板因熱膨脹而導(dǎo)致變形,進而達(dá)到制程的穩(wěn)定。
[0028] 其中,暫存腔體30的腔體四周埋設(shè)有電阻式加熱線210或水管220,通過對電阻式 加熱線210進行加熱或是通過一水溫控制器對水管220中的水進行加熱,實現(xiàn)對暫存腔體 30腔體內(nèi)部的加熱,進而對金屬掩膜20進行預(yù)加熱。加熱溫度可被設(shè)定至使金屬掩膜20 存放在暫存腔體30內(nèi)時,可以升溫達(dá)到傳入蒸鍍腔體40后蒸鍍制程中將達(dá)到的平衡溫度。
[0029] 進一步的,通過水溫控制器還可以對水管220中的水施以冷卻過程,將水溫降低, 以配合需要達(dá)到不同平衡溫度的蒸鍍制程的要求。
[0030] 實施例2 :
[0031] 配合參看圖4所示,金屬掩膜20傳入蒸鍍腔體40之前,存放于暫存腔體30內(nèi)處 于室溫下,在將金屬掩膜20傳入蒸鍍腔體40之前,先在暫存腔體30內(nèi)對金屬掩膜20進行 預(yù)加熱,使金屬掩膜20在傳入蒸鍍腔體40前,就已經(jīng)達(dá)到連續(xù)蒸鍍制程時將達(dá)到的平衡溫 度,保證了金屬掩膜20傳入蒸鍍腔體40后,尺寸不受溫度變化而產(chǎn)生變異,避免了金屬掩 模20與蒸鍍腔體40內(nèi)的玻璃基板因熱膨脹而導(dǎo)致變形,進而達(dá)到制程的穩(wěn)定。
[0032] 其中,暫存腔體30內(nèi)設(shè)有用于放置所述金屬掩膜20的承載平臺230,所述承載平 臺230內(nèi)埋設(shè)有電阻式加熱線210或水管220,通過對電阻式加熱線210進行加熱或是通過 一水溫控制器對水管220中的水進行加熱,實現(xiàn)對承載平臺230的加熱,進而對所述金屬掩 膜20進行預(yù)加熱。加熱溫度可被設(shè)定至使金屬掩膜20存放在暫存腔體30內(nèi)時,可以升溫 達(dá)到傳入蒸鍍腔體40后蒸鍍制程中將達(dá)到的平衡溫度。
[0033] 進一步的,通過水溫控制器還可以對水管220中的水施以冷卻過程,將水溫降低, 以配合需要達(dá)到不同平衡溫度的蒸鍍制程的要求。
[0034] 以上所述僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明做任何形式上的限制,雖 然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修 飾為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實 質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種改善OLED蒸鍍工藝中金屬掩膜溫度穩(wěn)定性的方法,其特征在于包括以下步驟: 提供蒸鍍腔體與玻璃基板,將位于所述蒸鍍腔體內(nèi)的玻璃基板加熱至一平衡溫度; 提供金屬掩膜,將所述金屬掩膜進行預(yù)加熱至所述平衡溫度; 將完成預(yù)加熱的所述金屬掩膜傳輸入所述蒸鍍腔體內(nèi)的所述玻璃基板上進行蒸鍍。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于: 提供暫存腔體; 將所述金屬掩膜放置于所述暫存腔體內(nèi)預(yù)加熱至所述平衡溫度。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于通過電阻式加熱方式對所述金屬掩膜進行預(yù) 加熱。
4. 如權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于所述暫存腔體內(nèi)設(shè)有用于放置所述金屬掩膜 的承載平臺,在所述暫存腔體的腔體四周或所述承載平臺內(nèi)埋設(shè)電阻式加熱線,通過所述 電阻式加熱線對所述金屬掩膜進行預(yù)加熱。
5. 如權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于通過水溫加熱方式對所述金屬掩膜進行預(yù)加 熱。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于所述暫存腔體內(nèi)設(shè)有用于放置所述金屬掩膜 的承載平臺,在所述暫存腔體的腔體四周或所述承載平臺內(nèi)埋設(shè)水管,通過一水溫控制器 對所述水管中的水加熱,進而對所述金屬掩膜進行預(yù)加熱。
【文檔編號】C23C14/24GK104152847SQ201410338518
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月16日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月16日
【發(fā)明者】康嘉濱, 蘇志瑋 申請人:上海和輝光電有限公司
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