蒸鍍裝置及利用此的蒸鍍量測量方法
【專利摘要】本發(fā)明的蒸鍍裝置包括：多個蒸鍍源，噴射蒸鍍物質(zhì)；基板固定部，將基板固定為與蒸鍍源面對；蒸鍍源擋板，布置在蒸鍍源的一側(cè)，并可開閉各個蒸鍍源的入口；主擋板，布置在蒸鍍源和固定于基板固定部的基板之間，并構(gòu)成為使蒸鍍物質(zhì)的一部分穿過而蒸鍍到基板。根據(jù)本發(fā)明的實施例，可有效率地掌握存在問題的蒸鍍源而均勻地調(diào)整多個蒸鍍源的蒸鍍量。而且，通過準(zhǔn)確地掌握存在問題的蒸鍍源，可減少材料的損失。
【專利說明】蒸鍍裝置及利用此的蒸鍍量測量方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及蒸鍍裝置及利用此的蒸鍍量測量方法，尤其涉及可利用雙重的擋板(shutter)準(zhǔn)確地測量蒸鍍量的蒸鍍裝置及蒸鍍量測量方法。
【背景技術(shù)】 [0002]有機(jī)發(fā)光顯示裝置(organic light emitting diode display)為包括空穴注入電極和電子注入電極以及形成于空穴注入電極和電子注入電極之間的有機(jī)發(fā)光層，且從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子在有機(jī)發(fā)光層重新結(jié)合被消滅的同時發(fā)光的自發(fā)光型顯示裝置。而且，由于有機(jī)發(fā)光顯示裝置表現(xiàn)出低功耗、高亮度、寬視角和快速的響應(yīng)速度等高品位特性，因此作為便攜式電子設(shè)備的下一代顯示裝置而備受矚目。
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括具備形成有薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光元件(OLED，organiclight emitting diode)的顯示基板的有機(jī)發(fā)光顯示面板。有機(jī)發(fā)光元件包括陽極、陰極以及有機(jī)發(fā)光層，從陽極和陰極分別注入的空穴和電子形成激子，該激子轉(zhuǎn)變?yōu)榛鶓B(tài)而形成發(fā)光。
[0004]諸如有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平板顯示裝置中使用為有機(jī)物或電極的金屬等使用在真空氛圍下蒸鍍相關(guān)物質(zhì)而在平板上形成薄膜的真空蒸鍍法。真空蒸鍍法執(zhí)行方法如下:在真空腔體內(nèi)放置需要形成有機(jī)薄膜的基板，并利用噴射蒸鍍物質(zhì)的蒸鍍源使有機(jī)物蒸發(fā)或升華而蒸鍍到基板上。
[0005]此時，有必要了解諸如有機(jī)物或無機(jī)物的蒸鍍物質(zhì)是否從蒸鍍源均勻地噴射。尤其，當(dāng)設(shè)置多個蒸鍍源時，需要執(zhí)行掌握多個蒸鍍源的每一個的蒸鍍量，從而調(diào)整各個蒸鍍源的蒸鍍量的作業(yè)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種可均勻地調(diào)整多個蒸鍍源的蒸鍍量的蒸鍍裝置。
[0007]而且，根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種可利用一個測試用基板來準(zhǔn)確地掌握存在問題的蒸鍍源的蒸鍍量測量方法。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的蒸鍍裝置包括:多個蒸鍍源，噴射蒸鍍物質(zhì)；基板固定部，將基板固定為與蒸鍍源面對；蒸鍍源擋板，布置在蒸鍍源的一側(cè)，并可開閉各個蒸鍍源的入口 ；主擋板，布置在蒸鍍源和固定于基板固定部的基板之間，構(gòu)成為使蒸鍍物質(zhì)的一部分穿過而蒸鍍到基板。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的蒸鍍量測量方法包括:測試用基板布置步驟，使噴射蒸鍍物質(zhì)的多個蒸鍍源和表面被劃分為多個區(qū)域的測試用基板面對；蒸鍍區(qū)域設(shè)定步驟，將測試用基板表面中的一個區(qū)域設(shè)定為蒸鍍蒸鍍物質(zhì)的蒸鍍區(qū)域；蒸鍍源第一開放步驟，從多個蒸鍍源中選擇要測量蒸鍍量的部分蒸鍍源而開放；第一蒸鍍步驟，在測試用基板表面的一個區(qū)域，以與所述部分蒸鍍源對應(yīng)的位置為中心蒸鍍所述部分蒸鍍源的蒸鍍物質(zhì)；蒸鍍源第一封閉步驟，封閉一部分蒸鍍源。[0010]根據(jù)本發(fā)明的實施例，可有效率地掌握存在問題的蒸鍍源而均勻地調(diào)整多個蒸鍍源的蒸鍍量。
[0011]而且，通過準(zhǔn)確地掌握存在問題的蒸鍍源，可減少材料的損失。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍裝置的立體圖。
[0013]圖2為根據(jù)本發(fā)明一實施例的主擋板的剖視圖。
[0014]圖3為根據(jù)本發(fā)明一實施例的測試用基板的平面圖。
[0015]圖4為根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法的順序圖。
[0016]圖5a、圖6a和圖7a為示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法的依序的平面圖。
[0017]圖5b、圖6b和圖7b為不出根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法的依序的側(cè)面圖。
[0018]主要符號的說明
[0019]100:主擋板200:蒸鍍源
[0020]300:蒸鍍源擋板 400:基板、測試用基板
[0021]500:基板固定部
【具體實施方式】
[0022]以下，參照附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的蒸鍍裝置及蒸鍍量測量方法。但是，本發(fā)明并不局限于以下公開的實施例，可實現(xiàn)為彼此不同的各式各樣的形態(tài)，本實施例僅僅是為了使本發(fā)明的公開更加完整，并將本發(fā)明的范圍完整地告知給具有通常知識的技術(shù)人員而提供的。附圖中的相同的符號表示相同的要素。
[0023]而且，在整個說明書中，當(dāng)指出某一部分“包括”某個構(gòu)成要素時，除非有特殊的相反的記載，否則表示并不排除其他構(gòu)成要素，還可以進(jìn)一步包括其他構(gòu)成要素。而且，在整個說明書中，“~上”表示位于對象部分的上面或下面，并不是一定會位于重力方向為基準(zhǔn)的上側(cè)。
[0024]圖1為根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍裝置的立體圖，圖2為根據(jù)本發(fā)明一實施例的主擋板的剖視圖，圖3為根據(jù)本發(fā)明一實施例的測試用基板的平面圖。
[0025]參照圖1至圖3，根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍裝置包括蒸鍍源200、基板固定部500、蒸鍍源擋板300以及主擋板100。
[0026]為了便于說明，各個圖中沒有示出腔體，但圖1的所有的結(jié)構(gòu)布置在維持恰當(dāng)?shù)恼婵粘潭鹊恼婵涨惑w之內(nèi)。真空腔體可根據(jù)所要處理的基板的形狀取各種形狀。例如，當(dāng)所要處理的基板為圓形時，真空腔體整體上采用圓柱形形狀，當(dāng)所要處理的基板為四方形時，真空腔體整體上采用長方體形形狀。而且，該真空腔體還可以配備排出真空腔體內(nèi)部的氣體而降低真空腔體內(nèi)部的壓力的真空泵(未圖示)和向真空腔體內(nèi)注入一定的氣體而提高真空腔體內(nèi)的壓力的通氣裝置(未圖示)等構(gòu)成要素。
[0027]蒸鍍源200為釋放蒸鍍物質(zhì)而蒸鍍到基板400的單元，內(nèi)部配備有可容納諸如有機(jī)物的蒸鍍物質(zhì)的空間(未圖示)。蒸鍍物質(zhì)容納空間可由熱輻射性良好的氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)之類的陶瓷材料形成，但不局限于此，可以由熱輻射性和耐熱性良好的多種材料構(gòu)成。在蒸鍍物質(zhì)的容納空間的外面可配備構(gòu)成為緊貼外面而包圍的加熱器(未圖示)，起到加熱被容納的蒸鍍物質(zhì)而使其汽化的功能。在與基板400面對的蒸鍍源200的一側(cè)還可配備噴射在蒸鍍源內(nèi)部空間被汽化或升華的蒸鍍物質(zhì)的噴嘴(未圖示)。蒸鍍源200可以為多個噴嘴構(gòu)成一列的線形蒸鍍源或者多個配備一個噴嘴的點蒸鍍源，在本實施例中蒸鍍源為多個點蒸鍍源，但并不局限于此。
[0028]基板400借助基板固定部500被固定為與蒸鍍源200面對，由于要求基板固定部500在基板400上形成薄膜的期間穩(wěn)定地固定基板400,而在完成處理之后則向外部輸出基板400，因此基板固定部500具備可容易地裝卸基板400的結(jié)構(gòu)。由于基板固定部500的結(jié)構(gòu)與通常的蒸鍍裝置中使用的基板固定部的結(jié)構(gòu)相同，因此省略具體的說明。
[0029]蒸鍍源200和基板400可彼此相對移動的同時實現(xiàn)蒸鍍，在蒸鍍源200被固定時，基板固定部500可以移動(圖1的y軸方向)，以使基板400與蒸鍍源200持預(yù)定間隔而移動。當(dāng)蒸鍍源200被布置為朝垂直方向釋放蒸鍍物質(zhì)時，基板400可水平布置于蒸鍍源200的上部，而當(dāng)蒸鍍源200被布置為朝水平方向釋放蒸鍍物質(zhì)時，基板400可豎直布置。在本發(fā)明的實施例中，雖然示出蒸鍍源200被布置在真空腔體的底面，并在其上面水平布置基板400的情形，但并不局限于此。
[0030]根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍裝置可利用蒸鍍用基板和蒸鍍用掩模來蒸鍍用于形成有機(jī)發(fā)光層或電極層的有機(jī)物質(zhì)或無機(jī)物質(zhì)，在蒸鍍這樣的有機(jī)物質(zhì)或無機(jī)物質(zhì)之類的蒸鍍物質(zhì)之前，可利用測試用基板進(jìn)行試蒸鍍和蒸鍍量的測量，以判斷從蒸鍍源200噴射的蒸鍍物質(zhì)是否被均勻地蒸鍍。本實施例中，圍繞利用測試用基板進(jìn)行試蒸鍍的情形進(jìn)行說明。如圖3所示，測試用基板400的表面可被劃分為多個區(qū)域，對此的詳細(xì)說明將后述。
[0031]蒸鍍源擋板300為限制從蒸鍍源200汽化的蒸鍍物質(zhì)向外部流出的單元，設(shè)置在每個蒸鍍源200的一側(cè)，以開放或封閉蒸鍍源200的入口。在將使容納于蒸鍍源200的蒸鍍物質(zhì)汽化而產(chǎn)生的蒸汽狀態(tài)的蒸鍍物質(zhì)蒸鍍到基板400時，為了縮短工藝時間，在將蒸鍍物質(zhì)蒸鍍到基板400之前，充分地加熱蒸鍍源200，從而在能夠使蒸鍍物質(zhì)充分地汽化的狀態(tài)下實施蒸鍍。蒸鍍源擋板300在這樣的預(yù)熱過程或在基板400上被蒸鍍所需厚度的薄膜之后阻止蒸鍍物質(zhì)的追加蒸鍍時封閉蒸鍍源200入口。由于蒸鍍源擋板300的具體結(jié)構(gòu)與公知的蒸鍍裝置中的蒸鍍源擋板的結(jié)構(gòu)相同，因此省略具體的說明。
[0032]主擋板100為使得從蒸鍍源200噴射的蒸鍍物質(zhì)中的一部分貫穿而被蒸鍍到基板400的特定區(qū)域的單元，布置在蒸鍍源200和被固定于基板固定部500的基板400之間。主擋板100不使用于用來形成有機(jī)發(fā)光層或電極層的蒸鍍工藝之中，而使用于通過試蒸鍍而欲要測量蒸鍍量的情形之中。主擋板300可以沿y軸方向移動，以選擇性地布置于多個蒸鍍源200中的欲要測量蒸鍍量的蒸鍍源200之上。
[0033]如圖2所示，主擋板100可包括形成為板狀的主擋板主體100 ;從厚度方向貫穿主擋板主體110而形成的開口部120(121、122)。從蒸鍍源200噴射的蒸鍍物質(zhì)的一部分將通過開口部120到達(dá)基板，剩余的一部分被主擋板主體110阻斷，從而使蒸鍍物質(zhì)蒸鍍到基板400的特定區(qū)域。雖然在本實施例中，開口部120的截面示出為圓形，但并非局限于此，可形成為多邊形之類的多種形狀。
[0034]開口部120可分別與多個蒸鍍源200的入口的位置對應(yīng)地形成。此時，與蒸鍍源200面對的主擋板主體110的一面上還可以設(shè)置包圍各個開口部120的引導(dǎo)部300。該引導(dǎo)部300用于使各個開口部120放過從與此對應(yīng)的蒸鍍源200釋放的蒸鍍物質(zhì)，而阻斷從對應(yīng)于其他開口部120的蒸鍍源200釋放的蒸鍍物質(zhì)。
[0035]多個蒸鍍源200可以布置成在第一方向(X軸方向)具有m個行和在與第一方向交叉的第二方向(y軸方向)具有η個列的矩陣形態(tài)，此時與各個蒸鍍源200對應(yīng)地形成的各個開口部120也可以形成為具有m個行和k(k〈n)個列的矩陣形態(tài)。即，開口部120在第一方向上對應(yīng)于所有蒸鍍源200而形成，第二方向上形成數(shù)量少于蒸鍍源200的數(shù)量。因此，主擋板100形成為可沿第二方向移動，從而可以對應(yīng)于布置在第二方向的其他行和列的蒸鍍源而布置?；骞潭ú?00也形成為可沿第二方向移動，從而可以將各個測試用基板400的表面中的一個區(qū)域設(shè)定為對應(yīng)于蒸鍍源200的列的蒸鍍區(qū)域。在本說明書中，蒸鍍區(qū)域是指貼附蒸鍍物質(zhì)的測試用基板的一個區(qū)域。
[0036]以下，參照附圖對根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法進(jìn)行說明。
[0037]圖4為根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法的順序圖，圖5a、圖6a和圖7a為示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法的依序的平面圖，圖5b、圖6b和圖7b為示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法的依序的側(cè)面圖。
[0038]參照附圖，根據(jù)本發(fā)明一實施例的蒸鍍量測量方法包括:測試用基板布置步驟SlO ;蒸鍍區(qū)域設(shè)定步驟S20 ;蒸鍍源開放步驟S30 ;蒸鍍步驟S40 ;蒸鍍源封閉步驟S50。
[0039]在本實施例中，例舉多個蒸鍍源200被布置為在第一方向(X軸方向)上具有m個行，而在與第一方向交叉的第二方向(y軸方向)上具有η個列的矩陣形態(tài)，開口部120形成為具有m個行和k (k〈n)個列的矩陣形態(tài)，但并不局限于此。為了便于說明，本實施例中，例舉蒸鍍源被布置為具有如圖1所示的4個行和6個列的形態(tài)，且形成于主擋板100的開口部120具有對應(yīng)于蒸鍍源的位置的4個行和2個列的形態(tài)。對于蒸鍍源的6個列，分別以附圖標(biāo)記A~F表不,對于屬于·各列的蒸鍍源,分別以附圖標(biāo)記200a~200f表不,對于屬于各列的蒸鍍源擋板，分別以附圖標(biāo)記300a~300f進(jìn)行表示。對于形成于主擋板100的開口部的2個列，分別以附圖標(biāo)記121、122表示。而且，可使用與蒸鍍源的列的數(shù)量相同地在第二方向上被劃分為6個區(qū)域(400a~400f)的測試用基板400。本實施例中，從布置于A列的蒸鍍源200a開始依序蒸鍍至F列的蒸鍍源200f，但并不局限于此，可變更為各種順序而實施。
[0040]首先，使噴射蒸鍍物質(zhì)M的多個蒸鍍源200和表面被劃分為多個區(qū)域的測試用基板400相互面對S10。測試用基板400借助基板固定部500被固定為與蒸鍍源200面對，但為了便于說明，省略對基板固定部500的圖示。此時，蒸鍍源200的入口被各個蒸鍍源擋板300封閉。
[0041]將測試用基板400的表面中的一個區(qū)域設(shè)定為貼附蒸鍍物質(zhì)M的蒸鍍區(qū)域S20。此時，可以將包含形成有在厚度方向上貫通的多個開口部120的主擋板主體110的主擋板100設(shè)置在蒸鍍源200和測試用基板400之間而設(shè)置為蒸鍍區(qū)域。使各個開口部120對齊與測試用基板400的蒸鍍區(qū)域以及蒸鍍源200的入口重疊。
[0042]在本實施例中，將布置在A列的蒸鍍源200a和測試用基板400的表面中的400a區(qū)域設(shè)定為貼附蒸鍍物質(zhì)M的蒸鍍區(qū)域。然后，主擋板100進(jìn)行排列，以使2列的開口部121、122分別位于A列和B列。[0043]然后，從多個蒸鍍源中選擇欲要測量蒸鍍量的一部分蒸鍍源而開放S30。本實施例中，作為需要測量蒸鍍量的蒸鍍源，選擇布置于A列的蒸鍍源200a，并如圖5a和圖5b所示，開放布置在各個蒸鍍源200a的一側(cè)的各個蒸鍍源擋板300a。
[0044]在測試用基板400的表面中的一個區(qū)域，以與蒸鍍源200a對應(yīng)的位置為中心蒸鍍各個蒸鍍源200a的蒸鍍物質(zhì)M S40。本實施例中，使從布置于A列的蒸鍍源200a噴射的蒸鍍物質(zhì)M貼附到測試用基板表面的400a區(qū)域中的與蒸鍍源200a對應(yīng)的位置(參照圖5b的MaX
[0045] 經(jīng)過預(yù)定時間以后，封閉開放的蒸鍍源S50。本實施例中，利用布置于A列的蒸鍍源200a的一側(cè)的各個蒸鍍源擋板300a封閉蒸鍍源200a。
[0046]然后，為了利用沒有實施蒸鍍的其他蒸鍍源實施蒸鍍，可以將測試用基板表面中還沒有貼附蒸鍍物質(zhì)的區(qū)域重新設(shè)定為蒸鍍區(qū)域。在本實施例中，如圖6a和圖6b所示，可以沿第二方向移動測試用基板400，以將與最初實施過蒸鍍的400a區(qū)域相鄰的400b區(qū)域重新設(shè)定為蒸鍍區(qū)域。由于主擋板100的開口部122與B列的蒸鍍源200b對齊，因此主擋板100不會移動。
[0047]然后，從多個蒸鍍源中選擇沒有實施蒸鍍的另一部分蒸鍍源而開放與該另一部分蒸鍍源對應(yīng)的蒸鍍源擋板。在本實施例中，為了測量布置于B列的蒸鍍源200b的蒸鍍量，開放布置在各個蒸鍍源200b的一側(cè)的各個蒸鍍源擋板300b。
[0048]在測試用基板400表面的一個區(qū)域以與蒸鍍源200b對應(yīng)的位置為中心蒸鍍各個蒸鍍源200b的蒸鍍物質(zhì)M。在本實施例中，使從布置于B列的蒸鍍源200b噴射的蒸鍍物質(zhì)M被貼附到測試用基板表面的400b區(qū)域中的對應(yīng)于蒸鍍源200b的位置(參照圖6b的Mb)。
[0049]在經(jīng)過預(yù)定時間之后，封閉開放的蒸鍍源。在本實施例中，利用布置于B列的蒸鍍源200b的一側(cè)的各個蒸鍍源擋板300b封閉蒸鍍源200b。
[0050]然后，為了利用沒有實施蒸鍍的其他蒸鍍源實施蒸鍍，可以將測試用基板上的沒有實施蒸鍍的區(qū)域重新設(shè)定為被蒸鍍蒸鍍物質(zhì)的蒸鍍區(qū)域。本實施例中，可以朝第二方向移動測試用基板400，以將與在前一步驟中實施過蒸鍍的400b區(qū)域相鄰的400c區(qū)域重新設(shè)定為蒸鍍區(qū)域。而且，將主擋板100也朝第二方向移動，以排列為使形成于主擋板100的2列的開口部121、122分別位于C列和D列。為了測量布置于C列的蒸鍍源200c的蒸鍍量，開放布置于各個蒸鍍源200c的一側(cè)的各個蒸鍍源擋板300c。之后的布置于C列的蒸鍍源200c的蒸鍍步驟和封閉步驟與上述相同，于是測試用基板的400c區(qū)域上被貼附從C列的蒸鍍源200c噴射的蒸鍍物質(zhì)(參照圖7b的Me)。
[0051]經(jīng)過這種方式，對于剩下的布置于D列的蒸鍍源200d、布置于E列的蒸鍍源200e、布置于F列的蒸鍍源200f也依序執(zhí)行蒸鍍，即總共可執(zhí)行六次的蒸鍍。
[0052]如此，當(dāng)針對所有蒸鍍源200的蒸鍍工藝都完成時，回收測試用基板400而進(jìn)行檢查。在一張測試用基板400上形成與蒸鍍源200的數(shù)量對應(yīng)的蒸鍍物質(zhì)的堆。例如，如同本實施例，當(dāng)多個蒸鍍源200排列為具有4個行和6個列的矩陣形態(tài)時，形成于測試用基板400上的蒸鍍物質(zhì)的堆也排列為相同的形態(tài)。測量這些各個堆的蒸鍍厚度，可容易的判斷布置在哪個位置的蒸鍍源的蒸鍍量不足或過多。而且，可基于所了解的結(jié)果，調(diào)整存在問題的蒸鍍源的蒸鍍量。
[0053]本實施例以及本說明書中的附圖僅僅用于明確地表示包含于本發(fā)明的一部分技術(shù)思想，在本發(fā)明的說明書以及附圖中包含的技術(shù)思想的范圍之內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易推斷的多種變形例 和具體實施例均包含于本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)，這是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種蒸鍍裝置，包括: 多個蒸鍍源，噴射蒸鍍物質(zhì)； 基板固定部，將基板固定為與所述蒸鍍源面對； 蒸鍍源擋板，布置在所述蒸鍍源的一側(cè)，并可開閉各個所述蒸鍍源的入口 ； 主擋板，布置在所述蒸鍍源和固定于所述基板固定部的所述基板之間，并構(gòu)成為使所述蒸鍍物質(zhì)的一部分穿過而蒸鍍到所述基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸鍍裝置，其中，所述主擋板包括形成有在厚度方向上貫通的多個開口部的主擋板主體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸鍍裝置，其中，所述多個開口部分別對應(yīng)于所述多個蒸鍍源的入口的位置而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，還包括布置在與所述蒸鍍源面對的所述主擋板主體的一面，且包圍各個所述開口部的引導(dǎo)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的蒸鍍裝置，其中，所述多個蒸鍍源布置為沿第一方向具有m個行和沿與所述第一方向交叉的第二方向具有η個列的矩陣形式， 所述開口部形成為具有m個行和k個列的矩陣形式，其中k〈n。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍裝置，其中，所述主擋板能夠沿所述第二方向移動。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的蒸鍍裝置，其中，所述基板固定部能夠沿所述第二方向移動。
8.一種蒸鍍量測量方法，包括: 測試用基板布置步驟，使噴射蒸鍍物質(zhì)的多個蒸鍍源和表面被劃分為多個區(qū)域的測試用基板面對； 蒸鍍區(qū)域設(shè)定步驟，將所述測試用基板表面中的一個區(qū)域設(shè)定為貼附所述蒸鍍物質(zhì)的蒸鍍區(qū)域； 蒸鍍源第一開放步驟，從所述多個蒸鍍源中選擇要測量蒸鍍量的部分蒸鍍源而開放；第一蒸鍍步驟，在所述測試用基板表面的所述一個區(qū)域，以與所述部分蒸鍍源對應(yīng)的位置為中心蒸鍍所述部分蒸鍍源的蒸 鍍物質(zhì)； 蒸鍍源第一封閉步驟，封閉所述一部分蒸鍍源。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍量測量方法，其中，所述蒸鍍區(qū)域設(shè)定步驟中，將包含形成有在厚度方向貫通的多個開口部的主擋板主體的主擋板布置在所述蒸鍍源和所述測試用基板之間， 使所述開口部對齊與所述測試用基板的蒸鍍區(qū)域以及所述蒸鍍源的入口重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的蒸鍍量測量方法，在所述蒸鍍源第一封閉步驟之后還包括: 蒸鍍區(qū)域重新設(shè)定步驟，將所述測試用基板表面的所述一個區(qū)域和另一個區(qū)域重新設(shè)定為貼附所述蒸鍍物質(zhì)的蒸鍍區(qū)域； 蒸鍍源第二開放步驟，從所述多個蒸鍍源中選擇要測量的另一部分蒸鍍源而開放；第二蒸鍍步驟，在所述測試用基板表面的所述另一個區(qū)域，以與所述另一部分蒸鍍源對應(yīng)的位置為中心蒸鍍所述另一部分蒸鍍源的蒸鍍物質(zhì)； 蒸鍍源第二封閉步驟，封閉所述另一部分蒸鍍源。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蒸鍍量測量方法，其中，所述蒸鍍區(qū)域設(shè)定步驟和所述蒸鍍區(qū)域重新設(shè)定步驟中，將包含形成有在厚度方向貫通的多個開口部的主擋板主體的主擋板布置在所述蒸鍍源和所述測試用基板之間， 使所述開口部對齊與所述測試用基板的蒸鍍區(qū)域以及所述蒸鍍源的入口重疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的蒸鍍量測量方法，其中，使所述蒸鍍區(qū)域重新設(shè)定步驟、所述蒸鍍源第二開放步驟、所述第二蒸鍍步驟、及所述蒸鍍源第二封閉步驟反復(fù)實施，直到所述多個蒸鍍源全部被選擇為止。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的蒸鍍量測量方法，其中，所述多個蒸鍍源布置為沿第一方向具有m個行和沿與所述第一方向交叉的第二方向具有η個列的矩陣形式， 所述開口部形成為具有m個行和k個列的矩陣形式，其中k〈n。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的蒸鍍量測量方法，其中，所述測試用基板被劃分為所述η個區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的蒸鍍量測量方法，其中，蒸鍍區(qū)域重新設(shè)定步驟中，使所述測試用基板和所述主擋板沿所述第二方向移動，以重新設(shè)定所述蒸鍍區(qū)域。
【文檔編號】C23C14/54GK103572215SQ201310325675
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月31日
【發(fā)明者】朱星中, 車裕敏, 樸錫煥 申請人:三星顯示有限公司