專利名稱：一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，屬于太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在硅基薄膜太陽能電池實(shí)際生產(chǎn)過程 中，通常采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)工藝進(jìn)行太陽能電池的透明導(dǎo)電電極一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的沉積。LPCVD設(shè)備通常由一個(gè)預(yù)加熱腔室、幾個(gè)工藝反應(yīng)腔室和一個(gè)冷卻卸載腔室組成，鍍膜襯底需要依次連續(xù)經(jīng)過上述幾個(gè)腔室完成LPCVD工藝。在進(jìn)行LPCVD工藝過程中，由于設(shè)備異常或生產(chǎn)過程控制不當(dāng)造成鍍膜襯底在腔室中等待，即LPCVD工藝中斷。鍍膜襯底在LPCVD設(shè)備中的等待時(shí)間不同及發(fā)生等待的腔室不同對(duì)鍍膜襯底產(chǎn)生的影響就會(huì)不同。對(duì)LPCVD工藝中斷或稱鍍膜襯底在設(shè)備腔室中發(fā)生等待產(chǎn)生的影響，歸結(jié)起來主要有以下幾種
I、鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室發(fā)生等待。預(yù)加熱腔室則會(huì)持續(xù)對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行加熱，而過高的溫度會(huì)對(duì)TCO膜層的生長(zhǎng)速率及TCO的絨面結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響，進(jìn)行影響TCO單層膜的透光和導(dǎo)電性質(zhì)，影響硅基薄膜太陽能電池的電學(xué)性能。2、鍍膜襯底在工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待。鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室加熱完畢后，在工藝反應(yīng)腔室進(jìn)行TCO膜層的沉積。如果鍍膜襯底在工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待，由于鍍膜襯底的熱量會(huì)有不同程度的散失，會(huì)導(dǎo)致鍍膜襯底的溫度降低，襯底溫度分布的均勻性發(fā)生改變，使膜層厚度分布的均勻性變差，導(dǎo)致太陽能電池組件的外觀色差明顯，嚴(yán)重時(shí)產(chǎn)生明顯的彩虹外觀缺陷。通常這些彩虹缺陷組件到成品下線處才能被發(fā)現(xiàn)，發(fā)現(xiàn)時(shí)已造成了大量的成品外觀二級(jí)品及報(bào)廢品，所以需要在進(jìn)行透明電極工藝時(shí)即進(jìn)行工藝過程控制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，在LPCVD工藝進(jìn)行中有選擇的對(duì)在LPCVD設(shè)備腔室已經(jīng)發(fā)生等待的鍍膜襯底進(jìn)行控制，在一定程度上控制太陽能電池組件的功率穩(wěn)定，避免組件外觀彩虹缺陷，解決背景技術(shù)存在的上述問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，根據(jù)鍍膜襯底在LPCVD設(shè)備腔室等待的位置及時(shí)間不同對(duì)TCO膜層的影響不同，分別進(jìn)行控制；根據(jù)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室中等待時(shí)，鍍膜襯底的溫度變化進(jìn)行不同處理；當(dāng)鍍膜襯底在工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)，根據(jù)鍍膜襯底所處的腔室的不同，進(jìn)行不同的處理。本發(fā)明對(duì)預(yù)加熱腔室的不連續(xù)是為對(duì)加熱溫度進(jìn)行控制，對(duì)工藝反應(yīng)腔的不連續(xù)是為對(duì)鍍膜襯底在腔室中的等待時(shí)間進(jìn)行控制。當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室中等待時(shí)，襯底的溫度會(huì)持續(xù)上升直到達(dá)到某一溫度最高點(diǎn)后在逐漸下降。所述的根據(jù)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室中等待時(shí)，鍍膜襯底的溫度變化進(jìn)行不同處理，具體的工藝步驟如下當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室等待溫度超出工藝控制值+10°c時(shí)做報(bào)廢處理，當(dāng)鍍膜襯底的溫度超出工藝控制值低于+10°c時(shí)，則鍍膜襯底進(jìn)行后續(xù)工藝；當(dāng)鍍膜襯底溫度低于工藝控制值-5°c時(shí)，則對(duì)鍍膜襯底重新進(jìn)行工藝處理。
所述的當(dāng)鍍膜襯底在工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)，根據(jù)鍍膜襯底所處的腔室的不同，進(jìn)行不同的處理，具體的工藝步驟如下
a.當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第一個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)間超出5min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于5min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝；
b.當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第二個(gè)或第n個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)間超出30min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于30min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝，n>2。當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第二個(gè)或第n個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)，由于熱量散失較慢，對(duì)TCO膜層的生產(chǎn)影響相對(duì)較小，所以當(dāng)?shù)却龝r(shí)間超出30min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于30min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝。所述太陽能組件為硅基薄膜太陽能電池組件。薄膜太陽能電池組件彩虹缺陷為受光面顏色與正常組件不同，看上去有各種顏色類似彩虹現(xiàn)象。本發(fā)明的積極效果本發(fā)明依據(jù)LPCVD制備太陽能電池組件的工藝過程及組件彩虹外觀產(chǎn)生的原理，針對(duì)組件進(jìn)行透明導(dǎo)電電極工藝進(jìn)行時(shí)的狀態(tài)，控制措施降低太陽能電池組件功率低下及彩虹缺陷外觀的產(chǎn)生。本發(fā)明方法可有效控制彩虹缺陷組件的產(chǎn)生，避免透明導(dǎo)電電極后續(xù)原材料的浪費(fèi)及二級(jí)品、報(bào)廢品的產(chǎn)生，滿足人們對(duì)太陽能組件電學(xué)性能及外觀的嚴(yán)格要求。本發(fā)明可以降低薄膜太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀彩虹缺陷出現(xiàn)的幾率，減少后續(xù)原材料的浪費(fèi)，降低太陽能電池組件不良及報(bào)廢率。
具體實(shí)施例方式以下通過實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。在實(shí)施例中，本發(fā)明具體的工藝步驟如下
a.當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室等待溫度超出工藝控制值+10°C時(shí)做報(bào)廢處理，當(dāng)鍍膜襯底的溫度超出工藝控制值低于+10°C時(shí)，則鍍膜襯底進(jìn)行后續(xù)工藝；當(dāng)鍍膜襯底溫度低于工藝控制值_5°C時(shí)，則對(duì)鍍膜襯底重新進(jìn)行工藝處理。b.當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第一個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)間超出5min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于5min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝；
c.當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第二個(gè)或第n個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)間超出30min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于30min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝，n>2。實(shí)施例生產(chǎn)薄膜太陽能電池組件，在進(jìn)行透明電極工藝時(shí)，背景技術(shù)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室的溫度加熱的200°C以上時(shí)，太陽能電池組件的功率降低IOW以上；本實(shí)施例并不再有因此產(chǎn)生的功率低下的電池組件。
背景技術(shù)：
鍍膜襯底在第一個(gè)工藝反應(yīng)腔室因?yàn)樵O(shè)備異常等待7min，制備的太陽能電池組件外觀出現(xiàn)彩虹缺陷；本實(shí)施例沒有彩虹外觀缺陷電池組件產(chǎn)生。
背景技術(shù)：
鍍膜襯底在第二個(gè)工藝反應(yīng)腔室因?yàn)樵O(shè)備異常等待45min，制備的太陽能電池組件外觀出現(xiàn)彩虹缺陷；本實(shí)施例沒有彩虹外觀缺陷電池組件產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1.一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，其特征在于根據(jù)鍍膜襯底在LPCVD設(shè)備腔室等待的位置及時(shí)間不同對(duì)TCO膜層的影響不同，分別進(jìn)行控制；根據(jù)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室中等待時(shí)，鍍膜襯底的溫度變化進(jìn)行不同處理；當(dāng)鍍膜襯底在工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)，根據(jù)鍍膜襯底所處的腔室的不同，進(jìn)行不同的處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述之一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，其特征在于所述的根據(jù)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室中等待時(shí)，鍍膜襯底的溫度變化進(jìn)行不同處理，具體的工藝步驟如下 當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室等待溫度超出工藝控制值+10°C時(shí)做報(bào)廢處理，當(dāng)鍍膜襯底的溫度超出工藝控制值低于+10°C時(shí)，則鍍膜襯底進(jìn)行后續(xù)工藝；當(dāng)鍍膜襯底溫度低于工藝控制值_5°C時(shí)，則對(duì)鍍膜襯底重新進(jìn)行工藝處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述之一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，其特征在于所述的當(dāng)鍍膜襯底在工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)，根據(jù)鍍膜襯底所處的腔室的不同，進(jìn)行不同的處理，具體的工藝步驟如下 a.當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第一個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)間超出5min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于5min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝； > b.當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第二個(gè)或第η個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)間超出30min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于30min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝，n>2 ;當(dāng)鍍膜襯底在預(yù)加熱后的第二個(gè)或第η個(gè)工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)，由于熱量散失較慢，對(duì)TCO膜層的生產(chǎn)影響相對(duì)較小，所以當(dāng)?shù)却龝r(shí)間超出30min時(shí)，對(duì)鍍膜襯底進(jìn)行報(bào)廢處理，等待時(shí)間小于30min時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述之一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，其特征在于所述太陽能組件為硅基薄膜太陽能電池組件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種控制太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀缺陷的方法，屬于太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。技術(shù)方案是根據(jù)鍍膜襯底在LPCVD設(shè)備腔室等待的位置及時(shí)間不同對(duì)TCO膜層的影響不同，分別進(jìn)行控制；根據(jù)鍍膜襯底在預(yù)加熱腔室中等待時(shí)，鍍膜襯底的溫度變化進(jìn)行不同處理；當(dāng)鍍膜襯底在工藝反應(yīng)腔室發(fā)生等待時(shí)，根據(jù)鍍膜襯底所處的腔室的不同，進(jìn)行不同的處理。本發(fā)明可有效控制彩虹缺陷組件的產(chǎn)生，避免透明導(dǎo)電電極后續(xù)原材料的浪費(fèi)及二級(jí)品、報(bào)廢品的產(chǎn)生，滿足人們對(duì)太陽能組件電學(xué)性能及外觀的嚴(yán)格要求。本發(fā)明可以降低薄膜太陽能電池組件電學(xué)性能低下及外觀彩虹缺陷出現(xiàn)的幾率，減少后續(xù)原材料的浪費(fèi)，降低太陽能電池組件不良及報(bào)廢率。
文檔編號(hào)C23C16/52GK102628164SQ20121012776
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2012年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月27日
發(fā)明者周剛, 尹晶晶, 張惠霞, 王光輝, 王達(dá), 王穎, 馬云祥, 高錦成, 黃躍龍 申請(qǐng)人:保定天威薄膜光伏有限公司