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技術(shù)編號(hào)：3335146

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本發(fā)明涉及，屬于太陽能電池生產(chǎn)。背景技術(shù)在硅基薄膜太陽能電池實(shí)際生產(chǎn)過程 中，通常采用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)工藝進(jìn)行太陽能電池的透明導(dǎo)電電極一透明導(dǎo)電氧化物(TCO)的沉積。LPCVD設(shè)備通常由一個(gè)預(yù)加熱腔室、幾個(gè)工藝反應(yīng)腔室和一個(gè)冷卻卸載腔室組成，鍍膜襯底需要依次連續(xù)經(jīng)過上述幾個(gè)腔室完成LPCVD工藝。在進(jìn)行LPCVD工藝過程中，由于設(shè)備異常或生產(chǎn)過程控制不當(dāng)造成鍍膜襯底在腔室中等待，即LPCVD工藝中斷。鍍膜襯底在LPCVD設(shè)備中的等待時(shí)間...
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