專利名稱:用于包含銅層和鉬層的多層結(jié)構(gòu)膜的蝕刻液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及用于包含銅層和鑰層的多層結(jié)構(gòu)膜的蝕刻液、以及使用其的蝕刻方法。本發(fā)明的蝕刻液特別適用于鑰層上設(shè)置有銅層的多層薄膜的蝕刻。
背景技術(shù):
一直以來,作為平板顯示器等顯示裝置的布線材料,通常使用鋁或鋁合金。但是,隨著顯示器的大型化和高分辨率化,這種鋁系的布線材料有起因于布線電阻等特性的信號(hào)延遲的問題產(chǎn)生,難以得到均勻的畫面顯示。因此,進(jìn)行了對采用電阻更低的材料銅、以銅為主要成分的布線的研究。但是,銅雖然具有電阻低的優(yōu)點(diǎn),但另一方面,用于柵極(gate)布線時(shí),玻璃等基板與銅的密合性不充分,另外用于源極 漏極(source drain)布線時(shí),有時(shí)會(huì)發(fā)生對其基底的硅半導(dǎo)體膜 的擴(kuò)散這樣的問題。因此,為了防止這些,對配置與玻璃等基板的密合性高、也兼具難以發(fā)生對硅半導(dǎo)體膜的擴(kuò)散的阻隔性的金屬的阻擋膜的層疊進(jìn)行了研究。作為該金屬,進(jìn)行了鈦(Ti)、鑰(Mo)這樣的金屬的研究,進(jìn)行了對銅和這些金屬的多層薄膜的研究。另外,包含銅、以銅為主要成分的銅合金的多層薄膜通過濺射法等成膜工藝而在玻璃等基板上形成,接著經(jīng)過將抗蝕劑等作為掩模進(jìn)行蝕刻的蝕刻工序而制成電極圖案。并且,該蝕刻工序的方式有使用蝕刻液的濕法(wet)和使用等離子體等蝕刻氣體的干法(dry)。此處,用于濕法(wet)的蝕刻液要求⑴高加工精度、(ii)不產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)?iii)成分的穩(wěn)定性、安全性高、容易操作、(iv)蝕刻性能穩(wěn)定等。作為包含銅、以銅為主要成分的銅合金的多層薄膜的蝕刻工序中使用的蝕刻液,已知有以下包含過氧化氫的蝕刻液包含過氧化氫和選自中性鹽、無機(jī)酸和有機(jī)酸中的至少一種的蝕刻溶液(參照專利文獻(xiàn)I)、包含過氧化氫、羧酸和氟的蝕刻液(參照專利文獻(xiàn)2)、含有包含過氧化氫、有機(jī)酸、磷酸鹽、氮的第I添加劑、第2添加劑、以及氟化合物的蝕刻液(參照專利文獻(xiàn)3)、或者包含過氧化氫和氟離子供給源、硫酸鹽、磷酸鹽以及吡咯(azole)系化合物的蝕刻液(參照專利文獻(xiàn)4)等。但是,對于這種包含過氧化氫的蝕刻液,存在(i)因過氧化氫的濃度變化引起的蝕刻速率的變化大、(ii)過氧化氫發(fā)生急劇分解時(shí)產(chǎn)生氣體、熱而破壞設(shè)備這種危險(xiǎn)性等,因此期望不含過氧化氫的蝕刻液。另外,作為不含過氧化氫的蝕刻液,已知含有銅(II)離子和氨的氨堿性的蝕刻液(例如參照專利文獻(xiàn)5、非專利文獻(xiàn)I和2)。這種氨堿性的蝕刻液也能夠蝕刻銅/鑰系等包含銅、以銅為主要成分的銅合金的多層薄膜,但該蝕刻液由于PH高,氨從該蝕刻液中大量揮發(fā),存在因氨濃度的降低而引起蝕刻速率的變動(dòng)、使工作環(huán)境顯著惡化的情況。另外,PH高時(shí)也會(huì)產(chǎn)生抗蝕劑溶解的問題。這種情況下,通過使pH為中性范圍可抑制氨從蝕刻液中揮發(fā),但這種蝕刻液會(huì)在蝕刻后進(jìn)行水沖洗時(shí)發(fā)生殘?jiān)龀龅膯栴}?,F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)I :日本特開2002-302780號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 :美國專利第7008548號(hào)說明書專利文獻(xiàn)3 :日本特開2004-193620號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4 :日本特開2008-288575號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5 :日本特開昭60-243286號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)非專利文獻(xiàn)I :PRINTED CIRCUIT ASSEMBLYMANUFACTURING, Fred ff. Kear, MARCELDEKKER, INC.,Page 140,1987·非專利文獻(xiàn)2: Zashchita Metallov (1987),Vol. 23 (2),Page295_
圖I為實(shí)施例I的蝕刻后的玻璃基板表面的SEM照片。圖2為比較例5的蝕刻后的玻璃基板表面的SEM照片。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明是基于這種狀況而完成的,其目的在于提供一種用于包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻液、以及使用其的包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻方法。用于解決問題的方案本發(fā)明人等為了達(dá)成前述目的而進(jìn)行了反復(fù)深入地研究,結(jié)果發(fā)現(xiàn),使蝕刻液中配混有(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源、(B)銅離子供給源、以及(C)氨和/或銨離子供給源,且所述蝕刻液的pH為5 8,則能夠達(dá)成該目的。本發(fā)明是基于該見解而完成的。即,本發(fā)明的要旨如下。[I] 一種用于包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻液,其中配混有(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源、(B)銅離子供給源、以及(C)氨和/或銨離子供給源,所述蝕刻液的PH為5 8。[2]根據(jù)上述I所述的蝕刻液,其中,(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源為選自檸檬酸、酒石酸、蘋果酸以及它們的銨鹽中的至少一種。[3]根據(jù)上述I或2所述的蝕刻液,其中,(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源相對于(B)銅離子供給源的配混比(摩爾比)為0. 2^3.0倍。[4]根據(jù)上述廣3中的任一項(xiàng)所述的蝕刻液,其中,⑶銅離子供給源為選自銅、硫酸銅以及硝酸銅中的至少一種。[5]根據(jù)上述f 4中的任一項(xiàng)所述的蝕刻液,其中,(C)氨和/或銨離子供給源為選自氨、硫酸銨、硝酸銨、檸檬酸銨、酒石酸銨、以及蘋果酸銨中的至少一種。[6] 一種包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻方法,其特征在于,使蝕刻對象物接觸上述廣5中的任一項(xiàng)所述的蝕刻液。[7]根據(jù)上述6所述的蝕刻方法,其中,多層薄膜為在鑰層上層疊銅層的多層薄膜。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明,可提供在包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻工序中不產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)臀龀鑫锴夷苓m應(yīng)顯示器的大型化和高分辨率化的蝕刻液、以及使用其的包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻方法。另外,由于該蝕刻液能夠?qū)哂邪~層和鑰層的多層薄膜的布線一次性地進(jìn)行蝕刻,因此能夠以高生產(chǎn)率獲得。進(jìn)而,由于該蝕刻液在PH為5 8的中性范圍,因此氨的揮發(fā)得以抑制,蝕刻液的穩(wěn)定性優(yōu)異、容易操作。
具體實(shí)施例方式[用于包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻液]本發(fā)明的蝕刻液用于包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻,其特征在于,其中配混有(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源、(B)銅離子供 給源、以及(C)氨和/或銨離子供給源,所述蝕刻液的pH為5 8?!?A)有機(jī)酸離子供給源》本發(fā)明的蝕刻液中所用的(A)有機(jī)酸離子供給源(以下有時(shí)簡稱為(A)成分。)為包含分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸結(jié)構(gòu)的物質(zhì)。該(A)有機(jī)酸離子供給源可抑制在將蝕刻后的基板進(jìn)行水淋洗時(shí)基板上的殘?jiān)锖臀龀鑫锏漠a(chǎn)生。作為(A)有機(jī)酸離子供給源,例如可優(yōu)選列舉出蘋果酸、酒石酸、朽1蘋酸(citramalic acid)等單羥基二羧酸;檸檬酸、異檸檬酸等單羥基三羧酸;葡糖二酸、半乳糖二酸等羥基糖酸類;羥胺的羧酸類等有機(jī)酸,這些可以單獨(dú)或混合多種使用。這些有機(jī)酸離子供給源中,從在蝕刻液中顯示穩(wěn)定的溶解性、且抑制基板上的殘?jiān)锖臀龀鑫锏漠a(chǎn)生的觀點(diǎn)來看,優(yōu)選單羥基二羧酸和單羥基三羧酸,特別優(yōu)選檸檬酸、蘋果酸、以及酒石酸。另外,作為(A)成分,也可優(yōu)選列舉出上述有機(jī)酸的銨鹽,例如檸檬酸銨、蘋果酸銨、酒石酸銨等。需要說明的是,這些有機(jī)酸的銨鹽具有作為(A)成分的功能,并且也具有作為后述(C)成分的功能?!盯倾~離子供給源》本發(fā)明的蝕刻液中所用的⑶銅離子供給源(以下有時(shí)簡稱為⑶成分。)只要是可供給銅(II)離子的物質(zhì)則沒有特別的限制,為了得到良好的蝕刻速度,除了銅以外,還可優(yōu)選列舉出硫酸銅、硝酸銅、醋酸銅、氯化銅(II)、溴化銅(II)、氟化銅(II)、以及碘化銅(II)等銅鹽,這些可以單獨(dú)或組合多種使用。另外,還可優(yōu)選列舉出檸檬酸銅、酒石酸銅、蘋果酸銅等上述(A)有機(jī)酸離子供給源的銅鹽。這些銅離子供給源中,更優(yōu)選銅、硫酸銅以及硝酸銅,特別優(yōu)選硫酸銅和硝酸銅。需要說明的是,(A)有機(jī)酸離子供給源的銅鹽具有作為(B)成分的功能,并且也具有作為(A)成分的功能?!?C)氨和/或銨離子供給源》本發(fā)明的蝕刻液中所用的(C)氨和/或銨離子供給源(以下有時(shí)簡稱為(C)成分。)只要是可供給氨和/或銨離子的物質(zhì)則沒有特別的限制,可使用氨或者銨鹽。作為銨鹽,除了硫酸銨、硝酸銨、碳酸銨、氯化銨、醋酸銨以外,還可優(yōu)選列舉出作為(A)成分的有機(jī)酸的銨鹽而例示的檸檬酸銨、酒石酸銨、以及蘋果酸銨等(A)有機(jī)酸離子供給源的銨鹽等,這些可以單獨(dú)或組合多種使用。這些之中,優(yōu)選氨、硫酸銨、硝酸銨、檸檬酸銨、酒石酸銨以及蘋果酸銨。需要說明的是,(A)有機(jī)酸離子供給源的銨鹽具有作為(C)成分的功能,并且也具有作為(A)成分的功能?!段g刻液組成》本發(fā)明的蝕刻液中有機(jī)酸尚子的配混量為(A)成分的量,或者,在⑶成分為(A)有機(jī)酸離子供給源的銅鹽的情況和/或(C)成分為(A)有機(jī)酸離子供給源的銨鹽的情況下,其配混量為(A)成分的量與這些(B)成分和/或(C)成分的量的總量。并且該有機(jī)酸離子的配混量以相對于(B)銅離子供給源的配混比(摩爾比)計(jì),優(yōu)選為0. 2 3.0倍、更優(yōu)選為0.n.5倍。若本發(fā)明的蝕刻液中的有機(jī)酸離子的含量在上述范圍內(nèi),則可有效地抑制基板上的殘?jiān)锖臀龀鑫锏漠a(chǎn)生,蝕刻速率也良好。本發(fā)明的蝕刻液中的(B)銅離子供給源的配混量優(yōu)選為0. 2^1摩爾/kg-蝕刻液的范圍、更優(yōu)選為0.3、. 8摩爾/kg-蝕刻液。若(B)成分的配混量在上述范圍內(nèi),則可得到良好的蝕刻速度,從而容易控制蝕刻量。本發(fā)明的(C)氨和/或銨離子供給源的配混量優(yōu)選為0.5 10摩爾/kg-蝕刻液的 范圍、更優(yōu)選為f 5摩爾/kg-蝕刻液的范圍、更優(yōu)選為I. 5^4摩爾/kg-蝕刻液的范圍。若(C)成分的配混量在上述范圍內(nèi),則可得到良好的蝕刻速度和蝕刻性能?!?D) pH調(diào)節(jié)劑》為了進(jìn)行pH調(diào)整,本發(fā)明的蝕刻液中可根據(jù)需要配混(D)pH調(diào)節(jié)劑。作為(D)pH調(diào)節(jié)劑,只要不阻礙該蝕刻液的效果則沒有特別的限制,可優(yōu)選列舉出氨;氫氧化鈉、氫氧化鉀等金屬氫氧化物;單乙醇胺、二乙醇胺以及三乙醇胺等胺鹽;鹽酸、硫酸以及硝酸等無機(jī)酸等。其中,更優(yōu)選氨、氫氧化鉀、硫酸。本發(fā)明的(D)pH調(diào)節(jié)劑的配混量為使本發(fā)明的蝕刻液的pH為51的量,根據(jù)其他成分來決定。《pH》本發(fā)明的蝕刻液需要為pH5 8,優(yōu)選為pH6 8。不足pH5時(shí)蝕刻速度變得過慢。另夕卜,比PH8更大時(shí),發(fā)生氨從蝕刻液的揮發(fā),因此導(dǎo)致蝕刻液的穩(wěn)定性、工作環(huán)境顯著降低。《其他成分》本發(fā)明的蝕刻液除了上述(A)IC)成分、以及根據(jù)需要添加的(D)pH調(diào)節(jié)劑之外,在不損害蝕刻液的效果的范圍內(nèi),還包含水、其他蝕刻液中通常所使用的各種添加劑。作為水,優(yōu)選通過蒸餾、離子交換處理、過濾處理、各種吸附處理等去除金屬離子、有機(jī)雜質(zhì)、微粒等的水,特別優(yōu)選純水、超純水。[包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻方法]本發(fā)明的蝕刻方法為蝕刻包含銅層和鑰層的多層薄膜的方法,其特征在于,使用本發(fā)明的蝕刻液,即其中配混有(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源、(B)銅離子供給源、以及(C)氨和/或銨離子供給源、所述蝕刻液的pH為5^8的用于銅/鑰系多層薄膜的蝕刻液,并具有使蝕刻對象物與本發(fā)明的蝕刻液接觸的工序。通過本發(fā)明的蝕刻方法,可對包含銅層和鑰層的多層薄膜一次性地進(jìn)行蝕刻,且不產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)臀龀鑫?。本發(fā)明的蝕刻方法中,蝕刻液以例如在包含銅層和鑰層的多層薄膜上進(jìn)一步涂布抗蝕劑,將期望的圖案掩模曝光轉(zhuǎn)印并顯影而形成期望的抗蝕劑圖案的物體為蝕刻對象物,所述包含銅層和鑰層的多層薄膜為在玻璃等基板上依次層疊由鑰系材料形成的阻擋膜(鑰層)與由銅或以銅為主要成分的材料形成的銅布線(銅層)而成的。此處,本發(fā)明中,包含銅層和鑰層的多層薄膜以如圖I的在鑰層上存在銅層的方式為例,也包含在銅層上存在鑰層的方式。本發(fā)明的蝕刻方法中,從有效發(fā)揮本發(fā)明的蝕刻液的性能的觀點(diǎn)來看,圖I所示的在鑰層上存在銅層的蝕刻對象物是優(yōu)選的。另外,這種包含銅層和鑰層的多層薄膜優(yōu)選用于平板顯示器等顯示裝置等的布線。由此,在鑰層上存在銅層的蝕刻對象物從利用領(lǐng)域的觀點(diǎn)來看也是優(yōu)選的方式。銅布線只要是由銅或以銅為主要成分的材料形成的,則沒有特別的限制,作為形成該阻擋膜的鑰系材料,可列舉出鑰(Mo)金屬、其氮化物(MoN)、或者M(jìn)o系合金等。使蝕刻對象物接觸蝕刻液的方法沒有特別的限制,例如可采用使蝕刻液通過滴加(單片旋轉(zhuǎn)(Sheet leaf spin)處理)、噴霧等形式與對象物接觸的方法、使對象物浸潰在蝕刻液中的方法等濕式(wet)蝕刻方法。本發(fā)明中,優(yōu)選采用向?qū)ο笪锏渭游g刻液(單片旋轉(zhuǎn)處理)而使其接觸的方法、向?qū)ο笪飮婌F蝕刻液而使其接觸的方法。 作為蝕刻液的使用溫度,優(yōu)選為1(T70°C的溫度、特別優(yōu)選為2(T50°C。若蝕刻液的溫度為10°c以上,則蝕刻速度變得良好,因此可得到優(yōu)異的生產(chǎn)效率。另一方面,若為700C以下,可抑制液體組成變化、保持蝕刻條件恒定。通過提高蝕刻液的溫度,蝕刻速度上升,但在考慮到將蝕刻液的組成變化抑制為較小等基礎(chǔ)上,適宜決定最適當(dāng)?shù)奶幚頊囟燃纯?。?shí)施例接著,通過實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明,但本發(fā)明不受這些實(shí)施例的任何限制。(蝕刻后的包含銅層和鑰層的多層薄膜的殘?jiān)脑u價(jià))用掃描型電子顯微鏡(“S5000H型(型號(hào))”;日立制造),以觀察倍率20000倍(加速電壓2kV、發(fā)射電流10 u A)觀察實(shí)施例和比較例所得的、進(jìn)行蝕刻后的包含銅層和鑰層的多層薄膜試樣的表面。基于所得的SEM圖像,按照下述基準(zhǔn)評價(jià)處理后有無殘?jiān)蛘呶龀鑫?。〇完全未確認(rèn)到殘?jiān)臀龀鑫颴 :確認(rèn)有殘?jiān)?、析出物制作?包含銅層和鑰層的多層薄膜的制作)以玻璃為基板,濺射鑰并形成由鑰形成的阻擋膜(鑰膜厚200A ),接著濺射以銅為主要成分的材料將布線原材料成膜(銅膜厚約5000A),接著涂布抗蝕劑、對圖案掩模進(jìn)行曝光轉(zhuǎn)印后,進(jìn)行顯影,制作在形成了布線圖案的鑰層上設(shè)置銅層的多層薄膜。實(shí)施例I在容量IOOmL的聚丙烯容器中投入15. 64g作為(B)成分的硫酸銅五水合物(和光純藥工業(yè)株式會(huì)社制造)和61. 15g純水。進(jìn)而加入3g作為(C)成分的硫酸銨(和光純藥工業(yè)株式會(huì)社制造)與7g作為(A)成分的檸檬酸。將其攪拌確認(rèn)各成分溶解之后,力口A 13. 21g作為(C)成分的氨水溶液(濃度28質(zhì)量%,三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社制造),再次攪拌,制備蝕刻液。所得的蝕刻液的(A)成分的配混量為0. 36摩爾/kg-蝕刻液,有機(jī)酸離子相對于(B)銅離子供給源的配混比(摩爾比)為0. 58,(B)成分的配混量為0. 63摩爾/kg-蝕刻液,(C)成分的配混量為硫酸銨的配混量(0. 23摩爾/kg-蝕刻液的二倍的量)與氨水溶液的配混量(2. 2摩爾/kg-蝕刻液)的總量,為2. 7摩爾/kg-蝕刻液。
用所得的蝕刻液在35°C下蝕刻制作例得到的包含銅層和鑰層的多層薄膜300秒鐘,得到蝕刻后的包含銅層和鑰層的多層薄膜試樣。對于所得的試樣,將通過上述方法得到的評價(jià)示于第I表中。實(shí)施例2 11、13和比較例廣5除了使實(shí)施例I中蝕刻液的組成為第I表所示的組成以外,與實(shí)施例I同樣地操作制備蝕刻液,使用該蝕刻液進(jìn)行蝕刻。對于所得的試樣,將通過上述方法得到的評價(jià)示于第I表中。實(shí)施例12除了在實(shí)施例I中不配混硫酸銨,加入硫酸作為pH調(diào)節(jié)劑、使(A)成分的檸檬酸和(B)成分的硫酸銅五水合物的配混量為第I表所示的配混量以外,與實(shí)施例I同樣地操作制備蝕刻液,使用該蝕刻液進(jìn)行蝕刻。對于所得的試樣,將通過上述方法得到的評價(jià)示于 第I表中。[表I]
權(quán)利要求
1.一種用于包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻液,其中配混有(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源、(B)銅離子供給源、以及(C)氨和/或銨離子供給源,所述蝕刻液的PH為5 8。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的蝕刻液,其中,(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源為選自檸檬酸、酒石酸、蘋果酸以及它們的銨鹽中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的蝕刻液,其中,(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源相對于(B)銅離子供給源的配混比(摩爾比)為0. 2^3.0倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求廣3中的任一項(xiàng)所述的蝕刻液,其中,(B)銅離子供給源為選自銅、硫酸銅以及硝酸銅中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求r4中的任一項(xiàng)所述的蝕刻液,其中,(C)氨和/或銨離子供給源為選自氨、硫酸銨、硝酸銨、檸檬酸銨、酒石酸銨、以及蘋果酸銨中的至少一種。
6.一種包含銅層和鑰層的多層薄膜的蝕刻方法,其特征在于,使蝕刻對象物接觸權(quán)利要求廣5中的任一項(xiàng)所述的蝕刻液。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的蝕刻方法,其中,多層薄膜為在鑰層上層疊銅層的多層薄膜。
全文摘要
提供一種用于包含銅層和鉬層的多層薄膜的蝕刻液、以及使用其的包含銅層和鉬層的多層薄膜的蝕刻方法。一種用于包含銅層和鉬層的多層薄膜的蝕刻液,其中配混有(A)分子內(nèi)具有兩個(gè)以上羧基、且具有一個(gè)以上羥基的有機(jī)酸離子供給源、(B)銅離子供給源、以及(C)氨和/或銨離子供給源,所述蝕刻液的pH為5~8;以及使用其的蝕刻方法。
文檔編號(hào)C23F1/14GK102985596SQ201180030089
公開日2013年3月20日 申請日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者玉井聰, 岡部哲, 松原將英, 夕部邦夫 申請人:三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社